1.

Varios transistores NMOS y PMOS se miden en operación, como se muestra en las tablas
siguientes.

a. Para el transistor 1, encuentre el tipo de canal, la región en la cual trabaja y el valor del
parámetro k=μCOX(W/L) y Vt que aplican, donde V en Volts, I en μA. Si trabaja en triodo considere
región lineal (Valor 1.5 puntos)
Caso Transistor VS VG VD ID Región Canal μCOX(W/L) Vt

a) 1 0 2 5 100

1 0 3 5 400

b. Repetir para el transistor 2, si trabaja en triodo considere región lineal (Valor 1.5 puntos)
Caso Transistor VS VG VD ID Región Canal μCOX(W/L) Vt

b) 2 5 3 -4.5 50

2 5 2 -0.5 450

Para cada uno de los circuitos de la figura

encuentre los voltajes
marcados en los nodos. Para todos los
transistores k´n (W/L) = 0.5

mA/V2, Vt = 2 V y λ=0. (1 punto por cada

acierto)

2. El circuito de la figura tiene VDD = -VSS = 5 V, Rsig=

1 kΩ, RL= 100 kΩ y un MOSFET con k’n(W/L) = 0.8 mA/V2 , Vt = 1 V y VA=40 V.
a. Diseñe el circuito de la figura (VS y RS (1.5 puntos),
VD y RD (1.5 puntos), VG y RG (1 punto)), para establecer una corriente de drenaje I D = 0.1 mA con el
valor de RD lo más grande posible que permita un desplazamiento de la señal de la señal en la
terminal de fuente de ± 1 V. La impedancia de entrada debe ser de 10 MΩ