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Comunicaciones Ópticas – T12L

LECTURA 4

ING. JAVIER MANSILLA


jgmansilla@outlook.com
Comunicaciones Ópticas – T12L

 PROPÓSITO DE LA PRESENTE LECTURA,


• Dar a conocer los conceptos básicos de emisión y detección de la luz
• Dar a conocer los elementos que forman parte de un sistema de
comunicaciones ópticas: fibras ópticas, emisores de luz,
fotodetectores, dispositivos fotónicos activos y pasivos.
 QUE ES LO QUE ESPERA DEL ALUMNO,
• Al concluir la lectura, el alumno deberá en base a los conceptos
aprendidos, efectuar una revisión del tema y profundizar sus
conocimientos en base a la información recomendada.

 QUE INFORMACIÓN DEBEN RETENER.


• Los conceptos básicos y conclusiones de la lectura
Comunicaciones Ópticas – T12L

CONTENIDO DE LA LECTURA N° 4

TEMA: FUNDAMENTOS DE TRANSMISIÓN ÓPTICA


1. Introducción a la emisión de luz
2. Técnicas de modulación de la luz
3. Fuentes de Luz para comunicaciones ópticas
4. Fuentes de luz para señalización
5. Fuentes de luz para comunicaciones ópticas: LED
6. Parámetros de un LED
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CONTENIDO DE LA LECTURA N° 4 (Cont.)

TEMA: FUNDAMENTOS DE TRANSMISIÓN ÓPTICA


7. Fuentes de luz para comunicaciones ópticas: LD
8. Parámetros de funcionamiento de un LD
9. Diodos laser especiales: DFB, VCSEL
10. Diodos LED y Láser: Otros aspectos importantes
11. Conceptos básicos de la detección óptica
12. Fotodiodos PIN y APD
13. Conclusiones
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1. INTRODUCCIÓN A LA EMISIÓN DE LUZ
Concepto de Sistema Básico de Transmisión Óptica
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ

Cuando se habla de velocidades de 40 Gbps y superiores, las cuales


podríamos definir como ultra velocidades, el empleo de nuevas
técnicas de modulación que aumenten la eficiencia espectral y que
utilicen mecanismos para compensar los fenómenos perniciosos que
se producen a esas velocidades es imprescindible.

El espectro del que disponemos en una fibra óptica es limitado, si


queremos seguir aumentando la velocidad en las transmisiones, la
única posibilidad es aumentar la eficiencia espectral, es decir,
incrementar la cantidad de bits por Hertzio.

Las dispersiones cromática y la producida por el modo de polarización


también tienen su protagonismo indeseado conforme aumentamos la
velocidad de las señalas a transmitir.

Los sistemas de transmisión, han evolucionado hacia sistemas con


detección coherente y procesamiento de señal.
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)

En fibras ópticas, el campo óptico tiene tres atributos físicos que


pueden ser usados para transmitir información:

1) Intensidad;
2) Fase (Frecuencia), y
3) Polarización.

Dependiendo de cuál de estos se use para la transmisión de


información podemos distinguir varios formatos de modulación
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)

Sistemas Coherentes
 Modulación de frecuencia o fase
 Detección homodina o heterodina
 Incremento de la sensibilidad
 Multiplexación OFDM
 Problemas de estabilización y control
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)
Comunicaciones Ópticas – T12L
2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)
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2. TÉCNICAS DE MODULACIÓN DE LA LUZ (cont.)
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS

Una fuente de luz es un dispositivo activo que genera la radiación


luminosa que constituye la portadora óptica o vehículo de la
información.
La señal de información es combinada con la portadora óptica en el
transmisor usando la técnica denominada modulación, luego de ser
modulada la portadora es acoplada a la fibra óptica para su
transmisión de un punto a otro distante.

