TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

INSTITUTO TECNOLOGICO METROPOLITANO

MATEO AGUDELO TRUJILLO: 18123018

SALOMÉ RIOS FRANCO:
SANTIAGO BOLIVAR CORREA:

ELECTRONICA ANALOGA
EAO54-1

MEDELLÍN, ANTIOQUIA
 CONTENIDO
 Características
 Construcción
 Símbolo
 Polarización
 Aplicaciones
 Auto polarizado
 Polarización fija amplificador
 CARACTERÍSTICAS
Los Transistores de efecto de campo son artefactos en los cuales la corriente se controla
mediante tensión. Estos están formados por una barrita de material P ó N, la cual se llama canal,
rodeada en a parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal
una unión P-N.

Entre sus características generales se encuentran:

 Por el termina de control no se absorbe corriente

 Una Señal muy débil puede controlar el componente
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

En la década de los 60 se empezaron a construir estos transistores.

Existen dos tipos de Transistores de efecto de Campo, Los JFET( Transistor de efecto de campo
de unión) y los MOSFET, estos ocupan menos espacio por lo tanto se aplican más en circuitos
integrados.

CONSTRUCCIÓN:

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N. A ambos
lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer
terminal se denomina puerta (G, Gate)
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio, puro o
poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee
características dieléctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada. Por
último, sobre esta capa, se coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee
características conductoras. En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la
capsula

SÍMBOLO

Esta es la simbología de los transistores de efecto de campo tanto en el canal N como en el canal
P

POLARIZACIÓN

La Figura muestra un esquema que ayudará a comprender el funcionamiento de un FET. En

este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.

La puerta está polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unión P-N entre
ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.

Si el material de la puerta está más dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estará
formada por el canal. Si al tensión de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan
poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.
 Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circulará una corriente entre
sumidero y fuente, que hará que la polarización inversa de la unión no sea uniforme en toda su
longitud y, en consecuencia, en la parte más próxima al sumidero, que es la más polarizada, la
capa desierta penetrará más hacia el interior del canal.

Para valores pequeños de Vds, la corriente de sumidero es una función casi lineal de la
tensión, ya que la penetración de la capa desierta hacia el interior del canal no varía
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensión aumenta
también la polarización inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de éste
disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un
momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un
incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el
transistor está trabajando en la zona de estricción (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia
en la figura anterior, llamándose tensión de estricción Vp a la del punto de transición entre el
comportamiento casi lineal y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarización negativa estacionaria, la capa desierta penetra

más en el interior que con la polarización nula; por tanto, para pasar a la zona de estricción se
necesita menos tensión de sumidero. El aumentar la polarización negativa permite tener la
transición a la zona de estricción a corrientes de sumidero aún inferiores.

El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal

por parte de la tensión de puerta y, como la unión puerta-canal se encuentra siempre polarizada
inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
POLARIZACIÓN FIJA
AUTO POLARIZADO
 REFERENCIAS

(2020). Retrieved 23 April 2020, from

http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONICA/PolFET01H.pdf

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO. (2020). Retrieved 12 April 2020, from

http://www.ifent.org/Lecciones/fet/default.htm

El Transistor MOSFET – Electrónica Práctica Aplicada. (2020). Retrieved 7 March 2020, from
https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet

LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. (2020). Retrieved 25 March 2020, from

https://profesormolina2.webcindario.com/tutoriales/trans_campo.htm

El transistor de Efecto de Campo. (2020). Retrieved 13 April 2020, from

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-de-Efecto-de-Campo.html