APUNTES DE FISICA ELECTRONICA

1. Estructura Atómica

Todo material está compuesto de partículas extremadamente pequeñas llamada Átomos. Un

átomo a su vez, está compuesto por un Núcleo (que internamente contiene protones con cargas
positivas y neutrones sin cargas) y alrededor del núcleo giran los Electrones (con carga negativa). En
cada Átomo hay tantas cargas positivas como cargas negativas. Así cada átomo es eléctricamente
neutro como se muestra en la figura 1

Figura 1: Átomo

Átomo de Bohr

Para explicar la estructura del átomo, el físico danés Niels Bohr desarrolló en 1913 una
hipótesis conocida como teoría atómica de Bohr. Bohr supuso que los electrones están dispuestos en
capas definidas, o niveles cuánticos, a una distancia considerable del núcleo. La disposición de los
electrones se denomina configuración electrónica.
El número de electrones es igual al número atómico del átomo: el hidrógeno tiene un único
electrón orbital, el helio dos y el uranio 92. Las capas electrónicas se superponen de forma regular
hasta un máximo de siete, y cada una de ellas puede albergar un determinado número de electrones.
La primera capa está completa cuando contiene dos electrones, en la segunda caben un máximo de
ocho, y las capas sucesivas pueden contener cantidades cada vez mayores. Ningún átomo existente
en la naturaleza tiene la séptima capa llena. Los "últimos" electrones, los más externos o los últimos
en añadirse a la estructura del átomo, determinan el comportamiento químico del átomo.
Para realizar su modelo atómico utilizó el átomo de hidrógeno. Describió el átomo de
hidrógeno con un protón en el núcleo, y girando a su alrededor un electrón. En éste modelo los
electrones giran en órbitas circulares alrededor del núcleo; ocupando la órbita de menor energía
posible, o sea la órbita más cercana al núcleo posible.

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 Figura: Modelo Atómico de Bohr de un átomo de Si

La órbita mas externa del átomo se llama orbita de valencia y contiene a los electrones de
valencia, los cuales son capaces de abandonar el átomo cuando éste recibe alguna excitación
externa, también indican la valencia del elemento, es decir la capacidad de sus átomos para
combinarse con los de otros elementos.

Ionización

Si a un electrón se le proporciona energía éste puede saltar a un nivel superior o de excitación

y de dicho electrón se dice que ha sido excitado. El electrón puede recibir energía hasta sobrepasar
el mas alto de los niveles y escapar de la influencia del núcleo. Esto es lo que se llama Ionización, y
al liberarse el electrón decimos que el átomo es un Ion Positivo. El átomo que recibe dicho electrón se
llama Ion Negativo.

Niveles de energía

Para mover un electrón desde una órbita inferior a una órbita superior, es necesario
bombardear al átomo con alguna forma de energía, ya sea calor, luz o de otro tipo, pues se debe
efectuar un trabajo para contrarrestar la acción de atracción que ofrece el Núcleo. Por tanto, cuando
más grande o alejada del núcleo sea la órbita del electrón, mayor será la energía potencial que el
electrón deberá tener para abandonar el átomo.

La siguiente figura muestra las órbitas del electrón y sus respectivos niveles de energía
asociada para cada órbita, en ella se puede observar que a mayor órbita, mayor es el nivel de energía
potencial que tiene el electrón.

Figura: Niveles de energía asociada a las órbitas de un átomo.

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Cristales y Enlace Covalente.

Un átomo de Silicio tiene 4 electrones en su órbita de valencia. Para que sea estable
químicamente, un átomo de Silicio necesita ocho electrones en dicha órbita. Por esta razón, cada
átomo de Silicio “pide compartir un electrón” con otros cuatro átomos de Silicio formando un esquema
similar al que se muestra en la figura.

Cuando los átomos de Silicio se combinan para formar un sólido, se acomodan siguiendo una
configuración ordenada llamada cristal. Las fuerzas que mantienen a los átomos unidos entre sí se
denominan enlaces covalentes como se muestra en la figura 4, el átomo de Silicio central hace un
total de 8 electrones en su banda de Valencia.

Figura 4: Enlaces covalentes de un cristal de Silicio

Como se puede observar, los ocho electrones no pertenecen exclusivamente al átomo central,
sino que son compartidos con los otros 4 átomos. Así cada núcleo atraerá no solamente al electrón
de su átomo, sino que también atraerá a un electrón del átomo vecino, creando fuerzas iguales y
opuestas por cada átomo a un electrón en particular. Estas fuerzas son las que mantienen unido a los
átomos para formar el cristal y a este proceso de mantener unidos los átomos en la órbita de valencia
se denomina enlace covalente. La situación es análoga a jalar una cuerda por los extremos con
fuerzas iguales y opuestas, la cual mantendrá inmóvil la cuerda.
Todo ello indica que en un cristal, las fuerzas que se ejercen sobre cada electrón, están
influenciadas por las cargas de muchos átomos circundantes. Por esta razón, las órbitas de cada
electrón son diferentes a las órbitas del mismo electrón aislado. La figura 5 muestra una formación
tridimensional de un cristal.

Figura 5: Estructura cristalina tetragonal del Silicio y Germanio.

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HUECOS

Cuando un electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto
abandona su posición, aparece un Hueco, y le resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino
tomar su lugar. Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco deja a su vez otro hueco en su
posición inicial. De esta manera el hueco contribuye a la corriente de la misma forma que el electrón
pero con una trayectoria de sentido opuesto.