Las fuentes de luz mas adecuadas para Comunicaciones Ópticas,


son los diodos semiconductores:
LED, basados en la emisión espontánea de luz, y
LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation),
basados en la emisión de luz estimulada por radiación óptica
(ultravioleta, visible e infrarojo) para generar ganancia en el sistema.
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)
¿Como produce luz una fuente de emisión?
 En los sistemas físicos compuestos por átomos, electrones
o iones, éstos se encuentran en uno de un número discreto
de niveles de energía.
 El nivel mas alto (estado excitado) y el nivel mas bajo
(estado de tierra).
 Diferencia de energía entre los dos niveles  Band gap
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)
 La emisión de luz en un material tiene lugar al producirse
transiciones de electrones desde un nivel de energía
(excitado) E2, a otro inferior (estable), E1.
La energía del fotón generado viene dado por la diferencia de
energía entre los dos estados.

h= 6.63 x 10-34 Js
(constante de Plank)
f = frecuencia
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

Los campos electromagnéticos inducen a una transición entre


los diferentes niveles de energía. Tres importantes procesos
de transición ópticos se pueden producir:

 Absorción

 Emisión espontánea

 Emisión estimulada
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)
 ABSORCIÓN
Un fotón con energía > (E2 – E1) puede ser absorbido por un
electrón en estado fundamental.
En consecuencia el electrón salta a un estado excitado.
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

 EMISIÓN ESPONTÁNEA

• Un electrón en estado excitado E2 puede espontáneamente


decaer al estado fundamental E1.
• Tiene lugar sin necesidad de un proceso de estimulación
externo adicional
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

 EMISIÓN ESPONTÁNEA (cont.)


• La luz producida por emisión espontánea es ruido.
• La dirección de propagación, la fase y frecuencia son
aleatorias.
• La línea espectral es incoherente y de gran anchura.
• El efecto es usado para producir luz en los LED (de
señalización)
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

 EMISIÓN ESTIMULADA
Un fotón con energía > (E2 – E1): que genera la transición a tierra de un
electrón excitado produce la emisión de un fotón idéntico.
•La luz producida es coherente (deseable)
•Se produce cuando la foto-emisión se estimula por algún proceso
externo.
•Dicha estimulación lleva consigo un proceso inicial de absorción (saltos
de electrones a niveles superiores).
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

 EMISIÓN ESTIMULADA (cont.)


La luz amplificada por emisión estimulada no es fuerte,
especialmente si la región activa es corta
Las facetas (espejos) permiten la realimentación en la región activa.
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

 EMISIÓN ESTIMULADA (cont.)


Una faceta parcialmente transmite en la salida, ondas de luz
a la longitud de onda de resonancia.
El resto se refleja y amplifica en forma repetida.
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3. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)
Diodos LED (emisión espontáneas de luz ):
Son fuentes de luz con emisión espontánea (no coherente),
 Fuentes baratas fácil de fabricar y utilizar
 Grandes para el acoplamiento a las fibras multimodo (62,5
núcleo µm)
 Apto sólo para aplicaciones de bajo nivel y corta distancias

Diodos Láser (amplificación de luz por emisión estimulada


de radiación)
Son fuentes de luz coherente de emisión estimulada
 Pequeños, de tamaño concentrado, permiten un buen
acoplamiento con las fibras monomodo (8-9 núcleo µm)
 Permiten distancias más largas y mayores velocidades de
datos.
 Costosos, más complejos y de difícil fabricación
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4. FUENTES DE LUZ PARA SEÑALIZACIÓN: LED (cont.)
Estructuras sencillas de LEDs
Son estructuras realizadas a base de homouniones p-n, por lo que sus
características de emisión (básicamente la radiancia) no son muy
buenas.

Sus aplicaciones típicas incluyen las de los LEDs visibles para


señalización.
Se fabrican a partir de epitaxias en fase líquida o en fase vapor:
difusión de una región de tipo p en un substrato de tipo n para crear la
homounión.
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4. FUENTES DE LUZ PARA SEÑALIZACIÓN: LED (cont.)
Diagrama de Energías
En el diagrama a continuación, se muestra los niveles de energía para
tres secciones de la doble heterojuntura:
•Los electrones ubicados en la parte derecha (p-InP) son extraídos
hacia la zona intermedia (n-InGaAsP). De igual manera, los huecos
son extraídos de la zona izquierda (n-InP) hacia la zona intermedia. La
recombinación tiene lugar en la zona intermedia, dando lugar a la
emisión espontánea.
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4. FUENTES DE LUZ PARA SEÑALIZACIÓN: LED (cont.)
Estructuras Sencillas de LEDs
Suelen emitir con emisión espontánea de tipo lambertiano.
• Radiancia: potencia luminosa por unidad de superficie
y de ángulo sólido.
• Emisión lambertiana: radiancia constante

Salida de luz

plástico
transparente
diodo
Estructura “domo” Contactos
Óhmicos:
tipo N o P
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4. FUENTES DE LUZ PARA SEÑALIZACIÓN: LED (cont.)

