Universidad Tecnoló gica de Querétaro

TSU Mantenimiento Á rea Industrial

Electró nica Analó gica

Quinto Cuatrimestre

Martínez Castillo Eduardo

Pérez de Santiago Á ngel Emmanuel
Serna Estrada Jesú s Andrey

Grupo IN79

Practica 5. TRANSISTORES BIPOLARES

Fernando Juá rez Navarrete

29 de marzo del 2019

 UNIVERSIDAD TECNOLÓGICO DE QUERÉTARO
 MANTENIMIENTO ÁREA INDUSTRIAL
ELECTRÓNICA ANALÓGICA  
PRÁCTICA No 5. Transistores Bipolares

FECHA DE REALIZACION: 01 de marzo del 2019 FECHA DE ENTREGA: 29 de marzo del 2019

INTEGRANTES DEL EQUIPO: Martínez Castillo Eduardo

Pérez de Santiago Ángel Emmanuel
Serna Estrada Jesús Andrey

OBJETIVOS

1. El alumno deberá probar el transistor BJT mediante el multímetro, identificando

sus terminales.
2. Deberá identificar en el manual NTE o ECG de dispositivos semiconductores,
los parámetros de un transistor BJT de acuerdo a su matrícula.
3. Deberá evaluar la operación de un amplificador con transistor BJT en
configuración emisor común para la amplificación de corriente.
4. Podrá construir circuitos de señal para control de intensidad de circuitos.
5. Podrá ser capaz de aplicar enfoques lógicos y sistemáticos para analizar,
probar, detectar fallas y reparar circuitos de estado solidó como el transistor.

FUNDAMENTO TEÓRICO
Transistor Bipolar (BJT)
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que,
atendiendo a su fabricación, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1 se
encuentran los símbolos de circuito y nomenclatura de sus terminales. La forma de
distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de
emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha
apunta hacia dentro. Además, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor.
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Estructura Física
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras,
entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN). En la figura 4 observamos el
aspecto útil para análisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el
dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base
será tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo
PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el colector N, dando lugar a un
transistor bipolar tipo NPN.

 El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto
más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la
corriente.
 La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de
emisor pase a colector. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede
no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en
oposición se tratase.
 El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las
características de esta región tienen que ver con la recombinación de los
portadores que provienen del emisor.

Regiones de Funcionamiento
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en
corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que
la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevaría en funcionamiento
normal).
Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unión base-
emisor del
mismo, es decir, basta con que VBE=0.

Activa
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La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen
corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se
encuentra polarizada en directa y la colector base en inversa.
Saturación
En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-
colector se encuentran en directa.

MATERIAL Y EQUIPO:
1 manual NTE o ECG
1 multímetro
1Diodo semiconductor
1N4007
1 transistor 2N2222
1 transistor BC547
1 transistor TIP31
1 motor de 12DC
1 potenciómetro (Calculado por los alumnos)
1 Resistencia de base (Calculado por los alumnos)
1 Fuente de +12 Vcc.
1 Fuente de +5 Vcc
1 Protoboard

DESARROLLO
 PASO 1. Medir la Corriente del Motor a plena carga IMOTOR= Icmáx=

 A continuación, se presentan los valores a plena carga del motor para

calcular Icmax.
V Max R Ic Max
Vmax 11.3V
Icmax= ;
Rtotal 446 ꭥ
11.3 V 446 ꭥ
0.025 A

 PASO2. Seleccionar el transistor de acuerdo a la IMOTOR Transistor

seleccionado
 De acuerdo a la corriente del motor seleccionamos el transistor
2N2222A
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 PASO 3. Medir el Beta o Ganancia del Transistor B=Beta(hfe) o
Ganancia del transistor =

 Ganancia del Transistor (β) = 280

 PASO 4. Calcular la IBmáx de acuerdo a la formula B= IC / IB esto es:

IBmáx= Icmáx / B

25.3 mA
 IBmáx= =0.090 mA
280

 PASO 5. Calcular la Resistencia de base mínima

RBMÍN RBmín = ( Vin – VBE ) / IBmáx =

Vin−VBE 11.3 V −2 V
 RBmin= = =103.33 ꭥ
IBmáx O .O 90 mA
 PASO 6. PARA CALCULAR EL POT (POTENCIONAMETRO)
RBmáx= (Vin – VBE) / (IBmáx * 0.1) =

Vin−VBE 11.3 V −2 V
 RBmáx= = =10333.33 ꭥ
IBmáx∗0.1 O .O 90 mA∗0.1

ENTONCES: POT = RBmáx – Rbmín

POT =RBmáx−RBmin=10333.33 ꭥ−103.33 ꭥ

 POT =10230.33 ꭥ
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CIRCUITO A REALIZAR

Con los calculos ya echos se realizaran los sigueintes circuitos.

Ilustración 1 Circuito 1

Ilustración 2 Circuito 2

RESULTADOS
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Corriente del Motor (ICmáx) 25.3 mA
Transistor 2N2222A
Ganancia (β) ó (hfe) 280
Corriente de Base (IBmáx) 0.90 mA
103.33 ꭥ ; En base a las resistencia que
Resistencia de Base Mínima (RBmin) hay en el mercado se decidió utilizar una
de 100ꭥ
Resistencia de Base Máxima (RBmáx) 10333.33 ꭥ
En base a los potenciómetros comerciales
Potenciómetro
se eligió utilizar uno de 1 Kꭥ

A continuación, se presentan algunas capturas en el desarrollo de la practica realizada.

CONCLUSIONES
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 Eduardo Martinez Castillo: El BJT tiene tres zonas y puede trabajar
como conmutador o como switch, en este caso observamos las zonas de activa y de
saturación, sin poder llegar a la zona de corte debido a la poca cantidad de de voltaje
que ingresaba a la base del transistor razón por la cual se produce su activación de esta
manera y con ayuda del potenciómetro podemos regular la intensidad de la corriente que
entra en la base del transistor y de esta manera obtener un resultado en la salida.

 Ángel Emmanuel Pérez de Santiago: Debemos ser cuidadosos al verificar los terminales
del transistor por medio del medidor de continuidad, ya que si lo hacemos mal, vamos a
obtener datos completamente erróneos del circuito y en la comparación con el simulador
no habrá ningún tipo de coincidencia Para ésta práctica, el método más factible para
determinar las corrientes es usando la Ley de Ohm, ya que si conectáramos el
multímetro en serie con el circuito corremos el riesgo de desconectar un elemento y
obtener un dato erróneo.

 Jesús Andrey Serna Estrada: Como ya vimos en el reporte hemos conocido la variedad
de aplicaciones de los transistores y su utilización en la composición de sistemas
electrónicos. También hemos aprendimos la forma de utilizar, medir y conocer las
aplicaciones de los transistores, así como sus materiales de composición y los
instrumentos para tomas diferentes lecturas.
Las pruebas que hemos llevado a cabo sobre los transistores nos dan referencias de
diferentes parámetros que podemos identificar como son la polaridad del transistor NPN
o PNP así como qué electrodo corresponde cada patilla, bien sea: BASE, COLECTOR o
EMISOR. Y por último conocer la ganancia del transistor en términos del fabricante.