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V FUENTE Vd Id Is
10.13 0.701V 9.8mA 1.803x10^-9
simulación
V FUENTE Vd Id Is
12.21 0.7V 11.7mA 1.355x10^-8
b) CARACTERIZACIÓN VOLTAJE-CORRIENTE
1. Variar el voltaje V desde 0.45V y tomar
medidas de corriente Id y voltaje Vd, hasta que
experimental Vd=0.74V.
VOLTAJ I DIODO V DIODO
E VD ID
FUENTE 0.459 V 0.008 [mA]
1.12 [V] 1.08mA 0.623 [V] 0.535 V 0.24 [mA]
10.3 [V] 10.3mA 0.727 [V] 0.568 V 0.39[mA]
simulacion 0.579 V 0.63 [mA]
VOLTAJ I DIODO V DIODO 0.620V 1.60 [mA]
E 0.650 V 2.50 [mA]
FUENTE 0.683 V 4.21 [mA]
1.557 [V] 1.00mA 573.2 mV 0.685 V 5.09 [mA]
10.541[V] 10.05mA 691.86mV 0.703 V 7.11 [mA]
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
CARACTERIZACIÓN DIODO – CIRCUITOS DC Y AC CON DIODO
0.727 V 10.3 [mA]
Medidas Circuito2
Vd1 Id1 Vd2 Id2
-0.709mV -12.16mA 0.723mV 13.54mA
Simulacion circuito2
Medidas Circuito2
Vd1 Id1 Vd2 Id2
12.35V 0 650mV 2.630mA
Simuacion circuito1
Circuito2
Experimetal
Vin 0
Vsalid
a
Simuacion
Vin 0
Vsalid
a
VDC=1
Vdc Vpp Vmax Vmin Vavg
Experimetal
Vin 1
Vsalid
a
Simuacion
Vin 1
Vsalid
a
VDC=-1
ANALISIS DE RESULTADOS: