UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER

TECNOLOGÍA ELECTROMECÁNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA GRUPO

Profesor: PHD © Alexander Quintero Ruiz

NOMB CODI FIRMA
RE GO
Danilo Fontavo Ordoñez 1.098.808.161 D.F.O
Camilo Sanabria Pinzón 1.005.369.753 CAMILO SANABRIA

NOMBRE DE LA PRÁCTICA: Curva Característica del Diodo

NÚMERO DE LA PRÁCTICA: GRUPO:_________ BANCO DE TRABAJO:___________

PROCEDIMIENTO:

LA PRESENTE PRÁCTICA, PERSIGUE QUE EL ESTUDIANTE MANEJE LOS CONCEPTOS BASICOS

ASOCIADOS AL LOS DIODOS REALES, ASÍ MISMO VERIFIQUE Y ENTIENDA LA CURVA
CARACTERISTICA DE LOS DIODOS DE SILICIO Y DE GERMANIO.

PREPARACION:

1. Explique brevemente el funcionamiento del diodo real.

El diodo es un componente electrónico que solo permite el flujo de la electricidad en un solo sentido, debido a
esto su funcionamiento se parece a un interruptor el cual abre o cierra los circuitos.
Al tener dos terminales podemos polarizar de dos formas (directa e inversa) diferentes a los diodos y su funciona-
-miento depende mucho del tipo de polarización que le ponga.

2. Explique el concepto de polarización directa en el diodo.

El ánodo se conecta al positivo de la fuente de voltaje y el cátodo se conecta al negativo, con esta configuración
el diodo actúa como un interruptor cerrado. Una consideración importante dentro de esta configuración es que el
diodo provoca una caída de voltaje de 0.6 a 0.7v.
 3. Explique el concepto de polarización inversa en los diodos.

El ánodo se conecta al negativo de la fuente de voltaje y el cátodo al positivo, en esta configuración la resistencia
del diodo aumenta en grandes cantidades y esto hace que actué como un interruptor abierto.

4. Explique qué entiende por voltaje de barrera y voltaje de ruptura en los diodos.

La tensión de ruptura o voltaje de ruptura de un material no conductor o aislante eléctrico es el voltaje mínimo que

debido a que una parte del aislante se convierta conductora. La 'tensión de ruptura' de un diodo es la mínima tensión
necesaria en polarización inversa para hacer que el diodo conduzca en sentido inverso.
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión
de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial
inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. 

PRIMERA PARTE:

a) Identificar los terminales del diodo (Ánodo y cátodo).

 b) Montar el circuito de la figura 1 utilizando un diodo de silicio.

c) Ajustar el voltaje de la fuente a 10 V y el potenciómetro a 10 k

d) Cerrar el interruptor S1, medir la corriente en el circuito y el voltaje en el diodo. Anotar los
resultados en la tabla.

Potenciometro Corriente en CTO Voltaje en las terminales del diodo

10KΩ 4.10mA 5.71mV
9KΩ 4.53mA 5.74mV
8KΩ 5.07mA 5.77mV
7KΩ 5.74mA 5.80mV
6KΩ 6.63mA 5.83mV
5KΩ 7.84mA 5.88mV
4KΩ 9.59mA 5.93mV
3KΩ 12.4mA 600mV
2KΩ 17.4mA 6.08mV
1KΩ 29.3mA 6.22mV
500Ω 44.5mA 633mV
200Ω 64.8mA 642mV
 e) Variar el valor del potenciómetro de acuerdo a lo indicado en la tabla 1, medir la corriente en el
circuito y el voltaje entre terminales del diodo. Anotar las mediciones en la tabla 1.

SEGUNDA PARTE:

Una vez realizada completa la parte 1 y sin retirar el montaje realice lo siguiente:

a) Abra el interruptor S1, invierta la conexión del diodo, ajuste el potenciómetro a 1kΩ y el voltaje de la
fuente a 0.5 V.
b) Cerrar el interruptor, medir la corriente en el circuito, medir el voltaje entre terminales del diodo y
anotar los resultados en la tabla 2.

Voltaje en la
fuente Corriente en el circuito Voltaje en las terminales del diodo
0.5V 0 3.58mV
1V 0 7.44mV
4V 0 36.3mV
7V 0 64.6mV
10V 0 91.6mV
12V 0 108mV
15V 0 129mV
17V 0 140mV
20V 0 154mV
 c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a lo marcado en la tabla 2 , medir la corriente en el circuito y
el voltaje entre terminales del diodo para cada nivel de voltaje de la fuente y anotar los resultados en
la tabla 2.

