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Revisión de componentes electrónicos y polarización de

transistores
Índice
1 Diodos
2 Transistores bipolares
3 Transistores de efecto campo

Diodos
1 Diodos
Introducción
Modelo de Shockley
Modelos simplificados en continua
Modelo simplificado de pequeña señal

Diodos
Introducción
Tipos, convenio de signos
Diodo Diodo Zener

ID ID
A K A K A: ánodo
K: cátodo
+ VD − + VD −
Características del diodo

Dispositivos de dos terminales que permiten el paso de corriente en función
del potencial aplicado externamente.
Polarización directa: la aplicación de un potencial externo positivo implica la
circulación de corriente (VD > 0 ⇒ ID > 0).
Polarización inversa: con un potencial externo negativo no circula corriente
(VD ≤ 0 ⇒ ID = 0).
Características del diodo Zener
Idénticas características que el diodo convencional, y además:
Situación de ruptura: si la tensión de polarización negativa supera cierto
umbral, −VZ , (tensión zener) el diodo permite el paso de corrientes
negativas (VD < −VZ ⇒ ID < 0).
Diodos
Introducción
Aplicaciones de los diodos

En circuitos que manipulan la forma de la señal: recortadores, fijadores,
rectificadores . . .
Introducción de caídas de potencial fijas entre dos puntos de un circuito.
Diodos
Modelo de Shockley
Relación corriente-tensión del diodo real

Para analizar circuitos con diodos es necesario conocer la relación que
existe entre ID y VD .
Un cálculo basado en las propiedades de los semiconductores permite
establecer esta relación:
ID
ID = IS eVD / nVT − 1

Donde
Directa
IS : corriente inversa de
saturación
n: constante correctora
VT = kT/ q tensión térmica Inversa
q: carga del electrón
k: constante de Boltzmann
T: temperatura
VD
Diodos
El modelo de Shockley es demasiado complejo para analizar circuitos

manualmente.
En la práctica se sustituye el modelo de Schockley por modelos linealizados
más sencillos.
Los siguientes modelos se aplican para trabajar con tensiones y corrientes
continuas.
Diodos
Modelo de tensión de codo

Inversa Directa
ID ID = 0 ID ≥ 0
+ VD − + − + −
VD < Vγ VD = Vγ
Si el diodo está en inversa lo ID

aproximamos a un circuito
abierto.
Si está en directa lo sustituimos
por una caída de potencial de
valor Vγ .
Vγ ≈ 0,7V para diodos de silicio.
Vγ depende de la temperatura:
Vγ ≈ 0,7V − 2mV/ ◦ C(T − 25◦ C) Vγ VD

Diodos
Modelo simplificado para el diodo Zener
Ruptura Inversa Directa

ID ID ≤ 0 ID = 0 ID ≥ 0
+ VD − + − + − + −
VD = −VZ VD < 0 VD = Vγ
ID
En directa y en inversa mismo

modelo que el diodo normal. −VZ
En ruptura sustituimos el zener
Vγ VD
por una caída de potencial de
valor −VZ .
Diodos
Si aplicamos únicamente una tensión continua, VD , a un diodo, la corriente,

ID , viene determinada por los modelos anteriores.
Si además superponemos una componente alterna de tensión, vd , de
pequeña amplitud a la componente de continua, se producirá una pequeña
oscilación de la corriente, id .
Las magnitudes totales de tensión, vD , y corriente, iD , serán:

vD = VD + vd
iD = ID + id
La relación entre vd e id será aproximadamente lineal:

nVT
vd = rd id con rd =
ID
id
rd
+ vd −
Diodos
Ejemplo
Calcular la corriente que atraviesa el diodo.
R1
+
vac iD
− D1
VDC
La corriente total, iD que atraviesa el diodo es la suma de una componente

continua, ID , inducida por VDC , y una componente de alterna, id , inducida por
vac :
iD = ID + id
Diodos
Se aplica el principio de superposición:

En continua En pequeña señal
R1 R1
+
VDC ID Vγ vac id rd
−
VDC − Vγ vac
ID = id =
R1 R1 + rd
VDC − Vγ vac
iD = +
R1 R1 + rd
Transistores bipolares
1 Diodos
Introducción
Modelo de Ebbers Moll
Características de entrada y salida
Modelos de continua
Circuitos de polarización
Modelos de pequeña señal
Configuraciones especiales

