NANOTECNOLOGIA

Xavier Ignacio Gualán

Jenny Judith Luzuriaga
Ethetson Damián Pineda Morocho
Manuel Agustín Tuza
Universidad Nacional de Loja
Loja, Ecuador
@unl.edu.ec
@unl.edu.ec
edpinedam@unl.edu.ec

Resumen—En el presente artículo hablaremos acerca de las aplicaciones en la fotónica así como las
comunicaciones ópticas.
Abstract—.

Palabras claves — fotónica, optoelectrónica, chip.

I. INTRODUCCIÓN

II. MARCO TEÓRICO

A. Dispositivos detectores de luz

Los dispositivos detectores de luz de tipo semiconductor se basan en la colección en un circuito eléctrico externo de
los portadores de carga generados por los fotones absorbidos dentro del material. En semiconductores no dopados la
anchura de la banda prohibida E g, determina la máxima longitud de onda detectable

λ max=hc /E g

Por tanto, para valores mayores de la longitud de onda λ> λmax el material se hace transparente y no hay absorción
de fotones ni generación de pares electrón-hueco. Para longitudes de onda mucho más cortas λ ≪ λmax el coeficiente de
absorción aumenta hasta alcanzar valores muy elevados y los fotones é se absorben muy cerca de la superficie
El silicio es un buen material para detectores en el espectro ultravioleta, visible e infrarrojo, en el rango de longitudes
de onda desde 300 nm hasta 1,1 µm, ya que tiene un gap de 1,12 eV y puede absorber fotones con energía por encima de
este valor. Sin embargo, para longitudes de onda menores de 300 nm (4 eV) el silicio se deteriora, por lo que se recurre a
otros materiales con banda prohibida más ancha como el nitruro de galio (GaN).

1. Fotoconductores

La fotoconductividad consiste en el aumento de conductividad producido por la excitación de portadores cuando un

semiconductor es iluminado. Las transiciones de banda a banda (intrínsecas) o las que se hacen involucrando niveles de
impurezas (extrínsecas) en los procesos de absorción óptica en un semiconductor dan lugar a un incremento de la
concentración de portadores en la banda de valencia o de conducción del semiconductor. Este fenómeno se utiliza para
detectar y medir la intensidad de la radiación.
Los dispositivos fotoconductores se utiliza simplemente un semiconductor muy sensible a la radiación luminosa en
una región de longitud de onda determinada, el cual es sometido a un voltaje V mediante dos electrodos aplicados en sus
extremos formando un contacto óhmico, como se muestra en la figura 1.
Fig. 1 Esquema de un dispositivo fotoconductor de capa delgada.

Cuando aumenta la intensidad de luz sobre la superficie del dispositivo se crean nuevos portadores en la banda de
valencia y conducción que son arrastrados por el campo eléctrico aplicado hacia los electrodos de contacto. Se produce
así una fotocorriente en el circuito exterior como se muestra en la figura 2.

Fig. 2 Diagrama de bandas de energia

En los fotoconductores intrínsecos (no dopados) esto ocurre sólo para luz de energía mayor que la banda prohibida.
En los fotoconductores extrínsecos (dopados) ocurre para energías mucho menores que la banda prohibida, ya que basta
que los fotones tengan una energía mayor que la energía de ionización de las impurezas.

Incremento de corriente: Se puede hacer un cálculo sencillo del incremento de corriente ∆ I e debida al exceso de
electrones generado en la banda de conducción ∆ n , a través de la ecuación
∆ I =q μ e ( ∆ n) FS

Donde:

 ∆ n: Exceso de electrones generados en la banda de conducción

 μe : La movilidad de los electrones
 F: el campo eléctrico aplicado
 S: la sección transversal del fotoconductor

2. Fotodiodos

Los fotodiodos son diodos de unión PN cuyas características eléctricas dependen de la cantidad de luz que incide
sobre la unión.
Los fotodiodos tienen una respuesta más rápida y de mayor sensibilidad que los fotoconductores. Un fotodiodo es
básicamente un diodo operando en polarización inversa con un voltaje relativamente alto para evitar el paso de los
portadores mayoritarios de un lado a otro de la unión. En ausencia de luz el efecto rectificador del diodo impide el paso
de corriente de modo que la corriente de oscuridad es muy pequeña.
Fig. 3 a) Proceso de generación de pares electrón-hueco por absorción en la región de carga espacial de un diodo foto detector, b)
Medida de la curva característica I-V del diodo en iluminación. La línea a trozos representa la curva característica en oscuridad.

B. Data Center (aquí lo de jenny)

Dentro de las comunicaciones siempre en todo sistema la potencia entre el transmisor y el receptor debe ser
balanceada, es decir que el receptor puede detectar la potencia mínima que suministra el transmisor
1. asdfasd
2.

