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ELT2580 – ELECTRÓNICA I “A”

CLASE Nº1
DIODOS SEMICONDUCTORES

1.- CARACTERÍSTICA REAL DE UN DIODO

IS

SÍMBOLO ELECTRÓNICO

2.- MODELOS ESTÁTICOS DEL DIODO

AUX. UNIV. ALVARO JULIO MAMANI ZAMBRANA


ELT2580 – ELECTRÓNICA I “A”

3.- ECUACIÓN DE SHOCKLEY


𝑉𝐷 𝑘𝐵 ∙ 𝑇[𝐾 𝑜 ]
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) ; 𝑉𝑇 =
𝑞

𝐼𝐷 : Corriente Del diodo

𝐼𝑆 : Corriente de saturación inversa

𝑉𝐷 : Voltaje del diodo

𝑛: Coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y suele adoptar
valores entre 1 (para el germanio) y de orden 2 (para el silicio)

𝑉𝑇 : Voltaje térmico

𝑞: Carga del electrón = 1.602 ∗ 10−19 [𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]

𝑇: Temperatura absoluta de la unión en [𝐾 𝑜 ]


[𝑉∗𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
𝑘𝐵 : Constante de Boltzmann = 1.381 ∗ 10−23
[𝑜 𝐾]

EJEMPLOS
E1) Hallar 𝑰𝑫 y 𝑽𝑫 en el siguiente circuito, sabiendo que 𝑰𝑺 = 𝟏𝟎−𝟏𝟑 [𝑨] y 𝒏 = 𝟏 𝒂 𝟑𝟎𝟎 [𝒐 𝑲]

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) (1)

𝑉1−𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝑅1
(2)

- Igualando (1) y (2)


𝑉𝐷
𝑉1 = 𝐼𝑆 ∙ 𝑅1 ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) + 𝑉𝐷

[𝑉 ∗ 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
𝑘𝐵 ∙ 𝑇[𝑜 𝐾] 1.381 ∗ 10−23 ∙ 300[𝑜 𝐾]
[𝑜 𝐾]
𝑉𝑇 = [𝑉] = = 0.026 [𝑉]
𝑞 1.602 ∗ 10−19 [𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
- Reemplazando datos:

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𝑉𝐷
5 = 10−13 ∙ 2000 ∙ (𝑒 1∙0.026 − 1) + 𝑉𝐷 (Ecuación trascendental)

- Cuya solución es: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟔𝟏𝟗𝟏 [𝑽]


- Por lo que la corriente será: 𝑰𝑺 = 𝟐. 𝟏𝟗 [𝒎𝑨]

Método gráfico:
𝑉1 𝑉𝐷 5 𝑉𝐷
𝐼𝐷 = − = −
𝑅1 𝑅1 2000 2000
Si 𝐼𝐷 = 0 entonces: 𝑉𝐷 = 5 [𝑉]

Si 𝑉𝐷 = 0 entonces: 𝐼𝐷 = 2.5 [𝑚𝐴]

𝐼𝐷 [𝑚𝐴]
2.5 [mA]

2.2 [mA]

5 𝑉𝐷
𝐼𝐷 = −
2000 2000

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 10−13 ∙ (𝑒 0.026 − 1)

0.62 [V] 5 [V]


𝑉𝐷 [𝑉]

- Aproximadamente resulta: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟔𝟐 [𝑽] 𝑰𝑫 = 𝟐. 𝟐 [𝒎𝑨]

E2) Hallar 𝑰𝑫 y 𝑽𝑫 en el siguiente circuito, sabiendo que 𝑰𝑺 = 𝟏𝟎−𝟏𝟐 [𝑨] y 𝒏 = 𝟏. 𝟔 𝒂 𝟑𝟐𝟎 [𝒐 𝑲]

[𝑉 ∗ 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
𝑘𝐵 ∙ 𝑇[𝑜 𝐾] 1.381 ∗ 10−23 ∙ 320[𝑜 𝐾]
[𝑜 𝐾]
𝑉𝑇 = [𝑉] = = 0.0276 [𝑉]
𝑞 1.602 ∗ 10−19 [𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏𝑠]
𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝑉1 = 𝐼𝑆 ∙ 𝑅1 ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) + 𝑉𝐷 = 10−12 ∙ 20000 ∙ (𝑒 1.6∗0.0276 − 1) + 𝑉𝐷 = 10