Aplicaciones en señalización empleando LEDs


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5. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS
LED de Emisión Superficial (SLED)

También denominado LED Burrus. Permiten un incremento en la


radiancia disminuyendo el tamaño (lateral) de la región en donde
se produce la emisión. Operan eficientemente a velocidades de
250 Mb/s. Se usan casi exclusivamente para sistemas
multimodo.
La disminución de la región de emisión se consigue alimentando
sólo una pequeña parte de la región de emisión, la superficie de
emisión es menor y la radiancia aumenta.
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5. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)
Estructura del LED de Emisión Superficial (SLED)
Se fabrican con arseniuro de galio dopado con silicio. Una longitud de
onda normal emitida con esta estructura es de 940 nm, a la potencia de
salida de aproximadamente 2 mW (3 dB) y 100 mA de corriente directa.
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5. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)
Técnicas de Acoplamiento a la Fibra Óptica

a) Acoplamiento directo b) Lentes de esfera

c) Lentes Grin d) Lentes de media esfera


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5. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)
LED de Emisión Superficial (SLED)
Hay veces que se quiere aumentar más la radiancia de la
fuente a costa de disminuir el área de emisión. Con el modelo
visto anteriormente no se puede confinar la emisión en áreas
más pequeñas que 25 μm de diámetro. Para mejorar esto se
proponen estructuras más complejas (MESA).
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5. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

LED de Emisión Lateral (ELED)


La emisión lateral de luz generada en la zona activa, se emite en el plano
de la unión p-n. Las capas que rodean dicha zona están formadas por
materiales de índice de refracción inferior, por lo que la zona activa se
comporta como una guía de onda dieléctrica plana encaminando la luz
generada hacia las superficies laterales, de una manera similar a la que
se usa en diodos láser. La zona activa tiene una anchura dada por la
anchura del contacto, que está entre 50 y 100 μm. El espesor de la zona
variable viene dado por el tamaño de la zona activa en la doble
heteroestructura.
La zona activa puede hacerse de esta manera muy pequeña y, por tanto,
aumentar la radiancia de la fuente. Los SLED se suelen emplear con
fibras de AN > 0.3, y los ELED son mejores para AN < 0.3. Los ELED
pueden además ser modulados a mayores frecuencias y son bastante
más caros que los SLED
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5. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS (cont.)

LED de Emisión Lateral (ELED)

Detalle
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6. PARÁMETROS DE UN LED
I. Eficiencia de emisión (ηe) .
Es un parámetro que nos indica lo eficiente que es el dispositivo.
Existen diferentes tipos de eficiencia de acuerdo a cómo la
definamos:
1. Eficiencia de inyección, toda la emisión se realiza en una de
las caras de la unión.
2. Eficiencia energética, cómo la potencia óptica generada a
partir de la potencia eléctrica suministrada.
3. Eficiencia cuántica externa, De todos los fotones generados
en la zona activa no todos son emitidos al exterior donde
pueden ser aprovechados, sino que se van a producir
pérdidas que van a reducir el número de fotones emitidos
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6. PARÁMETROS DE UN LED (cont.)
I. Eficiencia de emisión (ηe) .
Hay básicamente 4 factores que hacen que ηe sea menor que la unidad:
1.- La emisión es espontánea, se emite en todas direcciones. La luz que
va hacia atrás (hacia el substrato) se pierde, esto puede
representar un factor 0.5 (ηe1= 0.5)
2.- Los LED se fabrican con semiconductores que tienen índices de
refracción en el orden de 3.7. El ángulo crítico en este caso (con
aire como medio externo) es 16.6º. Luego, sólo saldrán al exterior
aquellos fotones que incidan en las intercaras con ángulos menores
(en este caso, ηe2= 0.073)
3.- Las pérdidas de reflexión por las leyes de Fresnel en la intercara
semiconductor-aire:
4.- Absorción en el medio, es difícil de cuantificar.
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6. PARÁMETROS DE UN LED

II. Potencia Emitida


El LED es un dispositivo cuya potencia óptica puede ser
modulada a través de la modulación de una corriente
eléctrica: esto es FUNDAMENTAL.