Figura: Par hueco electrón producido por el rompimiento de un enlace covalente

Conducción en Cristales

Cada átomo de cobre tiene un electrón libre, el cual viaja en una órbita extremadamente
grande (nivel de energía alto), por lo tanto, el electrón siente una débil atracción por el núcleo. En un
alambre de cobre, los electrones libres están en una banda de energía llamada Banda de
Conducción y son estos electrones los que permiten producir corrientes elevadas si se conecta una
diferencia de potencial o Batería entre sus terminales.

Si consideramos el caso del Silicio, podemos decir que al cero absoluto, no hay electrones
libres circulando en la banda de conducción, pues no hay energía extra que permita romper un enlace
covalente, por tanto no se tendría circulación de corriente por este cristal, sin embargo, por sobre el
cero absoluto, la energía calórica inyectada a los electrones producirá el rompimiento de algunos
enlaces covalentes, generando con ello un electrón libre en la Banda de Conducción y un Hueco en la
Banda de Valencia por cada enlace covalente. Cuanto mayor es la temperatura, mayor será los
electrones de valencia que pasarán a la banda de conducción y mayor será la corriente que se puede
producir en dicho cristal cuando se es sometido a una diferencia de potencial. A temperatura
ambiente 25ºC, la corriente es demasiado pequeña para ser útil, por esta razón a este material se
denomina Semiconductor, pues no es ni buen conductor ni buen aislador.

A la zona comprendida entre la banda de valencia y banda de conducción, se denomina zona

prohibida y su longitud varia entre los diferentes materiales.

A diferencia de los conductores, la corriente que se produce en los semiconductores no son

exclusivamente producida por los electrones en la Banda de conducción, sino que también se
produce por el movimiento de los huecos, esto es, los semiconductores ofrecen dos caminos para la
corriente: Uno a través de la banda de conducción (órbitas grandes) y otro a través de la banda de
Valencia. (Órbitas pequeñas) que obedece al hecho que un hueco creado en la banda de valencia
será prontamente ocupado por un electrón vecino generando con ello un nuevo hueco, el cual será
también prontamente ocupado y así sucesivamente.

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Tipo de materiales

Considerando la cantidad de energía que hay que proporcionarle a un electrón para que salte
de la banda de valencia a la de conducción, los materiales pueden clasificarse en:

Conductores, en ellos hay electrones que pueden circular libremente de un punto a otro
(similar al flujo de agua por una cañería uniforme y limpia), tales como el cobre, plata, oro, etc.

Aisladores, por el contrario, es muy difícil producir este movimiento de electrones, lo cual
requeriría un gran gasto de energía para producir tal movimiento, impidiendo con ello el paso de la
corriente. Tales como el caucho, madera, plástico, etc. (similar a tener la cañería de agua con un
tapón en un extremo).

Semiconductores, en estos se produce el caso intermedio, es decir, es posible producir el

paso de corriente por dicho material, pero no tan fácilmente como en caso de los conductores, puesto
que requerirá de ayuda extra (similar a la misma tubería con una rejilla que se puede abrir o cerrar
según la necesidad para permitir o no el paso del fluido).

Una de las características más importantes de los semiconductores es que a diferencia de los
conductores normales, en los cuales la conductividad disminuye al aumentar la temperatura, en ellos
disminuye la resistencia.

Los materiales que son aislantes a temperatura ambiente pueden volverse conductores
cuando la temperatura se eleva lo suficiente. Esto producto de que algunos electrones se mueven a
una banda de energía mayor, donde quedan disponibles para la conducción.

2. SEMICONDUCTORES

Impurificación o Dopaje en los Semiconductores

Un cristal de Silicio puro es aquel en que todos los átomos del cristal son de Silicio, llamado también
semiconductor Intrínseco. La Impurificación consiste en agregar átomos de otro material al cristal, se
dice entonces que el material es Extrínseco o material Dopado.

Semiconductor tipo N

Con el objeto de obtener una mayor cantidad de electrones libres en la banda de conducción, se
añade al Silicio (Ge) impurezas átomos pentavalentes, es decir, que tienen cinco electrones en su
banda de valencia; tales como el Arsénico, Antimonio y Fósforo. Cada uno de estos átomos formará
enlaces covalentes con otros cuatro átomos de Silicio, sin embargo, el quinto electrón de su Banda de

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Valencia no podrá formar enlace covalente y por tanto no ejercerán fuerzas del cristal hacia dicho
electrón, con la excepción de la débil fuerza eléctrica que ejerce el núcleo de su propio átomo.

Además estos átomos añadidos, que se llaman también átomos donadores, al perder un electrón
quedan como iones positivos que crean un nuevo nivel energético para el cristal (Nivel de donadores)
disminuyendo la banda prohibida. Por esta razón, la sola energía calórica o una pequeña energía
eléctrica es suficiente para desplazar los electrones de valencia a la banda de conducción y luego
bastará una pequeña diferencia de potencial para desplazar estos electrones libres y producir
corriente.

La figura siguiente muestra los componentes de este material. Es importante también destacar que el
cristal sigue siendo eléctricamente neutro, es decir, hay tantos protones o cargas eléctricas positivas
en los núcleos como electrones en la totalidad de sus órbitas.

FIGURA: MATERIAL TIPO N

Semiconductor tipo P

Con el objeto de obtener una mayor cantidad de Huecos en la banda de valencia, se Dopa al Silicio
con impurezas o átomos trivalentes, es decir, que tienen tres electrones en su banda de valencia;
tales como Aluminio, Boro y Galio.