- Cuya solución es: 𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟓𝟓𝟏𝟑 [𝑽]


10 − 0.5513
𝐼𝐷 = = 0.4724 [𝑚𝐴] 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟒𝟕𝟐𝟒 [𝒎𝑨]
20000
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E3) Hallar las salidas de tensión y corriente 𝑰𝒐 , 𝑽𝒐 , 𝒊𝒐 (𝒕), 𝒗𝒐 (𝒕) y la salida total de voltaje 𝑽𝒐 (𝒕)
en el siguiente circuito, sabiendo que 𝑰𝑺 = 𝟓 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟑 [𝑨], 𝒏 = 𝟏 𝐚 𝟑𝟎𝟎 [𝒐 𝑲], donde la entrada es
de 5 [V] en continua y una señal en alterna 𝒗𝟐 (𝒕) = 𝟎. 𝟎𝟏 ∙ 𝒔𝒆𝒏(𝝎𝒕) [𝑽].

ANÁLISIS EN CONTINUA

- Hallamos el equivalente de Thévenin:


𝑉𝑡ℎ = 1.875 [𝑉] 𝑅𝑡ℎ = 18.75 [𝑘Ω]
- Cuyo circuito será:

𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝑉𝑡ℎ = 𝐼𝑆 ∙ 𝑅𝑡ℎ ∙ (𝑒 𝑛∙𝑉𝑇 − 1) + 𝑉𝐷 = 5 ∗ 10−13 ∙ 18.75 ∗ 103 ∙ (𝑒 1∙0.026 − 1) + 𝑉𝐷 = 1.875

𝑉𝐷
9.375 ∗ 10−9 ∙ (𝑒 1∙0.026 − 1) + 𝑉𝐷 = 1.875; como: 𝑉𝑜 = 𝑉𝐷

- La solución a la ecuación trascendental es:


𝑽𝒐 = 𝟎. 𝟒𝟖𝟗𝟏 [𝑽]
- La corriente que pasa por el diodo:
1.875 − 0.4891
𝐼𝑜 = = 73.9 [𝜇𝐴] 𝑰𝒐 = 𝟕𝟑. 𝟗 [𝝁𝑨]
18.75 ∗ 103
ANÁLISIS EN ALTERNA

- El diodo se comporta como una resistencia en el modelo de pequeña señal:


𝑽𝑻 0.026
𝒓𝒅 = = = 351.83 [Ω]
𝑰𝑫 73. 9 ∗ 10−6

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- Hallamos el equivalente de Thévenin en Alterna:

𝑉𝑡ℎ𝐴𝐶 = 3.75 [𝑚𝑉] 𝑅𝑡ℎ𝐴𝐶 = 18.75 [𝑘Ω]

- El circuito equivalente en alterna es:

𝑉𝑡ℎ𝐴𝐶 (𝑡)

𝒓𝒅 351.83
𝒗𝒐 (𝒕) = (𝒗𝟐 (𝒕))[𝑽] = (0.00375 ∙ 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡))[𝑉]
𝒓𝒅 + 𝑹𝒕𝒉 351.83 + 18.75 ∗ 103

𝒗𝒐 (𝒕) = 𝟔𝟗. 𝟎𝟕 ∗ 𝟏𝟎−𝟔 ∙ 𝒔𝒆𝒏(𝝎𝒕) [𝑽]


0.00375 ∙ 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡)
𝑖𝑜 (𝑡) = = 192.32 ∗ 10−9 ∙ 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡) [𝐴]
351.83 + 18.75 ∗ 103
𝒊𝒐 (𝒕) = 𝟏𝟗𝟐. 𝟑𝟐 ∗ 𝟏𝟎−𝟗 ∙ 𝒔𝒆𝒏(𝝎𝒕) [𝑨]
- Finalmente, la tensión total de salida es:

𝑽𝒐 (𝒕) = 𝟎. 𝟒𝟖𝟗𝟏 + 𝟔𝟗. 𝟎𝟕 ∗ 𝟏𝟎−𝟔 ∙ 𝒔𝒆𝒏(𝝎𝒕) [𝑽]

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