Teniendo en cuenta la pérdida de la potencia que se


produce en el acoplo, esto es, sólo quedarán guiados
aquellos modos que entren dentro del ángulo de
aceptancia, por lo que resulta conveniente mejorarlo
mediante el uso de lentes para un mejor enfoque.
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6. PARÁMETROS DE UN LED
III. Espectro de Emisión.
Los emisores preferidos en Comunicaciones Ópticas son
dispositivos optoelectrónicos semiconductores que operan
en el infrarrojo próximo, concretamente los diodos emisores de
luz (LED) y diodos láser (LD).

(µm)
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6. PARÁMETROS DE UN LED
IV. Ancho de Banda de Modulación
Son del orden de algunos centenares de MHz (150 a 200 MHz en
SLED y algo mayores, hasta 500-600 MHz en ELEDs)

Para aumentar el ancho de banda de modulación, se puede


escoger, más o menos, materiales y dopaje de los mismos.
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DATOS TÉCNICOS
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD
Teoría Diodo Láser : Bombeo
Un láser es un dispositivo complejo que emite luz por emisión
estimulada.

Esquema de funcionamiento de un láser de 3 niveles:

Los láseres funcionando a 3 niveles son poco efectivos (modelo para


fines didácticos), hay que conseguir inversión de población frente al
nivel fundamental, es decir, el más poblado en situación de equilibrio.
Los láseres funcionando a 4 niveles son más eficientes y, de hecho,
son los que se usan en realidad
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD
Un láser es un dispositivo complejo que emite luz por emisión
estimulada.
Esquema de funcionamiento de un láser de 4 niveles:

Los láseres funcionando a 4 niveles son más eficientes y, de


hecho, son los que se usan en realidad
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD

El bombeo puede ser de muchas formas, en todos ellos se


necesita un aporte energético que va a ser mayor que el que
finalmente dé el láser.
En cualquier caso, se necesita que el flujo de fotones incidentes
sea grande para que se potencie el efecto de emisión estimulada.
Esto se realiza añadiendo al elemento con ganancia un sistema
de realimentación óptica, donde los fotones quedan semi-
atrapados en una cavidad resonante
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD
Resonadores

El resonador más simple consiste en fabricar un par de


espejos a ambos lados del medio con ganancia, de forma que
los fotones generados se mantengan dentro de la cavidad
dando lugar a más fotones por emisión estimulada. Se
produce pues un efecto de realimentación con límites
impuestos por el número de átomos que puedan dar lugar a
emisión estimulada y a las propiedades mecánicas del
material.
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD

Resonadores

A este tipo de resonador se le denomina resonador de Fabry-


Perot. Este tipo de resonador, además de proporcionar
realimentación, influye sobre las propiedades espectrales de la
luz emitida. Si el resonador mide L, en una ida y vuelta
completa la luz se desfasa un valor fN= Nc/2L.

láser
Conexión a Región
fuente de activa
corriente
Salida
de luz
L
Faceta
cortada
disipador
de calor
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD
Resonadores
De acuerdo al tamaño del resonador existirán más o menos frecuencias
permitidas en un rango de longitudes de onda determinado.
Las frecuencias que satisfacen la relación fN, para distintos valores de
N, se conocen como modos longitudinales de la cavidad

Curva de
ganancia efectiva
teniendo en
cuenta los modos
longitudinales
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD
Resonadores
La retroalimentación es sólo posible para aquellos fotones que
se propagan alineados con el eje de la cavidad, si la dirección
del fotón no es perfectamente perpendicular a los espejos, las
sucesivas reflexiones lo desplazarán fuera del eje y acabará
siendo absorbido por los límites no espejados de la cavidad.
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7. FUENTES DE LUZ PARA COMUNICACIONES ÓPTICAS: LD

En un láser de semiconductor, se usa


una doble heteroestructura ya que se
consigue una inversión de población con Superficie
muy poca inyección de portadores. Para adherida
ello, el semiconductor p de la zona activa
se dopa fuertemente para que haya
muchos estados accesibles en cuanto se
inyecten electrones.
El resonador está formado por las Superficie
Área A adherida
propias caras del semiconductor que,
convenientemente pulidas presentan
coeficientes de reflexión del orden del
30%
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8. PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE UN LD

