Generación y recombinación

de portadores
 fotoconductor
Generación y recombinación de portadores

Generación Proceso por el cual se crean electrones y huecos

Recombinación Proceso por el cual electrones y huecos se aniquilan

¿Cómo se producen estos procesos?

Por ejemplo, al incidir sobre un semiconductor un flujo luminoso se

generan electrones y huecos, creando una condición de desequilibrio.

En equilibrio térmico la concentración de portadores es independiente

del tiempo.

La velocidad a la cual se generan electrones y huecos es la misma a la

cual se recombinan.
 Generación - recombinación directa banda a banda

La radiación incidente con EC

fotones cuya energía sea
como mínimo EG producen Generación par
electrón-hueco
la generación de un par
electrón-hueco EV

Si se apaga la fuente luminosa

EC el electrón vuelve a la banda
Recombinación
de valencia. La diferencia de
electrón y hueco energía se transforma en
EV energía emitida. Se recombina
el electrón con un hueco en la
banda de valencia
 Fotogeneración
Fotones con energía E = h  inciden sobre el semiconductor.
Se crean electrones y huecos por rotura de enlaces.
La energía luminosa absorbida excita a electrones en la banda de
valencia. Adquieren energía pasar a la banda de conducción.

La energía E debe ser E  EG.

Generación-Recombinación térmica directa

La excitación se debe a la energía térmica.

El proceso de generación-recombinación cambia la concentración de

portadores y afecta a los mecanismos de arrastre y difusión, modificando
la corriente I. Se puede usar para construir algunos dispositivos
electrónicos basados en estos efectos.
 Concentración de equilibrio
Exceso de portadores, debido al dopaje del material
pares electrón-hueco y generación térmica
generados n = n + no

no
n

EC

h EV

p
po

p = p + po

Veamos dos ejemplos basados en procesos de generación-recombinación

 Celdas fotoconductivas: LDR
(Resistores dependientes de la luz)

Son componentes electrónicos cuya resistencia disminuye al exponerse

a una fuente luminosa.
En la oscuridad presentan una resistencia del orden de M.

Se fabrican a partir de Sulfuro de Cadmio o de Selenio que presentan

propiedades semiconductoras.

Presentan pocos o ningún electrón libre en oscuridad.

La fotoconductividad es debida a la excitación intrínseca.

Al absorber energía luminosa se liberan electrones aumentando la

conductividad  del material (disminuyendo la resistencia).

Se justifica la denominación de fotoconductor o fotorresistencia.

Principio de funcionamiento: al irradiar el material semiconductor se
rompen enlaces covalentes generando un exceso de pares electrón-
hueco. Este incremento de portadores en exceso contribuye a la
disminución de la resistencia del material.

 = q [n (no + n)+ p (po +p)]

El cambio en la conductividad del material debido a la señal óptica:

 = q p (n + p)

El cambio en la conductividad produce un cambio en el valor de la

resistencia eléctrica.
La energía mínima de un fotón necesaria para la excitación intrínseca
es la de la banda prohibida EG [eV].

Los portadores generados por fotoexcitación se moverán bajo la

influencia de un campo aplicado.

Si no se recombinan llegarán a los contactos óhmicos en los

extremos de la barra semiconductora constituyendo la corriente del
dispositivo.

Los electrones permanecen libres por un tiempo limitado. Al cesar la

iluminación vuelven a sus posiciones originales y el material se
convierte en aislador nuevamente.
La relación Resistencia-Iluminación puede expresarse:
R = A L- 
A: constante que depende de las características constructivas y del
material

L: iluminación

: constante que depende del material y del proceso de fabricación ,

en general varía entre 0.7 y 0.9.

R []

Resistencia vs. Iluminación

para resistor LDR típico

Iluminación
 550 nm

Es una curva que permite observar la respuesta del dispositivo a distintas

longitudes de onda relativa a la respuesta máxima.
Comparación de la respuesta espectral de distintos materiales
comparada con el ojo humano (Factor de luminosidad)
 Esquema constructivo

superficie sensible

electrodo

capa fotoconductiva
contacto de electrodo
cubierta plástica
base cerámica
electrodo

Al aplicar una tensión al LDR habrá una corriente aunque el dispositivo

se encuentre en oscuridad, pues debido a la agitación térmica a
temperaturas por encima de 0 K algunos electrones pasan de la banda
de valencia a la de conducción.

La resistencia en oscuridad aumenta con la temperatura ambiente, su

valor es elevado pero no infinito.
 Termistores o resistores NTC

Son dispositivos cuya resistencia disminuye al aumentar el valor de la

temperatura.

Se fabrican a partir de mezclas sintetizadas de óxidos metálicos.

Materiales típicos: compuestos de óxido de manganeso con cobre y
óxido de níquel con cobre .

Modificando las proporciones de óxido se puede variar la resistencia

básica del termistor.
Los valores pueden variar desde pocos Ohms hasta valores de
Megaohms a 25 °C.

La sensibilidad a variaciones de temperatura lo hace muy adecuado

para mediciones precisas de temperatura.
Se usa en aplicaciones de control y compensación en el rango de
150ºC a 450ºC.
 La relación entre resistencia y temperatura no es lineal sino exponencial
y puede expresarse como:
R = A . e B/T
A y B son constantes que dependen del resistor.

k

100 k

2 k

25 C

En el ejemplo a T=25C la resistencia RT= 100 k y disminuye a 2 k a 150C

 Ejemplo: Medición de nivel de líquido

La tensión de alimentación
relé permite el autocalentamiento
-T + - del NTC.
VBB

relé

-T + -
Cuando queda inmerso en el VBB
líquido se enfría, aumenta
su resistencia, reduciendo la
corriente abriendo el relé.
Formas constructivas