Dispositivos Electrónicos

Basan son funcionamiento en materiales semiconductores.

Para estudiarlos se necesitan conceptos de Física de Semiconductores.
¿Por qué?
Porque son dispositivos de estado sólido
¿Qué es un dispositivo de estado sólido?
Es un dispositivo en el cual el transporte de la carga eléctrica
(corriente eléctrica) se produce en un material sólido en lugar de
un gas o el vacío.
De acuerdo a su propiedad de transportar la carga eléctrica los
sólidos se dividen en:

Conductores
Aislantes
Semiconductores
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¿Cómo estudiamos a los dispositivos de estado sólido?
Por medio de modelos
¿Qué es un modelo?
Un modelo es una:

organización de ideas

imagen mental

representación matemática

que permite comprender el comportamiento o naturaleza de

determinados fenómenos físicos que ocurren en un material.

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 Tipos de sólidos: clasificación

Según su organización estructural:

No hay orden en la estructura.

amorfos
La disposición atómica en una porción
es distinta de cualquier otra porción.
policristalinos
Hay pequeñas regiones con estructura
definida pero de tamaño y orientación
irregular.

cristalinos Los átomos se disponen en un orden que

define una estructura periódica tridimensional
llamada red cristalina.
Se conoce como estado sólido o cristalino.

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 Sólidos Semiconductores
Son aislantes a temperatura bajas y conductores (similar a
metal) a temperaturas altas (mayores a T= 300 K).
La conductividad (facilidad para transportar carga eléctrica) se
encuentra entre los metales y los aislantes.
Pertenecen al Grupo IV de la tabla periódica. Si: Silicio, Ge:
Germanio

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 Se forman compuestos semiconductores al combinarse
elementos del Grupo III con elementos del Grupo V.

AlP: Fosfuro de Aluminio

AlAs: Arseniuro de Aluminio
GaP: Fosfuro de Galio
GaAs: Arseniuro de Galio
InP: Fosfuro de Indio

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En un sólido los átomos se unen formando enlaces
Encontramos tres tipos: iónico
metálico
covalente

Enlace iónico

Los átomos en los extremos de la tabla periódica tienden a

ganar o perder electrones de valencia formando iones.

Por ejemplo si se unen

elementos del grupo I
con elementos del
grupo VII

GI G VII
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Elementos del G I pierden su electrón transformándose en un
ion positivo. Los elementos del G VII tienden a ganar un
electrón transformándose en un ion negativo. Los iones de
cargas opuestas experimentan una fuerza de atracción
coulombiana formando un enlace iónico.

Atracción
coulombiana

GI G VII
Ion positivo Ion negativo

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 En el enlace metálico, en lugar de ceder electrones, los
átomos de los componentes los pierden quedando como
portadores de carga libres.

En el enlace covalente, los electrones externos

(electrones de valencia) son compartidos con los átomos
vecinos. Esto sucede con los elementos semiconductores
del grupo IV Silicio y Germanio.

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 Enlace covalente
Cada átomo de Silicio
comparte electrones de
valencia con cuatro átomos
de Silicio vecinos.
Si

Si
Si
Si

Si

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 Modelo de bandas de energía

En átomos aislados, alejados unos de otros y sin interacción, los

electrones externos se distribuyen energéticamente según
valores discretos determinados por las soluciones de
ecuaciones de la Física Cuántica.

En un sólido cristalino, las interacciones entre los átomos de la

red producen una distribución energética más complicada.

Hay niveles de energía que se agrupan en bandas de energía

permitidas (bandas permitidas) separados por intervalos de
energía prohibidos (bandas prohibidas).

Este comportamiento, división en bandas de energía y

formación de bandas permitidas y prohibidas constituye la
teoría de bandas en los sólidos cristalinos.

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Se forman bandas de energía de
niveles permitidos separadas por
bandas de energía prohibidas.
Los átomos comienzan a interactuar. Los
electrones deben cumplir el Principio de
Exclusión y se desdoblan los niveles.

E E
Los átomos no interactúan. Los
Banda
electrones ocupan niveles
permitida discretos de energía.
n=2

Banda
prohibida
n=1

Distancia interatómica

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 Clasificación de los sólidos según el modelo de bandas

Según el modelo de bandas de energía los sólidos se clasifican en:

• aislantes

• metales

• semiconductores

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 Aislantes

El número de electrones es suficiente como para llenar

completamente cierto número de bandas de energía. La última
banda llena (Banda de valencia) está separada de la próxima
banda vacía (Banda de conducción) por una región de energía
prohibida EG ("gap" de energía) tan ancha que, idealmente a
temperaturas normales, no se pueden excitar electrones para que
atraviesen esta región.
E

Banda de conducción
EC

Banda prohibida
EG = 8 eV (ej.: SiO2 )

EV
Banda de Valencia

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 Metales

En un metal, la gran concentración de átomos que existe en

el sólido produce la superposición de las bandas de
conducción y de valencia. Los electrones siempre encuentran
estados sin ocupar al moverse a través de la red provocando
la conducción de la carga eléctrica (corriente eléctrica) en
forma sencilla.
E

EV Solapamiento de
las bandas
EC

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 Semiconductores
Modelo de bandas de energía simplificado

Banda de conducción

Banda prohibida

Banda de valencia

A T= 0 K la banda de conducción está vacía y la banda de

valencia está llena. No hay conducción, el semiconductor se
comporta como aislante.