Potencia Emitida
Potencia de
Al inyectar intensidad a un láser de salida óptica
semiconductor se pueden observar
Po
dos zonas bien diferenciadas:
(mW)
- Cuando no existe ganancia en el
dispositivo. El dispositivo emite luz
básicamente por emisión
espontánea, ya que la fracción de luz
estimulada es despreciable frente a
aquella: funciona como un LED Corriente
de entrada
- Cuando existe ganancia en la
cavidad y, por tanto se produce una
emisión de fotones considerable.
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8. PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE UN LD (cont.)
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8. PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE UN LD (cont.)
Distribución Espectral
Viene determinada por la curva de ganancia, las condiciones
de la cavidad resonante y el estrechamiento espectral debido
a la emisión estimulada.
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8. PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE UN LD (cont.)
Distribución Espacial
En un diodo láser la luz está confinada en la dirección
transversal a las capas por la heteroestructura y en la dirección
longitudinal por las propias caras del dispositivo.
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8. PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE UN LD (cont.)
Distribución Espacial
Los modos que aparecen se denominan modos transversales, y
no deben confundirse con los modos longitudinales.
Generalmente interesa, para acoplar el máximo de luz a la fibra
óptica, que el láser sea monomodo transversal: hay que ajustar
la anchura (w) para ello.
En cualquier caso, van a ser necesarias lentes para acoplar luz
a una f.o. monomodo
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8. PARÁMETROS DE FUNCIONAMIENTO DE UN LD (cont.)
Estructuras matriciales del diodo láser
 Son relativamente más fácil de empaquetar y probar.
 De fácil integración en arreglos de 2D o en sustrato de tipo de oblea.
 Generalmente se utilizan en transmisores de 850 nm y 1300 nm para
redes LAN.
 La ventaja de utilizar matrices de láseres es que cada una de las
longitudes de onda de la matriz es modulada de manera
independiente, con lo cual pueden tener lugar múltiples
transmisiones simultáneamente.

arreglos 2D de láser de emisión superficial


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9. DIODOS LÁSER ESPECIALES: DFB, VCSEL

Un láser DFB (Distributed FeedBack Laser) es un láser en el


que se ha practicado una corrugación cerca de la capa activa
de forma que, a todos los efectos. la luz propagada dentro de la
cavidad “ve” una variación periódica del índice de refracción.
La energía transportada por los modos secundarios es
generalmente una pequeña fracción (<1%) de la potencia del
modo principal. Se utilizan en casi todos los sistemas de
comunicación óptica de 1,55 micras que operan a velocidades
de bits de 2,5 Gbit/s

Detalle
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9. DIODOS LÁSER ESPECIALES: DFB, VCSEL (cont.)

Los láser VCSEL (Vertical Cavity Surface Emiting Laser) son


fuentes de luz que se están utilizando bastante para
aplicaciones de bajo coste con fibras multimodo. Son de
pequeño volumen, de alta densidad, tienen la posibilidad de
arreglos 2D, son de tecnología compleja

Detalle

arreglos 2D
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10. DIODOS LED Y LÁSER. Otros aspectos importantes
Acoplo a fibras y fiabilidad
Uno de los aspectos que encarecen más el láser de semiconductor
es su acoplo a fibras ópticas monomodo, lo que implica un
alineamiento de los diferentes componentes con tolerancias
inferiores a la micra. Con la utilización de lentes se puede acoplar
casi el 100% de la potencia a la fibra
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10. DIODOS LED Y LÁSER. Otros aspectos importantes (cont.)

Ventajas del LD

 Los láser pueden ser modulados (prendido/apagado) en


altas velocidades.
 Velocidad. El tiempo de subida o bajada va desde el 10%
al 90% de la potencia pico.
 Los láser pueden alcanzar velocidades de datos del orden
de Gbit/s.
 Los LED están limitados a unos pocos cientos de Mbit/s.
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10. DIODOS LED Y LÁSER. Otros aspectos importantes (cont.)
Ventajas del LD
Los láser son de energía eficiente.

La salida de luz del LED es linealmente proporcional a la corriente


manejada (50 a 100 mA).

La salida de luz del láser es proporcional a la corriente por encima del


umbral (5 a 40 mA).

