Fis200 Inductancia 1

UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRÉS
FACULTAD DE INGENIERÍA INDUCTANCIA -1

LABORATORIO DE FÍSICA 200
GRUPO H
1. Objetivos
 Construir un inductor en forma de solenoide largo
 Verificar la relación entre la inductancia y el numero de vueltas del solenoide
 Probar la variación de la inductancia con un núcleo de material magnético
 Comprobar la expresión de la inductancia equivalente para conexiones de
inductores en serie y en paralelo
 Probar la variación de la inductancia si los inductores se aproximan
2. Conceptos básicos
 Inductancia.- la inductancia (L), es la medida de la oposición a un cambio de
corriente de un inductor o bobina que almacena energía en presencia de
un campo magnético, y se define como la relación entre el flujo magnético (Ф) y
la intensidad de corriente eléctrica (i I ) que circula por la bobina y el número de
vueltas (N) del devanado
 Devanado.- Hilo conductor que, enrollado y cubierto con un revestimiento
aislador, se emplea en algunos aparatos eléctricos
3. Fundamento matemático
 de la ley de Faraday existe una fem inducida sobre la bovina de N vueltas
−d ( N ∅ B )
ε= … … ….. ( 1 )
dt
El flujo concatenado N ∅ B , es proporcional a la corriente
N ∅ B =Li … … … . ( 2 )
N ∅B
L= … … … (3 )
i
L :es lainductancia de labobina
De 1 y 2 se tiene
−d ( Li ) d (i)
ε= =−L
dt dt
Para el inductor sabemos que
∅ B =BA
π
∅ B =B D 2
4
En 2
π 2
NB D =Li … … … .. ( 4 )
4
El campo magnético de un solenoide
B=μ0 ∋ ¿ donde D 2 ⋘ l 2 ¿
√ D2 +l2
N
B=μ0 ∋ ¿ 2 =μ0 ∋ ¿ donde =n ¿ ¿
√l l l
B=μ0 ∋¿
Remplazando en 4
GRUPO H
π 2
N μ0 ∋ D =Li
4
π
Lteo=μ0 n D 2 N D= promedio de D ext y D∫ ¿¿
4
π
Lteo=μ0 n ¿¿
4
Lexp medido del tester
La diferencia porcentual
|Lteo−Lexp|
dp %= ∗100
Lteo
Para la regresión lineal
π 2
(
L= μ0 n
4
D N )
ybx
L=k exp N
b=k exp
π
k teo ¿ μ0 n ¿¿
4
Diferencia porcentual
|k teo−k exp|
dp %= ∗100
k teo
 Conexión serie
Circuito original
GRUPO H
V =V 1+V 2
di di
V =L1 + L2
dt dt
di
V = ( L1 + L 2 ) … ( a )
dt
Circuito equivalente
di
V =L eq … .( b)
dt
Comparando a y b
Leq =L1+ L2
 Conexión en paralelo
Circuito original
i=i 1+ i2
di d i 1 di 2
= +
dt dt dt
di V V
= +
dt L1 L2
di 1 1
dt
= ( +
L1 L2 )
V … …(c)
Del circuito equivalente

di V
= … … (d )
dt Leq
Comparando c y d
1 1 1
= +
Leq L1 L2
L1 L2
Leq =
L1 + L2
4. Materiales
 Alambre esmaltado
 Tubo PVC
 Tester
 Lija
 Micrómetro
 Vernier
 Vara de hierro
GRUPO H
5. Esquema
GRUPO H
6. Datos (ver hoja adjunta)
7. Cálculos
 Mediante ajuste lineal L vs N
π 2
(
L= μ0 n
4
D N )
ybx
L=k exp N
r =0.9999985208
b=k exp =0.4028[ μH ]
π
k teo ¿ μ0 n ¿¿
4
450
( 4 π∗10−7 )∗ (20∗10−2 )
∗π
1.4∗10−2 +1.3∗10−2
2
k teo=
4
∗ ( 2 )
k teo=0.4047 [ μH ]
Diferencia porcentual
|k teo−k exp|
dp %= ∗100
k teo
|0.4047∗10−6−0.4028∗10−6|
dp %= ∗100
0.4047∗10−6
dp %=0.47 %
 para cada par de datos calcular
 para N=250
π
Lteo=μ0 n ¿¿
4
2
( 4 π∗10−7 )∗( 2250 )∗π 1.4∗10−2 +1.3∗10−2
Lteo=
4
∗ ( 2
∗250 )
Lteo=101.17 [ μH ]
Lexp=100.5 [ μH ]
GRUPO H
|Lteo−Lexp| |101.17∗10−6 −100.5∗10−6|

