Electrónica de Potencia

Problemas de Cálculos Térmicos

Problema 1

En el circuito de la figura, mediante un transistor MOSFET de potencia trabajando en conmutación

se controla la tensión aplicada la carga, que tiene una componente inductiva muy elevada, de forma
que la corriente a través de ella se mantiene constante.

La alimentación es continua, VDD = 100 V.

1) En una determinada aplicación la corriente de carga es Io = 15 A y el transistor MOSFET

conmuta a una frecuencia f = 100 kHz, con un ciclo de trabajo d = 0.4. Se considera ideal el diodo
de libre circulación y el MOSFET con las siguientes características:

rDS(ON) = 0.083 Ω, tr = 60 ns, tf = 30 ns, Rth j-c = 1 ºC/W, Tj max = 150 ºC

Tomando una temperatura ambiente Ta = 40 ºC y una resistencia térmica cápsula-radiador Rth c-r =
1 ºC/W, se pide:

a) Representar la variación temporal de las siguientes magnitudes, calculando valores

significativos: potencia instantánea aplicada a la carga, potencia instantánea de pérdidas en
el MOSFET.
b) Calcular la potencia aplicada a la carga y la potencia disipada en el MOSFET (ver gráficas
adjuntas).
c) Diseñar el radiador para el transistor MOSFET (utilizando el radiador modelo 1206).

2) Si se modifican las condiciones de trabajo del MOSFET, de forma que la frecuencia de

conmutación pasa a ser de 200 kHz y la corriente de carga de 25 A, volver a diseñar el radiador del
MOSFET, haciendo modificaciones en el circuito en caso necesario.

ETSID | Camino de vera s/n. | 46022 Valencia | Tel.: 96 387 71 80 | mail: masmeca@posgrado.upv.es
www.upv.es/titulaciones/MUIMECA
Problema 2

Mediante un transistor bipolar trabajando en conmutación se controla la potencia aplicada a una

carga a partir de una tensión continua VDC = 300 V. La carga tiene una componente inductiva
elevada, de forma que la corriente a través de ella se mantiene prácticamente constante, con un
valor Io = 7.5 A. El transistor conmuta con una frecuencia f = 10 kHz y un ciclo de trabajo δ = tON
/ T = 0.5.

ETSID | Camino de vera s/n. | 46022 Valencia | Tel.: 96 387 71 80 | mail: masmeca@posgrado.upv.es
www.upv.es/titulaciones/MUIMECA
Teniendo en cuenta las características del transistor que se adjuntan y suponiendo ideal el diodo, se
pide:

a) Calcular las siguientes magnitudes:

a.1) Potencia aplicada a la carga.

a.2) Potencia de pérdidas por conducción en el transistor.

a.3) Potencia de pérdidas por conmutación en el transistor.

b) Calcular la resistencia térmica del disipador necesario para el transistor y elegir el modelo de las
hojas de datos que se adjuntan.
c) Si se aumenta la frecuencia de conmutación del transistor a un valor de 25 kHz, volver a
calcular el radiador del transistor, modificando el circuito si resulta necesario.

DATOS DEL TRANSISTOR:

VCE(sat) = 2 V; Tj max = 200 ºC, Rjc = 1.75 ºC/W

td = 50 ns, tri = 0.3 µs, tfv = 0.1 µs, ts = 0.8 µs, trv = 1 µs, tfi = 2.3 µs

Considerar: Ta max = 30 ºC, Rcr = 0.6 ºC/W

Problema 3

En el circuito de la alimentación es VDC = 30 V, la carga es mixta, óhmica-inductiva, con

componente inductiva muy elevada, de forma que la corriente se mantiene prácticamente constante,
con un valor Io = 15 A. El transistor bipolar Q2 conmuta a una frecuencia f = 40 kHz, con un ciclo
de trabajo δ = tON / T = 0.6. El diodo D2 se supone ideal.

a) Teniendo en cuenta los datos del transistor que se adjuntan, calcular las siguientes magnitudes:
a.1) Potencia aplicada a la carga, Po.

a.2) Potencia de pérdidas en el transistor debida a la conducción, P(ON).

a.3) Potencia de pérdidas en el transistor debida a la conmutación, P(c).

b) Determinar la resistencia del disipador necesario para el transistor y elegir el modelo a partir de
las hojas de características que se adjuntan.

ETSID | Camino de vera s/n. | 46022 Valencia | Tel.: 96 387 71 80 | mail: masmeca@posgrado.upv.es
www.upv.es/titulaciones/MUIMECA
c) Se sustituye la parte resistiva de la carga por otra de un valor de 0.5 Ω, manteniéndose la misma
componente inductiva que mantiene la intensidad constante en la carga. Volver a diseñar el
radiador del transistor y modificar el circuito en caso de que sea necesario.

DATOS DEL TRANSISTOR:

Vce(SAT) = 1 v; Ptot max. = 100 W; Tj max. = 200º; Rjc = 1.75 ºC/W

td = 50 ns; tri = 0.3 µs; tfv = 0.1 µs; ts = 0.8 µs; trv = 1 µs; tfi = 2.3 µs.

Considerar: Ta max. = 30 ºC, Rcr = 0.6 ºC/W

Problema 4

Mediante un transistor MOSFET de potencia modelo BUK 455-100A trabajando en conmutación,

se controla la tensión que se aplica a una carga de carácter altamente inductivo, pudiéndose suponer
constante la corriente a través de ella (Io) gracias al diodo de libre circulación BY-229.

+
vo
Io BY 229
-

Rg
vcc
BUK 455-100

vg

ETSID | Camino de vera s/n. | 46022 Valencia | Tel.: 96 387 71 80 | mail: masmeca@posgrado.upv.es
www.upv.es/titulaciones/MUIMECA
Considerando ideal el diodo de libre circulación, si la fuente de continua proporciona una tensión de
alimentación VCC = 90 V, la corriente por la carga es de Io = 20 A y el semiconductor conmuta a
una frecuencia de 100 kHz con un ciclo de trabajo de 0.52, calcular:
a) Potencia aplicada a la carga y potencia disipada en el MOSFET
b) Determinar si para esta aplicación el MOSFET necesita radiador, y en su caso calcular la
resistencia térmica del radiador necesario.
c) Elegir el radiador más adecuado de entre los que se adjuntan diseñando la longitud de perfil
necesaria.
d) Si se aumenta la frecuencia a 130 kHz y el ciclo de trabajo a 0.85, determinar la resistencia
térmica del radiador necesario, y seleccionar el más adecuado de entre los que se adjuntan.

Obtener los datos del transistor de las hojas de datos adjuntas tomando los valores típicos.
Tomar una temperatura ambiente de 40 ºC y una resistencia térmica cápsula-radiador de 0.7 ºC/W.

Información técnica de radiadores

ETSID | Camino de vera s/n. | 46022 Valencia | Tel.: 96 387 71 80 | mail: masmeca@posgrado.upv.es
www.upv.es/titulaciones/MUIMECA
ETSID | Camino de vera s/n. | 46022 Valencia | Tel.: 96 387 71 80 | mail: masmeca@posgrado.upv.es
www.upv.es/titulaciones/MUIMECA
ETSID | Camino de vera s/n. | 46022 Valencia | Tel.: 96 387 71 80 | mail: masmeca@posgrado.upv.es
www.upv.es/titulaciones/MUIMECA