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RESPUESTAS
RESPUESTAS
Como:
Ic
Ejercicio 1: b. gm = y V T =ℜ x Ic y I c =I b B
Vt
a. La primera etapa es c.
una polarización por AVT =gm Rd
d.
divisor de tensión, la
g. ∴ Z i=1,53 K Ω
segunda presenta e.
h. ∴ Z o=3,3 K Ω
polarización seguidor
emisor, y la tercera etapa f. i. ∴ A v 1=−4,85
un divisor de tensión. ∴ A v 2=−438,89
g.
b. j. ∴ A vt =2128,61
h.
( I CQ1 , V CEQ1 )=(2.1 mA , 4.7 v ) Ejercicio 4:
i.
I , V
( CQ2 CEQ2 ) =(218.29 mA , 3.84 v)
Ejercicio 3:
( I CQ3 , V CEQ3 ) =(0.75 mA , 5.62a.v )Primera configuración a. Primera configuración
con polarización por del transistor 1: emisor
N 1=(1.9 v , 0.86 mA) común
divisor de voltaje, el
N 2=(8.01 v , 2.1mA ) segundo también
Configuración 2 base
presenta divisor de
común
N 3=(3.15 v , 2.1mA) voltaje; y en conjunto
forman un cascodo. Configuración 3 emisor
N 4 =(4.06 v , 18.29 mA) común
b.
N 5=(7.86 v , 0.75 mA ) Configuración 3 emisor
( I CQ1 , V CEQ1 )=(1.78 mA , 413.83 v)
seguidor
c.
( I CQ2 , V CEQ2 ) =(2 mA , 5.26 v)
R10 R14
500
R11 R12 F1 R13
1.36xB
F2 R15 R16 R17 F3
b.
I B 4 =0.165 mA
1.73k 11.9xB BxIb1 82 BxIb2 12 270 33.3xB BxIb3
e. ∴ A VT =0 d.
Corte
d. Recorta por corta
e. primero
f. f. V i 1=ℜ1 B1 I b 1 e.
Z b=R 1|| R 2||ℜ1 B=1.01k β r e1
g. Z 0=0
V 01=I b 1 B2 R d
V 01 I b 1 B 2 Rd
V OUT =A v ( ) V
500+ βr e 1 s
Ejercicio 2: AVT = =
V i 1 ℜ1 B1 I b 1
f. e. −(2,55 K)
A v2=
V CEr e1=V
α (3 k /¿(β 3+ ( β+1 ) 2V
C 1−V E 1=12.7
0))
V r e2
A vm=−g m ( 3.3 k /¿ r e1 ) × ℜ2
f. Z o 1=10 kΩ
g. Zi =5323.68
g. Z o 4=2.7 kΩ e. ∴ A v 1=−150
h. Z o=12.663 k
h. Av1 =408.12 ∴ A v 2=−257,05
i. AV 1 =−0.543 f. ∴ A vt =2128,61
Av2 =−7.764
AV 2=389.91
Av3 =−0.177 ∙ 10−3 g.
AV 3 =−47.72 Z b=R 1|| R 2||ℜ1 B 1=552.14
Av 4=1.64
AV 2 ≈ 1 h.
i. Z 0=Rd∨¿ R e2 =2.6 k
j. Av=Av 1 Av 2 Av 3 Av 4 =0.92
AVT = AV 1 × AV 2 × A V 3 × A V 4 =10103.332 Ejercicio 7:
a.
Ejercicio 6:
Ejercicio 5: b.
a. Primera
a. Primera configuración configuración con c.
del transistor 1: colector polarización por
d.
común divisor de voltaje, el
segundo también e.
Configuración 2 emisor presenta divisor de
común voltaje; y en conjunto f.
forman un cascodo.
Configuración 3 emisor b. Punto de reposo 1 g.
común
h.
