UNIVERSIDAD DEL NORTE

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA MECANICA

CIENCIA DE LOS MATERIALES IME 1205

TALLER NUMERO I.

Elías José Muñoz Montenegro

Ángel Chamorro

PROFESOR: Ing. Diego Guillen P.

PERIODO ACADEMICO: 2016 10

TEMA I y II. INTRODUCCION Y ESTRUCTURA ATOMICA
1. El aluminio puro es un material dúctil con baja resistencia a la tensión y poca
dureza. Su oxido Al2O3 es extremadamente fuerte, duro y frágil. ¿Puede explicar
este comportamiento desde el punto de vista de los enlaces atómicos?
El aluminio puro es un material puro, es decir que solo está compuesto de
un elemento químico, y al ser el aluminio un elemento metálico este forma
enlace metálico que normalmente satisface esas características. Mientras
que el óxido de aluminio es un material cerámico que posee enlaces
direccionales, en este caso de carácter iónico, que le permite tener esas
propiedades.

2. El boro tiene un coeficiente de expansión térmica más bajo que el aluminio,

inclusive cuando ambos pertenecen al grupo IIB de la tabla periódica, ¿considera
usted que este es un comportamiento esperado? ¿Por qué?
A pesar de que ambos elementos estén en el mismo grupo de la tabla
periódica, tienen electronegatividades diferentes y esto produce que sus
enlaces con otros átomos del mismo sean diferentes. Mientras que el
aluminio forma enlaces metálicos entre sus átomos, el boro forma enlaces
covalentes que al ser direccionales vuelve más difícil separar sus átomos al
suministrarle energía.

3. ¿Cómo puede explicarse las altas conductividades eléctricas y térmicas de metales

por el modelo del “gas o nube electrónica” del enlace metálico? ¿y la ductilidad?
En los enlaces metálicos, los electrones de valencia de los átomos no están
fijos lo que permite que se muevan libremente entre los átomos, a esto es lo
que se conoce como nube electrónica. Entonces la corriente eléctrica no es
más que el flujo de electrones y como en los enlaces metálicos están en la
nube electrónica la corriente puede pasar más fácilmente que en otro tipo
de enlace. Y esta nube también permite los átomos se muevan sin muchas
restricciones por lo que al calentarse estos vibran con mayor facilidad,
fluyendo mejor el calor.

4. Al aumentar la temperatura de un superconductor se rompen los enlaces covalentes.

Por cada enlace roto se liberan dos electrones, que se mueven y transfieren carga
eléctrica.
a. ¿Qué fracción total de los electrones de valencia tienen movimiento? (50g)

b. Que fracción de enlaces covalentes se debe romper para que 5𝑥1015

electrones conduzcan carga eléctrica de 50 g de silicio.
Silicio (Si): masa atómica = 28,085 g/mol, electrones de valencia =
4.
N° Avogadro = 6,023*1023 átomos/mol.
masa 50 g
N ° moles= = =1.78 moles
masa átomica 28,085 g/mol
N ° átomos=N ° moles∗N ° Avogadro=1.78 moles∗6,023∗1023 átomos /mol=1.07∗1024
 N °átomos 1.07∗10 24 23
N ° enlaces= = =5.36∗10
N ° átomos por enlace 2

N ° átomos afectados=electrones de valencia∗número de electrones libre=4∗5∗1015=2∗

N ° átomos afectados 2∗10 16 16
N ° enlacesrotos= = =1∗10
N ° átomos por enlace 2
N ° Enlaces rotos 1∗10 16
Fracción de enlaces= = =0.000002
N ° Enlaces 5.36∗1023

