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Informe #1: Actividad de Repaso.
Electrónica II
Facultad de Ingeniería, Universidad del Quindío
Armenia / Quindío
Juan Esteban Quintero T., Kevin Niño T., Javier Alejandro Rojas G.
jequinterot@uqvirtual.edu.co, kninot@uqvirtual.edu.co, jarojasg@uqvirtual.edu.co
Resumen. Esta actividad de repaso tuvo por objeto
determinar las características de funcionamiento de los
transistores BJT y FET. Teniendo en cuenta los
parámetros dados en la guía de laboratorio, se
analizaron dos transistores, un BJT y un FET; para
cada uno se encontraron los análisis en DC, AC,
pequeña señal y respuesta en frecuencia. A partir de
estos análisis y con ayuda de la simulación se pudo
comprender el funcionamiento de cada transistor.
Palabras clave: Transistores, transistor BJT, transistor
FET.
• INTRODUCCIÓN
Para esta práctica de laboratorio se tuvo un objetivo de
identificar y describir el comportamiento de 2
transistores, conociendo las hojas de especificaciones
para cada uno de ellos y realizando los análisis
respectivos para encontrar ganancia, impedancias, cortes
en la recta de carga y respuesta en frecuencia.
Para elaborar esta práctica fue necesario saber que los
transistores son semiconductores que se pueden
comportar de distintas formas según su configuración
(amplificador, oscilador o rectificador). En esta práctica
de laboratorio se utilizaron dos tipos de transistores:
 Transistor BJT
 Transistor FET
Los transistores BJT o de unión bipolar, son dispositivos
electrónicos que tienen dos uniones PN, que permite
controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales, teniendo en cuenta que esta corriente
depende del ambiente donde se encuentre el transistor,
ya que el β varía según la temperatura y está relacionado
directamente con la ganancia de corriente.
Los transistores de efecto de campo (FET) o transistor
unipolar, que a diferencia del BJT solo tiene un tipo de
portador de carga. Una de las aplicaciones más
importantes de este transistor es la amplificación de
señales débiles, ya que la corriente de salida es
proporcional a la tensión que se aplique en la entrada.
1
II. MÉTODOS E INSTRUMENTOS
En primera instancia se realizó el análisis en DC para
ambos circuitos, para seguir con este procedimiento se
debe tener en cuenta que la frecuencia de operación es
cero (𝑓 = 0). Entonces la reactancia capacitiva sería
igual a:
1 1
𝑋𝑐 = = = ∞ (1)
2𝜋𝑓𝑐 0
Es decir, los capacitores se comportan como un circuito
abierto para este análisis. Luego se realizó un equivalente
de Thevenin para hallar las respectivas resistencias y
fuentes de voltaje de cada transistor y una vez
encontrados estos valores se procedió a desarrollar los
análisis de las mallas de entrada y salida para encontrar
los puntos de trabajo de cada transistor y así mismo
hallar la recta de carga en DC.
Una vez realizado el análisis en DC se procede a hacer el
análisis en AC, donde se encontrarán los otros dos puntos
de corte para la recta de carga. Para este caso los
capacitores se comportan como corto circuito y las
fuentes a tierra, se analiza el circuito con el fin de hallar
las ecuaciones relacionadas con las variables de la recta
respectivas para cada transistor, como en el análisis en
DC. Los dos puntos encontrados (DC Y AC) se grafican
en la recta y se verifica que el punto donde se cruzan sea
aproximadamente igual al punto de trabajo encontrado
en los análisis de las mallas, teniendo esto se podrá
especificar si la región de operación del transistor está en
corte, saturación o es lineal.
El análisis en pequeña señal se realiza para encontrar
mediante el modelo hibrido que utiliza cada transistor las
ganancias de voltaje, corriente y las impedancias tanto de
entrada como de salida.
Finalmente, se analizan las respuestas en baja y alta
frecuencia en cada transistor, con el fin de encontrar la
ecuación de transferencia correspondiente y así poder
graficar el diagrama de bode. Para baja señal en ambos
casos (BJT Y FET) se analiza capacitor por capacitor,
como una superposición, hallando los equivalentes de
resistencias para así poder encontrar las primeras
frecuencias. Para alta señal deben encontrar los
capacitores parásitos que tiene el transistor, luego se
aplica el teorema de Miller para simplificar el circuito y
por último hacer el análisis capacitor por capacitor como
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en baja frecuencia.
De la Figura 2 se logra comprender que se realizó un
III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN equivalente de resistencias a la entrada de la base del
transistor, a su vez, un divisor de voltaje para determinar
el voltaje en la base del transistor, finalmente un
1. Parámetros del transistor BJT TIP31A. equivalente de fuentes en DC para obtener el voltaje de
polarización respectivo denominado para fines teóricos
como VAB, y en simulaciones como VDC3, esto con el
Tabla 1: Parámetros del transistor TIP31A fin de obtener un circuito más sencillo de operar.
Región de Corte 𝑉𝐶𝐸 = 30𝑉
𝐼𝑐 = 300𝑢𝐴 A partir de la Figura 2 se desprende una serie de análisis
Región de 𝑉𝐶𝐸 = 1.2V con el fin de determinar el punto de operación.
Saturación 𝐼𝑐 = 3𝐴
𝑽𝑩𝑬 0.7 𝑉 Malla de entrada:

−𝑉𝐵 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0 → 𝐸𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 1

2. Caracterización del Transistor BJT.
Con base en la Ecuación 1, se realiza una serie de
El propósito de este primer punto de la práctica fue sustituciones con el fin de hallar la ecuación que describe
comprender el funcionamiento de un transistor BJT por el valor de la corriente de colector del transistor, que
medio de las curvas características de entrada y salida del corresponderá a la corriente en el punto de operación.
siguiente circuito (Ver Figura 1).
𝛽𝑉𝐵 − 𝛽𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 = → 𝐸𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 2
𝑅𝐵 + 𝛽𝑅𝐸

Así pues:

𝐼𝐶𝑄 = 6.8774𝑚𝐴

Para hallar el valor de voltaje en las terminales Colector-

Emisor, se debe de realizar el análisis en la malla de
salida.

Malla de salida:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐴𝐵 − 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝐸 → 𝐸𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 3

Figura 1. Circuito 1. En base a la Ecuacion 3, se puede obtener el VCEQ:

A partir del circuito mostrado en la figura anterior, se VCEQ=3.1226V

optó por realizar el análisis en DC y en AC, esto con el
fin de hallar las curvas características del transistor y
determinar el funcionamiento en dichas regiones de
operación.
Así pues, se realizó el respectivo análisis en DC (Ver
Figura 2).
Ahora, hallado la ubicación del Punto Q, es necesario
determinar las rectas de operación. Para determinar la
recta de operación en DC se puede partir de la Ecuacion
3, así:
VCE=VAB=10V

𝑉𝐴𝐵
𝐼𝐶 = = 10𝑚𝐴
𝑅𝐸

Los datos anteriores corresponderán a los cortes con los

ejes para trazar la recta de carga en DC.

Ahora, hace falta determinar la recta de operación en AC,

para ello debemos tomar el circuito de la Figura 1 con
un comportamiento en AC (Ver Figura 3).

Figura 2. Circuito 1 simplificado en DC.

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desde la resistencia 𝑅𝐵 y se calcula su equivalente

resistivo.

𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐵 ‖ (𝛽𝑟𝑒 + 𝛽𝑅𝐵 ) = 2.175𝑘Ω

𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐴 ‖ ((𝛽𝑟𝑒 + 𝑅𝐵 ) ‖ 𝑅𝑠 ) = 38.135Ω

Luego, para la ganancia de voltaje, se realizaron dos

divisores de voltaje para hallar la relación necesaria para
𝑉𝑜
Figura 3. Equivalente en AC para recta de carga en AC. cumplir 𝐴𝑣 = 𝑉𝑖 .

Con base en la figura anterior, se determinan las Para 𝑉𝑖:

ecuaciones que describen los cortes con los ejes, para el 𝑅𝐵
VCE e IC, quedando así: 𝑉𝑅𝐵 = 𝑉𝑖 ( )
𝑅𝐵 + 𝑅𝑠
Para 𝑉𝑜:
(𝐼𝐶𝑄 − 𝐼𝐶 ′ )𝑅𝑁 = 𝑉𝐶𝐸 ′ − 𝑉𝐶𝐸𝑄 → 𝐸𝑐𝑢𝑎𝑐𝑖ó𝑛 4
𝛽𝑅𝐵
De la Ecuación 4, se obtiene: 𝑉𝑜 = 𝑉𝑅𝐵 ( )
𝛽𝑅𝐴 + 𝛽𝑟𝑒
′
𝑉𝐶𝐸 = 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝑁 + 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 4.271 V
Finalmente, para la ganancia:
𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝑜 𝑅𝐵 𝑅𝐴
𝐼𝐶 ′ = 𝐼𝐶𝑄 + = 25.575𝑚𝐴 𝐴𝑣 = = = 0.966 ≈ 1
𝑅𝑁 𝑉𝑖 (𝑅𝐵 + 𝑅𝑠 )(𝑅𝐴 + 𝑟𝑒)
Finalmente, al hallar estos cortes de la recta dinámica, se Para la ganancia de corriente, se realizaron 2 divisores de
procedió a graficar esta junto con la obtenida en DC para corriente con el mismo fin de la ganancia anterior, hallar
verificar los resultados del punto Q (Ver Figura 4). 𝐼𝑜
la relación 𝐴𝐼 = 𝐼𝑖 .