C. Optoelectrónica Integrada (aquí lo de manuel)

Dentro de las comunicaciones siempre en todo sistema la potencia entre el transmisor y el receptor debe ser
balanceada, es decir que el receptor puede detectar la potencia mínima que suministra el transmisor

D. Optoelectrónica Integrada

La tendencia actual en optoelectrónica es la de disminuir el tamaño de los dispositivos e integrar el mayor número
posible de ellos en una sola pastilla o chip
La miniaturización y la integración permiten aumentar la velocidad, la fiabilidad y la portabilidad y al mismo tiempo
reducir el coste, el peso y el consumo de potencia.
En un circuito optoelectrónico integrado (OEIC) moderno no hay más de unas pocas decenas de dispositivos. Esto se
debe a que la tecnología necesaria para el desarrollo de la optoelectrónica integrada es mucho más compleja.
En optoelectrónica el nivel de integración dista mucho del alcanzado en optoelectrónica, en primer lugar, el número
de dispositivos en microelectrónica es demasiado grande y no hay un material como el silicio que sirva como base para
todos ellos, por lo que un sistema completo consta de muchos elementos fabricados en muy diversos materiales.
La integración monolítica en la que todos los elementos están basados en el mismo material solo es posible para
sistemas con funciones muy específicas
Con el reciente desarrollo de LED y láseres de silicio, la integración monolítica de sistemas para longitudes de onda
de entre 1 y 2 μm, donde el silicio es transparente y donde están las ventanas de las fibras ópticas de sílice, es más
factible. En los demás casos es necesario recurrir a una integración hibrida donde un sustrato común de silicio o vidrio
por ejemplo, soporta distintas pastillas para los dispositivos que requieren materiales semejantes.
Para algunas aplicaciones, la solución óptima se basa en sistemas microelectromecánicos o MEMS, que consisten en
elementos mecánicos de tamaño microscópico sobre un substrato de silicio, fabricados con las técnicas habituales de la
microelectrónica. Así, algunos proyectores de video se basan en una pastilla que contiene millones de micro espejos
cuya inclinación se controla eléctricamente.
Debido a la complejidad inherente a los sistemas optoelectronicos integrados, la tecnología es todavía muy costosa
ya que requiere muchas etapas que no están automatizadas y el montaje de elementos muy dispares. En muchos aspectos
el nivel alcanzado por los circuitos optoelectronicos es todavía similar al alcanzado por los electrónicos en la década de
los años setenta del siglo anterior. No obstante la aplicación cada vez más amplia de la optoelectrónica en sectores como
las telecomunicaciones, presentación de la información, almacenamiento de información, sensores y detectores, etc:
aumentara la presión por conseguir sistemas ópticos integrados con mayor densidad de dispositivos. A esta tendencia
contribuyen importantes avances en óptica en los años como la nanoestructuras semiconductoras, nuevos materiales,
guias de onda, sistemas microelectromecánicos, nuevos conceptos en computación cuántica, etc.

E. Guías de Onda Ópticas

En los circuitos optoelectronicos integrados y en muchos dispositivos fotónicos la estructura básica es la guía de
onda óptica.
Una guía de luz es un dispositivo para conducir la luz de un punto a otro, generalmente por medio de reflexiones
totales internas sucesivas en un medio transparente con un índice de refracción mayor que el del entorno.
Cuando las dimensiones normales a la dirección de propagación son mucho mayores que la longitud de onda de la
luz, cualquier rayo de luz que entre con un ángulo menor de un valor umbral, dado por el ángulo limite se propaga por la
guía. Además, la propagación sigue las leyes de la óptica geométrica de los de rayos. Sin embargo, cuando las
dimensiones laterales son del orden es decir de unos micrómetros o menos, el carácter ondulatorio de la luz se vuelve
muy importante y aparecen fenómenos de interferencia y difracción. La consecuencia más importante es que solo
algunos modos pueden propagarse por la guía. Por ello, estas guías de luz reciben el nombre de guías de onda ópticas
Las guías de onda son el elemento básico de los sistemas y circuitos optoelectronicos. Por un lado sirven como
elementos pasivos para llevar la luz de un sitio a otro, como los cables de un circuito eléctrico. Por otro, sirven como
elementos activos para actuar sobre la luz cuando se construyen materiales con propiedades electroópticas o no lineales.