TEMA III: ESTRUCTURAS CRISTALINAS Y AMORFAS

1. Dibuje los planos que tienen índices de Miller (1 0 1), (2 2 1), (1 1 1) y (0 1 1) en
la celda unitaria del aluminio. Utilice el sistema de coordenadas derecho. justifique
el procedimiento y el resultado.
Dado (hkl), un índice de Miller, para graficarlo se debe:
111
i. Sacar los recíprocos de cada intersección,
hk l
1
Nota: si alguna de las intersecciones queda de la forma: =∞
0
significa que el plano no intersecta ese eje coordenado.
ii. En caso de tener fracciones, multiplicar por un número con el cual
quede el conjunto más pequeño de números enteros, es decir hasta
que el número mayor de todos sea uno.
1 11
(1 0 1) => Los recíprocos = -1 ∞ 1, entonces intersecta al eje x
−1 0 1
en -1, al eje z en 1 y no intersecta al eje y.
1 11
(2 2 1) => Los recíprocos = -1/2 1/2 1, entonces intersecta al eje x
−2 2 1
en -1/2, al eje y en 1/2 e intersecta al eje z en 1.
1 11
(1 1 1) => Los recíprocos = -1 1 1, entonces intersecta al eje x
−1 1 1
en -1, al eje y en 1 e intersecta al eje z en 1.
111
(0 1 1) => Los recíprocos = ∞ 1 1, entonces no intersecta al eje x, al
011
eje y en 1 e intersecta al eje z en 1.
Todos los planos con origen en el extremo inferior izquierdo.
 (1 0 1) (2 2 1) (1 1 1) (0 1 1)

2. Dibuje las direcciones [2 2 1], [1 0 1], [4 2 1] y [4 2 1] en la celda unitaria del
hierro. Utilice el sistema de coordenadas derecho. justifique el procedimiento y el
resultado.
Dado [hkl], una dirección, para graficar se hace lo siguiente:
i. Si alguna de las componentes es mayor que 1, se saca el máximo
común múltiplo y se divide entre el, con el objetivo que el vector este
hk l
dentro de la celda unitaria. donde c es el máximo común
ccc
múltiplo.
ii. Se grafica un vector canónico, con inicio en el origen, hasta las
coordenadas de la dirección.
−2 2 1
[2 2 1] => M.C.M. = 2 => = (-1, 1, 1/2)
2 22
−1 0 1
[1 0 1] => M.C.M. = 1 => = (-1, 0, 1)
1 11
4 −2 1
[4 2 1] => M.C.M. = 4 => = (1, -1/2, 1/4)
4 4 4
421
[4 2 1] => M.C.M. = 4 => = (1, 1/2, 1/4)
444

[2 2 1] [1 0 1] [4 2 1] [4 2 1]

Las siguientes preguntas consisten de una afirmación seguida por un motivo. Elija el inciso
correcto marcando a, b, c, d ó e según corresponda:
 a) Si, la proposición es verdadera pero el motivo contiene datos falsos.
b) Si, tanto la proposición como el motivo son falsos.
c) Si, tanto la proposición como el motivo son verdaderos y el motivo es una
explicación correcta de la proposición.
d) Si, la proposición es falsa aunque el motivo contiene datos verdaderos.
e) Si, tanto la proposición como el motivo son verdaderos pero el motivo no es una
explicación correcta de la proposición.

3. El factor de empaquetamiento o grado de empaquetadura de la celda unitaria

hexagonal compacta es menor que el factor de empaquetamiento de la celda unitaria
cúbica simple porque el número de átomos por celda unitaria cúbica simple es uno.
D, en realidad el factor de empaquetamiento del hexagonal compacta, HCP,
es de 0.74 mientras que de la celda cubica simple es de 0.52. Y sí la celda
cubica simple solo tiene un átomo que equivale a la suma de los octavos de
átomos que tiene cada vértice de la celda.

4. Los materiales cerámicos, como el carburo de tungsteno (CW), tienen temperaturas

de fusión más alta que los materiales poliméricos como el ABS porque los
materiales poliméricos tienen baja densidad.
E, los datos de la proposición y del motivo son ciertos pero la proposición
sucede ya que los materiales poliméricos poseen enlaces de van der Waals
que son mucho más fáciles de romper que los enlaces iónicos que posee el
carburo de wolframio y ocasionando la diferencia en los puntos de fusión.

5. Describa los conceptos: a) Alotropía, b) Anisotropía. Utilice ejemplos de aplicación

para cada uno.
Alotropía, sinónimo de polimorfismo, hace referencia a la cualidad que
tienen ciertos materiales cristalinos de cambiar su estructura cristalina
cuando están cometidos a diferentes cambios en la temperatura y la presión.
Esto es usado en la ingeniera para los casos de endurecimiento por cambio
de fase, un ejemplo de esto es el temple y el revenido.
Anisotropía, es la característica que tienen algunos materiales los cuales no
se diferente dependiendo de la dirección en que se mida.

