CLASIFICACIÓN DE LOS

MATERIALES POR SU
CONDUCTIVIDAD
Mg. Ing. Ana María Echenique
 CONCEPTO DE ELECTRÓNICA
La electrónica, es una rama de la física que tiene un campo de aplicación muy
amplio
Es el campo de la Bioingeniería, donde se estudia el diseño y la aplicación de los
dispositivos biomédicos, la electrónica tiene su aplicación considerando que el
funcionamiento de estos depende del flujo de electrones en los dispositivos
electrónicos. Ya sea para la generación, transmisión, recepción, almacenamiento y
control de la información. Esta información puede consistir en datos, voz, sonido,
imágenes, señales, variables de procesos biológicos, entre otros. Por este motivo es
de interés para comprender el funcionamiento de los dispositivos electrónicos,
conocer los materiales con los que se fabrican los dispositivos electrónicos
ELECTRON

Telecomunicaciones

Computación

Equipamiento Médico
OBJETIVOS:
™ Reconocer los diferentes tipos de
materiales, según su estructura
atómica
™ Describir la estructura del cristal de Si
™ Conocer los tipos de materiales
semiconductores
™ Describir los tipos de portadores de
carga y clases de impurezas
 CLASIFICACIÓN
Todos los elementos que tienen
propiedades físicas y químicas semejantes
se encuentran agrupados en la tabla
periódica. Desde el punto de vista eléctrico,
todos los cuerpos simples o compuestos
formados por esos elementos se pueden
dividir en tres amplias categorías:
™Conductores
™Aislantes
™Semiconductores
 MATERIALES
CONDUCTORES
En la categoría “conductores” se encuentran agrupados
todos los metales que en mayor o menor medida
conducen o permiten el paso de la corriente eléctrica
por sus cuerpos. Entre los mejores conductores por
orden de importancia para uso en la distribución de la
energía eléctrica de alta, media y baja tensión, así como
para la fabricación de componentes de todo tipo como
dispositivos y equipos eléctricos y electrónicos, se
encuentran el cobre (Cu), aluminio (Al), plata (Ag) y el oro
(Au).
PROPIEDADES DE LOS
MATERIALES CONDUCTORES
APLICACIONES DE METALES CONDUCTORES
APLICACIONES DE METALES CONDUCTORES
APLICACIONES DE METALES CONDUCTORES
MATERIALES AISLANTES

Aislantes ó Dieléctricos son materiales que no

conducen la electricidad por lo que puede ser
usado como aislante eléctrico. A diferencia de los
cuerpos metálicos buenos conductores de la
corriente eléctrica, existen otros como el aire, la
porcelana, la mica, la ebonita, las resinas
sintéticas, los plásticos, etc., que ofrecen una alta
resistencia a su paso. Esos materiales se conocen
como aislantes o dieléctricos.
MATERIALES SEMICONDUCTORES

Los "semiconductores" constituyen elementos que

poseen características intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes. Sin embargo, bajo
determinadas condiciones esos mismos elementos
permiten la circulación de la corriente eléctrica.
El Silicio (Si)y el Germanio (Ge) son elementos
semiconductores utilizados para fabricar
componentes electrónicos (diodos detectores y
rectificadores de corriente, transistores, circuitos
integrados y microprocesadores).
 Un semiconductor, es un material que tiene las propiedades
eléctricas de un conductor y de un aislante, como por
ejemplo el Germanio y el Silicio (metaloides), este ultimo el
más utilizado en la actualidad para la fabricación de
componentes electrónicos.

