Electrónica de Estado Sólido (EIE-351)

Parte 2. Transporte de portadores

Miguel López González

Escuela de Ingeniería Eléctrica
Universidad Católica de Valparaíso
 Desplazamiento o Deriva de
portadores (Drift)

z Cálculo del flujo de corriente en presencia de campos eléctricos

o magnéticos
– Concentración de portadores n y p
– Colisiones de los portadores con el enrejado e impurezas del sólido
z Afectan la movilidad de los portadores
z Proceso dependiente de la °T
z Movimiento de los e- en el sólido
– Movimiento aleatorio. Velocidad térmica
1 * 2 3 3kT
mn vth = kT ⇒ vth =
2 2 mn*
– Al aplicar un campo eléctrico E(x) a un sólido, hay un movimiento
neto de e- en sentido contrario al campo
2 Miguel López González
 Desplazamiento o Deriva (Drift)
z Movilidad de portadores
– Efectos de dispersión debido efectos térmicos
z Colisión en enrejado del cristal
z Colisión con átomos de impurezas,
z otros…

– Tiempo promedio entre colisiones en el sólido: τ (tiempo libre

promedio, mean free time), camino libre promedio : l = vth τ

z Equilibrio de momentos: − q ⋅ E ⋅τ = mn* ⋅ vn

qτ
µn = *
z Def.: Movilidad de electrones:

z Velocidad de desplazamiento: mn
vn = − µ n E vp = µ pE
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 Desplazamiento o Deriva (Drift)

z Conductividad
– Densidad de corriente obtenida a partir del desplazamiento de
electrones causado por el campo aplicado
q 2 nτ
J n = − q ⋅ n ⋅ vn ⇒ J n = q ⋅ n ⋅ µ n ⋅ E ⇒ J n = ⋅E
mn
Analogía con la Ley de Ohm
q 2 nτ
–

Jn = σ n ⋅ E σn = = q ⋅ n ⋅ µn
mn
Jp =σp ⋅E
– Corriente total de drift asociada a los portadores
J = J n + J p = q ( nµ n + p µ p ) E = σ ⋅ E

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 Desplazamiento o Deriva (Drift)

z Efectos en la movilidad de portadores

– Temperatura, (Fig. 3-22)
– Densidad de impurezas (Fig. 3-23)

– Efectos de campos elevados

z Limitaciones en la ecuación de la corriente de drift: válida para
campos máximos de 1000 V/cm aprox.
z Para campos muy grandes, aparece una saturación en la
velocidad de los portadores (~107 cm/s) (Si, Ge)
– Puede haber una disminución de la velocidad (GaAs y otros)
z Efecto Avalancha

z Tarea: Efecto Hall

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 Exceso de portadores

z Excitación óptica (Tarea)

– Fotoluminiscencia, Electroluminiscencia

z Bombardeo de e-

z Polarización directa de una juntura pn

6 Miguel López González

 Tiempo de vida de portadores

z Recombinación directa de portadores

– Proceso espontáneo
– Variación neta con portadores en exceso

n(t) = n0 + δn(t) dn(t )

z = α r ni2 − α r n(t ) p (t )
z p(t) = p0 + δp(t) dt
dδn(t )
– Material tipo p: = −α r p0δn(t )
dt
δn(t ) = ∆n ⋅ e −α r p0t = ∆n ⋅ e − t /τ n
z τn : tiempo de recombinación, 1
tiempo de vida de portadores minoritarios τn =
α r (n0 + p0 )
7 Miguel López González
 Tiempo de vida de portadores
z Recombinación Indirecta
– Niveles de recombinación dentro de la banda prohibida (centro de
recombinación)
z Impurezas
z Defecto de enrejado
– Captura de portadores, aniquilación de EHP
– Pérdida de energía como calor, raramente por emisión de fotones

– Captura temporal de portadores, centro de captura, trampa

– Dependiendo de la probabilidad de eventos (re-excitación, trampa)
se denomina el nivel

z Otras formas de recombinación (Tarea)