Como estos átomos tienen solamente tres electrones en su banda de valencia, al hacer enlace
covalente con los átomos de Silicio, se producirá que a un átomo del cristal le faltará un electrón, esto
es, habrá un hueco en la banda de valencia. La figura siguiente representa la estructura básica de un
dopaje con material trivalente.

Nótese Que hay un numero insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la
red. La vacante que resulta es un hueco, que es la ausencia de carga negativa. Puesto que la
vacante aceptará de inmediato un electrón libre, las impurezas difundidas con 3 electrones de
valencia se llaman átomos aceptores.

La frecuencia de átomos aceptores tiene el efecto de crear un estrecho nivel de aceptores,

justamente por encima de la banda de valencia, el cual puede ser alcanzado fácilmente por los
electrones de valencia.

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 FIGURA: MATERIAL TIPO P

Portadores Mayoritarios y Minoritarios

En un material tipo N el numero de huecos no ha cambiado de manera significativa en comparación al

nivel de material intrínseco. El resultado es que el número de electrones exceden en demasía al
numero de huecos. Por esta razón: “ en un material tipo N el electrón es el portador mayoritario y
el hueco el portador minoritario”

Para el material tipo P el número de huecos supera ampliamente al número de electrones. Por lo
tanto: “en un material tipo P el hueco es el portador mayoritario y el electrón el portador
minoritario”.

Barra Homogénea de Semiconductor Dentro de un Campo Eléctrico Externo.

En una barra semiconductora aislada en el espacio, el movimiento de electrones en la banda de

conducción y de huecos en la banda de valencia es al azar, por lo tanto, en cualquier sección de la
barra se produce corriente promedio cero si es que no hay energía externa aplicada.

Cuando se aplica un potencial eléctrico entre los extremos de la barra homogénea se genera a lo
largo de ella un campo eléctrico, que ejerce una fuerza sobre los portadores de carga tendiendo a
producir un movimiento de ellos a través de la barra. Si los portadores pueden moverse se produce
un flujo de cargas neto distinto de cero atravesando una sección; es decir se produce una corriente
eléctrica. Las cargas tienden a moverse a una velocidad que es proporcional al gradiente del
potencial eléctrico, es decir proporcional al campo eléctrico. Esta constante de proporcionalidad
depende del material. Se entiende por homogénea una barra de sección y niveles de concentración
de impurezas constante. La magnitud de la densidad corriente producida (intensidad de corriente por
unidad de área) queda determinada por tres factores, que son:
a) La velocidad de los portadores de carga
b) La cantidad de portadores que se mueven
c) La carga eléctrica transportada por cada portador.

En la figura se aprecia como se mueven las cargas.

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 Figura: Barra semiconductora sometida a un campo eléctrico

CORRIENTES DE DIFUSIÓN DE PORTADORES

Si se inyecta una cantidad de portadores en un cristal, cualquiera que sea el procedimiento, los
portadores incluso en ausencia de campo eléctrico se mueven desde las zonas de mayor a las de
menor concentración tendiendo a restablecer las condiciones de equilibrio. Este movimiento de
conoce como Difusión. Por este fenómeno cuando los portadores no están uniforme distribuidos se
establece una corriente eléctrica ya que se mueven partículas que transportan carga eléctrica.

3. EL DIODO DE UNIÓN

Unión PN

La unión PN puede ser considerada como la frontera entre una capa de material tipo N y otra
de material tipo P que se han llevado a un contacto último.
Debido a la gran concentración de huecos en el lado P y a la ausencia de estos en el material
tipo N, los huecos se difundirán hacia la región N buscando una distribución uniforme. En otras
palabras esta difusión es debido a la gran concentración de huecos que existe entre el cristal tipo p y
el tipo N. En forma análoga tenemos una gran concentración de electrones libres que originará un
flujo de electrones que se difundirá por la unión desde la región N hacia la P.

Esta corriente de difusión tiene el siguiente efecto: por cada hueco que atraviesa la unión
desde el lado P hacia el N queda un ION Negativo inmóvil sin neutralizar en el lado P y
análogamente cada electrón que cruza desde el lado N hacia el P deja un ION Positivo sin Neutralizar
en el lado N.
Estos iones inmóviles no neutralizados en cada lado de la unión se denominan cargas
descubiertas y el campo eléctrico que se origina entre ellas puede ser representado por una batería
colocada a través de la unión. Como se indica en la figura.

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 Figura: Etapa final de la unión PN

Barrera de Potencial

El efecto que produce este campo eléctrico en la unión o juntura es el de una barrera de
potencial (Potencial de Barrera) que se opone a las corrientes de difusión, que reciben el nombre de
corrientes de recombinación Ir, ya que los huecos cruzan de P hacia N se recombinan con los
electrones en el lado N y análogamente los electrones del lado N se desplazan para recombinarse
con los huecos en P. Cabe destacar que el efecto de esta corriente es de aumentar la tensión de la
barrera de potencial y el de esta última el de hacer disminuir la Ir.

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA

Si un potencial externo de V volts se aplica en la unión PN de manera que el terminal positivo

esté conectado al material tipo N y el terminal negativo al material tipo P. El número de iones
positivos descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor
número de electrones libres arrastrados hacia el terminal positivo del potencial aplicado. Por razones
similares el número de iones negativos descubiertos se incrementará en el material tipo P.

El efecto neto en consecuencia, es un ensanchamiento de la barrera de potencial. Este

ensanchamiento establecerá una barrera demasiado grande como para que los portadores
mayoritarios puedan superarla, reduciendo el flujo de los mismos a cero.

