UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN SIMÓN

FACULTAD DE CIENCIAS Y
TECNOLOGÍA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1

Informe 3

Grupo 6

Integrantes:
• Arispe Mamani Antonio
Email: antonioarispe84@gmail.com
• Ayala Leyton Andrés Jesús
Email: andresjaltd@gmail.com
• Garcia Delgadillo Alexander
Email: agdxander1@gmail.com
Docente: Ing. Arturo Saramani Aguilar

Semestre 1/2019
 Informe 3
I1. Describir los aspectos teóricos de las configuraciones físicas tanto del bjt
como del jfet.
➢ BJT
El transistor bipolar BJT (bipolar junction transistor), es un dispositivo formado por dos
uniones y que tiene tres terminales (llamados emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn
y pnp:

Figura: Estructura y símbolo de un transistor bipolar NPN (izquierda) y PNP (derecha)

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales
se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base)
y C (colector).
La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada
de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de
un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su
misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el
emisor hacia el colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o
“colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de
atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.

I2. Mostrar la tabla de resultados teóricos, de simulación y prácticos, con los

valores obtenidos de los circuitos de las Figs. 1 al 2
Fig. 1

βM 294
Vc 10.3
iCN 4m
iB 27.21u
βN 147.766
iC 3.9886m

VBE 699.9m

β 146.6

Fig. 2

Teórico Simulación Práctica

Vcc (V) 20 20 20
R1(ohm) 72105 72.1k 72.1k
R2(ohm) 5.6K 5.6K 5.4k
Rc(ohm) 2402 2.4K 2.4k
Re(ohm) 149 149 146
Ci(F) 31u 31u 33u
Cx(F) 10n 10n 500p
Co(F) 4.75u 4.75u 4.7u
Ce(F) 100u 100u 100u
RL(ohm) 75 75 75
I3.Mostrar las curvas características obtenidas, tanto en teoría, simulación,
como prácticas, del bjt.

➢ De la figura 1

Entrada:

Salida:
➢ De la figura 2

• Simulacion:

Señal de entrada:
Señal de salida:

Región de amplificación:
 • Practica

-Señal de entrada:

-Señal de salida:
I4. Describir el proceso de amplificación en un bjt.

➢ Amplificación con el BJT

Lo primero que se debe conocer es nuestro valor de β de nuestro transistor bjt,

para después dimensionar los demás cálculos conociendo el voltaje de corriente
continua, para posterior poder calcular nuestras resistencias respectivas tanto
de emisor, colector y base.
Una vez hecho los pasos anteriores dimensionamos nuestros capacitores
(filtradores), los de acople y desacople. Cabe resaltar que nuestro transistor
como amplificador posee una entrada por donde se introduce una señal débil,
que será nuestra fuente alterna a amplificar y otra por donde se alimenta con
C.C., la cual nos sirve como tope de amplificación (es decir, el máximo valor a
amplificar), y por lo tanto la señal de salida se ve aumentada gracias a la
aportación de esta alimentación, siguiendo las mismas variaciones de onda que
la de entrada.

I5. Detallar las conclusiones a que arribaron al término de la práctica.

• Se pudo observar y apreciar las curvas características del bjt, tanto de
entrada como de salida.
• Se aprendió a elegir puntos de trabajo como también a dimensionar los
procesos tanto de polarización como de amplificación del bjt.
• Aprendimos a trabajar y entender teórica y prácticamente la aplicación del
transistor bjt en amplificación.