Fase 3 - Presentar solución al problema del mezclador de señal con amplificador

operacional

Presentado Por:

John Alexander García Olarte

Notas de Autor

John Alexander García Olarte, Ciencias Básicas Tecnología e Ingeniería, Universidad

Nacional Abierta y a Distancia

La correspondencia relacionada con esta actividad debe ser dirigida a John García Olarte

Universidad Nacional Abierta y a Distancia, Carrera 27 # 40-43, Bucaramanga

Contacto: Jg032608@gmail.com
Encabezado: FASE 3 2

Introducción

En este trabajo se realizara el desarrollo del problema de un amplificador de señal

JFET, el cual permitirá que el estudiante realice de una forma dinámica y practica los
cálculos y diseño para que funcione el amplificador así mismo poder observar a través
del programa proteus con él osciloscopio la señal originaria y el aumento de señal , para
el funcionamiento de este circuito se utilizara elementos tales como una fuente de 20V,
3 resistencias de distinto valor, 3 capacitores de 10uF y 0.1uF, un JFET J201, se
aplicara los conocimientos obtenidos a través de las referencias bibliográficas halladas
en el entorno de conocimiento para esta fase 2, igualmente la simulación del circuito en
la herramienta proporcionada llamada proteus la cual mostrara de una forma detallada
el funcionamiento del circuito.
Encabezado: FASE 3 3

Tabla De Contenido

1.Introduccion……………………………………………………………………2
2.Fundamento teórico del amplificador de señal baja JFET…………………….4
3. argumentación del amplificador de señal baja JET…………………………...5
4.solucion al amplificador de amplificador de baja señal JFET ………………...8
5.Conclusiones………………………………………………………………….11
6. Bibliografía…………………………………………………………………..12
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Actividades para desarrollar

Individuales:

1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Mezclador Fuente: Autor.

1.1 Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 3, Cada
estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito
anterior.
Solución Fundamentación Teórica:
Encabezado: FASE 3 5

El anterior circuito esta diseñado para amplificar señales débiles como su nombre lo indica
dispositivo JFET de fuente común utiliza transistores de efecto de campo de unión como su
dispositivo activo principal que ofrece características de alta impedancia de entrada.
En este circuito de izquierda a derecha se encuentra alimentado por una fuente de 20 voltios
y un transistor JFET que controla la tensión y los cambios de tensión este transistor se
puede polarizar de distintas maneras pero para este ejercicio la corriente ingresa por la
resistencia RG que actúa como puerta y permite que fluya la corriente y simula ser la tierra
para que no se pierda la señal, esta resistencia normalmente tiene un gran valor, igualmente
ayuda a la resistencia fuente o RS a conservar el valor VGS y permite que fluya corriente
entre la RD y RS.
Este circuito cuenta con una resistencia de drenaje RD la cual hace que la corriente que
proviene de la resistencia RS y RG tenga más dificultades para atravesar el canal que se
crea entre las zonas de acumulación.
Los capacitores (C1, C2, C3), el capacitor C2 la función resistiva del emisor, el resto de los
condensadores corresponde a la impedancia del circuito
En conclusión, el JFET tiene como fin regular su funcionamiento y amplificarla señal.

Argumentación.

(Segunda Semana).

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes

cálculos.
Estudiante # 1
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD: 327uA = 0.000327 A
Encabezado: FASE 3 6

RD = (VCC – VD) / ID
RD = (20V- 4.6V) / 0.000327A

RD= 47094.801Ω

Estudiante # 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS
Según la formula y las especificaciones dadas:
RS = VGS (off) / IDSS
Señal de entrada: 300mV a 1Khz.
Referencia del JFET: J201
ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este diseño se
trabajara IDSS=3mA.

La solución a la resistencia del drenaje RS es: 3mA = 0.003A

VGS (OFF )
RS=
IDSS

1.5 V
RS= =500 Ω
0.003

RS = 500 ohms

-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG debe ser alto?

Respuesta:

En el caso de este circuito la polarización de JFET es autopolarizacion se implementa una

resistencia RS la que polarice la compuerta VGS que existirá en el transistor la cual
Encabezado: FASE 3 7

decidirá cuanta es la corriente de drenaje que es igual a la corriente de la fuente, el valor

RG es un valor que se encuentra entre los mas altos en los mega ohmios que se utiliza para
no perder la impedancia.

La RG debe ser alta para que simule la tierra del circuito y la señal no se pierda.
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople. C1 = 10uf, C2= 10uf,
C3 = 0.1 uf.

1
C 1=
2 π∗f∗10 Uf

1
C1 =
2 π∗1000 Hz∗10 uf

C1 = 15.91Ω

1
C 2=
2 π∗f∗10 Uf

1
C 2=
2 π∗1000 Hz∗10Uf

C2 = 15.91Ω

1
C 3=
2 π∗f ∗0.1

C3 = 1591.55Ω

-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV. AV = -Gm∙ RD , Gm = ID / VGS, VG= 0
(OFF)
ID
AV = RD
VG−VS
ID
AV = RD
0−VS
ID
AV = RD
ID∗RS
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RD
AV =
RS
47094.8
AV =
500
AV= 94.18

2. Solución.
(Tercera semana)

2.1 Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la que
se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.

Solución:
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- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

-Valor de VGS
Encabezado: FASE 3 10

- Valor de VDS.

- Valor de VGD.
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-Valor de la corriente ID

Conclusiones
En esta segunda fase de practica se puede concluir que se identificara los principios
de funcionamiento de dispositivos semiconductores como lo es JFET para sistemas
electrónicos análogos.

En este trabajo el estudiante comprenderá y entenderá el funcionamiento paso a

paso de un amplificador de baja señal JFET.

Finalmente, el estudiante aplicara los principios matemáticos y de cálculo para

considerar las condiciones en las cuales el circuito de amplificador de baja señal
JFET tiene su aplicación y funcionamiento en el mundo real así mismo la
identificación de sus distintos componentes.
Encabezado: FASE 3 12

Bibliografía

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