dp %= ∗100= ∗100
Lteo 101.17∗10−6
dp %=0.67 %
 para N=300
π
Lteo=μ0 n ¿¿
4
2
( 4 π∗10−7 )∗( 2250 )∗π 1.4∗10−2 +1.3∗10−2
Lteo=
4
∗( 2 )
∗300
Lteo=121.41 [ μH ]
Lexp=120.7 [ μH ]
|Lteo−Lexp| |121.41∗10−6−120.7∗10−6|
dp %= ∗100= ∗100
Lteo 121.41∗10−6
dp %=0.59 %
 para N=350
π
Lteo=μ0 n ¿¿
4
2
( 4 π∗10−7 )∗( 2250 )∗π 1.4∗10−2 +1.3∗10−2
Lteo=
4
∗( 2 )
∗350
Lteo=141.65 [ μH ]
Lexp=140.9 [ μH ]
|Lteo−Lexp| |141.65∗10−6−140.9∗10−6|
dp %= ∗100= ∗100
Lteo 141.65∗10−6
dp %=0.53 %
 para N=400
π
Lteo=μ0 n ¿¿
4
GRUPO H
2
( 4 π∗10−7 )∗( 2250 )∗π 1.4∗10−2 +1.3∗10−2
Lteo=
4
∗( 2
∗400)
Lteo=161.87 [ μH ]
Lexp=160.9 [ μH ]
|Lteo−Lexp| |161.87∗10−6 −160.9∗10−6|

dp %= ∗100= ∗100
Lteo 161.87∗10−6
dp %=0.61%
 para N=450
π
Lteo=μ0 n ¿¿
4
2
( 4 π∗10−7 )∗( 2250 )∗π 1.4∗10−2 +1.3∗10−2
Lteo=
4
∗( 2
∗450)
Lteo=182.12 [ μH ]
Lexp=181.1 [ μH ]
|Lteo−Lexp| |182.12∗10−6−181.1∗10−6|
dp %= ∗100= ∗100
Lteo 121.41∗10−6
dp %=0.56 %
 Tabla comparativa
Lteo [μH ] Lexp [ μH ] dp %

101.17 100.5 0.67
121.41 120.7 0.59
141.65 140.9 0.53
161.87 160.9 0.61
181.12 181.1 0.56
 Conexión de inductancia
 Serie
Leq−teo =L1+ L2
Leq−teo =181.1∗10−6+ 180.4∗10 ¿6
Leq−teo =361.5[μH ]
GRUPO H
Leq−exp =358.1[μH ]
|Leq−teo−Leq−exp| |361.5∗10−6−358.1∗10−6|
dp %= ∗100= ∗100
Lt eq−eo 361.5∗10−6
dp %=0.94 %
 Paralelo
L1∗L2
Leq =
L1 + L2
181.1∗10−6∗180.4 ¿ 10−6
Leq−teo =
181.1 ¿ 10−6 +180.4∗10−6
Leq−teo =90.37[ μH ]
Leq−teo =88.7[ μH ]
|Leq−teo−Leq−exp| |90.37∗10−6 −88.7∗10−6|

dp %= ∗100= ∗100
Lteq−eo 90.37∗10−6
dp %=1.85 [μH ]

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Del circuito equivalente

|Lteo−Lexp| |101.17∗10−6 −100.5∗10−6|

|Lteo−Lexp| |161.87∗10−6 −160.9∗10−6|

Lteo [μH ] Lexp [ μH ] dp %

|Leq−teo−Leq−exp| |90.37∗10−6 −88.7∗10−6|

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