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INFORME N° 3
GR2
Tema: Circuitos de Protección para Transistores
En la Fig. 3 se puede observar el comportamiento del circuito a una red Snubber de encendido,
y a una red se Sobretensión, en la cual se controla la pendiente de subida de la corriente y
reduciendo el pico del voltaje en el apagado.
En la Fig. se puede que el voltaje tiene un pico mucho más grande en comparación a los casos
anteriores, esto debido que la fuente estaría trabajando de forma real, esto se lo puede realizar
colocando una inductancia a la salida de esta. Para poder controlar este tipo de inconvenientes
se suele utilizar Snubber de Sobretensión, y el comportamiento del circuito con una red Snubber
se puede observar en la Fig. 5. Donde el voltaje no tiene el pico.
Fig. 6. Grafica del circuito inicial con diodo de conmutación Rápida
Los diodos de conmutación son importantes para el buen funcionamiento de los circuitos, y por
lo cual con la gran velocidad que trabajan estos elementos es necesario colocar diodos de
conmutación rápida, el comportamiento de este se puede observar en la Fig.6. Por otro lado, si
se utiliza un diodo normal no sería de mucha ayuda, el comportamiento de este se puede
observar en la Fig.7.
2. Presentar los datos obtenidos, generar tablas comparativas con los respectivos
parámetros
Conclusiones
Recomendaciones
• Tomar en cuenta los parámetros establecidos al momento de realizar las redes snubber
para las protecciones.
• Tomar en cuenta el comportamiento real de una fuente, si caso la fuente se asume como
una fuente ideal, después de un tiempo esto nos podría traer problemas.
REFERENCIAS
Robbins W., “Snubber Circuits” Dept. of Electrical Engineering University of Minnesota, Minneapolis,
1997.
Morales J., “Análisis de Topologías de Redes Snubber para Transistores de Potencia en Fuentes
Conmutadas”, Universidad Nacional Tecnológica, Argentina.
Motorola, Semiconductor Technical Data, [Online]. Available: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/12675/ONSEMI/TIP41C.html