Lab2 - Diseño Circuitos Amplif - 2020

UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN
FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

DEPARTAMENTO ACADÉMCO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 2
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EXPERIENCIA Nº 02
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
I.- OBJETIVOS
- Analizar las curvas características de un FET.

- Determinar las impedancias de entrada y de salida de un FET.
- Analizar los efectos de la temperatura en un FET.
II.- FUNDAMENTO TEÓRICO
Al igual que un transistor bipolar, un transistor de efecto de campo (FET) es también una
fuente de corriente controlada por tensión. Es decir, una tensión de entrada controla una
comente de salida, independientemente de la tensión de salida. Sin embargo, la forma en la
que un FET adquiere sus propiedades de control por tensión es muy diferente de la de los
transistores bipolares.
Hay varios tipos diferentes de FET. Los JFET (Junction Field Effect Transistor, transistor de
efecto de campo de unión) de la Figura 12.1 fueron los primeros que se desarrollaron. Este
tipo de transistor consigue sus características de control por tensión de la siguiente manera: a
medida que crece la tensión positiva fuente/drenador, el drenador absorbe electrones,
creándose una corriente de drenador en la zona N. Sin embargo, debido a la polarización
inversa de la unión PN existente entre la puerta y el drenador, también se crea una zona de
vaciamiento cargada positivamente que estrangula la corriente de drenador.
En funcionamiento normal, cuando la tensión de drenador está por encima de un
determinado umbral (umbral de estrangulamiento) estos procesos de absorción y
estrangulamiento se cancelan mutuamente y el drenador se convierte en una fuente de co-
mente (corriente independiente de la tensión). Sin embargo, la tensión de entrada
puerta/fuente no está sujeta a ese proceso de cancelación (sólo se estrangula) y así puede
controlar la corriente.
En resumen, la tensión de entrada puerta/fuente (maestra) controla la corriente de salida en
el drenador (esclavo), independientemente de la tensión drenador/fuente, haciendo que el
FET se comporte como una fuente de comente controlado, por tensión.
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Laboratorio de Circuitor Electrónicos 2 (P2008) Marzo 2019 1 de 12
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Figura 2.1. Funcionamiento interno de un JFET.
Comparación entre los transistores bipolares y JFET
Si tanto el transistor bipolar como el FET son simplemente fuentes de corriente controladas
por tensión, entonces ¿en qué se diferencian? Las diferencias más importantes son la
impedancia de entrada extremadamente grande de un JFET y la gran diferencia que existe en
cuanto a sus características de entrada/salida (transconductancia). Estas dos diferencias
proporcionan una gran ventaja a los JFET en determinadas aplicaciones.
Circuito de prueba
El circuito de prueba de la Figura 2.2 muestra un JFET de canal N. También hay una versión
de JFET con canal P, pero puede que no esté disponible en las bibliotecas de la versión de
evaluación de PSpice. El JFET de canal P funciona de la misma manera que el de canal N,
salvo que todas las tensiones y corrientes están invertidas.
Observe la ausencia total de resistencia en el circuito maestro (puerta/fuente). Dado que un
JFET es un dispositivo controlado simplemente por tensión, no circula prácticamente
ninguna corriente por el circuito maestro.
Transconductancia
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Cuando funciona como fuente de corriente controlada por tensión, la salida del FET es la
corriente de drenador (ID), y la entrada es la tensión puerta/fuente (VGS).
Esta relación (∆ID/∆VGS) se denomina transconductancia (gM) y se mide en (μS). Un valor

típico para la transconductancia es 4000μS (o 1/250Ω).
Figura 2.2. Circuito de pruebas para un JFET de canal N.
Como hicimos con anterioridad, la mejor manera de evaluar las características de control de
un JFET consiste en generar las curvas de drenador y de puerta/fuente. Vamos a hacer esto
con el circuito de prueba de la Figura 2.2.
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III.- PRCEDIMIENTO
PRACTICA DE SIMULACIÓN
Actividad JFET
La actividad JFET nos va a permitir generar las curvas de drenador y de transconductancia
para el JFET J2N3819 de la Figura 2.2.
1.- Cree el proyecto FET (con el esquemático JFET) y dibuje el circuito mostrado en la
Figura 2.2. Vamos a realizar un barrido sobre las tensiones VS y VDD, por lo que no es
necesario asignar los valores de los puntos de polarización por el momento.
2.- Defina el perfil de simulación en el modo DC Sweep, especificando un barrido primario

