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Clase Nº1 Electró
Clase Nº1 Electró
CLASE Nº1
DIODOS SEMICONDUCTORES
IS
SÍMBOLO ELECTRÓNICO
𝑛: Coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y de orden 2 (para el silicio)
𝑉𝑇 : Voltaje térmico
EJEMPLOS
E1) Hallar 𝑰𝑫 y 𝑽𝑫 en el siguiente circuito, sabiendo que 𝑰𝑺 = 𝟏𝟎−𝟏𝟑 [𝑨] y 𝒏 = 𝟏 𝒂 𝟑𝟎𝟎 [𝒐 𝑲]
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) (1)
𝑉1−𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝑅1
(2)
[𝑉 ∗ 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
𝑘𝐵 ∙ 𝑇[𝑜 𝐾] 1.381 ∗ 10−23 ∙ 300[𝑜 𝐾]
[𝑜 𝐾]
𝑉𝑇 = [𝑉] = = 0.026 [𝑉]
𝑞 1.602 ∗ 10−19 [𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
- Reemplazando datos:
Método gráfico:
𝑉1 𝑉𝐷 5 𝑉𝐷
𝐼𝐷 = − = −
𝑅1 𝑅1 2000 2000
Si 𝐼𝐷 = 0 entonces: 𝑉𝐷 = 5 [𝑉]
𝐼𝐷 [𝑚𝐴]
2.5 [mA]
2.2 [mA]
5 𝑉𝐷
𝐼𝐷 = −
2000 2000
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 10−13 ∙ (𝑒 0.026 − 1)
[𝑉 ∗ 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
𝑘𝐵 ∙ 𝑇[𝑜 𝐾] 1.381 ∗ 10−23 ∙ 320[𝑜 𝐾]
[𝑜 𝐾]
𝑉𝑇 = [𝑉] = = 0.0276 [𝑉]
𝑞 1.602 ∗ 10−19 [𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝑉1 = 𝐼𝑆 ∙ 𝑅1 ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) + 𝑉𝐷 = 10−12 ∙ 20000 ∙ (𝑒 1.6∗0.0276 − 1) + 𝑉𝐷 = 10
E3) Hallar las salidas de tensión y corriente 𝑰𝒐 , 𝑽𝒐 , 𝒊𝒐 (𝒕), 𝒗𝒐 (𝒕) y la salida total de voltaje 𝑽𝒐 (𝒕)
en el siguiente circuito, sabiendo que 𝑰𝑺 = 𝟓 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟑 [𝑨], 𝒏 = 𝟏 𝐚 𝟑𝟎𝟎 [𝒐 𝑲], donde la entrada es
de 5 [V] en continua y una señal en alterna 𝒗𝟐 (𝒕) = 𝟎. 𝟎𝟏 ∙ 𝒔𝒆𝒏(𝝎𝒕) [𝑽].
ANÁLISIS EN CONTINUA
𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝑉𝑡ℎ = 𝐼𝑆 ∙ 𝑅𝑡ℎ ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) + 𝑉𝐷 = 5 ∗ 10−13 ∙ 18.75 ∗ 103 ∙ (𝑒 1∙0.026 − 1) + 𝑉𝐷 = 1.875
𝑉𝐷
9.375 ∗ 10−9 ∙ (𝑒 1∙0.026 − 1) + 𝑉𝐷 = 1.875; como: 𝑉𝑜 = 𝑉𝐷
𝑉𝑡ℎ𝐴𝐶 (𝑡)
𝒓𝒅 351.83
𝒗𝒐 (𝒕) = (𝒗𝟐 (𝒕))[𝑽] = (0.00375 ∙ 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡))[𝑉]
𝒓𝒅 + 𝑹𝒕𝒉 351.83 + 18.75 ∗ 103