La corriente bajo condiciones de polarización inversa se denomina corriente de saturación y se

representa por IS. La corriente de saturación inversa es rara vez superior a unos cuantos
microamperes. De echo a descendido en los últimos años al nivel de nanoamperes para el Si y de

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microamperes para el Ge. Esta es una causa importante del por qué se utiliza preferentemente el Si
en vez del Ge en la fabricación de semiconductores.

El término saturación proviene del echo que alcanza su máximo nivel en forma rápida y no
cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarización inversa

CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN DIRECTA

Una condición de polarización directa o de encendido se establece aplicando el terminal

positivo de una fuente de tensión al material tipo P y el terminal negativo al material tipo N. Como se
ve en la figura siguiente.

Un semiconductor está polarizado directamente cuando se ha establecido la asociación entre material

tipo P y Positivo y material tipo N y Negativo.

La aplicación de un potencial de polarización directa V presionará a los electrones en el material tipo

N y a los huecos en el material tipo P, para recombinarse con los iones cerca de la frontera y reducir
la anchura de la región de agotamiento.

Un electrón del material tipo N ahora ve una barrera reducida en la unión, debida a la reducción en la
barrera de potencial y una fuerte atracción por el terminal positivo aplicado al material tipo P. Como la
polarización aplicada se incrementa en magnitud, la región de agotamiento continuará disminuyendo
su anchura hasta que un desbordamiento de electrones pueda pasar a través de la unión resultando
un incremento exponencial de la corriente, esto se ve en el siguiente gráfico de polarización.

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 Figura: Característica de polarización del Diodo de Unión

4. DIODO SEMICONDUCTOR

A partir de lo anteriormente visto podemos definir el diodo semiconductor, que está constituido
principalmente por una unión PN, añadiéndole un terminal de conexión a cada uno de los contactos
metálicos en sus extremos y una cápsula que aloja todo el conjunto. Dejando al exterior los
terminales que corresponden al ánodo o electrodo positivo (zona P) y al cátodo o electrodo negativo
(zona N). Como se muestra en la siguiente figura.

Figura: DIODO SEMICONDUCTOR

Circulación de corriente

Aparte de las características descritas anteriormente es de importancia también conocer como se

describe el comportamiento de la corriente. Cuando se conecta una batería externa a través de la
unión PN la cantidad de corriente que circulará está determinada por la polaridad de la tensión
aplicada y por su efecto sobre la barrera de potencial. La ecuación se describe por:

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  V *q 
I =Is * e k *Tk −1
 
 

Donde:
Vo: tensión aplicada al diodo
Is: corriente de saturación o corriente ganada térmicamente
q: carga del electrón igual a 1,6. 10-19
K: Constante de Boltzman igual a 1,38.10-16 (Cb)
Tk: Temperatura en grados kelvin

Voltaje Umbral

Es el voltaje de polarización mayor que se requiere para alcanzar la región de conducción elevada, su
valor es por lo general del orden de 0,7V para diodos de SI y de 0,3V para diodos de Ge. Como se
indica en la siguiente figura de características de polarización del diodo.

Figura: Curva de características de polarización del diodo

El diodo ideal

El diodo ideal es el modelo del diodo semiconductor que tiene una resistencia directa de cero
(polaridad de baja resistencia y una resistencia inversa infinita).

El diodo ideal no disipa potencia. En la dirección directa la corriente no es cero, pero el la tensión si lo
es. En la dirección inversa el voltaje a través del diodo no es cero pero la corriente si lo es, por lo
tanto el diodo no disipa potencia. Esto se representa en la siguiente figura.

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 Figura: Característica del diodo ideal

Diodos de vacío.

Un diodo de vacío termoiónico, consiste en una placa (ánodo) y un cátodo. El cátodo se calienta a
una temperatura suficientemente alta con el fin de causar la emisión de electrones de su superficie.

Válvulas de vacío: Las válvulas o tubos de vacío parten del principio de la emisión termoiónica:
emisión de electrones por elevación de temperatura.

Válvulas de caldeo directo: El filamento eleva su temperatura al ser recorrido por una corriente
eléctrica, al elevarse su temperatura emite electrones (emisión termoiónica).

Válvulas de caldeo indirecto: El filamento, al ser recorrido por una corriente eléctrica, eleva su
temperatura y eleva la temperatura del cátodo. El cátodo emite electrones por emisión termoiónica.

Diodo de caldeo directo

Estructura básica y símbolo:

Funcionamiento:

El filamento eleva su temperatura al ser atravesado por una Ifil, cuando se le aplica una Vfil. Si a la
placa le aplicamos una tensión positiva respecto al filamento, los electrones liberados por el filamento
(emisión termoiónica) son atraídos por la placa, estableciéndose una corriente Ip. Si a la placa le
aplicamos una tensión negativa respecto al filamento, los electrones liberados por el filamento no son
atraídos por la placa, en estas condiciones no hay corriente de placa (Ip=0).

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Aplicación:

Los diodos semiconductores pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes,
aplicación que con diodos de vacío resultaba prohibitiva por el gran tamaño de estos.

Los diodos de vacío se utilizaban principalmente en circuitos rectificadores, en la actualidad existen

diodos de vacío para aplicaciones que requieran conducción de corriente alta, tales como
demodulación en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados en una caja cilíndrica de
vidrio con los terminales en los extremos, aunque también se utiliza plástico.

CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS DEL DIODO

Conocido el comportamiento del diodo, es muy conveniente determinar el valor de las corrientes y
voltajes en un circuito que contengan diodos, en otras palabras, se trata de analizar los circuitos que
posean diodos.

Para encontrar las características dinámicas del diodo es necesario conocer la recta de carga y el
punto de operación del dispositivo, según las características del circuito a analizar.

