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PRACTICA 1 - COMPATIBILIDAD
TITULO DE LA PRÁCTICA
SIMULACIÓN - PSPICE
ALUMNOS:
PABLO VALLINA SANCHEZ
TUTOR:
MIGUEL ANGEL JOSE PRIETO
• OBJETO DEL TRABAJO:
2 GUIÓN DE LA PRACTICA
1 Ejercicio 1 Curvas características de un transistor
2 Ejercicio 2 Fuente de contínua no regulada
3 Ejercicio 3 Circuito RLC
4 Ejercicio 4 Etapa diferencial a transistores
Vg=10 R100Ω
V
Figura 1
Esquema del
Circuito
2.1.2 PASO 2 Condiciones de simulación.
Figura 2
Condiciones de Simulación
4 0 0 m A
2 0 0 m A
0 A
- 2 0 0 m A
0 V 1 V 2 V 3 V 4 V 5 V 6 V 7 V 8 V 9 V 1 0 V
I C ( Q 1 )
V _ V c e
Figura 3
Curvas Características del
Transistor
2.2 Ejercicio 2. Fuente de contínua no regulada
Enunciado Ejercicio 1:
•
Representar la tensión de salida.
•
Representar y calcular el valor medio y eficaz, de la tensión
Objetivo:
•
Observar los errores clásicos en continua y soluciones:
• bucles de tensión, nodos flotantes, “alliasing”
• Ilustrar el análisis de Fourier
N 1 220
rt= = =14,667
N 2 15
L2 = 10 μ H
L1=rt2 L2 = 2.151 μ H
Figura 2
Mensajes de Error Simulación
Este error es debido a que las bobinas son ideales y no tienen resistencia
(actúan como cortocircuitos). La solución es añadir resistencias muy bajas
en serie con las bobinas del transformador:
Figura 3
Circuito modificado Fuente
Simulamos de nuevo según el circuito de la figura 2
Figura 4
Mensaje Error Simulación
Figura 5
Circuito a Simular
2 0 V
1 6 V
1 2 V
8 V
4 V
0 V
0 s 2 0 m s 4 0 m s 6 0 m s 8 0 m s 1 0 0 m s 1 2 0 m s 1 4 0 m s 1 6 0 m s 1 8 0 m s 2 0 0 m s
V ( R 5 : 2R )M S ( V ( R 5 : 2 ) )
T i m e
Figura 6
Gráfico Tensión Salida
Se ve con el cursor en la forma de onda del valor eficaz de la tensión de salida, que este valor
es unos 15.6V
Figura 7
Circuito Tensión Diodo
2 0 V
1 0 V
0 V
A V G ( V ( D 1 : 2 , D 2 : 1 ) )
2 0 V
1 0 V
S E L > >
0 V
R M S ( V ( D 1 : 2 , D 2 : 1 ) )
4 0 V
0 V
- 4 0 V
0 s 2 0 m s 4 0 m s 6 0 m s 8 0 m s 1 0 0 m s 1 2 0 m s 1 4 0 m s 1 6 0 m s 1 8 0 m s 2 0 0 m s
V ( D 1 : 2 , D 2 : 1 )
T i m e
Figura 8
Gráfico Tensión Diodo
Figura 9
Circuito Corriente Diodo
8 0 0 m A
4 0 0 m A
S E L > >
0 A
A V G ( I ( D 1 ) )
8 0 0 m A
4 0 0 m A
0 A
R M S ( I ( D 1 ) )
8 0 0 m A
4 0 0 m A
0 A
0 s 2 0 m s 4 0 m s 6 0 m s 8 0 m s 1 0 0 m s 1 2 0 m s 1 4 0 m s 1 6 0 m s 1 8 0 m s 2 0 0 m s
I ( D 1 )
T i m e
Figura 10
Gráfico Corriente Diodo
Figura 11
Simulación Transformada
Fourier
1 6 V
1 2 V
8 V
4 V
0 V
0 H z 0 . 1 K H z 0 . 2 K H z 0 . 3 K H z 0 . 4 K H z 0 . 5 K H z 0 . 6 K H z 0 . 7 K H z 0 . 8 K H z 0 . 9 K H 1z . 0 K H z
V ( R 5 : 2 )
F r e q u e n c y
Figura 12
Transformada Fourier Tensión
Salida
1 5 0 m A
1 0 0 m A
5 0 m A
0 A
0 H z 0 . 1 K H z 0 . 2 K H z 0 . 3 K H z 0 . 4 K H z 0 . 5 K H z 0 . 6 K H z 0 . 7 K H z 0 . 8 K H z 0 . 9 K H 1z . 0 K H z
- I ( R 5 )
F r e q u e n c y
Figura 13
Transformada Fourier Intensidad
Salida
Figura 14
Datos Simulación Transformada
Fourier
2.3 Ejercicio 3. CIRCUITO RLC
Enunciado Ejercicio 3:
Objetivo:
• Ilustrar el análisis de alterna, transitorio y paramétrico
Figura 1
Circuito RLC, estímulo escalón
Figura 2
Rs Parametrizable
Haremos que las condiciones iniciales de la bobina y el condensador sean
igual a 0. Evitamos que el condensador esté cargado y funcione como un
circuito abierto y la bobina funcione como un cortocircuito, con lo que
evitamos ver la sobreoscilación anterior a la llegada al régimen
permanente.