Introducción
Tipos, convenio de signos
Transistor npn Transistor pnp

C C
+ −
IC IC
IB IB E: Emisor
VCE VEC
B: Base
B B
+ − C: Colector
IE IE
VBE VEB
− − + +
E E
Modos de funcionamiento
Modo de
Unión base-emisor Unión base-colector
funcionamiento
Directa Inversa Activa directa
Directa Directa Saturación
Inversa Inversa Corte
Inversa Directa Activa inversa
Modelo de Ebbers Moll
Relación corriente-tensión del transistor bipolar
Un transistor npn puede ser modelizado por el siguiente circuito:
IF IR
IE IC
E C
IB
αR IR αF IF
B
IS

eVBE / VT − 1 − IS eVBC / VT − 1 

IE = 
αF 



VBE / VT
IS VBC / VT

IC = IS e −1 − e −1
αR 


IS VBE / VT
IS VBC / VT


−1 + −1 

IB = e e 
βF βR
donde:
αF αR
βF = , βR =
1 − αF 1 − αR
Relación I-V a la entrada y la salida de un BJT en emisor común
IC
IB
+
+
VCE
VBE
− −
Características de entrada, IB − VBE
IB VCE1VCE2VCE3
En la gráfica:
VCE3 > VCE2 > VCE1
VBE
Características de salida, IC − VCE

En la gráfica:
IC
IB4 > IB3 > IB2 > IB1
Saturación
IB4
Activa directa
En activa directa:
IB3
IC = β(F) IB
IB2
El BJT es un dispositivo
IB1 controlado por corriente.
Corte Al ser β un número grande, a la
salida se obtiene una corriente
VCE amplificada.
Efecto Early
En la práctica la corriente de colector del BJT en activa directa también depende
de la tensión colector-emisor.
IC
En activa directa:
VCE

IC = βIB 1 +
VA
VA : tensión Early
VCE
Límites de operación
IC Imax
C
Pmax
IC < Imax
C
max
VCE < VCE
max
IC VCE < Pmax VCE
VCE
Modelos de continua
BJT npn
Activa directa on
VBE βIB
B C
IC = βIB
IB IC
VBE ≈ 0,7V
IE
E
Saturación
on
VBE sat
VCE
VBE ≈ 0,6V B C
VCE ≈ 0,2V IB IC
IC < βIB IE
Corte B C
IC = IE = IB = 0 IB IC
IE
E
Modelos de continua
BJT pnp
Activa directa on
VEB βIB
B C
IC = βIB
IB IC
VEB ≈ 0,7V
IE
E
Saturación
on
VEB sat
VEC
VEB ≈ 0,7V B C
VEC ≈ 0,2V IB IC
IC < βIB IE
Corte B C
IC = IE = IB = 0 IB IC
IE
E
Modelos de continua
Aproximaciones en activa directa

Ecuaciones exactas
IC = βIB
IE = IC + IB
Aproximación β “grande”
IB = IC / β
IE ≈ IC
Aproximación β → ∞
IB = 0
IE = IC
Recta de carga estática

Relación I − V del circuito aplicado a la salida del transistor.
Con el transistor en emisor común es la relación IC − VCE .
Punto de trabajo, Q
Son los valores de corriente y tensión concretos que se obtienen al polarizar
el transistor con un circuito.
En activa directa viene dado por (IC ,VCE ).
Misión del circuito de polarización

Situar el punto de trabajo en la zona activa directa.
Mantener el punto de trabajo estable frente a variaciones de β, temperatura
...
Factores de sensibilidad
Miden la estabilidad de la polarización frente a variaciones de parámetros del
transistor.
Sensibilidad a β
∆IC
S(β) =
∆β
Sensibilidad a VBE
∆IC
S(VBE ) =
∆VBE
Circuito de polarización fija

Recta de carga
VCC − VCE VCC
IC =
RC
Punto de trabajo RC
RB
VCC − VBE Q1
IC =
RB / β
VCE = VCC − IC RC
Estabilidad de Q
El punto de trabajo depende explícitamente de β.
Circuito de polarización con realimentación de emisor

Recta de carga
VCC
VCC − VCE
IC =
RC + RE RC
RB
Punto de trabajo
Q1
VCC − VBE
IC =
RB / β + RE RE
VCE = VCC − IC (RC + RE )
Estabilidad de Q
VCC − VBE
Si RE RB / β ⇒ IC ≈ independiente de β
RE
Criterio de diseño: RE = 10RB / β
Circuito con realimentación de colector

Recta de carga
VCC − VCE
IC =
RC VCC
Punto de trabajo
RC
VCC − VBE RB
IC =
RB / β + RC
VCE = VCC − IC RC Q1
Estabilidad de Q
RC RB / β
Circuito de polarización con divisor de tensión