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 Semiconductores

El ancho de la región prohibida EG es lo suficientemente pequeño

como para que exista una probabilidad de que los electrones, con
estados de energía en la banda de valencia, adquieran energía, por
ejemplo por efecto térmico, y efectúen un salto EG hasta ocupar
estados energéticos vacíos en el fondo de la banda de conducción.

Banda de conducción
T> 0 K
Banda prohibida

Banda de valencia

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 Tipos de portadores en un semiconductor

Si no hay uniones rotas en el cristal semiconductor cada

átomo está enlazado con su vecino. Si el semiconductor es de
un material puro, se denomina intrínseco.

Electrones en
Enlaces los enlaces
covalentes + + + covalentes

Núcleo de Si
(+4)
+ + +

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Sea un cristal semiconductor puro de Silicio.
Si el cristal está perfectamente enlazado y no hay uniones rotas
en el modelo de enlace, es equivalente a un modelo de bandas
de energía con una Banda de Valencia completamente llena y
una Banda de Conducción vacía. No hay portadores libres.

Modelo de enlace Modelo de bandas

(vacía) Banda de
Conducción
Si Si Si
EG

Si Si Si Banda de Valencia

(estados llenos)

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Cuando se rompe un enlace Silicio-Silicio, el electrón asociado al
mismo queda libre, y puede desplazarse dentro de la red cristalina
transformándose en un portador de carga.

Electrón en la Banda
Electrón libre de Conducción Banda de
(vacía) Conducción

Si Si Si
EG Banda
prohibida
Si Si Si
Banda de Valencia

Enlace roto = hueco

Hueco en la Banda de Valencia

La excitación de un electrón de la banda de valencia crea

portadores. La energía mínima para romper un enlace es la
energía de la banda prohibida EG.
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 Al liberarse el electrón se crea un vacío en la estructura de
enlaces, denominado “hueco”.
Se modeliza como un portador de carga positiva que se
mueve en sentido contrario al electrón.
Electrones en la Banda de
Conducción
Si Si Si Banda de
Conducción

Si Si Si EG

Si Si Si Banda de Valencia

Huecos en la Banda de Valencia

En un semiconductor puro aparecen dos portadores de carga:

electrones (libres en la BC) y huecos (libres en la BV).
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 Concepto de hueco como portador de carga
Mecanismo del enlace roto  desplazamiento del enlace roto
en lugar del electrón.
Enlace roto  carga eléctrica móvil positiva denominada
hueco.
En un semiconductor puro la corriente eléctrica se considera
formada por dos tipos de portadores: electrones de la banda de
conducción y huecos de la banda de valencia.

hueco electrón
Se modeliza a los huecos
como entidades físicas, de
carga positiva igual en
magnitud a la carga del
electrón, cuyo movimiento
t constituye un flujo de carga.

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 Semiconductor intrínseco

Un semiconductor en estado puro se denomina intrínseco.

En un semiconductor intrínseco la concentración de

electrones n es igual a la concentración de huecos p.
Por cada electrón en la banda de conducción hay un hueco
en la banda de valencia: par electrón-hueco.

Semiconductor intrínseco: n = p = ni

ni: concentración intrínseca de portadores libres

En equilibrio térmico el producto n.p es una constante para cada
material semiconductor.

n . p = ni2 = constante

(Ley de acción de masas)

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 La concentración intrínseca (ni) es
función del material semiconductor
y de la temperatura.

K1 es un parámetro que depende

del material,
EG es el valor de la energía de la
banda prohibida la temperatura T
y k es la constante de Boltzmann

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 Semiconductor extrínseco

Un semiconductor puro (intrínseco) al que se le agregan átomos

de impurezas adecuadas (dopado del semiconductor) se
denomina semiconductor extrínseco.

Las impurezas crean niveles de energía permitidos dentro de la

banda prohibida.

Hay mayor probabilidad que los portadores (electrones y huecos)

se transformen en portadores de conducción a temperaturas más
bajas que las que son necesarias en la excitación intrínseca.

Tipo N
Semiconductores
extrínsecos
Tipo P

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 Semiconductor tipo N
Un semiconductor extrínseco de tipo N se forma remplazando
algunos átomos de Silicio por otros del grupo V de la Tabla
Periódica.