Para 𝐼𝑜:
𝛽𝑖𝐵 𝑅𝐸
𝐼𝑜 =
𝑅𝐸 + 𝑅𝐿
Para 𝐼𝑖:

𝑅𝐵
𝐼𝐵 = 𝐼𝑖 ( )
𝑅𝐵 + 𝛽𝑟𝑒 + 𝛽(𝑅𝐸 ‖ 𝑅𝐿 )

Finalmente, para la ganancia:

Figura 4. Recta de carga dinámica. 𝐼𝑜 𝑅𝐵 𝑅𝐸

𝐴𝐼 = = = 10.6368
𝐼𝑖 (𝑅𝐵 + 𝛽𝑟𝑒 + 𝛽𝑅𝐴 )(𝑅𝐸 + 𝑅𝐿 )
Ahora, a partir de los valores de 𝑉𝐶𝐸 ′ y 𝑉𝐶𝐸𝑄 , se halló el
voltaje máximo de excursión: Para el análisis en baja frecuencia, se utilizó el modelo
híbrido nuevamente, pero con los capacitores allí (Ver
𝑉𝑜𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 ′ − 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 1.157 𝑉 Figura 6).

Ahora, para hallar las impedancias y las ganancias, se

utilizó el modelo re o híbrido (Ver Figura 5).

Figura 6: Modelo re con capacitores.

Para este análisis se hizo de forma de superposición

Figura 5. Modelo re o híbrido. hallando la contribución de frecuencia de cada capacitor
individualmente.
Inicialmente se hallaron las impedancias; para la de Para el capacitor de entrada 𝐶𝑖 , el capacitor 𝐶𝑜 actuó
entrada y salida 𝑍𝑖𝑛 y 𝑍𝑜𝑢𝑡 , respectivamente, se observa
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como corto circuito debido a que la frecuencia tiende a Para alta frecuencia se realizó por medio del teorema de
infinito, por ende, su valor es 0. Y observando desde 𝐶𝑖 , Miller, pero primeramente se extrajeron las
se realiza la resistencia equivalente de esta forma para capacitancias parasitas de la hoja de datos.
hallar su reactancia y finalmente su frecuencia (Ver
Figura 7). 𝐶𝐵𝐸 = 58.24𝑛𝐹
𝐶𝐵𝐶 = 444𝑝𝐹
𝐶𝐶𝐸 = 0𝐹

Con estos valores, y teniendo en cuenta la ganancia

unitaria del amplificador, se procedió a aplicar el
teorema mencionado anteriormente.

𝐶𝑀𝑖 = 𝐶𝐵𝐸 (1 − 𝐴𝑣) = 0𝐹

1
𝐶𝑀𝑜 = 𝐶𝐵𝐸 (1 − ( )) = 0𝐹
𝐴𝑣
Figura 7: Contribución capacitor 1.
Como el único capacitor que no se elimina del circuito
es el 𝐶𝐵𝐶 , solo realizamos la contribución de este
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐵 ‖ (𝛽𝑟𝑒 + (𝑅𝐸 ‖ 𝑅𝐿 )𝛽) tomándola como la frecuencia alta total.
𝑋𝐶𝑖 = 2.175𝑘Ω 𝑋𝐶𝐵𝐶 = 4.444𝑘Ω
1
1 𝐹 𝐻𝑇 = = 80.66𝑘𝐻𝑧
𝑓𝐿𝐶 = = 73.174 𝐻𝑧 2𝜋𝑋𝐶𝐵𝐶 𝐶𝐵𝐶
𝑖 2𝜋𝑋𝐶𝑖 𝐶𝑖

Para el capacitor de salida 𝐶𝑜 , se realizó el mismo

análisis que en el capacitor de entrada para hallar su
contribución de frecuencia (Ver Figura 8).

Figura 8: Contribución capacitor 2.

𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐿 + (𝑅𝐸 ‖ (𝛽𝑟𝑒 + (𝑅𝐵 ‖ 𝑅𝑠 )))

Como 𝑅𝐵 ≫ 𝑅𝑆 , entonces:
Figura 9. Análisis en DC, Vceq, Vb, Vbe, Icq y Ie.
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐿 + (𝑅𝐸 ‖ (𝛽𝑟𝑒 + 𝑅𝑆 ))

𝑋𝐶𝑜 = 325.066 Ω

1
𝑓𝐿𝐶𝑜 = = 48.96 𝐻𝑧
2𝜋𝑋𝐶𝑜 𝐶𝑜

Para culminar baja frecuencia, se sumaron las

contribuciones de cada capacitor para obtener la
frecuencia baja total:

𝑓𝐿𝑇 = 𝑓𝐿𝐶 + 𝑓𝐿𝐶𝑜 = 122.134 𝐻𝑧

𝑖 Figura 10. Análisis en Pequeña Señal, Ganancia en Voltaje y
Corriente.
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Figura 11. Impedancia de entrada.

