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TRANSISTOR ASIMETRICOS DE CONMUTACION RAPIDA (ASCR)

También son conocidos como Tiristores de conducción inversa (RTC).

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo anti paralelo a través de un


SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y
para mejorar el requisito de desactivación de un circuito de conmutación. El diodo fija el voltaje
de bloqueo inverso del SCR a 1 ó 2v por debajo de las condiciones de régimen permanente. Sin
embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al
voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

Un RCT es un intercambio entre características del dispositivo y requisitos del circuito; puede
considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en
la figura siguiente. Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El voltaje de
bloqueo directo varía de 400 a 2000v y la especificación de corriente llega hasta 500 A. El voltaje
de bloqueo inverso es típicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado está
preestablecida la relación entre la corriente directa a través de un tiristor y la corriente inversa
del diodo, sus aplicaciones se limitarán a diseños de circuitos específicos.

Tiristor de conducción inversa.

Aplicaciones

Los RTC pueden encontrarse de dos tipos:

Tiristores de conducción inversa, puerta canal n controlado por ánodo.

Tiristores de conducción inversa, puerta canal p,controlado por cátodo.

Ejemplo de cálculo de un RCT.

Supongamos que se trata de un transistor BTY79(RTC) a partir de una fuente de tensión continua
de 6 V. La potencia media máxima de puerta que no debemos sobre pasar es PGAV=0.5 W,lo
que cprresponde a los valores minimos tomados en la curva Vo= 2 V e Io= 75mA.
Valor minimo que debe tener la tensión Vs:

𝑉𝑆 (𝑚𝑖𝑛) = 𝑅𝑠(𝑚𝑎𝑥) ∗ 𝐼𝑜 + 𝑉𝑜
𝑉𝑆 (𝑚𝑖𝑛) = (27 + 2.7)(0.075) + 2 = 4.2𝑉
El valor máximo de Vs corresponde a Pagv =0.5 W. Gráficamente vemos que la impedancia
máxima de puerta del transistor es Rg(max)= 32 Ohm, valor sensiblemente igual a la pendiente
media dv/di de la porción de características de impedancia máxima utilizada.

Ahora la potencia máxima disipada en la puerta si Rg(max)<Rs (min) es:


2
𝑉𝑠 (𝑚𝑎𝑥)
𝑃𝐺𝐹𝑆 (𝑚𝑎𝑥) = ( ) ∗ 𝑅𝐺 (𝑚𝑎𝑥)
𝑅𝑠(𝑚𝑖𝑛) + 𝑅𝑔 (𝑚𝑎𝑥)

Igualando la expresión a PGAV(max) del transistor (0.5 W)

𝑃𝐺𝐴𝑉 (𝑚𝑎𝑥)
𝑉𝑆 (𝑚𝑎𝑥) = [𝑅𝑠(𝑚𝑖𝑛) + 𝑅𝐺 (𝑚𝑎𝑥)]√( )
𝑅𝐺 (𝑚𝑎𝑥)
𝑉𝑆 (𝑚𝑎𝑥) = √4 𝑥 24 𝑥 0.5 = 7[𝑉]
La fuente de 6V ofrece todas las garantías de funcionamiento.