Fundamentos Físicos de la Informática

SOLUCIÓN Ingeniería Informática

Convocatoria extraordinaria especial 17-12-2001

Apellidos y Nombre: Grupo:

T1 T2 T3 P1 P2 P3 Total

TEORÍA

Ejercicio 1.- a) Explique la diferencia entre potencial eléctrico y energía potencial

electrostática.
Decimos que una partícula cargada colocada en un campo eléctrico tiene una energía
potencial electrostática debido a que el campo realiza un trabajo cuando desplaza la
partícula de un punto a otro. La energía potencial electrostática se puede definir debido al
carácter conservativo de la fuerza de interacción electrostática. Por ser una energía su
unidad será el julio. La diferencia de energía potencial entre dos puntos vendrá dada por
 
dU   F  d  b
  b
 
 
F  QE


 U   
a
F  d    
a
QE  d 

La energía potencial está siempre indeterminada en un térmico constante que se

impone de forma arbitraria denominado nivel de referencia, por eso lo importante es la
variación de energía potencial.

El potencial eléctrico en un punto de un campo electrostático se define como la

energía potencial por unidad de carga asociada a un punto del espacio. Es importante notar
que la energía potencial es una propiedad de las cargas colocadas en un campo mientras
que el potencial es una propiedad del campo existan o no cargas testigo en la región. La
diferencia de potencial entre dos puntos es,
b
dU    
dV   dV   E  d   V    E  d  .
Q a

El potencial eléctrico se medirá, por tanto, en julios/culombios unidad que se

denomina voltio. Del mismo modo que en caso de la energía potencial solo tiene
importancia la variación de la función potencial. El valor del potencial eléctrico en
cualquier punto queda normalmente determinado escogiendo un nivel de referencia
adecuado.

b) Si una carga se traslada una pequeña distancia en el sentido de un campo eléctrico, ¿ aumenta o
disminuye su energía potencial electrostática?, ¿qué ocurre con el potencial eléctrico?, ¿dependen
estas respuestas del signo de la carga?.
Cuando una carga se mueve en el sentido de un campo eléctrico disminuye su
energía potencial si es una carga positiva y aumenta si es una carga negativa, pero en
ambos casos se desplazará hacia una zona de menor potencial eléctrico.
c) ¿En qué dirección podemos movernos respecto a un campo eléctrico de modo que el potencial
eléctrico no varíe?. (10 puntos)
Habríamos de movernos perpendicularmente al campo eléctrico ya que en este caso
se cumplirá que:
b
   
Ed   V    E  d   0  V (a )  V (b)
a

Ejercicio 2.-a) Explicar el significado de los vectores magnetización M, campo magnético B y

campo magnetizante H y que relación existe entre ellos.

El vector campo magnético B es la magnitud que caracteriza el campo magnético
creado por una carga en movimiento o una corriente. Se puede definir a partir de la
expresión de la Fuerza de Lorentz

  
F  qv  B  B 
F
qv sen 
N ms 1 
T ,

donde  es ángulo entre el vector campo magnético y la velocidad de la carga.

Para el estudio de las propiedades magnéticas de la materia los materiales se

asimilan a una distribución de dipolos magnéticos sobre le volumen que ocupa dicho
material. Es decir, el material se comporta como un conjunto de pequeñas espiras
recorridas por corrientes, denominadas corrientes de magnetización amperianas.
Cuando un material se sitúa en un campo magnético intenso los dipolos tienden a
linearse en la dirección del campo magnético aplicado. Este proceso se llama imanación
o magnetización del material. La magnitud que indica la capacidad de magnetizarse de

un material es el vector imanación o magnetización M que se define por el momento
dipolar magnético neto por unidad de volumen del material.

 dm
M  ( A / m) ,
dV

donde dm es el momento dipolar magnético neto de un elemento de volumen.

Cuando se estudia el campo magnético en el interior de un material

magnetizable, conviene distinguir entre la contribución al campo neto que proviene del
campo externo aplicado y de la contribución debida a las corrientes de magnetización

(amperianas) del material. Para esto se define el vector campo magnetizante H que
expresa la contribución debida al campo aplicado, por tanto se define como

 B 
H  M  A / m ,
0

de forma que el campo total tiene una componente debida al campo aplicado  0 H y

otra  0 M debida a las corrientes de magnetización. Por tanto la relación entre los tres
vectores es:

B  0  H  M 
  
b) Explique brevemente los siguientes fenómenos de Ferromagnetismo, e Histéresis Magnética.
(10 puntos).