Análisis por Recta de Carga

La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendrá un efecto importante sobre
el punto de región de operación de un dispositivo (en este caso el diodo). Ejemplo: Considere el
circuito de la figura A y curva característica de la figura B.

Figura A
Figura B

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff al cicuito de la figura A se obtiene:

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 - V+ VD + VL = 0 o bien V = VD + ID *RL

Si se realiza un análisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una línea recta sobre la
curva de características del diodo, entonces la intersección de éstas representará el punto de
operación de la red o punto Q.

a) Considere el punto 1, para la cual se hace VD = 0, Luego: el Pto1 queda representado por:

ID = V / RL y VD = 0.

b) Considere el punto 2, para el cual se hace ID = 0, es decir: Luego pto2:

V = VD e ID = 0

Con estos dos puntos se grafican sobre la curva del diodo (Fig. B) y se unen los puntos mediante una
recta denominada recta de carga, como se observa precisamente en la figura C.

Figura C: Curva del diodo y recta de carga del circuito de la figura B

Punto de Operación Q

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El diodo tiene su propio comportamiento (Curva Característica) de tal manera que solo existe un par
de valores (corriente y tensión) que puede asumir el diodo en la recta de carga para una fuente y
resistencia particular.

Este punto recibe el nombre de punto de operación o de trabajo. Se representa con la letra Q como
se indica en la figura C.

OBS: para encontrar la solución correspondiente al punto de Q resulta de la intersección de la curva

característica con la recta de carga, y esto es lo mismo que realizar una solución matemática
simultánea de las ecuaciones:

1. V = VD + ID *RL
 V *q 
2. I = Is * e k *Tk −1
 
 

Tipos de diodos

Existen muchos tipos de diodos, a continuación se describen los principales:

Señal Pequeña: Los diodos de señal pequeña se utilizan para transformar baja corriente de CA a
CC, detectar (demodular) las señales de radio, multiplicar el voltaje, realizar lógica, absorber picos de
voltaje, etc.

Rectificador de poder: Funcionalmente son idénticos a los diodos de señal pequeña pero pueden
manejar una cantidad mucho mayor de corriente. Se instalan en envases de metal que absorben el
exceso de calor y lo transfieren a una pileta de metal de calor. Se utilizan principalmente en
suministros de energía.

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Zener: está diseñado para que tenga un voltaje de ruptura inverso específico (conducción). Esto
significa que un diodo zener puede funcionar como un interruptor sensible al voltaje. Los diodos zener
pueden tener voltajes de ruptura de 2 a 20 V.

Emisor de Luz: Todos los diodos emiten cierta radiación electromagnética cuando tienen una
polarización directa. Los diodos elaborados con ciertos semiconductores (como el Galio arseniuro
fosfuro) emiten una radiación considerablemente mayor que los diodos de Si. Se les llama diodos
emisores de luz LED (por sus siglas en inglés)

Fotodiodo: Todos los diodos responden en cierto grado cuando son iluminados por una luz. Los
diodos específicamente diseñados para detectar la luz se llaman fotodiodos. Incluyen una ventana de

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vidrio o de plástico por donde entra la luz. Con frecuencia tienen una región de unión grande y
expuesta. Con el Si se hacen buenos fotodiodos.

TIPOS DE DIODOS Y SIMBOLOS

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FOTODIODO

DIODO RECTIFICADOR

DIODO LED

PUENTE RECTIFICADOR

Indicador con LED

alfanumérico 5 x 7
Letra A de ejemplo

DIODO DE SEÑAL
DIODOS SCHOTTKY
(Menor Vumbral)
(alta velocidad y pocas
pérdidas)

DIODO PIN
(Altas Frecuencias)

LÁSERES DE DIODO

DIODO ZENER

DIODO VARACTOR O
VARICAP
(Actúa como capacitor)

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 Aplicaciones del diodo

CONCEPTO DE SEÑAL ALTERNA

Una señal alterna, es aquella que durante su ciclo tiene valores positivos y negativos por igual. Por
ejemplo, la figura muestra una señal de tipo senoidal.

Una señal alterna simple tiene las siguientes características:

a) Período (T): Corresponde al tiempo que demora la señal en volver a repetir su ciclo y se mide en
segundos
b) Frecuencia (F): corresponde al número de ciclos que entrega la señal durante el lapso de un
segundo y se mide en Hertz. La frecuencia es el inverso del período, es decir, F= 1 / T.
c) El valor promedio (o continuo) de la señal alterna es cero.
d) Valor pico (Vp) : corresponde al valor máximo que tiene la señal eléctrica.
e) Valor pico a pico (Vpp) = 2Vp
f) El voltaje efectivo o eficaz para una señal de tipo senoidal es:

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g) El voltaje continuo para una señal alterna es cero.
h) Valor instantáneo (Vc) : Corresponde al valor que tiene la señal en un instante
de tiempo cualquiera
i) Frecuencia angular (ϖ = 2*π *f); se mide en radianes

RECTIFICADOR

Un rectificador, es un circuito que tiene como misión principal modificar la forma de la señal alterna,
con el objetivo de obtener un valor promedio o valor continuo distinto de cero. Entre los rectificadores
monofásicos más representativos se encuentran:

a) Rectificador de media onda

Tiene por finalidad, eliminar un semiciclo, es decir, dejar solamente los valores positivos o negativos
de la señal alterna. La figura2 muestra un rectificador de media onda básico y el análisis de los
circuitos equivalentes para ambos ciclos. (Diodo ideal)

De la figura podemos ver que en el semiciclo positivo se polariza en forma directa el diodo, haciendo
circular una corriente Ir por la carga R produciendo una caída de tensión Vo=Vi
(Vi : tensión de la fuente)

En el segundo semiciclo el diodo queda polarizado en forma inversa, la corriente del circuito I queda
igual a cero al igual que la tensión en la carga. Por lo tanto en el diodo se refleja toda la tensión de
entrada Vd=Vi .