Los elementos del Grupo V tienen 5 electrones de valencia.

Se denominan impurezas donadoras.
4 electrones de valencia se unen con átomos de Silicio vecinos.
El quinto electrón fácilmente se convierte en un electrón de
conducción, como vemos a continuación.
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 Semiconductor tipo N

Cuatro electrones del

Arsénico se unen con
Si átomos de Silicio para
formar enlaces covalentes
y queda un electrón no
unido en el arsénico

Si
As
Si

Si

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 Semiconductor tipo N
El quinto electrón con
poca excitación puede
Si transformarse en un
electrón de conducción.

Si
As+
Si

El átomo de As se convierte
Si en un ión positivo (As+).

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 Se modifica el diagrama de bandas de energía.

En la banda prohibida aparece un nivel de energía permitido Ed

(nivel donor) cercano a la banda de conducción.

Tipo N

Banda de Conducción

EC

As As As As Ed Nivel de energía permitido

EV

Banda de Valencia

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Los quintos electrones de los átomos donadores pueden pasar con
poca energía a la banda de conducción transformando al átomo
donador en un ion positivo.
Además de los electrones
provenientes de las impurezas
Tipo N donadoras habrá un electrón
proveniente de la generación de
Banda de Conducción pares electrón-hueco. Por lo tanto
habrá más electrones que huecos
EC resultando: n > p
As+ As+ As+ As+ Ed
Nivel de energía permitido

EV En un semiconductor tipo N
los portadores mayoritarios
Banda de Valencia
son electrones.

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 Semiconductor tipo P
Un semiconductor extrínseco de tipo P se forma remplazando
algunos átomos de Silicio por otros del grupo III de la Tabla
Periódica.

Los elementos del Grupo III tienen 3 electrones de valencia.

Se denominan impurezas aceptoras.
3 electrones de valencia se unen con átomos de Silicio vecinos
y queda un enlace sin unir. Cualquier electrón cercano cubre el
enlace faltante generando un hueco.
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 Semiconductor tipo P

El átomo del Grupo III solo tiene

3 electrones para completar el
Si enlace covalente.

Enlace sin cubrir

Si
B
Si

Si

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 Semiconductor tipo P

El enlace sin completar es

equivalente a un hueco (estado
Si
vacío).

Si
B-
B
Si

Si

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 Semiconductor tipo P

El electrón que completa el enlace

Si deja otro lugar de energía vacante,
otro hueco que puede ser cubierto
por otro electrón.

Si
B-
B
Si

Si

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 Se modifica el diagrama de bandas de energía.
En la banda prohibida aparece un nivel de energía permitido
Ea (nivel aceptor) cercano a la banda de conducción.
Tipo P

Banda de Conducción

EC

B B B B Ea Nivel de energía permitido

EV

Banda de Valencia

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 Por efecto de energía térmica pasan electrones desde la banda
de valencia hacia Ea para formar los enlaces covalentes,
dejando huecos en la banda de valencia.
Tipo P
Además de los huecos que provienen
Banda de Conducción de las impurezas aceptoras habrá
huecos que provienen de la
EC generación de pares electrón-hueco y
resultará: p > n.

BB- B-
B B- B- Ea
EV

Banda de Valencia

En un semiconductor tipo P los portadores

mayoritarios son los huecos.
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 Se modifica el diagrama de bandas de energía.
En la banda prohibida aparece un nivel de energía permitido
Ea (nivel aceptor) cercano a la banda de conducción.
Tipo P Por efecto de energía térmica pasan
electrones desde la banda de
Banda de Conducción valencia hacia Ea, dejando huecos en
la banda de valencia.
EC
Además de los huecos que
provienen de la generación de pares
BB- B-
B B- B- Ea electrón-hueco, habrá un hueco por
EV cada átomo de impureza aceptora:
p > n.
Banda de Valencia

En un semiconductor tipo P los portadores

mayoritarios son los huecos.
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 Resumiendo:

Los semiconductores son sólidos cristalinos que se

comportan como aislantes a 0 K y como
conductores a 300 K.

Se modelizan a 0 K por un diagrama de bandas de energía formado

por una banda llena (de valencia) y una banda vacía (de conducción)
separadas por un salto o “gap” de energía prohibida (EG).

Cuando un electrón de la BV adquiere una energía mayor o igual a

EG salta a la BC y deja un estado vacío denominado hueco.

El hueco se considera como un portador de carga positiva y que se

desplaza en sentido contrario al electrón.
Los semiconductores se utilizan puros (intrínsecos) o dopados
(extrínsecos). Si se agregan impurezas del G V se denomina de tipo
N. Si se agregan impurezas del G III es de tipo P.

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Próxima clase:

Mecanismos de transporte de la carga

en un semiconductor

¿Cómo se produce una corriente en un

semiconductor?