VICERRECTORADO DOCENTE Código: GUIA-PRL-001

CONSEJO ACADÉMICO Aprobación: 2016/04/06

Formato: Guía de Práctica de Laboratorio / Talleres / Centros de Simulación

FORMATO DE INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO / TALLERES /

CENTROS DE SIMULACIÓN – PARA ESTUDIANTES

CARRERA: Ingeniería Eléctrica. ASIGNATURA: Laboratorio De Electrónica Analógica I.

NRO. PRÁCTICA: 11 TÍTULO PRÁCTICA: Polarización en DC, zona lineal para transistores BJT.

OBJETIVO ALCANZADO:
Estudiar el comportamiento del transistor en cada polarización con el cálculo de resistencias.
Analizar los valores medidos, simulados y calculados.
Realizar una comparación entre los voltajes medidos, calculados y simulados.

ACTIVIDADES DESARROLLADAS
1.- Diseñar y calcular los componentes, para un funcionamiento en zona Lineal.

2.- Realizar el circuito, medir y anotar todas las caídas de tensión y calcular las corrientes Ib, Ic, verificar que
estén dentro de los valores calculados
3.- Circuito simulado con valores de corriente y voltajes en dc.

4.- Cuadro para el análisis de resultados de los valores calculados, medidos y simulados.

5.- Graficar la Recta de Carga y ubicar el punto de operación.

Marco Teórico
Transistor BJT:
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En
ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector. Hay dos tipos, npn y pnp. El
transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad
de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en
un factor que se llama amplificación. [2]

Fig. 1: transistores NPN y PNP.

Funcionamiento del transistor BJT:

El factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces podemos obtener
las siguientes fórmulas lógicas:

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 Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por Ib (corriente que pasa
por la patilla base).
 Ic = ß x Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se redondea al mismo valor que Ic,
sólo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso de sale él, o viceversa.
Las corrientes parecen no depender del voltaje que alimenta el circuito, sin embargo, la corriente Ib
cambia ligeramente cuando se cambia el Vcc. [2]

Fig. 2: forma de onda característica del transistor.

Fig. 3: forma de onda de acuerdo a cada región de trabajo del transistor.

POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES

Polarización con divisor de tensión:

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     - Recta de carga

    - Punto de trabajo

    

    - Estabilidad de Q

    
    - Criterio de diseño: RE = 10RB/b
[3]

Circuito con realimentación de colector:

Este circuito es el más utilizado de los tres, el punto de reposo apenas depende de β
(ganancia del transistor), por eso es más estable si debemos cambiarlo.
Para que el punto de reposo no varíe debe hacerse R1 unas 10 veces mayor a R2 y se
coloca una resistencia de emisor (RE). [4]

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Polarización fija:
Es la polarización o circuito más inestable de los 3 porque el punto de reposo varía con el β (BETA
-ganancia del transistor) y con la temperatura.
No nos conviene porque si debemos cambiar el transistor por otro igual se movería el punto de reposo
debido a que la ganancia del nuevo no va a ser exactamente igual al del que sacamos. [4]

Desarrollo de la práctica:
1. Se armaron los circuitos designados con las resistencias calculadas y los transistores para los
diferentes tipos de voltaje.
2. Se midió el voltaje en la resistencia, el voltaje colector-emisor y base-emisor.
3. Se determinaron las corrientes Ib e Ic.
Fotografías tomadas durante la práctica:

Fig. 4: circuito armado.

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Fig. 5: mediciones realizadas con el multímetro.

Fig. 6: circuito armado.

Fig. 7: circuito armado.

Fig. 8: circuito armado.

RESULTADOS
Calculados (v)
# Vrb Vrc Vre Vce
6,9
1 3 7,84 6,96
0,3 14,6
2 14,67 3 7

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10,1
3 8,32 3,3 1,83 5
0,092 0,3 4,74 9,92
4 23 3 7 3
5 0,9 5 1,65 7,65
Medidos (v)
# Vrb Vrc Vre Vce
6,9
1 4 6,96 7,84
0,4
2 14,85 4 14,6
1,5
3 8,5 3 5,83 6,91
13,1
4 0,1 0,9 2 0,78
4,9
5 9 1,51 8,21
Simulados (v)
# Vrb Vrc Vre Vce
6,9
1 5 7,83 7,85
14,6
2 14,7 0,3 7
3 8,3 3 1,8 10
0,092 0,3
4 23 3 4,7 9,95
5 1 5 1,67 7,63
Tabla 1: voltajes calculados, medidos y simulados en cada resistencia

SIMULACIONES EN MULTISIM

Fig. 9: simulación en multisim del 1 circuito.

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Fig. 10: simulación en multisim del 2 circuito.

Fig. 11: simulación en multisim del 3 circuito.

Fig. 12: simulación en multisim del 4 circuito.

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Fig. 13: simulación en multisim del 5 circuito.

Fig. 9: simulación en multisim del 1 circuito.

Fig. 10: simulación en multisim del 2 circuito.

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Fig. 11: simulación en multisim del 3 circuito.

Fig. 12: simulación en multisim del 4 circuito.

Fig. 13: simulación en multisim del 5 circuito.

CONCLUSIONES:
Mediante la práctica se pudo comprobar el funcionamiento del transistor con diferentes polarizaciones en el
circuito. Se realizaron los cálculos de las resistencias con los datos dados en cada circuito.
Se realizó la comparativa entre los voltajes calculados, medidos y simulados en cada resistencia y los voltajes
colector-emisor.

RECOMENDACIONES:
Se recomienda realizar las conexiones de manera correcta, manejar con cuidado y responsabilidad sobre todo
para evitar inconvenientes o daños de los equipos de laboratorio. Además de consultar al docente en caso de
algún concepto práctico que no se entendió con claridad para poder finalizar cada práctica de manera exitosa.

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Nombres de los estudiantes: EDISON CABRERA CARDEN

JUAN MIGUEL PAEZ

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