Salida de luz (LASER)


Salida de luz (LED)

Umbral
Autolimitación
térmica

Corriente de Corriente de
excitación (mA) excitación (mA)
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10. DIODOS LED Y LÁSER. Otros aspectos importantes (cont.)
Diodos láser comerciales
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10. DIODOS LED Y LÁSER. Otros aspectos importantes (cont.)
Diodos láser comerciales
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10. DIODOS LED Y LÁSER. Otros aspectos importantes (cont.)
Evolución de las fuentes de emisión
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10. DIODOS LED Y LÁSER. Otros aspectos importantes (cont.)
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11. CONCEPTOS BÁSICOS DE DETECCIÓN ÓPTICA

La misión de un receptor óptico es convertir la señal


óptica de nuevo al dominio eléctrico y recuperar los
datos que son transmitidos a través del sistema de
comunicaciones ópticas.
Se distinguen dos tipos de detectores dependiendo de
la naturaleza de la modulación de la señal óptica:
a.Los detectores incoherentes y
b.Los detectores coherentes.
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11. CONCEPTOS BÁSICOS DE DETECCIÓN ÓPTICA (cont.)

A. DETECTORES INCOHERENTES a)

En la detección incoherente, se dan


los siguientes procesos:
a) Generación de portadores a partir
de la absorción de fotones.
b) Transporte de los portadores a
partir de un campo eléctrico, lo que da b)
lugar a corriente eléctrica.
En algunos fotodetectores se dan a su
vez procesos de ganancia (APD’s,
fotomultiplicadores).
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11. CONCEPTOS BÁSICOS DE DETECCIÓN ÓPTICA (cont.)
En los receptores que emplean detección directa, o detectores
incoherentes, un fotodetector convierte el haz de fotones que le
llega, modulado en intensidad, en un haz de electrones. El haz
de electrones es amplificado, filtrado y pasa a través de un
detector de umbral. Al conjunto de elementos que forma la
unión del detector y la electrónica asociada la denominaremos
receptor óptico.

Preamp

Foto- Filtro Circuito de Datos


Amp
diodo decisión de salida

Pulsos
ópticos Recuper. Señal de
Fuente de AGC
voltaje de reloj reloj

Receptor Óptico
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11. CONCEPTOS BÁSICOS DE DETECCIÓN ÓPTICA (cont.)
B. DETECTORES COHERENTES
La otra forma alternativa a la detección directa es la detección coherente
en la cual la información de fase es utilizada en la codificación y
detección de las señales. Los receptores basados en detección
coherente utilizan un láser monocromático como oscilador. La señal
óptica de entrada se añade a la señal del oscilador, y la señal resultante
es detectada por un fotodiodo. La salida del fotodiodo es integrada
sobre el período de símbolo, y el umbral de detección es utilizado para
conseguir el haz de bits.

Receptor coherente
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11. CONCEPTOS BÁSICOS DE DETECCIÓN ÓPTICA (cont.)

 Requerimientos básicos de un fotodetector


• Sensitividad a una longitud de onda requerida.
• Eficiencia cuántica, conversión de fotones a electrones.
• Velocidad de respuesta, para operar al altas frecuencias.
• Bajo ruido para reducir errores.
• Área de acoplamiento, que sea suficiente para un
acoplamiento eficiente a la fibra óptica.
• Alta confiabilidad. Relacionado al tiempo de vida.
• Bajo costo
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11. CONCEPTOS BÁSICOS DE DETECCIÓN ÓPTICA (cont.)
Eficiencia Cuántica
Todos los fotones que llegan a un
fotodetector no dan lugar a pares
electrón-hueco que contribuyen a
corriente eléctrica. Parte de ellos se
reflejan en la primera intercara aire-
semiconductor, parte de ellos no se van
a absorber y de los que realmente se
absorban no todos van a contribuir a
generar una corriente eléctrica (cerca
de la superficie del semiconductor los
pares electrón hueco se recombinan
con facilidad)
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11. CONCEPTOS BÁSICOS DE DETECCIÓN ÓPTICA (cont.)