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Si consideramos un diodo de Si, el análisis es el mismo solo que se debe considerar que en
polarización directa se reemplaza el diodo por una fuente continua de 0,7 V. Las formas de onda se
representan en la figura3.

En resumen las características de un rectificador de media onda son:

a) El diodo debe soportar un voltaje inverso de peca de Vmax.

b) El voltaje medio que se tiene en la resistencia de carga es igual a 0,318*Vmax.
Este valor es el que indica un voltímetro en escala de CC.

Se calcula con la siguiente fómula: VCD = 0,318* (Vmax-VT)

(En caso de diodo ideal se considera voltaje umbral cero VT = 0)

Figura 3: Señal rectificada para varios ciclos de la señal alterna.

b) Rectificador de onda completa

Tiene por finalidad, modificar un semiciclo, es decir, dejar los dos semiciclos con valores positivos
solamente o negativos solamente de la señal alterna. Este tipo de rectificación permite ocupar los dos
semiciclos de la señal alterna y existen de dos tipos, denominado rectificador de onda completa tipo
puente y rectificador de onda completa con transformador de punto medio o rectificador bifásico.

b.1) Rectificador de onda completa tipo puente

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 Figura 4: Rectificador tipo puente.

Como se puede observar, este rectificador está compuesto de 4 diodos puestos de manera tal que
dos diodos funcionen por cada semiciclo, como se muestra en la figura 5, de manera tal, que en la
salida se obtenga solamente valores positivos de la señal.

Figura 5: Funcionamiento del rectificador de onda completa tipo puente

Para este caso, el voltaje promedio es el doble al voltaje del rectificador de media onda, es decir, Vcd
= 0.636*(Vm – 2*VT). Y el VIP = Vm – VT. Este tipo de rectificador es ampliamente utilizado por su
bajo costo en la mayoría de las fuentes de alimentación, su mayor desventaja es la pérdida de voltaje
producto de dos diodos por cada semiciclo, esto es, 2*VT

b2) Rectificador de onda completa bifásico o de punto medio.

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Este rectificador tiene la ventaja de utilizar un solo diodo por fase, sin embargo, requiere de un
transformador con punto medio como se muestra en la figura 6

Figura 6:Rectificador de onda completa de punto medio.

La desventaja de este tipo de rectificador radica en lo siguiente:

a) Se requiere de un transformador más caro

b) El VIP de cada diodo es VIP = 2*Vm – VT, es decir, el doble con respecto al
rectificador puente.

En resumen, se puede decir que el proceso de rectificación consiste en modificar la forma de la señal
eléctrica con el objetivo de obtener un valor continuo (VDC), sin embargo, la señal obtenida
corresponde a una señal que puede tener grandes variaciones de voltaje entre un tiempo y otro, por
tal motivo se denomina señal continua pulsante o señal continua variante en el tiempo a
diferencia del voltaje que entrega una batería cuyo valor instantáneo no cambia con el tiempo a este
tipo de señal se denomina señal continua invariante en el tiempo. La figura 7 muestra voltaje
obtenido de una batería y la señal que se obtiene a la salida de un rectificador

Con el objetivo de disminuir la variaciones instantáneas que se produce en una salida rectificada y
obtener una señal de salida estable se utilizan filtros.

DIODO ZENER

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Usando técnicas especiales que permiten producir un flujo de corriente uniforme a través del área de
la juntura se construyen los diodos zener; este diodo si se opera dentro de un rango nominal, puede
soportar corrientes inversas relativamente grandes sin destruirse y si la tensión inversa se reduce, o
suprime, bajo el valor de ruptura, la juntura se restaura a su estado original.

Los diodos de referencia de tensión o diodos zener son rectificadores de Si especialmente diseñados
para trabajar en su zona inversa. Tienen una tensión de ruptura que es fija y que permanece
relativamente constante dentro de un amplio rango de variación de la corriente inversa.

La figura 8 ilusta la curva caracteristica del diodo zener. Note que en la región de ruptura la tensión
permanece prácticamente constante para cambios apreciables de la corriente. Así el diodo zener
puede emplearse como estabilizador o regulador de tensión. El estado de tensión constante del zener
depende de su construcción lo que permite un rango amplio aproximado de entre 2 a 200V y de
potencias de disipación que pueder ir sobre los 50W.

La tensión de ruptura de los diodos zener depende de la temperatura. La forma como varía la tensión
zener con la temperatura depende del tipo de ruptura que ocurre con la tensión inversa.

El fabricante indica en el manual las caracteristicas del zener, tanto limitaciones nominales como
datos de diseño. Por ejemplo, para el diodo ZL5 y para una temperatura de 25ºC, el fabricante indica
las siguientes limitaciones.

Corriente directa Id Máx. 1,5 A

Potencia total Pt (Sin disipador) Máx. 1,3 W
Potencia total Pt (Con disipador, de Máx. 10,7 W
aluminio 10x10cm2x2mm)
Temperatura de Juntura Máx. 150 ºC

Figura 8: Curva característica del diodo Zener

Símbolo

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En la figura 9 se muestra la simbología de los diodos Zener. Se observa que la corriente en la región
Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado directamente puesto que el diodo
Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la región Zener. Lo anterior indica que un
diodo Zener puede conducir en ambos sentidos, de manera tal que en sentido directo el diodo Zener
se comporta como un diodo rectificador normal y en polarización inversa se comporta como en la
figura 9b.