Figura 14. Frecuencia de corte inferior (Análisis en Bajas

Frecuencias).

Figura 12. Señal resultante de la impedancia de entrada.

Figura 15. Frecuencia de corte superior (Análisis en Altas

Frecuencias).

Figura 13. Análisis frecuencial.

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Partiendo de este diseño (Ver Figura 17), primero se

empezó realizar los cálculos teóricos en DC con el fin de
hallar el punto de operación, para esto se tuvo en cuenta
que la frecuencia para este caso es muy baja por lo que
los capacitores se comportan como circuito abierto
quedando el siguiente circuito (Ver Figura 18):

Figura 16. Frecuencia de corte superior (Debida a las

capacitancias de los cables).

3. Análisis del amplificador con transistor MOSFET.

El propósito de este punto de la práctica, fue analizar un

circuito amplificador diseñado con un transistor
MOSFET BS170 y se basó en 4 subíndices:

 Parámetros del transistor a partir de su hoja de

especificaciones.

Tabla 3: Parámetros del transistor BS170 Figura 18: Análisis DC del circuito amplificador
𝑽𝒕𝒉 2.1 V
𝑰𝑫𝑶𝑵 200 mA Ahora para realizar el análisis de la malla de entrada del
𝑽𝑮𝑺𝑶𝑵 10 V circuito, se calculó la resistencia de Thevenin la cual es
el paralelo entre las resistencias R1 y R2, luego se
A partir de estos parámetros se pudo hallar las constantes calculó el voltaje Thevenin el cual se calculó haciendo
K y gm para este transistor. un divisor de voltaje en la resistencia R1. A
continuación, se muestra los cálculos:
𝐼𝐷𝑂𝑁
𝐾 = (𝑉𝐺𝑆 2 (1)
𝑂𝑁 − 𝑉𝑡ℎ )

(𝑅1)(𝑅2)
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅𝐺 = 𝑅1+𝑅2
(3)
𝑔𝑚 = 2𝐾 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑡ℎ ) (2)
𝑅𝐺 = 473.684 𝐾Ω
 Punto de operación.
𝑉𝐶𝐶 (𝑅2)
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐺𝐺 = 𝑅2+𝑅2
(4)

𝑉𝐺𝐺 = 5.263 𝑉

Con estos valores calculados se precedió a redibujar el

circuito (Ver Figura 19):

Figura 17: Circuito amplificador

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𝐾 𝑅𝑆 ( 𝑉𝐺𝑆)2 + ( 𝑉𝐺𝑆)(1 − 2 𝐾 𝑅𝑆 𝑉𝑡ℎ) +

𝐾 𝑅𝑆 (𝑉𝑡ℎ)2 − 𝑉𝐺𝐺 = 0 (12)

Luego se halló la constante K reemplazando los valores

dados por el datasheet en la ecuación (1)

(200 𝑚𝐴)
𝐾= 2
((10 𝑉) − (2.1 𝑉))

𝐴
𝐾 = 3.2046 𝑚
𝑉2

Reemplazando los valores de K, RS, VGG y Vth en la

ecuación (12) obtenemos:

(0.96138)( 𝑉𝐺𝑆)2 + (−3.0377)( 𝑉𝐺𝑆) − 1.0233 = 0

(13)

Resolviendo la ecuación (13) se obtuvo 2 valores para

𝑉𝐺𝑆 pero se tomó el valor mayor que supera voltaje umbral
Figura 19: Análisis DC del circuito amplificador simplificado
𝑉𝐺𝑆1 = 3.4668 𝑉 (14)
Ahora con el circuito del amplificador simplificado (Ver 𝑉𝐺𝑆2 = −0.307 𝑉
Figura 19), se tuvo en cuenta las siguientes
consideraciones: Reemplazando (14) en la ecuación (7) obtenemos la
corriente 𝐼𝐷 :
1. Zin >> Zout
2. 𝐼𝐺 = 0 𝐴 (5.263 𝑉) − (3.4668 𝑉)
𝐼𝐷 𝑄 =
300Ω
Finalmente se precedió a la realización de los cálculos de
la malla de entrada y de salida: 𝐼𝐷 𝑄 = 5.98 𝑚𝐴 (15)