Después del oxigeno, el silicio
es el elemento mas
abundante en la corteza
terrestre en:
Arena, cuarzo, granito, arcilla,
mica, etc.
Silicio
-Fabricación de componentes
electrónicos
-Construcción de ladrillos, vidrios
y otros materiales
- Silicona para implantes médicos
- Fertilizante en la agricultura
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
RESISTIVIDAD PARA DIFERENTES
MATERIALES

Los valores de la resistividad nos permiten clasificar los

materiales como conductores, semiconductores y aislantes
Conductor semiconductor aislante
ρ = 10–6 Ohm/cm ρ = 50 Ohm/cm ρ = 1012 Ohm/cm
Cobre Germanio mica
ρ = 50000 Ohm/cm
Silicio
 ESTRUCTURA ATÓMICA DEL GE Y SI

El Ge, posee 32 electrones, mientras que el

Si posee 14. Ambos tiene 4 electrones de
valencia
 NIVELES DE ENERGÍA
En la estructura atómica aislada existen niveles discretos de
energía (individuales) asociados con cada electrón que orbita. De
hecho cada material tendrá su propio conjunto permitido de
niveles de energía para los electrones en su estructura atómica.

Mientras más distante se encuentre el electrón del núcleo mayor

es el estado de energía, y cualquier electrón que haya dejado su
átomo, tiene un estado de energía mayor que cualquier electrón
en la estructura atómica.
Eg – energía de desdoblamiento. Es la energía necesaria para llevar un electrón de la
banda de valencia a la banda de conducción.
1 eV Es una unidad de energía para que un electrón pase por una diferencia de 1v
Equivale a 1,602176565 × 10-19 Joule

Eg

Eg = 1.1 eV (Si) Eg = 0
Eg ≅ 10 eV
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (ArGa)
A 0ºK (-273ºC), tanto los aislantes como los
semiconductores no conducen, ya que ningún
electrón tiene energía suficiente para pasar de
la banda de valencia a la de conducción.
A 300ºK (25ºC), algunos electrones de los
semiconductores alcanzan este nivel.
Al aumentar la temperatura aumenta la
conducción en los semiconductores (al
contrario que en los metales). Mientras que
los conductores tienen electrones libres a 0ºK.
 ESTRUCTURA CRISTALINA
Cuando el Ge o SI solidifican lo hacen
en forma de una red cristalina tipo
diamante.

Representación tridimensional Representación plana

Veamos cómo se estructura un cristal de
Silicio.....
Un átomo de Si al centro de la
celda base......
Y 4 átomos iguales alrededor
de éste ligados a él
compartiendo electrones entre
sí.

Los electrones periféricos de

cada átomo de Si forman
enlaces covalentes con los
átomos vecinos. Permitiendo
Enlaces que el átomo del centro
covalentes quede con 8 electrones en su
última órbita.
CLASIFICACIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES

™ Semiconductores Intrínsecos

™Semiconductores Extrínsecos
™ Material Tipo N
™ Material Tipo P
 Semiconductor Intrínseco
Representación plana del Germanio a 0º K - -
- -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -

No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a que los electrones de la

banda de valencia no pueden saltar a la banda de conducción.
 Situación del Ge a 300ºK
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada
enlace roto.
 Situación del Ge a 300º K -
Generación
- - - -
- Muy - - - +
-
importante
Ge - Ge - Ge - Recombinación
Ge

- - - - Generación - -
Generación
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+ -
Recombinación
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
Siempre se están rompiendo (generación) y reconstruyendo (recombinación) enlaces.
La vida media de un electrón puede ser del orden de milisegundos o microsegundos.
 Situación del Ge a 300ºK
- - -
Sentido de desplazamiento
-
del hueco
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
-
- - -
- - - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
Sentido de desplazamiento
del electrón

•El electrón libre, con carga negativa, se mueve.

•Y la carga ”+” también se desplaza y de manera contraria a los electrones
- Aplicación de un campo externo

+++++++
- - - -
- -
Ge -
-
Ge
-
Ge
-
Ge
-

-
- -
- - - - -- - -
-
-
- - - -
- +
-
- - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

-
- - - -

- -
•El electrón libre, con carga negativa, se mueve por acción del campo.
+
•Y la carga ”+” también se desplaza.
- Aplicación de un campo externo

+++++++
- - - -
- -
Muy
importante
Ge -
-
Ge
-
Ge
-
Ge
-

-
- -
- - - -- -
-
- - - -
+ - +
-
- - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

-
- - - -

- -
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo portador de carga,
+
llamado “hueco”.
Movimiento de cargas por un campo eléctrico
exterior
Ε
-

+++++
-
- - - - -
+ + +

-
+ +
- - - - -
- + + + + +

- huecos electrones
Existe corriente eléctrica debida a los dos portadores de carga:

P= pg es la densidad de corriente de huecos.

