Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es
presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución
llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar
señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:
1: Fuente
2: puerta
3: drenar
- 2n3819 es un JFET de canal N (Transistor de efecto de campo de unión)
que se utiliza principalmente para amplificación de propósito general y
conmutación analógica.
- Contiene tres terminales nombradas como puerta, drenaje y fuente.
- 2n3819 es un dispositivo de bajo costo que exhibe un alto rendimiento en
frecuencias medias a altas.
- Este JFET también se denomina dispositivo de control de voltaje porque se
usa un pequeño voltaje en el terminal de la compuerta para controlar la
conducción entre la fuente y los terminales de drenaje.
- Este JFET se puede usar como resistencias controladas por voltaje,
amplificadores e interruptores controlados electrónicamente.
- Exhibe una gran impedancia de entrada de hasta miles de ohmios, por lo
que no afecta los componentes externos que conectamos a su terminal de
puerta.
- La corriente fluirá desde la fuente hasta el drenaje.
- Es un dispositivo de control de voltaje y la compuerta no consume corriente.
Amplificador de baja señal con JFET
JFET de canal N
JFET de canal P
JFET de canal N
JFET de canal P
(Segunda Semana).
-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
R/= RD = (VCC – VD) / ID VCC= 20V VD= 10V ID=
3mA
RD = (20 V – 10 V) / 3 mA
RD = 10 V / 3 mA
3 mA = 0.003 A
RD = 10 V / 0.003 A
RD = 3333.33 Ω
-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
R/= Para realizar el cálculo matemático de RS trabajamos con la siguiente formula y
datos obtenidos
RS=VGS(off )/ IDSS
Como sabemos que IDSS del JFET varía entre 2mA y 20mA trabajamos con un IDSS de
16mA y el VGS(off) es -8v entonces calculamos de la siguiente manera
ID= 3mA,
VD= 10V,
VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se
trabajara IDSS=16mA.
RS=VGS(off )/ IDSS
−8 v −8 v
RS= =
16 mA 0.016 A
RS=500Ω
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el
valor de RG debe ser alto?
R/= Todo transistor requiere o necesita de estar polarizado para poder operar,
conocemos 3 tipos de polarización para los transistores JFET:
1- Polarización de puerta: Caracterizada porque utiliza dos fuentes, una de ella
conectada directamente entre la compuerta y la fuente. Muy útil al utilizar una
fuente variable, porque puedes poner a operar el JFET en la región Óhmica o en
la región activa.
2- Polarización por Autopolarización: para El tipo de polarización Auto
polarización, solo necesitamos una fuente de alimentación para su operación.
Utilizando una resistencia RS, que es quien polariza la compuerta. Es muy similar
para los JFET tipo n como tipo p.
3- Polarización por División de tensión del JFET: Para este tipo de polarización
se puede utilizar una sola fuente de alimentación, se utilizan dos resistencias de
gran ohmiaje para no perder la alta impedancia de entrada del JFET en los
circuitos de amplificación. El punto de operación del JFET, se ve menos afectado
al cambiarlo por uno de la misma familia
- Nuestro transistor en este circuito está configurado en modo
AUTOPOLARIZACIÓN, ya que solo está alimentado por una sola fuente,
en este caso la de 20v. cumpliéndose la ley de que la corriente que pasa
por ID=IS como si fuera un circuito en serie. Se debe cumplir que a la
compuerta llegue la tensión de polarización, por lo cual RG debe ser muy
elevado del orden de los megaohmios Según la guía de 1 o 2 MΩ para que
la señal que llega débil no vea el camino de la tierra sino que llegue directo
al JFET, evitando que se pierda la señal débil; asumiendo que la señal
proviene de una antena. Cumpliendo así con la función de circuito
amplificador.
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
1 1
X c1= ¿ ¿ 15.91 ohms
2 π∗f∗C 1 2 π∗1000 Hz∗10 uF
1 1
X c2= ¿ ¿ 15.91 ohms
2 π∗f∗C 2 2 π∗1000 Hz∗10 uF
1 1
X c3= ¿ ¿ 1591,55 ohms
2 π∗f∗C 3 2 π∗1000∗0.1
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
R/= AV =Gm∗RD
RD=3,333 Ω
Gm=?
Para calcular Gm utilizamos la siguiente formula.
Gm = ID / VGS
3 mA
Gm= =−0.00375
−8 v
AV =−0,375∗3,333=−1,24 Av
3. Solución.
(Tercera semana)