Figura 9: a) Símbolo del diodo Zener

b) Circuito equivalente
c) diodo semiconductor polarizado directamente

Aplicaciones

Diodo Zener como Elemento de Protección

Se coloca el diodo Zener en paralelo con el circuito a

proteger, si el voltaje de fuente crece por encima de VZ el
diodo conduce y no deja que el voltaje que llega al circuito
sea mayor a VZ. No se debe usar cuando VF > VZ por largos
periodos de tiempo pues en ese caso se daña el diodo. Se
aplica acompañado de lámparas de neón o de
descargadores de gas para proteger circuitos de descargas
eléctricas por rayos.

Diodo Zener como Circuito Recortador

Se usa con fuentes AC o para recortar señales

variables que vienen de elementos de medición
(sensores). Cuando VX tiende a hacerse mayor que
VZ el diodo entra en conducción y mantiene el
circuito con un voltaje igual a VZ.

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Conexión Antiparalelo

Se usa para recortar en dos niveles, uno positivo y el otro

negativo.

Diodo Zener como Regulador de Voltaje

Se llama voltaje no regulado aquel que

disminuye cuando el circuito conectado a él
consume más corriente, esto ocurre en las
fuentes DC construidas con solo el rectificador y
el condensador de filtro, en los adaptadores AC-
DC y en las baterías. Un voltaje regulado
mantiene su valor constante aunque aumente o
disminuya el consumo de corriente. Una de las
muchas formas de regular un voltaje es con un
diodo Zener. La condición de funcionamiento
correcto es que VF en ningún momento sea
menor a VZ. El voltaje regulado sobre el circuito
es VZ.

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Análisis de redes con diodo Zener

La red más sencilla con diodos Zener se presenta en la siguiente figura:

Figura 10: Regulador Básico Zener

El análisis puede dividirse en dos pasos:

1.- Determínese el estado del Zener extrayéndolo del circuito y calculando el voltaje a lo largo del
circuito abierto resultante (V)

Aplicando esto al circuito de la figura 10 se tiene:

Usando la regla del divisor de tensión resulta:

V = VL = RL*Vi / R+RL

Luego:

Si V ≥ VZ el diodo Zener está en estado de conducción y el modelo equivalente de la figura 9b ocupa

el lugar del Zener.

Si V < VZ el diodo Zener está en estado de no conducción y la equivalencia del circuito abierto
ocupará el lugar del Zener.

2.- Sustitúyase el circuito equivalente apropiado y revuélvase para las incógnitas deseadas.

Para la red de la figura 10 el estado de conducción resultará en la red equivalente de la figura 11.

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 Figura 11: Sustitución del equivalente del diodo zener para la situación de conducción

Ya que los voltajes a través de los elementos en paralelo son iguales, encontramos que:

VL = VZ

Luego mediante L.C.K.

IR = IZ + IL
IZ = IR - IL

Donde
IL = VL / RL

IR = VR / R = Vi -VL / RL

La potencia disipada por el Zener se determina por PZ = VZ * IZ La cual debe ser menor a la potencia
Zener máxima especificada para el dispositivo.

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 TRANSISTORES.

Antes de 1950 todo equipo electrónico utilizaba válvulas al vacío, que son bulbos con un brillo
tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una válvula al vacío normal consumía un
par de watts, por lo que el equipo requería una fuente de alimentación voluminosa que generaba una
cantidad considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a los diseñadores. El resultado era
un equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley inventó el primer transistor de unión, que fue todo
un acontecimiento porque significó un gran cambio. El impacto del transistor en la electrónica ha sido
enorme, pues además de iniciar la industria multimillonaria de los semiconductores, ha sido el
precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los dispositivos optoelectrónicos y los
microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrónico utiliza dispositivos semiconductores.
Los cambios han sido más notables en la industria de las computadoras.

Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con una zona
común. En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona común se denomina base
y las dos zonas exteriores en contacto con la base son el emisor y el colector.

Para que el transistor funcione correctamente, la unión correspondiente al diodo emisor-base

debe polarizarse en sentido directo, mientras que la unión correspondiente al colector-base ha de
estar polarizada en sentido inverso.

Si se conecta únicamente el circuito emisor-base, con dolarización directa, se establece una circulación
eléctrica desde el emisor a la base a través de la unión. Desconectando la alimentación en el circuito emisor-
base y comunicando el conector-base con dolarización en sentido inverso, la circulación será prácticamente
ambas uniones emisor-base y colector-base, se establecerá una corriente entre el emisor y el colector. Dicha
corriente esta determinada por la tensión positiva del emisor y la negativa del colector, siempre con relación a
la base.

El factor de amplificación de corriente de un transistor es la relación entre la corriente de

colector y la del emisor.

Estructura del Transistor

Tiene 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que pueden estar distribuidos de varias
formas.

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Simbología

Existen dos Tipos de Transistores Bipolares los cuales se caracterizan por la estructura de material
que los compone, son transistores NPN o PNP. La siguiente figura muestra la estructura para ambos
casos.

Estructura de un transistor Transistor Estructura de un

Transistor NPN
NPN PNP transistor PNP

Características de terminales

A cada material dopado se conecta un terminal metálico al que llamaremos terminal de Emisor,
terminal de Base y terminal de Colector. Sin embargo, cada material tiene un Área y cantidad de
dopaje diferente entre sí.

a) El Emisor es el material más dopado del transistor y su área es mediana. La función principal del
Emisor es Emitir electrones. Hacia el colector.

b) La Base es el material menos dopado y de área más pequeña. Su función es de servir como Base
o referencia para los otros terminales.

c) El Colector es el material de mayor área y medianamente dopado. Su función es de Colectar o

recibir los electrones provenientes del Emisor.