TERCERA PARTE:
a. Con los datos obtenidos en la primera y segunda parte construya una grafica de Voltaje-vs- Corriente.
Figura 2. Curva característica del diodo de silicio obtenida experimentalmente.
b. Registre los valores de la escala de la grafica realizada en el numeral anterior.
Voltaje: _______17_______[V] Corriente 13___________[mA]
CUARTA PARTE:
Realice el procedimiento correspondiente a la parte 1. Ahora con un diodo de germanio y registre los datos en
la tabla 3.

Potenciometro Corriente en CTO Voltaje en las terminales del diodo

10KΩ 2.86mA 562mV
9KΩ 3.17mA 564mV
8KΩ 3.55mA 567mV
7KΩ 4.03mA 571mV
6KΩ 466mA 574mV
5KΩ 5.54mA 579mV
4KΩ 6.82mA 584mV
3KΩ 8.87mA 591mV
2KΩ 12.7mA 600mV
1KΩ 22.3mA 615mV
500Ω 36mA 627mV
100Ω 70.6mA 644mV

QUINTA PARTE:
Realice el procedimiento correspondiente a la parte 2. Ahora con un diodo de germanio, registre los datos en
La tabla 4.
Voltaje en la
fuente Corriente en el circuito Voltaje en las terminales del diodo
0.5V 0 34.5mV
1V 0 36.4mV
4V 0 53.1mV
7V 0 73.9mV
10V 0 97.1mV
12V 0 112mV
15V 0 132mV
17V 0 143mV
20V 0 156mV
SEXTA PARTE:
a. Con los datos obtenidos en la tercera y cuarta parte construya una grafica de Voltaje-vs- Corriente.

Figura 3. Curva característica del diodo de germanio obtenida experimentalmente.

b. Registre los valores de la escala de la grafica realizada en el numeral anterior.

Voltaje: 574 [V] Corriente: 56 [mA]

COMPROBACIÓN DE CONCEPTOS
1. De acuerdo a las medidas tomadas anteriormente ¿Como cree que es el comportamiento de los diodos
de silicio y germanio?

Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios.  Una vez que el diferencial de voltaje
entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su
unión pn. 
Los diodos de germanio también utilizan una unión pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de
 silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensión de polarización directa de 0,3 voltios.

2. ¿ Que diferencia encontró en cuanto a conducción con polarización directa entre el diodo de silicio y
el de germanio?.

Si aplicamos una diferencia de tensión entre sus patillas, superior a Von (0,7 V para diodos de Silicio y 0,3 V para diodos de Germanio)
entonces el diodo dejará pasar la corriente en el sentido ánodo->cátodo.
3. ¿Qué diferencia encontró en cuanto a conducción con polarización inversa entre el diodo de silicio y
el de germanio?.

Si aplicamos una diferencia de tensión negativa entre sus patillas,  superior a Vr (tensión de ruptura) el diodo también
dejará pasar la tensión a costa de habernos "fundido" dicho diodo. Donde el germanio es mayor por su diferencia de potencial.

4. ¿Se puede considerar el diodo como un dispositivo de circuito lineal? Explique su respuesta.

Esta es la curva característica del diodo (un diodo se comporta de esa forma). Como no es una línea recta, al diodo

se le llama "Elemento No Lineal" ó "Dispositivo No Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muy
difícil trabajar en las mallas con ellos debido a que sus ecuaciones son bastante complicadas.
 CONCLUSIONES:

Se deben redactar al menos tres conclusiones de lo aprendido en la práctica actual. Se

debe tener en cuenta que las conclusiones se deben redactar de tal manera que no se
utilicen las respuestas a las preguntas plantadas, ni al inicio ni al final de la practica.

1. Los diodos se polarizan cuando se conectan. Esta polarización puede

ser directa o inversa.

2.  Un Diodo es un componente electrónico que permite el paso de la corriente en un

sentido y lo impide en el contrario. Por lo general, conduce la corriente en el sentido
ánodo-cátodo.

3. El diodo es un dispositivo semi conductor. Es llamado así porque es solo conductor bajo
ciertas condiciones. El diodo también puede llamarse un dispositivo ‘No lineal’, esto
debido a que su gráfica no es una linea recta.
 BIBLIOGRAFÍA:

Relacione en la siguiente tabla la bibliografía utilizada:

Autores Nombre del Editorial Paginas Ciudad y fecha

texto de publicación.
Robert Boylestad Teoria de circuitos y Pearson 912 Ciudad de mexico
Louis Nashelsky dispositivos -2009
electronicos