Recta de carga
VCC − VCE
IC =
RC + RE VCC
Punto de trabajo
VBB − VBE RC
IC = R1
RB / β + RE
Q1
VCE = VCC − IC (RC + RE )
R2 R2
RE
con VBB = VCC y RB = R1 kR2
R1 + R2
Estabilidad de Q
RE RB / β
Si en un circuito con BJTs coexisten componentes de continua y señal,

utilizaremos los siguientes modelos para trabajar con las componentes de
señal.
Los modelos son validos tanto para transistores npn como para transistores
pnp.
Modelo Π
rμ
B C
+
rπ vbe gm vbe ro
−
IC β VA
gm = rπ = ro = rμ = βro
VT gm IC
−1
gm rπ ro rμ
Modelos Π simplificados
En numerosas ocasiones podemos trabajar con modelos más simples.
Es habitual hacer las aproximaciones rμ = ∞ y ro = ∞
Modelo de transconductancia Modelo de ganancia de corriente

B C B C
+
rπ vbe gm vbe rπ ib βib
−
E E
β
vbe = ib
gm
BJT como diodo

Un BJT con la base y el colector
+
I cortocircuitados se comporta como un
diodo:
IS
eV/ VT − 1

V I=
αF
I En pequeña señal puede ser sustituido
−
por una resistencia de valor 1/ gm .
Par Darlington
El par Darlington se comporta como un

IC
IB único transistor con βD muy alta:
Q1 βD = β1 β2 + β1 + β2 ≈ β1 β2
Q2
Tensión base-emisor del Darlington:
IE
VBE,D ≈ 1,4V
El multiplicador VBE
El multiplicador VBE introduce una caída

R1 de potencial fija entre sus terminales,
independiente de la corriente que
V
circula.
R1

R2 V ≈ 1+ VBE
R2
−
Transistores de efecto campo
1 Diodos

Introducción
Los FETs en continua
Características corriente-tensión
Modelo de pequeña señal
Introducción
Tipos, símbolos y convenio de signos
MOSFET de MOSFET de
JFET
acumulación deplexión
D D D
+ + +
ID ID ID
IG IG IG
G VDS G VDS G VDS
Canal n + + +
IS IS IS
VGS VGS VGS
− − − − − −
S S S
D D D
− − −
ID ID ID
IG IG IG
G VSD G VSD G VSD
Canal p − − −
IS VSG IS VSG IS
VSG
+ + + + + +
S S S
S: Fuente, G: Puerta, D: Drenador

Los FETs se mantienen en corte mientras el potencial aplicado entre puerta

y fuente es menor que un cierto umbral, Vt .
Una vez en conducción, pueden hallarse en dos modos: zona óhmica y
saturación dependiendo del potencial del drenador.
FETs de canal n
Corte VGS < Vt
Zona óhmica VGS > Vt y VDS < VGS − Vt
Saturación VGS > Vt y VDS > VGS − Vt
FETs de canal p
Corte VSG < Vt
Zona óhmica VSG > Vt y VSD < VSG − Vt
Saturación VSG > Vt y VSD > VSG − Vt
Para todos los FETs

IG = 0 en todos los modos de funcionamiento
MOSFETs de canal n
Corte ID = 0
2
Zona óhmica ID = kn 2(VGS − Vt )VDS − VDS
Saturación ID = kn (VGS − Vt )2
μn
con kn = C W
2 ox L
MOSFETs de canal p
Corte ID = 0
2
Zona óhmica ID = kp 2(VSG − Vt )VSD − VSD
Saturación ID = kp (VSG − Vt )2
μp
con kp = C W
2 ox L
Diferencia entre MOSFETs de acumulación y deplexión

En MOSFETS de acumulación, Vt > 0
En MOSFETS de deplexión, Vt < 0
JFETs de canal n
Corte ID = 0 2
V V V
Zona óhmica ID = IDSS −2 1 − VGS VDS − VDS
p p p
2
Saturación VGS
ID = IDSS 1 − V
p
VGS < 0 siempre para el JFET de canal n
JFETs de canal p
Corte ID = 0 2
V V V
Zona óhmica ID = IDSS −2 1 − VSG VSD − VSD
p p p
2
Saturación VSG
ID = IDSS 1 − V
p
VSG < 0 siempre para el JFET de canal p
También es posible escribir las ecuaciones del MOSFET de deplexión de esta

forma haciendo el cambio:
Vp = Vt , IDSS = kn Vt2
ID
+
+
VDS
VGS
− −
Características de transferencia
MOSFETs JFETs
ID ID
IDSS
IDSS
Vt,dep Vt,ac VGS Vp VGS