Malla salida:
Malla entrada:
𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 (𝑅𝐷) + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 (𝑅𝑆) (16)
𝑉𝐺𝐺 = 𝐼𝐺 (𝑅𝐺 ) + 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 (𝑅𝑆 ) (5)
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆) (17)
Como 𝐼𝐺 = 0 𝐴 :
Reemplazando (15) en la ecuación (17) obtenemos:
𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 (𝑅𝑆 ) (6)
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 10 𝑉 − (5.98 𝑚𝐴)(800Ω)
Despejando 𝐼𝐷 de la ecuación (6) obtenemos:
𝑉𝐺𝐺− 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 5.21 𝑉 (18)
𝐼𝐷 = (7)
𝑅𝑆
Por último, se halló los valores para la recta de carga el
Como el transistor es un MOSFET de enriquecimiento en el punto Q de las ecuaciones (8) y (17):
se tiene la siguiente ecuación planteada por Shockley:
Si 𝑉𝐷𝑆 → 0 𝑣
𝐼𝐷 = 𝐾 (𝑉𝐺𝑆𝑂𝑁 − 𝑉𝑡ℎ )2 (8)
𝑉𝐺𝐺− 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝑅𝑆
(19)
Reemplazando (7) en la ecuación (8) y simplificando
obtenemos: 𝐼𝐷 = 12.5 𝑚𝐴 (20)
𝑉𝐺𝐺− 𝑉𝐺𝑆
𝑅𝑆
= 𝐾 (𝑉𝐺𝑆𝑂𝑁 − 𝑉𝑡ℎ )2 (9) Si 𝐼𝐷 → 0 𝐴

𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 = 𝐾 𝑅𝑆 (𝑉𝐺𝑆𝑂𝑁 − 𝑉𝑡ℎ )2 (10) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 (21)

𝑉𝐺𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 = 𝐾 𝑅𝑆 ( 𝑉𝐺𝑆)2 − 2 𝐾 𝑅𝑆 𝑉𝑡ℎ ( 𝑉𝐺𝑆) + 𝑉𝐷𝑆 = 10 𝑉 (22)

𝐾 𝑅𝑆 (𝑉𝑡ℎ)2 (11)

Luego se empezó realizar los cálculos teóricos en AC

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con el fin de hallar el punto de operación, para esto se

tuvo en cuenta que la frecuencia para este caso es muy
alta por lo que los capacitores se comportan como corto
circuito y las fuentes DC aterrizadas a tierra, quedando
el siguiente circuito (Ver Figura 20):
𝑉𝐷𝑆 = 7.204 𝑉 (35)
Por último, se graficó la recta de carga en DC y AC en el
punto Q (Ver Figura 21), teniendo en cuenta los valores
de las ecuaciones (15), (18), (20), (22), (33) y (34)

Figura 20: Análisis AC del circuito amplificador

Del principio de superposición tenemos que:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄 (23)

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷 ′ − 𝐼𝐷 𝑄 (24)

Malla de salida: Figura 21: Recta de carga AC, DC y punto Q

𝑉𝑂 = −𝐼𝐷 (𝑅𝑂 ) (26)

Donde 𝑅𝑂 es el paralelo entre RD y RL
Como el voltaje VDS está en paralelo con el voltaje Vo:
𝑉𝑜 = 𝑉𝐷𝑆
Reemplazando (26) en la ecuación (28) obtenemos:
𝑉𝐷𝑆 = −𝐼𝐷 (𝑅𝑂 )
A partir de la figura 21 se logra concluir que el circuito
con el MOSFET BS170 posee un correcto diseño para un
funcionamiento en DC como en AC, pues este se
encuentra justo en la región activa de operación, si se
encontrase en la región de corte o en la región de
(28) saturación se podría llegar a observar recortes en la señal
de salida ya sea por abajo o por arriba de dicha señal
 Excursión de voltaje a la salida.
(29)

𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 (36)

Reemplazando (23) y (24) en la ecuación (29) y
simplificando obtenemos: 𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 1.99 𝑉 (37)

𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = −(𝐼𝐷 ′ − 𝐼𝐷 𝑄 )𝑅𝑂 (30)

Para este caso se obtuvo que el voltaje máximo a la salida
𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝐼𝐷 𝑄 𝑅𝑂 − 𝐼𝐷 𝑅𝑂 ′
(31) es el mismo que el 𝑉𝐷𝑆𝑄 , analizando la figura # se
observó que el punto de operación está más cerca al
Por último, se halló los valores para la recta de carga el 𝑉𝐷𝑆𝑄 que al 𝑉𝐷𝑆 ′ . Este valor indica cuán grande es el
en el punto Q de la ecuación (31), para esto se tuvo en voltaje de entrada teniendo en cuenta la ganancia del
cuenta los valores de 𝑉𝐷𝑆𝑄 y 𝐼𝐷 𝑄 de las ecuaciones (18) amplificador, para que a la salida la señal no se
y (15) respectivamente y se obtuvo: distorsione.