En función del modo en que se magnetizan los materiales se pueden clasificar en

materiales paramagnéticos, diamagnéticos y ferromagnéticos. Los materiales
paramagnéticos y diamagnéticos se caracterizan porque adquieren una magnetización
proporcional al campo que se les aplica de forma que se cumple:
 
M  m H

la constante de proporcionalidad m es característica de cada material y se denomina

susceptibilidad magnética. Los materiales paramagnéticos tienen una
susceptibilidad positiva y de pequeño valor (típicamente del orden de 10 -5 para los
sólidos) de forma que se magnetizan en la dirección del campo aplicado y potencian su
valor. Los materiales diamagnéticos tienen una susceptibilidad también de pequeño
valor pero negativa, de forma que se magnetizan en sentido contrario al campo aplicado
y muestran una tendencia a anularlo.

Los materiales ferromagnéticos muestran una relación no lineal entre el campo

aplicado y la magnetización que adquieren de forma que para estos la susceptibilidad es
función del campo aplicado  m   m  H  positiva y además toma valores muy grandes.


Además, la susceptibilidad depende también de la ‘historia’ magnética del material

ferromagnético, esto es del hecho de haber estado o no sometido antes a un campo y de
la manera en que lo estuvo. Este hecho se conoce como fenómeno de Histéresis
Magnética y a las curvas experimentales que relacionan el campo resultante con el
campo aplicado se les denomina Curvas de Histéresis. Cuando un material presenta
ferromagnetismo puede quedar magnetizado incluso cuando se eliminó el campo
magnetizante.

Ejercicio 3
a) ¿Cuál es la diferencia entre la estructura de bandas de un aislante, un semiconductor y un
metal?.
En un aislante, la banda de valencia está completamente llena y separada de la banda de
conducción por un una banda prohibida (gap) muy grande (típicamente Eg > de 5 eV) de forma que
incluso a temperatura ambiente es muy difícil encontrar portadores con energía suficiente parar
saltar a la banda de conducción. La estructura de bandas de un semiconductor es análoga a la de un
aislante pero con un gap menor (Eg  1 eV ).

En el caso de los materiales conductores existen dos tipos de estructura de bandas:

1) La banda de valencia está incompleta de forma que la energía de Fermi se sitúa en el interior de
la banda de valencia.
2) La banda de valencia está completa, pero solapada con la banda de conducción.

b) Explicar por qué un semiconductor actúa como aislante a 0 K y por qué su conductividad
aumenta con la temperatura.
En el cero absoluto en un semiconductor, la banda de valencia está completa y la
banda de conducción está vacía de forma que a esa temperatura el material se comporta
como un aislante, pero, por ser pequeña la anchura de banda prohibida, conforme aumenta
la temperatura cada vez mas electrones adquieren la energía suficiente para superarla,
gracias a las vibraciones térmicas de la red, y el material aumenta su conductividad al
revés de los que ocurre en los conductores. Una consecuencia de esto es que los
semiconductores tengan un coeficiente de resistividad negativo.

c) ¿ Cuál es la distinción entre un semiconductor intrínseco y un semiconductor extrínseco?.

Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, sin impurezas, en este
tipo de semiconductores a temperatura constante se produce el equilibrio entre la
generación y la recombinación de pares electrón-hueco de forma que habrá el mismo
número medio de electrones en la banda de conducción que de huecos en la banda de
valencia. Designando por p y n a la concentración de huecos y electrones respectivamente
se verifica:

p  n  ni

donde ni se llama concentración de portadores intrínsecos.

