Introducción

EL DIODO DE POTENCIA

Un diodo de potencia es una

unión p-n en la cual se tienen
que cumplir dos condiciones:

• Transporte de
grandes corrientes en
conducción

• Asumir grandes
niveles de voltaje en
polarización inversa

Esto se cumple mediante la

siguiente construcción:

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 EL DIODO DE POTENCIA

• En polarización inversa: la
unión formada por las
capas p+n- al estar poco
dopada soporta una
tensión muy elevada.

• En polarización directa: la
circulación de electrones
desde la capa n+ inunda
de electrones la capa n-
con lo que desde el punto
de vista de la caída en
conducción es
equivalente a un diodo
muy dopado.

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 EL DIODO DE POTENCIA
El símbolo y la característica del diodo son: i

V BR

1V V AK

La ecuación fundamental del diodo (ecuación de Schockley) es:

I D = Corriente a través del diodo en sentido directo, ( A)

V D = voltaje del diodo en polarización directa , (V )

I D = I S (e V D / nVT − 1) I S = Corriente de fuga , típicamente 10 − 6 a 10 −15 A

n = Coeficiente de emisión , var ía entre 1 y 2
KT
VT = Voltaje térmico VT =  26mV a 25º
q

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DIODO DE POTENCIA: Características dinámicas

ENCENDIDO DEL DIODO APAGADO DEL DIODO

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DIODO DE POTENCIA: Características dinámicas
Tensión directa, VON: Caída de tensión del
diodo en régimen permanente para la
corriente nominal.

Tensión de recuperación directa, Vfr.:

Tensión máxima durante el encendido.

Tiempo de recuperación directa, tON:

Tiempo para alcanzar el 110% de VON.

Tiempo de subida, tr: Tiempo en el que la

corriente pasa del 10% al 90% de su valor
directo nominal. Suele estar controlado por
el circuito externo (inductivo).

ENCENDIDO DEL DIODO

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DIODO DE POTENCIA: Características dinámicas
Tiempo de recuperación inversa, trr:
Qrr, Carga Tiempo medido a partir del cruce por cero
almacenada inicial hasta el 25% de la corriente inversa
máxima.

Típico 10μs para los diodos normales y 1μs

para los diodos rápidos (corrientes muy
altas).

El tiempo de recuperación
Inversa es el mayor de los
dos tiempos de conmutación.
Es el responsable de la mayor
parte de las pérdidas de
conmutación.

APAGADO DEL DIODO

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DIODO DE POTENCIA: Características dinámicas
d
iD
dt Qrr, Carga El tiempo de recuperación inversa es el
Almacenada mayor de los dos tiempos de conmutación
y el responsable de la mayor parte de las
pérdidas de conmutación.

La carga almacenada que se elimina por

arrastre es:
t rr

Qrr =  i f dt
0
Pico de tensión
debido a Ldi/dt. Aproximando el área bajo la curva de
L=bobina en serie corriente a un triángulo se cumple:
con el diodo
I rr t rr 2Qrr
 Qrr  t rr 
2 I rr
Pérdidas muy elevadas al ser la corriente
y el voltaje muy altas 7
DIODO DE POTENCIA: Características dinámicas
d La derivada de la corriente durante ta
iD
dt Qrr, Carga depende del circuito externo, y
Almacenada normalmente será:

ta>> tb es decir: ta≅ trr.

Si se resuelve el circuito y se conoce el

valor de la derivada de iD:

diD I rr I rr
= 
dt ta t rr
Pico de tensión
debido a Ldi/dt.
se obtiene:
L=bobina en serie
con el diodo
diD
I rr  2Qrr
dt
Pérdidas muy elevadas al ser la corriente
y el voltaje muy altas 8
DIODO DE POTENCIA: Características dinámicas

Los factores que influyen en el tiempo de recuperación inversa son:

• IF cuanto mayor sea, mayor será trr. Esto se debe a que la carga
almacenada será mayor.

• diF/dt cuanto mayor sea, menor será trr. No obstante, el aumento de

esta pendiente aumentará el valor de la carga almacenada Q. Esto
producirá mayores pérdidas.

• VR cuanto mayor sea, menor será trr. En este caso si la tensión

inversa es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores
almacenados.

•T cuanto mayor sea la temperatura, aumentarán tanto Q como trr.

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DIODO DE POTENCIA: Características dinámicas

Las pérdidas aumentan con:

• La intensidad directa.

• La pendiente de la intensidad.

• La frecuencia de conmutación.

• La tensión inversa aplicada.

• La temperatura de la unión.

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 DIODO DE POTENCIA

Clasificación de los Diodos de Potencia

Los diodos de potencia se clasifican considerando sus

características de recuperación inversa y sus técnicas de fabricación:

Diodos de propósito general

Son diodos que tienen un tiempo de recuperación relativamente
largo (25μs), por lo que se recomiendan para aplicaciones de baja
frecuencia.
Rangos de Corriente: desde mA hasta varios kA
Rangos de Voltaje: desde 50 V hasta 500 kV

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 DIODO DE POTENCIA
Diodos de Recuperación Rápida
Presentan un tiempo de recuperación menor a 5μs. Se utilizan
preferencialmente en troceadores de CC y en inversores.

Rangos de Corriente: desde mA hasta cientos de A

Rangos de Voltaje: desde 50 V hasta 3 kV

Diodos Schottky
Se construyen colocando una película de metal en contacto directo
con un semiconductor de silicio tipo n. Se alcanzan tiempos de
recuperación entre algunos ns y cientos de ns.

Rangos de Corriente: desde 1 A hasta 300 A

Rangos de Voltaje: hasta 100 V
Voltaje de Apertura: 0.3 a 0.4 V

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