6. Clasifique los materiales de ingeniería según el tipo de ordenamiento atómico. Para

cada tipo de ordenamiento atómico dar dos ejemplos de materiales y sus
aplicaciones tecnológicas.
El ordenamiento atómico es el arreglo u ordenamiento que tienen los
átomos en un material y existe dos tipos de ordenamiento que son
estructuras cristalinas, o de largo alcance, y arreglos amorfos, o de corto
alcance.
Los amorfos, o de corto alcance, solo son los arreglos que no abarcan más
allá de unos pocos átomos y no se puede evidenciar un patrón repetitivo a
lo largo del material, ejemplo de esto son los polímeros que tienen largas
cadenas carbonadas las cuales se encuentran en desorden y sin patrones
repetitivos.
 Las estructuras cristalinas, o los arreglos de largo alcance, son
ordenamientos repetitivos que forman los átomos a lo largo de un material,
y los patrones repetitivos se conocen como cristales o celdas unitarias, un
ejemplo de esto son los metales puros los cuales presentan patrones
periódicos, como el hierro con ordenamiento BCC.

Estructura amorfa Estructura cristalina

7. Utilice la densidad real del tantalio (Ta) y calcule: a) el parámetro de la celda

unitaria del Ta. b) El radio atómico del Ta. Justifique su procedimiento y su
respuesta.
Del Tantalio se conoce:
Tantalio (Ta): ρ=16650 kg/m3=16,65 g/cm3; Masa atómica=180,95 g/mol;
4R
Estructura: BCC; N° átomos=2; Volumen de la celda: a3; a=
√3
23
N° Avogadro = 6,023*10 átomos/mol.

Densidad Volumétrica se define como:

N ° átomos∗Masa atómica
ρ=
N ° avogadro∗Volumen de la celda

Despejando el Volumen de la celda de la ecuación entonces queda:

N ° átomos∗Masaatómica
Volumen de la celda=
N ° avogadro∗ρ
Se reemplaza los valores:
g
2 átomos∗180,95
3 mol
a=
átomos g
6,023∗1023 ∗16,65 3
mol cm
Se cancelan las unidades y se realizan las operaciones:
 361.9
a 3= ∗10−23 cm3 =3.608∗10−23 cm 3=36,08∗10−24 cm3
100,28295
Se saca radical a ambos lados:
3
a=√ 36,08∗10−24 cm=3,304∗10−8 cm

Se utiliza la fórmula del parámetro de red y se despeja el radio:

√ 3∗a √ 3∗3,304∗10−8 −8
R= = cm=1.430∗10 cm
4 4

8. Calcule las densidades atómicas planares, en átomos por nm2, de los planos a)
(110), b) (011) y c) (111) en una celda elemental del metal oro. Justifique su
procedimiento. ¿Cuál es el plano con mayor densidad? ¿cree que puede explicar qué
debe ocurrir con el deslizamiento de los átomos en los planos indicados cuando se
aplique una fuerza para deformar en frio plásticamente un alambre de níquel?

El oro tiene una estructura FCC

¿ átomos cortados por el area seleccionada

ρ=
Area seleccionada

Tomamos nuestra área sombrea y la miramos en un plano 2D

 Como podemos observar para el
primer y segundo plano cortan a los átomos de esta manera siendo un total de 2 átomos
por el área seleccionada.

2
ρ=
a (a √ 2)

El radio atómico medio del oro son 135 pm

135 pm=0.135 nm

4 (0.135 nm)
a=
√2
a=0.38181 nm

2
ρ= 2
¿=9.7 atomos/n m 2 Nota como los planos (1 1 0) y (0 1 1) intersectan la
( 0.38181 ) √2 ¿
misma cantidad de átomos entonces su densidad planar es igual.
3 3
+ =2
2 6

l2 √3
El área de un triángulo equilátero está dada por Area=
4
2
( √2 a ) √ 3
a=
4

2
ρ= 3
2
a √3
(2)
ρ=¿993.92atomos /n m 2