N= ng es la densidad de corriente de electrones.

 Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos N = P

Ge: N = 2·1013 portadores/cm3

Si: N = 1010 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)
¿Pueden modificarse estos valores?
¿Puede desequilibrarse el número de electrones y de
huecos?
La respuesta son los Semiconductores Extrínsecos
 Semiconductores Extrínsecos (Tipo N)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo V (Ej: Antimonio (Sb)
Arsénico (As), Fósforo (P))
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si

- -
0ºK
- -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Si - Si Si
As
- -
- 4
3
- - -
Tiene 5 electrones en la última
capa
A 0ºK, habría un electrón
adicional ligado al átomo de
As
 Semiconductores Extrínsecos (Tipo N)
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si

- - 5
300ºK
- -
0ºK
-
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
As+
Si - - Si - Si

- 4
3
- - -
A 300ºK, todos electrones adicionales de los átomos de As están
desligados de su átomo (pueden desplazarse y originar corriente eléctrica).
El As es un donador y en el Si hay más electrones que huecos. Es un
semiconductor tipo N.
 Semiconductores Extrínsecos (Tipo N)
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo N

.
Energía 1 electr./atm.
0 electr./atm. 300ºK
0ºK

-
EAs=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
El As genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda
de conducción. La energía necesaria para alcanzar la banda de conducción se
consigue a la temperatura ambiente, y es la energía de ionización del átomo de
As. De esta manera cede un portador de carga negativa (electrón)

N= ng+ n Siendo ng=pg y n>>ng luego N>>P

P= pg
 Semiconductores Extrínsecos (Tipo P)
Introducimos pequeñas cantidades de impurezas del grupo III (Boro (B), Indio (In),
Galio (Ga))
- - - -
- - - - -
Si - Si - Si - Si

- -
0ºK
- -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Si - Si Si
In
-
- - -
3 -
Tiene 3 electrones en la última
capa
A 0ºK, habría una “falta de
electrón” adicional ligado al
átomo de In
 Semiconductores Extrínsecos (Tipo P)
- - -
-
- - - - -
Si - Si - Si - Si
+
-
300ºK
-
0ºK
- -
- - 1 - -
2
-
- - - - -
Si - Si Si
In
- -
- - 4 (extra) -
3 -
A 300ºK, todas las “faltas” de electrón de los átomos de In están cubiertas con un
electrón procedente de un átomo de Si, en el que se genera un hueco. El ln es un
aceptador y en el Si hay más huecos que electrones. Es un semiconductor tipo P.
 Semiconductores Extrínsecos (Tipo P)
Interpretación en diagrama de bandas de un semiconductor
extrínseco Tipo P

300ºK
0ºK
Energía
EIn=0,067eV
+
Eg=0,67eV

- - - 43 electr./atom.
electr./atom.
- - 0- huecos/atom.
El In genera un estado permitido en la banda prohibida, muy cerca de la banda de
valencia. La energía necesaria para que un electrón alcance este estado permitido se
consigue a la temperatura ambiente, generando un hueco en la banda de valencia. Esta
energía es la de ionización del átomo de In, cediendo un portador de carga positivo
(hueco)

N= ng Siendo ng=pg y p>>pg luego P>>N

P= pg+ p
 Resumen
Semiconductores intrínsecos: Muy
importante
•Igual número de huecos y de electrones
Semiconductores extrínsecos:
Tipo N:
•Más electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
•Impurezas del grupo V (donador)
•Todos los átomos de donador ionizados “+”.
•Tipo P:
•Más huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
•Impurezas del grupo III (aceptador)
•Todos los átomos de aceptador ionizados “-”.