Como podemos observar, entre los terminales Emisor y Base se tiene el equivalente a un diodo de
unión o Juntura que denominaremos Jbe por Juntura base-emisor. Una situación similar se produce
entre la Base y Colector que denominaremos Jbc. Eso es, si imaginariamente dividimos la base en
dos partes, obtendremos la equivalencia a dos diodos según se muestra en la figura 11. Sin embargo,
debemos decir que debido a la diferencia de dopaje que existe en cada uno de los terminales, es que
la barrera de potencial producida en la unión Base – Emisor es mayor que la barrera de potencial

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producida en la unión Base – Colector, lo que es fundamental para determinar cada uno de los
terminales utilizando un multitester selectado como prueba de diodo.

Considere que se tiene un transistor tipo NPN, entonces el terminal base conducirá como diodo
(terminal positivo), tanto hacia el terminal colector (Jbc) como al terminal emisor (Jbe), además, entre
los terminales colector y Emisor no debe conducir en ningún sentido. Identificado entonces el terminal
base, se puede determinar fácilmente terminal Emisor observando su mayor barrera de potencial o
mayor impedancia al ser polarizado directamente que el terminal colector respectivamente.

FUNCIONAMIENTO BASICO

Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la
lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 1).

Figura 1 Figura 2

Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la Base. Así el
transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy
grande, haciendo que se encienda la lámpara. (Figura 2).

En general: IE > IC > IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE

Polarización del Transistor

Polarizar al transistor, significa entregar una diferencia de potencial o voltaje entre sus terminales. La
polarización es necesaria para establecer una región de operación apropiada para la amplificación de
señal alterna.

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Para el caso del transistor, se requerirá que la juntura Base-Emisor (Jbe) esté polarizada en forma
directa, mientras que la juntura Base-Colector (Jbc) ) esté polarizada en forma inversa. Como se
muestra en la figura 13 para un transistor NPN.

Figura 13: Polarización del transistor NPN

ZONAS DE TRABAJO

CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es
nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se
comporta como un interruptor abierto.

IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat

SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente
de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un
interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la
carga conectada en el Colector.

IB ⇒ IC ; Vbat = RC X IC.

ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En

definitiva, como si fuera un interruptor.

La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona
la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. Los
fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también aparece con la
denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera:

β = IC / IB

CONFIGURACIONES

Dependiendo de cuál sea el terminal común a la entrada y a la salida del transistor, se

distinguen tres tipos de configuraciones:

Configuración en base común. La base constituye el terminal común a la entrada y a la

salida, se encuentra unida a tierra. La ganancia en corriente de este circuito es la unidad, pero sin

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embargo la ganancia en tensión puede ser muy alta y, por lo tanto, también la ganancia en potencia.
Esta configuración presenta muy poca realimentación entre la entrada y la salida, por lo que se
emplea especialmente en circuitos de frecuencias altas o muy altas.

Configuración en emisor común. El emisor está unido a tierra. La ganancia en corriente es

alta (β del transistor), la ganancia en tensión y en potencia (dependiente de la carga de colector) es
igualmente alta. Es la configuración más utilizada.

Configuración en colector común. En este caso, el terminal que está conectado a tierra es
el colector. La entrada se aplica a la base, como en las configuraciones anteriores y la carga entre el
emisor y tierra. Esta configuración tiene una ganancia en corriente β del transistor, la ganancia en
tensión es muy parecida, pero inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es aproximadamente β .
Esta configuración se llama también seguidor de emisor; se emplea para aislar o adaptar
impedancias, ya que el circuito de base ofrece a la señal una impedancia β veces inferior a la que se
encuentra en el emisor (salida). Se conoce como seguidor de emisor porque la tensión en el emisor
"sigue" a la de base.

Estas Configuraciones básicas de empleo de un transistor se indican a continuación.

Figura 14: Configuraciones del transistor

Curvas Características

Un transistor en régimen estático se encuentra, solamente, bajo la acción de las tensiones

continuas que se le aplican para polarizarlo. Una forma de resumir este funcionamiento es utilizar las
curvas características del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes. Las tensiones y
corrientes que se utilizan dependen de la configuración del transistor, pero independientemente de
ésta, se distinguen dos tipos de curvas: la característica de entrada y la característica de salida.

a) Características de entrada

La característica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el

caso de la configuración en emisor común se tiene la corriente de base en función de la tensión base-
emisor, para distintos valores de tensión colector- emisor. La corriente de base y la tensión base-
emisor son variables de entrada, mientras que la tensión colector-emisor es una magnitud de salida.
Si se tiene una configuración en base común, su característica de entrada relacionará la
corriente del emisor con la tensión emisor-base, utilizando la tensión colector-base como parámetro.
La corriente de emisor y la tensión emisor-base con las magnitudes de entrada.

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 La figura muestra las diferentes características de entrada de dos transistores NPN de
germanio y silicio respectivamente en función del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje
colector-emisor.

Figura 15:Características típicas de transistores.

b) Características de salida

La característica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de

salida. Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensión emisor-colector son
características de salida en configuración emisor-común, mientras que las que relacionan la corriente
de emisor, la de colector y la tensión colector-base son las curvas correspondientes a una
configuración en base común.

Figura: Curvas Características para configuración Base Común

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