En los semiconductores se añaden impurezas deliberadamente durante el proceso

de fabricación (proceso de dopado del material)consistente en átomos distintos a los
elementos base (Si, Ge o GaAs); estos átomos se intercalen el la red cristalina
distorsionándola ligeramente en susproximidades. La presencia de estas impurezas a pesar
de constituir un porcentaje muy bajo del numero total de átomos, afecta totalmente a la
conductividad del material y a la dependencia de esta con la temperatura. Estos
semiconductores así dopados se denominan semiconductores extrínsecos.
d) Explique que se entiende por semiconductor tipo P y tipo N.
Los semiconductores tipo N están dopados con impurezas de elementos del
quinto grupo (P, As. Sb,Bi) de la tabla periódica que emplean cuatro de sus cinco
electrones de valencia en los enlaces covalentes con sus vecinos, pero el quinto no
interviene en esos enlaces. Por otra parte, el nivel de energía del estado fundamental de
este electrón es encuentra por debajo de la banda de conducción y muy próximo a ella, de
forma que a cero grados kelvin el electrón se encontrará ligado a su átomo, pero al
aumentar la temperatura pasará fácilmente a la banda de conducción, posibilitando así la
conducción eléctrica, sin que se hayan formado planes electrón- hueco, ya que no se ha
roto ningún enlace. A estas impurezas que ceden electrones se les llama impurezas
donadoras y a los niveles de energía que introducen, niveles donadores.

Los semiconductores tipo P están dopados con impurezas de elementos del tercer grupo
de forma que les queda un enlace por átomo por completar. Esto da como resultado la
aparición de niveles energéticos próximos a la banda de valencia, que se denominan
niveles aceptores.

e) Un semiconductor se dopa con impurezas donadoras y aceptadoras de concentraciones

respectivas ND y NA respectivamente. Escribir la ecuación, o ecuaciones que determinan las
concentraciones de huecos y electrones. (15 puntos).
Las ecuaciones características son
 Ley de acción de masas: np  ni

 Condición de Neutralidad eléctrica: n  NA  p  ND

En semiconductor tipo N exclusivamente se cumplirá:
ni2
N A  0  n  ND  p 
ND

ni2
Para un tipo P ND  0  p  NA  n 
NA
PROBLEMAS

Problema 1 V3
c d
En el circuito de la figura, una vez alcanzado el estado
estacionario,
R1 R2 Ib R3
Ia
a) Determine la corriente en cada rama (8 puntos).
C1 h R5
Datos: V1= 2 V; V2= 3 V; V3= 5 V; C =1 F; e
b
R1= 1 k; R2= 2 k; R3= 5 k; R4= 1 k; R5= 3 k;

Por la rama en la que está situado el condensador no circula V1 V2 Ic

R4
ninguna intensidad, de forma que no se tiene en cuenta para e
cálculo de las intensidades. Planteamos las ecuaciones de
malla considerando las corrientes de malla que se indican en la a f
g
figura

 V1  V2   R 1  R 2  R2 0  I a 
    
  V3     R 2 R2  R3  R5  R 5  I b 
 V   0  R5 R 4  R 5  I c 
 2  

sustituyendo los valores numéricos, obtenemos:

 - 1   3  2 0  I a 
    
  5     2 10  3  I b 
 3   0  3 4  I 
    c 

de esta forma, el valor las intensidades de malla es

I a  0.69 mA I b  0.53 mA I c  0.35 mA

de esta forma, las corrientes que circulan por cada rama serán
I R 1  I a  0.69 mA; I R 2  I a  I b  0.16 mA; I R 3  I b  0.53 mA;
I R 4  I c  0.35 mA; I R 5  I b  I c  0.88 mA; I V 2  I a  I c  1.04 mA;

b) Calcule el potencial en cada punto suponiendo que el potencial en el punto a es cero. (4

puntos).
Va  0; Vb  Va  V1  2 V; Vc  Vb  R 1 I R 1  2 V  (1k)( 0.69 mA )  2.69 V;
Vd  Vc  V3  2.31 V; Ve  Vd  R 3 I R 3  2.31 V  (5k)( 0.53 mA )  0.34 V;
Vf  Ve  R 4 I R 4  0.34 V  (1k)( 0.35 mA)  0 mA  Vg ; Ve  Vg  V2  3 V

c) Determine la energía disipada en la resistencia de R 4 en 100 segundos. (4 puntos).

 E Dis  Pt  R 4 I 2R 4 t  10 3   0.3510 3 A  100 s   0.123 J
2

d) Calcule la carga libre en las armaduras del condensador C. (4 puntos).