de VDD de O a 10V (con incrementos de 0.1V) y un barrido secundario de VS de O a —3V
(con incrementos de 1V).
Curvas de drenador
3. Ejecute PSpice y genere las curvas de drenador mostradas en la Figura 2.3.
4. Tomando medidas, responda a las siguientes preguntas:
a) ¿Cuál es la máxima corriente posible (conocida como loes)?
IDSS = _____________
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Figura 2.3. Curvas de drenador de un JFET.
b) ¿Qué tensión de entrada (VGS) produce IDDS?
VGS para IDDS = ________________
c) ¿Qué tensión puerta/fuente hace que ID = 0 (estrangulamiento1? Este valor se

denomina VGSOFF.
VGSOFF = ____________
d) Determine un valor típico de la impedancia de salida (del drenador) en alterna, en la

zona de fuente de corriente. (Sugerencia: mida el inverso de la pendiente o utilice el
operador "d").
ZOUT = ________
Curva puerta/fuente (maestra)
5. Tomando valores en la Figura 2.3 (en la zona de fuente de corriente), dibuje a mano
alzada una curva de transconductancia en la Figura 2.4.
6. Utilice PSpice para generar directamente la curva de transconductancia de la Figura 2.5, y

compárela con la de la Figura 2.4 obtenida por un método indirecto. (Sugerencia: fije VDD a
+10V y haga un barrido de continua de Vs).
7. La curva maestra de la Figura 2.5 es una parábola que obedece a la siguiente ecuación:
ID = IDSS (1 – VGS/VGSOFF)2
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Como ejemplo de utilización de esta ecuación, ¿para qué valor de VGS se cumple que
ID = 1/2 IDSS (una buena posición del punto Q)?. ¿Concuerda este valor con la Figura 2.5?
(Obtenga IDSS y VGSOFF a partir de los resultados del Paso 4).
VGS (para 1/2 IDS) = ___________
Figura 2.4, Curva de transconductancia.
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Figura 2.5. Curva de transconductancia de un JFET.
8. La transconductancia es la pendiente de la curva (∆ID/∆VGS). Utilizando el operador

diferencial "d", añada una curva de transconductancia a la gráfica de la Figura 2.5 (el
resultado se muestra en la Figura 2.6).
9. Según la Figura 2.6, ¿cuál es la transconductancia en el punto Q de corriente mitad (donde

ID = 1/2 IDSS)?
Transconductancia para el punto de corriente mitad = __________ μS
10. Añada un tercer eje Y a la gráfica de la Figura 2.6, y obtenga la gráfica de la impedancia
de entrada (V(J1:g)/(IG(J1)). Anote debajo el valor de ZIN para el punto Q de corriente
mitad. (Nota: "T" = tera = 10+12).
ZIN (punto Q) = __________
_________________________________________________________________________________
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Figura 2.6. Adición de una gráfica de la pendiente.
a) Según los resultados que ha obtenido, ¿diría que un JFET tiene, inherentemente, una alta
impedancia de entrada?
Sí No
b) ¿Disminuye ZIN (aunque continúa siendo alta) a medida que VG cae (de -3V a unos 0V)?
Sí No
c) Borre la curva de transconductancia y sustitúyala por una gráfica de la corriente de fuente

(IG(Jl)). ¿Está la corriente, generalmente, en el rango de los picoamperios? Considerando un
valor típico de ZIN, ¿es esto razonable?
Sí No
Efectos de la temperatura sobre la curva maestra
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11. Para determinar cómo afecta la temperatura a la curva maestra (de transconductancia) de
la Figura 2.5, genere la gráfica de la Figura 2.7 (mantenga el barrido primario de VS, y haga
un barrido secundario de la temperatura en el modo DC Sweep desde -50°C hasta +50°C,
con incrementos de 25°C).
12. De acuerdo con el resultado del Paso 11, responda a la siguiente pregunta:Cuando la
temperatura aumenta de 0°C (32°F) a +25°C (103°F), ¿en qué porcentaje varía IDSS?
% de variación en IDSS = ___________
Figura 2.7. Efecto de la temperatura en un JFET.
Actividades avanzadas
13. Si nos fijamos en la Figura 2.3, vemos que la región óhmica del JFET (a la izquierda de
la zona de fuente de corriente) actúa como una resistencia controlada por tensión para
valores de tensión pequeños. Utilizando el circuito de prueba de la Figura 2.8, genere las
curvas de la Figura 2.9.
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Figura 2.8. Circuito de pruebas con tensión variable.
Figura 2.9. Curvas de resistencia variable.