La unión p-n como detector


La unión p-n puede utilizarse como detector si usamos los
materiales adecuados. En la unión p-n tenemos una ventaja
de entrada: existe un campo eléctrico “E” generado en la
región de deplexión. Este campo va a expulsar a los
electrones y huecos de dicha zona con rapidez y va a dar
lugar a una corriente eléctrica.
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12. FOTODIODOS PIN Y APD

 En los sistemas de comunicaciones ópticas se


utilizan principalmente dos tipos de fotodetectores.
 Fotodiodo PIN.
• En el mejor caso se genera un electrón cuando es
absorbido un fotón.
 Fotodiodo de Avalancha (APD).
• El electrón producido es inducido bajo un alto campo
eléctrico que generar electrones extra  multiplicación
por avalancha.
• Mas sensible (puede detectar señales débiles)
• Mas ruidoso y requiere de un alto voltaje de
polarización.
• Mas sensible a la temperatura y a las variaciones del
voltaje de polarización.
• Mas costoso.
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12. FOTODIODOS PIN Y APD (cont.)
El fotodiodo p-i-n

La unión p-n presenta un problema grave para utilizarla


como fotodetector en comunicaciones ópticas, debido al
tiempo de difusión de los portadores generados fuera de la
zona de deplexión, con tiempos del orden del ns
Una manera de disminuir el
tiempo de difusión de portadores
es hacer la zona de deplexión
muy grande.
Esto se hace normalmente
utilizando lo que se denomina
una estructura p-i-n, donde un
semiconductor intrínseco (capa
semiaislante y de alta
resistividad, con ligero dopado en
n) se pone entre la unión p-n.
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12. FOTODIODOS PIN Y APD (cont.)
Ventajas de usar un fotodiodo p-i-n

El aumentar la región de deplexión, donde se difunden


portadores, se asegura que se van a absorber prácticamente
todos los fotones, lo que dará lugar a mayores eficiencias.

Al aumentar la zona de unión I


se disminuye la capacidad de la
misma y, por tanto, la constante
de tiempos RC.

La luz penetra a la unión I a


través de la capa delgada P,
generando un flujo de
electrones proporcional a ella
que incrementa la corriente de
fuga de manera significativa.
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El fotodiodo de avalancha (APD)

Un fotodiodo de avalancha es un fotodiodo sometido a una


fuerte corriente inversa de forma que los fotoelectrones
generados puedan a su vez generar nuevos pares electrón
hueco al acelerarse bajo la influencia del fuerte campo eléctrico
existente y adquirir una energía mayor que la de gap.

A este proceso se le llama


ionización por impacto, y es
la base de estos dispositivos,
en la cual el número final de
electrones que da lugar a
corriente es mayor que el
número de fotoelectrones.
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12. FOTODIODOS PIN Y APD (cont.)
Para que ocurra el efecto de
avalancha, debe darse un campo
eléctrico umbral en la región de
deplexión, que es bastante elevado
(3x105V/cm). Para conseguir estos
campos hay que polarizar en inversa
el diodo con voltajes entre 50-400 V,
aunque en los fotodiodos APD se
trata de minimizar el voltaje aplicado
a través de una estructura de unión
como la mostrada
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12. FOTODIODOS PIN Y APD (cont.)

APD’s frente a P-I-N’s


Dependiendo de la
relación SNR necesaria,
será más conveniente
usar un detector p-i-n o
uno APD en cada una de
las regiones en las que
limita el ruido térmico o el
cuántico.
Hay que tener en cuenta
que el APD siempre es
más caro y más complejo
de usar que el p-i-n.
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12. FOTODIODOS PIN Y APD (cont.)
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II. CONCLUSIONES

 Las fuentes de luz mas difundidas son: a) los LED (de


emisión espontánea de luz), son sólo para aplicaciones de
bajo nivel y cortas distancias, y b) los Diodos láser (de
emisión estimulada), que permiten distancias más largas,
mayores velocidades de datos, son mas costosos, más
complejos y de difícil fabricación.
 El detector PIN se usa más comúnmente en enlaces de corta
distancia y el APD es muy útil en transmisiones de larga
distancia, donde la señal óptica de llegada es muy débil y se
requiere alta responsividad. Por lo que se refiere a la
velocidad de respuesta, ambos fotodiodos pueden trabajar
actualmente a velocidades muy altas de transmisión digital
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FIN DE LECTURA
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ESTRUCTURA DEL LED DE EMISIÓN DE BORDE (ELED)

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SiO2

Región de Espejo Espejo Región aislada


bombardeo (vista de planta)
de protones

Capa superior de confinamiento


Región
Región
activa
Capa inferior de confinamiento conductiva Arreglos de VCSELs
Región de
bombardeo
Espejo Espejo de protones
(aislada)
Substrato

20 m

Estructura del LASER VCSEL

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Matriz Sistema de
VCSEL microlentes

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