Si 𝑉𝐷𝑆 ′ → 0 𝑣
 Ganancias de Voltaje y Corriente, e Impedancias de
′ 𝑉𝐷𝑆𝑄 entrada y Salida
𝐼𝐷 = 𝑅𝑂
+ 𝐼𝐷 𝑄 (32)
Partiendo del diseño en AC (Ver Figura #) y teniendo en
𝐼𝐷 = 21.634 𝑚𝐴 (33) cuenta el modelo del transistor, se redibujo el circuido
quedando así (Ver Figura 22):
Si 𝐼𝐷 ′ → 0 𝐴

𝑉𝐷𝑆 ′ = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷 𝑄 𝑅𝑂 (34)

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−𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝑜 )

𝐴𝑉 = (50)
𝑉𝐺𝑆

𝐴𝑉 = −𝑔𝑚 (𝑅𝑜 ) (51)

Luego se halló el valor de gm reemplazando los valores

de K, 𝑉𝐺𝑆𝑄 𝑦 𝑉𝑡ℎ en la ecuación (2)

𝐴
Figura 22: Análisis AC del circuito amplificador con el 𝑔𝑚 = 8.7613 𝑚 𝑉
(52)
modelo del transistor
Reemplazando (52) y el valor de R3 en la ecuación (51)
obtenemos:
Inicialmente se halló las impedancias de entrada y salida
del circuito, las cuales son: 𝐴𝑉 = −2.9 (53)

𝑍𝐼𝑁 = 𝑅𝐺 →→ 𝑅𝐺 = 𝑅4//𝑅3 (38)

Partiendo de la ecuación (43) se procedió a obtener la
𝑍𝐼𝑁 = 473.684 𝐾Ω (39) ecuación del corriente de salida, la cual es:

𝑍𝑂𝑈𝑇 = 𝑅𝑜 →→ 𝑅𝑜 = 𝑅𝐷//𝑅𝐿 (40) 𝐼𝑂𝑈𝑇 =

−𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 )
(54)
𝑅𝐷+𝑅𝐿

𝑍𝑂𝑈𝑇 = 333Ω (41)

Luego se halló la ecuación de la corriente de entrada a
Luego se hallaron las ganancias de voltaje y corriente partir del voltaje de entrada
que están dadas por las siguientes ecuaciones:
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐺𝑆 (55)
𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐴𝑉 = (42) Pero este voltaje solo se puede evidenciar sobre la
𝑉𝐼𝑁
resistencia 𝑅𝐺 ya que la corriente 𝐼𝐺 = 0 𝐴, por tanto, se
𝐼𝑂𝑈𝑇
𝐴𝐼 = (43) obtuvo:
𝐼𝐼𝑁

𝑉𝐺𝑆 = 𝐼𝐼𝑁 (𝑅𝐺 ) (56)

Partiendo de la ecuación (42) se procedió a obtener la
Despejando 𝐼𝐼𝑁 de la ecuación (56) obtenemos:
ecuación del voltaje de salida, la cual es:
𝑉𝐺𝑆
𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝐼𝑜 (𝑅𝑜 ) (44) 𝐼𝐼𝑁 = (57)
𝑅𝐺

Se tuvo en cuenta las siguientes consideraciones para Reemplazando (54) y (57) en la ecuación (43) obtenemos
hallar el voltaje de salida: la ecuación de la ganancia en corriente:

𝐼𝑂𝑈𝑇 = − 𝐼𝐷 (45) −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝐷 )

𝑅𝐷+𝑅𝐿
𝐴𝐼 = 𝑉𝐺𝑆 (58)
𝐼𝐷 = 𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (46) 𝑅𝐺

−𝑔𝑚 (𝑅𝐷 )(𝑅𝐺 )

Reemplazando (46) en la ecuación (45) obtenemos: 𝐴𝐼 = 𝑅𝐷+𝑅𝐿
(59)
𝐼𝑜 = −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (47)

Reemplazando (47) en la ecuación (44) obtenemos: Por último, se reemplazó (52), el valor de R3 y 𝑅𝐺 en la
ecuación (59) obteniendo el valor de ganancia en
𝑉𝑂𝑈𝑇 = −𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 (𝑅𝑜 ) (48) corriente:

Ahora para el voltaje de entrada se obtuvo la siguiente 𝐴𝐼 = −1383 (60)

ecuación:

𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐺𝑆 (49)

 Respuesta en Frecuencia
Reemplazando (48) y (49) en la ecuación (42) obtenemos
la ecuación de la ganancia en voltaje:
La última parte del análisis que se realizó consistió en
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0
analizar la respuesta en frecuencia del amplificador, 1
tanto para bajas frecuencias como para las altas. 𝑓𝐶2 = = 33.59𝐻𝑧
2𝜋 ∗ 𝑋𝑐2 ∗ 𝐶2

Con esto, se busca conocer las frecuencias de corte de

cada uno de los condensadores encontrados en el 𝜔𝐶2 = 𝑓𝐶2 ∗ 2𝜋 = 211.05 𝑟𝑎𝑑⁄𝑠𝑒𝑔
amplificador.