3. Modos de propagación en las guías de onda

La figura siguiente muestra el esquema de una guía de onda plana integrada formada por una capa transparente con
un índice de refracción (nrf ) mayor que el de la capa superior (nrc ) y el del sustrato (nrs ). En el caso más general, un
rayo que se propague por la guía al llegar a la intercara con la capa superior se dividirá en dos rayos, uno que es
reflejado de nuevo hacia el interior de la guía y otro refractado que se propagara por la capa superior
Lo mismo ocurre en la intercara inferior de modo que el rayo reflejado se refleja varias veces entre las dos intercaras
hasta que la luz se pierde debido a la luz que escapa a las zonas de menor índice de refracción. Pero cuando el ángulo
que forma el rayo con la normal a la intercara θ es mayor que los ángulos límite para las intercaras superior e inferior
respectivamente, toda la luz es reflejada y el rayo refractado desaparece. En este caso no hay pérdidas y la luz se
propaga por la guía a través de largas distancias
 La primera condición para que un rayo sea guiado es, por tanto, que el ángulo θ sea mayor que los dos ángulos
críticos θ>θ c y θ>θs . Además si la anchura de la guía es de unas pocas longitudes de onda, hay interferencia entre los
distintos haces reflejados.
La distribución del campo eléctrico no depende del tiempo ni de la distancia de propagación, tal y como se muestra
en la figura siguiente
 El modo fundamental m=0 corresponde a rayos propagándose paralelos a las intercaras y la intensidad es máxima en
el centro de la guía. El número de modos es finito y decrece al disminuir la anchura de la guía. En guías suficientemente
estrechas puede haber un solo modo (guías monomodo) o, en guías asimétricas, incluso ninguno. Para los modos
superiores, la intensidad oscila con un número de nodos igual a m. Es interesante observar que, contrariamente a lo
esperado en la aproximación de rayos, hay una cierta penetración de la luz en las zonas con menor índice de refracción y
que ésta aumenta con m. El grosor de las capas que envuelven la guía tiene que ser bastante mayor que la profundidad de
penetración de la luz para que no haya pérdidas y la reflexión no se frustre. La luz que sale de la guía se denomina onda
evanescente y se puede utilizar en algunos dispositivos para acoplar la onda de una guía a otra mediante dispositivos
denominados acopladores ópticos.
La velocidad de propagación de la luz por la guía disminuye cuando m aumenta. En la aproximación de rayos, los
modos con mayor m corresponden a rayos con mayor inclinación que tienen más reflexiones en las intercaras y, por
tanto, recorren una distancia mayor. Si en un extremo de la guía, que no sea monomodo se introduce un pulso de luz
instantáneo cada modo se propagara a distintas velocidades y saldrán por el otro extremo en instantes distintos.
Las guías de onda se fabrican de materiales con una energía del borde de absorción mayor que la energía de los
fotones de la luz para asegurar su transparencia. En el espectro visible suelen usarse sílice, dieléctricos, semiconductores
o polímeros.
El silicio, que es el material de los dispositivos microelectrónicos, puede emplearse para el infrarrojo. Cuando las
guías forman parte de dispositivos electroópticos, laser o no lineales, se recurre a materiales con las propiedades
correspondientes. Para obtener le perfil del indice de refracción requerido hay dos rutas distintas. En la primera se
depositan capas de materiales con distinta composición, densidad o dopaje para conseguir el índice deseado. En la
segunda se parte de un perfil de índice inicial y después se modifica éste dopando los iones necesarios. El dopado se
consigue por difusión térmica, implantación iónica o intercambio de iones.

F. Dispositivos para el control de la luz

Para controlar el flujo de la luz en una guía óptica se utilizan distintos métodos que se basan en la modificación de
las propiedades ópticas del material de la guía, es decir, en la variación del coeficiente de absorción o del índice de
refracción ante algún estimulo externo.
La modificación de las propiedades ópticas se consigue a través de efectos electroópticos y no lineales además hay
otros efectos que también son utilizados. Así, en el efecto termoóptico las propiedades ópticas tienen una fuerte
dependencia con la temperatura. En el efecto acustoóptico la variación periódica de la densidad producida por la onda
acústica actúa como una red de difracción. En el efecto magnetoóptico, las propiedades ópticas varían con un campo
magnético externo.
La aplicación de campos eléctricos intensos comparables a los campos eléctricos internos del semiconductor altera la
distribución electrónica de los átomos y modifica sus propiedades ópticas.
Cuando los campos eléctricos intensos se aplican mediante electrodos, los efectos que producen en la interacción de
un material con un haz de luz reciben el nombre de efectos electroopticos.
 La primera condición para que un rayo sea guiado es, por tanto, que el ángulo θ sea mayor que los dos ángulos
críticos θ>θ c y θ>θs . Además si la anchura de la guía es de unas pocas longitudes de onda, hay interferencia entre los
distintos haces reflejados.
La distribución del campo eléctrico no depende del tiempo ni de la distancia de propagación, tal y como se muestra
en la figura siguiente

III. CONCLUSIONES

 Algunos de los beneficios que el PSAP son mayor seguridad para su sistema, sistemas informáticos ubicados en un
entorno más limpio, las computadoras cuentan con las condiciones ambientales adecuadas (refrigeración, potencia,
conexión a tierra), reduce el ruido y el calor en los muebles de la consola de la estación de trabajo, reduce la
cantidad de energía utilizada en los muebles de la consola de la estación de trabajo


REFERENCIAS
IV.