Características de salida
ID Zona óhmica VGS4

Iguales para las tres familias de
Saturación FETs.
En la gráfica:
VGS3
VGS4 > VGS3 > VGS2 > VGS1
VGS2 El FET es un dispositivo
Corte controlado por tensión.
VGS1
VDS
Equivalencia de modos de funcionamiento BJT-FET
BJT FET
Corte Corte
Saturación Zona óhmica
Activa directa Saturación
Modulación de la longitud del canal

En la práctica la corriente de drenador en saturación no es independiente de
VDS
Es el análogo al efecto Early en los BJTs.
ID
En saturación:
VDS

ID = kn (VGS − Vt )2 1 +
VA
VDS
Ejemplos de circuitos de polarización de los FETs

Polarización de un MOSFET de acumulación
Recta de carga
VDD
VDD − VDS
ID =
RD
R1 RD
Punto de trabajo
R2 M1
VGS = VDD
R1 + R2
R2
ID = kn (VGS − Vt )2
VDS = VDD − ID RD
Polarización de un MOSFET de deplexión/JFET

Recta de carga
VDD
VDD − VDS
ID =
RD + RS RD
Punto de trabajo
M1
VGS = −ID RS
RG RS
ID = kn (VGS − Vt )2
VDS = VDD − ID (RD + RS )
Modelo de pequeña señal
Si en un circuito con FETs coexisten componentes de continua y señal,

utilizaremos el siguiente modelo para trabajar con las componentes de
señal.
El modelo es común para todos los FETs.
G D
+
vgs gm vgs ro
−
p VA 1
MOSFETs gm = 2 kn ID ro = ID
= λID
gm = |V2 | IDSS ID VA 1
p
JFETs p
ro = ID
= λID
En los circuitos integrados se suelen utilizar cargas activas en lugar de

resistencias.
Carga de acumulación
+
I
I
V
I
−
VGS = VDS ⇒ saturación.

¨
0 si V < Vt Vt
I= V
2
kn (V − Vt ) si V > Vt
Carga de deplexión
+
I I
I
−
VGS = 0 ⇒ conducción
kn −2Vt V − V 2
¨
si V < −Vt
I=
kn (−Vt )2 si V > −Vt |Vt | V

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3 Transistores de efecto campo

3 Transistores de efecto campo

Tipos, convenio de signos

Diodo Diodo Zener

Características del diodo

Aplicaciones de los diodos

Relación corriente-tensión del diodo real

El modelo de Shockley es demasiado complejo para analizar circuitos

Modelo de tensión de codo

Si el diodo está en inversa lo ID

Vγ ≈ 0,7V − 2mV/ ◦ C(T − 25◦ C) Vγ VD

Modelo simplificado para el diodo Zener

Ruptura Inversa Directa

En directa y en inversa mismo

Si aplicamos únicamente una tensión continua, VD , a un diodo, la corriente,

La relación entre vd e id será aproximadamente lineal:

La corriente total, iD que atraviesa el diodo es la suma de una componente

Se aplica el principio de superposición:

3 Transistores de efecto campo

Tipos, convenio de signos

Transistor npn Transistor pnp

Características de entrada, IB − VBE

VCE3 > VCE2 > VCE1

Características de salida, IC − VCE

Aproximaciones en activa directa

Recta de carga estática

Misión del circuito de polarización

Circuito de polarización fija

Circuito de polarización con realimentación de emisor

Circuito con realimentación de colector

Circuito de polarización con divisor de tensión

Si en un circuito con BJTs coexisten componentes de continua y señal,

Modelo de transconductancia Modelo de ganancia de corriente

BJT como diodo

El par Darlington se comporta como un

El multiplicador VBE introduce una caída

3 Transistores de efecto campo

Tipos, símbolos y convenio de signos

S: Fuente, G: Puerta, D: Drenador

Los FETs se mantienen en corte mientras el potencial aplicado entre puerta

Para todos los FETs

Diferencia entre MOSFETs de acumulación y deplexión

VGS < 0 siempre para el JFET de canal n

VSG < 0 siempre para el JFET de canal p

También es posible escribir las ecuaciones del MOSFET de deplexión de esta

Vt,dep Vt,ac VGS Vp VGS

ID Zona óhmica VGS4

Equivalencia de modos de funcionamiento BJT-FET

Modulación de la longitud del canal

Ejemplos de circuitos de polarización de los FETs

Polarización de un MOSFET de deplexión/JFET

Si en un circuito con FETs coexisten componentes de continua y señal,

En los circuitos integrados se suelen utilizar cargas activas en lugar de

VGS = VDS ⇒ saturación.

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