( I CQ1 , V CEQ1 )=(3.87 mA , 3.58 v )
Configuración 3 colector
Ejercicio 8:
seguidor Punto de reposo 2
a. La primera etapa es un
b. I E 4=41.39 mA ( I CQ2 , V CEQ2 ) =(3.87 mA , 3.15seguidor
v)
emisor, la
I C 4=41.39 mA En los nodos segunda es polarización
en base común y por
I B 4 =137.96 μA N 1=(19.4,0 .0258mA ) último, la tercera etapa es
un divisor de voltaje.
N 2=( 3.87 v ,3.78 mA )
b.
c. N 3=(4.263 v , 3.87 mA ) ( Ic 1 ; Vce 1 )=( 1.96 mA ; 8.38 v )
c. ( Ic 2; Vce 2 )= ( 2.43mA ; 4.7 v )
( Ic 3; Vce 3 )=(1.8 mA ; 6.54 v)
Vb 1=2 v Vb2=2.35 v Vb3=2.35 v
Ve 1=1.3 v Ve 2=1.65 v Ve 3=1.65 v
Vc 1=10 v Vc 2=6.35 v Vc 3=6.54 v
r e2 c.
d. A v1=−β2
r e1
d. Se recorta por
saturación
∴ A v 2=−0.018 Zi =56.3584 kΩ
V o −1.5 k
d. Av1 = = f. h. Z 0=100
V i r e 2 ( β +1 )
∴ Av= Av 1 Av 2=0.0065
Vo −100
Av2 = =
V i r e 3 ( β +1 ) g.
Zi =56 k +33 k ∨¿ 10 k∨¿ 820∨¿ 680
e. ∴ Av 1=−0.366
Ejercicio N° 1
Para el circuito de la siguiente figura se pide:
Simulación:
R3
470
R6 +9v
R1 270
2.2k
R4 Q3
82 NPN
I B=200
R7
II 12
Q1
PNP
B=200
III R8
4.5k
Q2
PNP
B=200
R2
8.2k R5
1.5k
b. Determine el punto de reposo (ICQ y VCEQ) y las tensiones (VBQ, VEQ y VCQ) de cada
transistor. Escribir sobre el circuito las tensiones de todos los nodos y las corrientes de
todas las ramas.
Malla I
9 x 2,2
V b 1= =1.9 v
10.4
−1,9+0.7=552 x I e1
I E 1=2.1mA
Malla II
V CE 2=9−0.282 x 18.29=3.84 v
Punto de reposo
Malla III
V CE 2+ 12 x 18.29 x 10−3−0.7
I E3=
4.5 x 10−3
I E 3 =0.75 mA
Punto de reposo
N 2=(8.01 v , 2.1mA )
N 3=(3.15 v , 2.1mA)
N 5=(7.86 v , 0.75 mA )
c. Dibuje el circuito equivalente de alterna.
R10 R14
500 1.36xB
V i 1=ℜ x B x Ib
V o 1=−B Ib 1 ×8 2
V o 1 −82
∴ A V 1= = ℜ
V i1
V i 2=I b 1 Bx 82
V 02=(ℜ2∨|270|∨12)B I b 2
V o 2 (ℜ2 ∨|270|∨12) I b 2
∴ A V 2= =
V i2 I b 1 ×82
V i 3=ℜ3 x B x I b 3
V 03=I b 3 x B x 0
V o3
∴ A V 3= =0
V i3
e. Calcule la ganancia de tensión de cada etapa.
∴ A V 1=−13.61
V o2
∴ A V 2= =130.87
V i2
V o3
∴ A V 3= =0
V i3
∴ A VT =0
b. Determine el punto de reposo (ICQ y VCEQ) y las tensiones (VBQ, VEQ y VCQ) de cada
transistor. Escribir sobre el circuito las tensiones de todos los nodos y las corrientes de
todas las ramas.
V o −1.5 k
Av1 = =
V i r e 2 ( β +1 )
Vo −100
Av2 = =
V i r e 3 ( β +1 )
∴ Av 1=−0.366
∴ A v 2=−0.018
∴ Av= Av 1 Av 2=0.0065
Zi =56.3584 kΩ
Z 0=100