INGENIERIA MECATRONICA

LABORATORIO DE
ANALOGICA
TEMA: ANALISIS DE CARACTERÍSTICA DE UN DIODO A SILICIO Y ZENER.
PRÁCTICA N° FECHA INTEGRANTES
2 4/11/2020 Franklin Ucho
TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Luis Abad C.

Resumen— El presente informe trata sobre el Diodo, 3.- EQUIPOS Y MATERIALES

un semiconductor del cual conoceremos sus Las herramientas que se van a usar en el laboratorio:
principales características de corriente y voltaje para
conducción directa e inversa y finalmente unas  Generador de funciones
aplicaciones en dc.  Osciloscopio
 Multímetro
INTRODUCCIÓN  Sondas
En este informe vamos a analizar y comprender como  Banco de trabajo
se comporta en polarización directa e inversa, y como  Diodos 1N4007, 1N4148
resulta su curva característica.  Transformador 115Vac/12Vac

También analizaremos los distintos circuitos aplicando 4.- MARCO TEORICO

voltaje dc, midiendo el voltaje en cada diodo cuando
Diodo
estos se encuentran en diferentes configuraciones
como en serie, paralelo, OR.
En el laboratorio verificaremos la curva característica
del diodo y con el multímetro los voltajes en distintos
puntos del circuito.
1.- OBJETIVOS
1.1 Objetivo general:
Un diodo es un componente electrónico
semiconductor de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en
un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente
circula en sentido contrario. Esto hace que el diodo
tenga dos posibles posiciones: una a favor de la
corriente (polarización directa) y otra en contra de
la corriente (polarización inversa).

 Analizar, verificar y comprobar el

funcionamiento del diodo y sus valores
característicos.

1.2 Objetivo específico:

 Armar el circuito, tomar nota de I AK, VAK para

conducción directa e inversa.
 Obtener la curva característica y comprobar
visualizando en el osciloscopio
 Analizar los voltajes dc en los circuitos
propuestos.

2.- METODO
 Demostración del docente en la utilización y
manejo de los dispositivos para la práctica. Fig.1. Curva Característica

1
 El diodo polarizado directamente permite el flujo a VD/ID
través de él de los electrones, o lo que es lo mismo
-
permite el paso de la corriente eléctrica. En
10,00 0v -10V 0mA ∞
polarización inversa no permite el paso de los
electrones por él. -8,00 0v -8V 0mA ∞

El modelo matemático más empleado es el de -4,00 0v -4V 0mA ∞

Shockley, que permite aproximar el
-2,00 0v -2V 0mA ∞
comportamiento del diodo en la mayoría de las
aplicaciones. -1,00 0v -1V 0mA ∞

0,00 0v 0V 0mA ∞

247.178
5.- PROCEDIMIENTO, CALCULOS Y RESULTADOS.
0.25 2.822mV mV 2.822mA 87.589 Ω
5.1.- Consulte el manual y transcriba lo más relevante
de: Valores Absolutos máximos y las características 90.736m 409.264
eléctricas de los diodos 1N4007, 1N4148. 0.5 V mV 90.736mA 4.510 Ω

5.2.- Utilizando el multímetro identifique los 286.893 463.107 286.893m

terminales y compruebe que están en buen estado. 0.75 mV mV A 1.614 Ω

509.98m 490.02m
1,00 V V 509.98mA 0.960 Ω
Polarización 1N4007 1N4148
539.275 369.113
Directa 663 665 2.00 1.461mV mV 1.461mA Ω

Inversa.  1 1 579.155 169.294

4.00 3.421mV mV 3.421mA Ω
Tabla 1
615.31m
5.3.- Realizar el circuito de la fig.2, aplicar valores 8.00 7.385mV V 7.385mA 78.533 Ω
positivos y negativos al diodo, llenar la siguiente tabla
626.546
de valores mediante lecturas de voltaje con el
10.00 9.373mV mV 9.373mA 66.845 Ω
multímetro en VR, VD(VA-K), para el diodo 1N4007.
R
+ V D
1k A
5.4.- Con los datos obtenidos en la tabla, trace la
V dc 1N 4007
respectiva curva de ID = f (VD) y saque sus
K
_ conclusiones.

Fig. 3. Aquí dibujo curva característica del diodo

Fig 2: Circuito Diodo
5.5.- Modificar el circuito según fig. 4 y obtenga a
través del osciloscopio la característica de ID = f (VD).
Utilizar un transformador de 110Vac/12Vac, el
Vdc VR (V) VD(VA-K) Calcular Resistenc osciloscopio en modo XY e invertir en el osciloscopio
Corriente ia la señal de Ch1,( Menú inversión On).
Diodo estática

ID = VR/R RD =

2
 determinar las corrientes y comparar con los valores
calculados y simulados.

D1 D2 D3 D1 D4 D1
A B C A B
+ + + 1 5V c c
R2 D2
D2
V i = + 10 V c c R1 V o V i = + 1 0V c c R1 V o + 5Vcc
10 k 1k D3 1k
R1
1k
Vo
_ _ _
Fig.4. Circuito diodo

Fig.6 .Esquema.

Calculado Medido
Vi 10V 10V
VA 9.3V 9.38V
VB 8.6V 8.76V
VC 7.9V 8.14V
Vo 7.9V 8.14V

Tabla 2: Mediciones

D1 D2 D3 D1 D4 D1
Fig.5. osciloscopio Curva característica del diodo A B C A B
+ + + 15V c c
R2 D2
D2
V i = + 10V c c 10 k
R1
1k
V o V i = + 10V c c D3
R1
1k
V o + 5V c c
R1 Vo
1k
_ _ _

Comentario:
Fig.7 .Esquema
5.6.- Análisis en tensión dc: Tipo serie, paralelo, OR.
Calculado Medido
Para cada circuito por separado, calcular los voltajes Vi 10V 10V
en cada nodo y sus respectivas corrientes. Aplicar VA 9.3V 9.4V
Vi=10Vdc, medir con el multímetro los voltajes en VB 8.6V 8.804V
Vo 8.6V 8.804V
cada nodo con respecto a tierra, con estos valores,

3
 [2] Area, T. (2000). Diodo Semiconductor.
http://www.areatecnologia.com/electronica/el-
diodo.html.

Tabla 3: Mediciones

D1 D2 D3 D1 D4 D1
A B C A B
+ + + 15V cc
R2 D2
D2
V i =+10V cc 10 k
R1
1k
V o V i =+10V cc D3
R1
1k
V o + 5V cc
R1 Vo
1k
_ _ _

Fig.15.Esquema medición 3

Calculado Medido
Vi
Vo
Tabla 4: Mediciones

6.- ANEXOS.

7.- CONCLUSIÓNES

8.- BIBLIOGRAFIA.
[1] Boylestad Robert, Nashelski Louis, Teoría de
circuitos y dispositivos electrónicos,10ma
edición, Prentice Hall, Mexico, 2009.