Para ello, editamos las propiedades del condensador y la bobina y ponemos
en la columna IC (initial conditions) un 0.
Figura 3
Condiciones Iniciales Condensador,
Bobina
Establecemos el siguiente perfil de simulación: En parametric sweep
establecemos entre qué valores queremos hacer el barrido:
Figura 4
Condiciones Simulación
2 0 V
1 5 V
1 0 V
5 V
0 V
0 s 0 . 2 m s 0 . 4 m s 0 . 6 m s 0 . 8 m s 1 . 0 m s 1 . 2 m s 1 . 4 m s 1 . 6 m s 1 . 8 m s 2 . 0 m s
V ( R 1 : 2 )
T i m e
Figura 5
Gráfica Simulación
El color naranja corresponde a la resistencia más pequeña: 0.1 ohm Al
aumentar el valor de la resistencia, llegamos más rápido al régimen
permanente y el valor de pico que adquiere la sobreoscilación inicial es
menor.
Parametrizamos la sobreoscilación.
Figura 6
Condiciones Medida Sobreoscilación
2 4
2 0
P 1 O v e r s h o o t ( V ( R 1 : 2 ) ) = 8 0 . 0 1 4 1 4
1 6
1 2
P 2
0
0 s 0 . 2 m s 0 . 4 m s 0 . 6 m s 0 . 8 m s 1 . 0 m s 1 . 2 m s 1 . 4 m s 1 . 6 m s 1 . 8 m s 2 . 0 m s
V ( R 1 : 2 ) V ( R 1 : 2 )
T i m e
Figura 7
Grafica Medida Sobreoscilación
Parametrizamos el menú mesurement adecuadamente para calcular el
tiempo de establecimiento.
2 0
S e t t l i n g T i m e ( V ( R 1 : 2 ) , 1 0 ) = 4 2 5 . 5 9 1 9 2 u
1 5
P 2
1 0 P 3
P 1
0
0 s 0 . 2 m s 0 . 4 m s 0 . 6 m s 0 . 8 m s 1 . 0 m s 1 . 2 m s 1 . 4 m s 1 . 6 m s 1 . 8 m s 2 . 0 m s
V ( R 1 : 2 )
T i m e
Figura 8
Grafica Medida Tiempo
Establecimiento
Figura 9
Circuito Respuesta en Frecuencia
Parametrizamos la simulación.
Figura 10
Condiciones simulación
1 2 0 V
1 0 0 V
8 0 V
6 0 V
4 0 V
2 0 V
0 V
1 . 0 K H z 3 . 0 K H z 1 0 K H z 3 0 K H z 1 0 0 K H z
V ( R 1 : 2 )
F r e q u e n c y
Figura 11
Respuesta en Frecuencia
Enunciado Ejercicio 3:
Objetivo:
• Ilustrar el análisis de alterna, transitorio y paramétrico
Figura 1
Circuito a Simular
Perfil de la simulación:
Seleccionamos el análisis de punto de funcionamiento: Bias Point.
Obtenemos
• Estudio detallado de las corrientes y potencias en las fuentes del
circuito
• Análisis de sensibilidad
• Parámetros de pequeña señal de fuentes controladas no lineales y de
semiconductores
(ENTRADA) 0.0000
V_V1 -2.478E-03
V_Vee -2.486E-03
V_Ventrada -4.337E-06
Análisis de Sensibilidad:
JOB CONCLUDED
**** 01/08/11 18:53:35 ******** PSpice 9.2.3 (Jan 2002) ******* ID#
1887828756
Parámetros de pequeña señal: Función de transferencia
Vout/Vin
El informe indica:
El valor de la ganancia
Las resistencias de entrada y salida
Podemos sustituir el circuito por una caja constituida por una fuente
de tensión dependiente de la tensión de entrada, una resistencia de
entrada y una resistencia de salida.
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
V(SALIDA)/V_V1 = 7.190E-01
INPUT RESISTANCE AT V_V1 = 9.422E+03
OUTPUT RESISTANCE AT V(SALIDA) = 9.617E+03