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 Generación de exceso de portadores
en régimen permanente

z Equilibrio: generación de portadores sólo por efecto térmico, no

hay absorción óptica ni campos aplicados
z Estado estacionario: procesos constantes de no-equilibrio

z Nuevo balance de generación-recombinación

g (T ) + g op = α r np = α r (n0 + δn)( p0 + δp )
z Sin captura y a una tasa constante de recombinación δp = δn
g (T ) = α r n0 p0
δn
g op = α r (n0 + p0 )δn =
τn
9 Miguel López González
 Generación de exceso de portadores
en régimen permanente

z Con captura
δn = g opτ n δp = g opτ p
z Cambio en la conductividad
∆σ = qg op (τ n µ n + τ p µ p )
z Definición de los quasi-niveles de Fermi, para estado
estacionario
– Niveles análogos al nivel de Fermi en equilibrio

n = ni e ( Fn − Ei ) / kT
( Ei − F p ) / kT
p = ni e
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 Difusión de Portadores

z Difusión de portadores
– Variación espacial de las concentraciones de portadores
por creación de exceso de portadores en un semiconductor
(gradiente)
– Difusión: Movimiento de portadores desde las regiones de
alta concentración de portadores hacia las de menor
concentración
– Proceso importante de transporte de carga en
semiconductores junto con el drift

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 Difusión de Portadores

z El flujo neto es igual a las diferencias de concentraciones

multiplicadas por un constante de proporcionalidad
l 2 dn( x) dn( x)
φn ( x ) = − = − Dn
2τ dx dx
dp ( x)
φ p ( x) = − D p
dx
z Dn: coeficiente de difusión del electrón
dn( x)
J n = − qφn = qDn
z Ecuaciones de densidad de corriente dx
(Tarea: verificar ecuaciones) dp ( x)
J p = qφn = − qD p
dx
12 Miguel López González
 Desplazamiento y Difusión de
portadores

z Si un campo eléctrico está presente junto al gradiente de

portadores, las densidades de corriente tendrán componentes
de drift y de difusión
dn( x)
J n ( x) = qµ n n( x) E ( x) + qDn
dx
dp ( x)
J p ( x) = qµ p p ( x) E ( x) − qD p
dx
z La densidad de corriente total es la suma de las contribuciones
de ambos portadores
J ( x) = J n ( x) + J p ( x)
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 Desplazamiento y Difusión de
portadores

z Relación de Einstein
D kT
=
µ q
– Se obtiene al no tener corrientes netas (solución homogénea)
– Relación entre los coeficientes de drift (movilidad) y de
difusión

14 Miguel López González

 Ecuación de Continuidad

z Considerando el efecto combinado de

– Desplazamiento
– Difusión y
– Recombinación de portadores
z En un corte ∆x, de una barra de área A, la variación de huecos
se puede expresar J ( x) − J ( x + dx)
∂p 1 ⎡ ⎤ δp
= ⎢ ⎥−
p n

∂t q ⎣ ∆x ⎦ τp
– Haciendo las variaciones infinitesimales (límites) se llega a la
ecuación de continuidad de huecos y de electrones
∂δp 1 ∂J p δp ∂δn 1 ∂J n δn
=− − = −
∂t q ∂x τ p ∂t q ∂x τ n
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 Ecuación de Continuidad
z Remplazando las expresiones de densidades de corriente
∂δn ∂E ∂δn ∂ 2δn δn
= nµ n + µn E + Dn −
∂t ∂x ∂x ∂x 2
τn
∂δp ∂E ∂δp ∂ 2δp δp
= − pµ p − µpE + Dp −
∂t ∂x ∂x ∂x 2
τp
z Casos particulares
– Drift despreciable: transitorios de difusión y recombinación
– Inyección en estado estacionario desde un lado del material
– Portadores minoritarios en la superficie
– Experimento de Haynes y Schokley

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