En primer lugar, se realizó el análisis en frecuencias Y por último para el caso de capacitor Cs, C1 y C2 se
bajas, en esta parte se busca conocer las frecuencias de hacen cortos circuitos.
corte, de los condensadores, C1 (Drenador-Carga), C2
(Entrada-Amplificador) y Cs (Acople, Fuente).

En primer lugar, para el capacitor C1, los capacitores C2

y Cs, se hacen cortos circuitos, y se calcula la reactancia
equivalente vista desde las entradas del capacitor C1,
como se ve en la Figura 23.

Figura 25. Reactancia para capacitor Cs

𝑋𝑐𝑠 = 𝑅𝑆 = 300Ω

1
𝑓𝑐𝑠 = = 53.05𝐻𝑧
2𝜋 ∗ 𝑋𝑐𝑠 ∗ 𝐶𝑠
Figura 23. Reactancia para capacitor C1

𝑋𝑐1 = 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 = 1.5𝐾Ω (61) 𝜔𝑐𝑠 = 𝑓𝐶𝑠 ∗ 2𝜋 = 333.3 𝑟𝑎𝑑⁄𝑠𝑒𝑔

Con este valor se calcula entonces la frecuencia de corte

para el capacitor C1, de la siguiente forma: Entonces estos tres capacitores forman un filtro pasa
altas, cuya frecuencia de corte, será la suma de cada una
1 de las frecuencias de los capacitores.
𝑓𝐶1 = = 10.61𝐻𝑧 (62)
2𝜋∗𝑋𝑐1∗𝐶1

La cual corresponde a una frecuencia angular de: 𝑓𝐶𝐿𝑡 = 𝑓𝐶1 + 𝑓𝐶2 + 𝑓𝑐𝑠 = 97.25𝐻𝑧 (63)

𝜔𝐶1 = 𝑓𝐶1 ∗ 2𝜋 = 66.6 𝑟𝑎𝑑⁄𝑠𝑒𝑔 (63)

Luego se hace el mismo procedimiento para el
capacitor C2, haciendo entonces C1 y Cs cortos
circuitos
Para el caso de la respuesta en alta frecuencia, se analizan
las capacitancias internas del propio transistor, también
conocidas como capacitancias parasitas.
Para ello se reescribe el circuito, teniendo en cuenta
dichas capacitancias, como se ve en la Figura 26.

Figura 26. Circuito con capacitancias parasitas

Figura 24. Reactancia para capacitor C2

Estas impedancias, se pueden consultar, en el propio

𝑋𝑐2 = 𝑅𝐺 = 473.684𝐾Ω datasheet del transistor, o también en la descripción del
componente en el simulador.
 1010081027, 1004870263, 1110594299 1
1
Estas capacitancias son: Teniendo el circuito de esta forma, se aplicó el mismo
procedimiento hecho en respuesta en baja frecuencia, el
Cgs: Capacitancia compuerta-fuente cual consistía en calcular la reactancia vista en las
Cgd: Capacitancia compuerta-drenador terminales de cada capacitor.
Cds: Capacitancia drenador-fuente
Entonces para Cii, Coo se hace corto circuito, y se
calcula la impedancia de entre sus terminales:
Con estos valores, lo siguiente que se hizo fue aplicar el
teorema de Miller, para encontrar las capacitancias de
entrada y salida del transistor.

𝐶𝑀𝑖 = 𝐶𝑔𝑑 (1 − 𝐴𝑣) (64)

1
𝐶𝑀𝑜 = 𝐶𝑔𝑑 (1 − ) (65)
𝐴𝑣

Donde 𝐴𝑣, es la ganancia en voltaje obtenida

anteriormente.
Figura 29. Impedancia entre las terminales de Cii
𝐴𝑣 = −2.9175
𝑋𝑐𝑖𝑖 = 𝑅𝐺 = 474.684𝐾Ω
Entonces:
1
𝐶𝑀𝑖 = (17𝑝𝐹)(1 + 2.9175) = 66.59𝑝𝐹 𝑓𝑐𝑖𝑖 = = 3.712𝑘𝐻𝑧
2𝜋 ∗ 𝑋𝑐𝑖𝑖 ∗ 𝐶𝑖𝑖
1
𝐶𝑀𝑜 = (17𝑝𝐹) (1 + ) = 22.82𝑝𝐹 𝜔𝐶𝑖𝑖 = 𝑓𝐶𝑖𝑖 ∗ 2𝜋 = 23.327 𝑟𝑎𝑑⁄𝑠𝑒𝑔
2.9175

Con estas capacitancias se reescribió el circuito, como en

la figura 27 Para Coo, Cii se hace corto circuito, y se mide la
impedancia entre sus terminales, como se ve en la Figura
30.