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14. De acuerdo con los resultados de la Figura 2.9, complete la siguiente tabla, mostrando
como varía la resistencia del JFET al variar Vcontrol.
Vcontrol Resistencia (Ω)

-2,4V
-2,8V
-2,9V
-2,94V
-2,96V
IV.- CUESTIONARIO FINAL
EJERCICIOS
1. Utilice sendas curvas maestra (puerta/fuente) y esclava (drenador) para dibujar las
características del JFET J2N4393 (de la biblioteca EVAL). ¿En qué se diferencia el J2N4393
del J2N3819?
2. Gire de abajo hacia arriba el JFET J2N3819 de la Figura 2.2 y obtenga de nuevo las
curvas características. Comente los resultados que obtenga.
CUESTIONARIO Y PROBLEMAS
1. ¿Por qué es tan grande la impedancia de entrada de un JFET?
2. ¿Por qué un JFET (cuando está polarizado como en la Figura 12.1) se comporta como una
fuente de corriente controlada por tensión (en lugar de controlada por corriente)?
3. ¿Cuál de los siguientes dispositivos tiene normalmente una mayor transconductancia

(variación de la corriente de salida dividida entre la variación de la tensión de entrada)?
a) Transistor bipolar b) JFET
4. Escriba "transistor bipolar" o "JFET" en cada frase.

_________________________________________________________________________________
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El _________ está normalmente al corte y necesita una tensión para conducir.
El _________ está normalmente en conducción y necesita una tensión para pasar al corte.
5. La transconductancia de un JFET es mayor
a) Para valores bajos de la corriente de drenador.
b) Para valores altos de la corriente de drenador.
6. Una transconductancia de 4000 μS, ¿a qué valor equivale en 1/Ω?
V.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
Dé Usted cinco observaciones y cinco conclusiones de carácter personal de la experiencia.
VI.- BIBLIOGRAFIA
[1] Guía para Mediciones Electrónicas, Stanley Wolf – Richard Smith, Ed. Prentice Hall,
México 1992.
[2] Amplificadores Operacionales y circuitos integrados lineales, Robert Coughlin, Ed.

Prentice Hall, México 2000.
[3] Electronic Circuits Fundamentals and Applications, Michael Tooley B.A, Ed. Elseiver,
U.K 2006.
[4] Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados, Schilling – Belove, Ed. Mc Graw Hill,
México 1993.
Ing. G. Carpio R.
Docente DAIEL
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EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

- Analizar las curvas características de un FET.

II.- FUNDAMENTO TEÓRICO

Figura 2.1. Funcionamiento interno de un JFET.

Comparación entre los transistores bipolares y JFET

Esta relación (∆ID/∆VGS) se denomina transconductancia (gM) y se mide en (μS). Un valor

Figura 2.2. Circuito de pruebas para un JFET de canal N.

2.- Defina el perfil de simulación en el modo DC Sweep, especificando un barrido primario

Figura 2.3. Curvas de drenador de un JFET.

b) ¿Qué tensión de entrada (VGS) produce IDDS?

VGS para IDDS = ________________

c) ¿Qué tensión puerta/fuente hace que ID = 0 (estrangulamiento1? Este valor se

d) Determine un valor típico de la impedancia de salida (del drenador) en alterna, en la

Curva puerta/fuente (maestra)

6. Utilice PSpice para generar directamente la curva de transconductancia de la Figura 2.5, y

VGS (para 1/2 IDS) = ___________

Figura 2.4, Curva de transconductancia.

Figura 2.5. Curva de transconductancia de un JFET.

8. La transconductancia es la pendiente de la curva (∆ID/∆VGS). Utilizando el operador

9. Según la Figura 2.6, ¿cuál es la transconductancia en el punto Q de corriente mitad (donde

Transconductancia para el punto de corriente mitad = __________ μS

ZIN (punto Q) = __________

Figura 2.6. Adición de una gráfica de la pendiente.

c) Borre la curva de transconductancia y sustitúyala por una gráfica de la corriente de fuente

Efectos de la temperatura sobre la curva maestra

% de variación en IDSS = ___________

Figura 2.7. Efecto de la temperatura en un JFET.

Figura 2.8. Circuito de pruebas con tensión variable.

Figura 2.9. Curvas de resistencia variable.

Vcontrol Resistencia (Ω)

IV.- CUESTIONARIO FINAL

1. ¿Por qué es tan grande la impedancia de entrada de un JFET?

3. ¿Cuál de los siguientes dispositivos tiene normalmente una mayor transconductancia

a) Transistor bipolar b) JFET

4. Escriba "transistor bipolar" o "JFET" en cada frase.

El _________ está normalmente al corte y necesita una tensión para conducir.

5. La transconductancia de un JFET es mayor

a) Para valores bajos de la corriente de drenador.

b) Para valores altos de la corriente de drenador.

6. Una transconductancia de 4000 μS, ¿a qué valor equivale en 1/Ω?

V.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

Dé Usted cinco observaciones y cinco conclusiones de carácter personal de la experiencia.

[2] Amplificadores Operacionales y circuitos integrados lineales, Robert Coughlin, Ed.

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