V  Vb  Vh  2 V  3 V  1V  Q  C V  1V 1F  1C

Problema 2
Por el conductor rectilíneo largo de la figura 2 circula una corriente de 20 A. Las dimensiones de la
espira rectangular son a=5 cm y b= 10 cm y la distancia que lo separa del conductor rectilíneo
d=2 cm.
i) Si la espira rectangular está recorrida por una intensidad de 5 A calcule la fuerza que actúa sobre
cada segmento. ¿Cuál es la fuerza neta sobre la espira?. (15 puntos).
El campo magnético que crea el hilo
indefinido de la figura lo podemos b
determinar teniendo en cuenta las
consideraciones de simetría y la ley de
Ampere, por tanto a
  I d

C
B  dl   o I  B 2r   o I

donde se ha tenido en cuenta que el campo Figura 2

magnético es paralelo al vector
desplazamiento sobre la curva C y que su r
módulo permanece constante. Por tanto, el
C
campo viene dado por I
  I
B   o kˆ
2r

La fuerza que sufre el segmento de hilo 1 debido a éste campo magnético será

dF1  I 2  d l  B  F1  I 2   d l   B  I 2 l1  B
       
b
 l1 
 I I a
  l1  aˆj F1  o 1 2 ˆi
(4)  
(1) (2) 2d
a
I d (3)

Análogamente, para el segmento 2

  II a
F2   o 1 2 ˆi
2 d  b 

Para el segmento 3, el campo magnético no permanece constante a lo largo del hilo por
lo que tendremos para un diferencial de hilo

     
dF3  I 2  dl  B    l 3  dxiˆ  dF3  I 2   dxiˆ 
   o I 1 I 2 kˆ     o I 1 I 2 dxˆj
2x  2x
 
y por tanto, para todo el hilo basta con integrar
  d  b  o I1I 2   II
F3    dx  ˆj  o 1 2 ln 1  b d  ˆj
 d 2x  2
Análogamente, para el segmento 4 se tiene
  II
F4   o 1 2 ln1  b d ˆj
2
Finalmente la fuerza neta que sufre la espira es
      I I b
F  F1  F2  F3  F4  o 1 2 iˆ
2 b  d

ii) Si por la espira rectangular no circula ninguna intensidad, calcule el flujo magnético que la
atraviesa. Si el conductor rectilíneo estuviese recorrido por una intensidad variable I =
I0sen(2t) calcule la fuerza electromotriz inducida y la inductancia mutua M. (10 puntos)
Datos: I0=20 A, 0=410-7 H/m
El flujo magnético que atraviesa la espira será:
 I  Ia d  b dx  o Ia
d  B  dS   B // dS d  o adx    o 
   
 ln 1  b d 
2x 2 d x 2
Teniendo en cuenta la dependencia funcional de la intensidad con el tiempo, el flujo
 0 I 0 sen 2t  a  b 
será, finalmente ( t )  ln1  
2  d  vt 
La fuerza electromotriz la calculamos aplicando directamente el principio de inducción
d  b 
de Faraday. ( t )     0 I 0 cos 2t  a ln1  .
dt  d  vt 

Problema 3

10  0.1 F
+
vi(t) A
100  0.01 F

Figura 3

En la figura 3 se muestra un circuito divisor de tensión.

A) Calcular la relación entre el voltaje de salida VAB y el que suministra la fuente v(t) = V0 cos t.
(10 puntos)

Para calcular la relación que nos piden agrupamos la resistencia de 10  (R1) con el condensador
de 0.1 F (C1) y la resistencia de 100  (R2) con el condensador de 0.01 F (C2). De forma que

1 1 10
  jC1  Z1  
Z1 Z1 R 1 1  j10 6 
V0 I A 1 1 100
  j C 2  Z 2  
Z2 R 2 1  j10 6 
Z2
Para calcular la tensión entre A y B hemos de conocer el fasor
B de la intensidad que circula por Z2 que será:

V0 V
I  0 1  j10  6  A
Z1  Z 2 110
con lo que finalmente

V0
VAB  Z 2 I 
100
1  j10 6   100 V0  VAB  100
1  j10  110
6
110 V0 110

B) Calcular el circuito equivalente de Thevenin desde los terminales A y B. (10 puntos).

La tensión de Thevenin es precisamente VAB que en función del tiempo estará dada por:
100
v AB  t   V0 cos(t )
110
Para calcular la impedancia Thevenin cortocircuitamos la fuente de tensión y determinamos la
impedancia entre los terminales A y B. Según esto

Z1 Z 2 A
Z T  Z1 || Z 2 
Z1  Z 2 Z2
Z1
con lo que finalmente
B
1000  1  j10 6 
ZT   
110  1   2 10 12 