Figura 27. Circuito con las capacitancias Miller

Con estas capacitancias Miller entonces se calcular lo

que serían las capacitancias de entrada y salida,
obteniendo así un circuito como el de la figura 28. Figura 31. Impedancia en terminales de Coo

𝐶𝑖𝑖 = 𝐶𝑀𝑖 + 𝐶𝑔𝑠 = 90.5𝑝𝐹 (66)

𝑋𝑐𝑜𝑜 = 𝑅𝑜 = 333Ω
𝐶𝑜𝑜 = 𝐶𝑀𝑜 + 𝐶𝑑𝑠 = 29.82𝑝𝐹 (67)

1
𝑓𝑐𝑜𝑜 = = 16.027𝑀𝐻𝑧
2𝜋 ∗ 𝑋𝑐𝑜𝑜 ∗ 𝐶𝑜𝑜

𝜔𝐶𝑜𝑜 = 𝑓𝐶𝑜𝑜 ∗ 2𝜋 = 100.7 𝑘 𝑟𝑎𝑑⁄𝑠𝑒𝑔

Figura 28. Circuito con capacitancias reducidas

 1010081027, 1004870263, 1110594299 1
2
Pasando a revisar el circuito mediante simulación, con el
fin de verificar los datos obtenidos en el análisis.

Lo primero es el resultado del análisis en DC, como se

puede ver en la figura 32, los resultados del punto Q, y
corrientes, tienen similitud con lo obtenido teóricamente.

Figura 34. Impedancia de entrada.

Figura 32. Análisis en DC, Vceq, Vb, Vbe, Icq y Ie.

De igual forma, se simuló el circuito para, conocer las

impedancias de entrada y salida, así como las ganancias
de voltaje y corriente, como se puede ver en las figuras
33, 34 y 35. Figura 35. Señal resultante de la impedancia de entrada.

Se generó de igual la gráfica de bode, para verificar las

frecuencias de corte, para frecuencias tanto bajas como
altas, como se ve en las figuras 36, 37 y 38.

Figura 33. Análisis en Pequeña Señal, Ganancia en Voltaje y

Corriente.

Figura 36. Análisis frecuencial.

 1010081027, 1004870263, 1110594299 1
3
que provocan cambios con el comportamiento de las
frecuencias, para este caso en especial, el BJT en
colector común provoca que las capacitancias parasitas
de la salida Miller sean cercanas al cero, provocando así,
que las frecuencias de corte superior lleguen hasta el
orden de los THz.

 Un BJT en configuración colector común posee una

característica especial, y es que este posee su carga
conectada al emisor del mismo, así pues, se generan
ganancias en voltaje cercanas a 1, pero con una ganancia
demasiado alta en corriente a la salida del emisor, esto
en comparación con las demás configuraciones.
Figura 37. Frecuencia de corte inferior (Análisis en Bajas
Frecuencias).
V. REFERENCIAS

 Guía de laboratorio.
 Datasheet del MOSFET BS170
 Datasheet del BJT TIP31A.

Figura 38. Frecuencia de corte superior (Análisis en Altas

Frecuencias).

IV. CONCLUSIONES

 A pesar de que los Transistores de Efecto de Campo

(FET) no se alteran por las variaciones de temperatura en
el mismo, este posee una desventaja con respecto a las
constantes 𝐾 y 𝑔𝑚, y si estas variables cambian los
valores de ganancias en corriente y voltaje pueden
llegar a variar demasiado.

 Para lograr tener una buena concordancia de los datos

teóricos y simulados se deben de cambiar ciertas
variables que posee el modelo del MOSFET BS170
dentro del software Multisim, esto con el fin de obtener
una buena simulación.

 Normalmente la ganancia en corriente del MOSFET de

enriquecimiento no se calcula pues esta posee
demasiadas variaciones, esto debido a la constante 𝑔𝑚,
por esta razón se presta mayor atención a la ganancia en
voltaje.

 Se pudo notar que, el signo negativo en las ganancias

representa un desfase en la señal de salida con respecto
a la entrada.

 Existen diversos parámetros dentro de los transistores