EVALUCIÓN PARCIAL DE ELECTRONICA POTENCIA

Apellidos y Nombres:
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Electricidad Industrial, DUAL V SEMESTRE 2016 - 10 Fecha: _________
7) De la figura de la pregunta anterior que resistencias
ELECTRONICA POTENCIA controlan el ángulo de retardo de disparo mínimo.
1) La siguiente figura pertenece a: A) R1 – R3 – R2.
B) R1 – R2.
C) R1 – R3.
D) R3 – R2.
E) N.A.

8) En muchas operaciones industriales se requieren la entrega

de una cantidad variable y controlada de energía eléctrica.
Cuatro de las más comunes de esta operación son:
Alumbrado, Control de velocidad de motores, Soldadura
A) Circuito secuencial. eléctrica y Calentamiento eléctrico.
B) Circuito combinacional. A) TRIAC.
C) Flip Flop. B) SCR.
D) Circuito analógico. C) Diodo.
E) N.A. D) A y B.
E) Todas son correctas.
2) Sacar su tabla de verdad:
9) Ambos estados, tanto el estado de encendido como el
estado de apagado, son controlados por la corriente en la
puerta (G).
A) TRIAC.
B) SCR.
C) IGBT.
D) DIAC.
E) N.A.
3) La siguiente figura pertenece a un:
10) La siguiente figura pertenece a un
A) TRIAC. TRIAC que pata le corresponde al
B) Darlington. GATE:
C) DIAC.
D) SCR. A) 1.
E) N.A. B) 2.
C) 3.
4) El BT151 es un:
A) TRIAC. 11) En un TRIAC que es el VTM:
B) Darlington. A) Voltaje de estado de encendido.
C) DIAC. B) Voltaje de transición conductiva.
D) SCR. C) Voltaje inverso máximo.
E) N.A. D) Voltaje de cebado para el gate.
E) N.A.
5) En el circuito de disparo del gate en el SCR, porque se
utiliza un diodo: 12) Porque se utiliza más de un condensador en el circuito de
A) Para mejorar el ángulo de retardo. disparo del gate en un TRIAC
B) Para rectificar la corriente.
C) para proteger la unión compuerta – cátodo contra
voltajes directos altos. A) Para obtener un amplio rango de ajuste de ángulo de
D) B y C. retardo de disparo.
E) evita la descarga del condensador B) Para proteger el gate.
C) Para reducir el tiempo transitorio del triac.
6) En la figura que valores debe tener C1 y C2: D) A y C.
A) 0.01 µf – 1 µf. E) Todas son correctas.
B) 0.1 µf – 10 µf..
C) 1 µf – 10 µf.. 13) La siguiente figura pertenece a un:
D) 0.01 nf – 1 µf..
E) N.A. A) TRIAC.
B) Darlington.
C) DIAC.
D) SCR.
E) N.A.

Instructor: Javier Eguia Yupanqui

Cuso: Electrónica de potencia
14) Que es el VBO en el DIAC: 17) para descargar un condensador tenemos que realizar la
A) Voltaje de estado de encendido. siguiente acción.
B) Voltaje de transición conductiva.
C) Voltaje inverso máximo. a) Cortocircuitar los terminales
D) Voltaje de cebado para el gate. b) Tocar con los dedos
E) N.A.
c) Descargar con una resistencia
15) Para mejorar la estabilidad frente a las variaciones de d) Solo a y b es correcto
temperatura en los circuitos con tiristores se utiliza un: e) Solo a y c es correcto
A) Condensadores con resistencias y diodo.
B) DIAC. 18) para la correcta utilización de los componentes
C) UJT. electrónicos es necesario:
D) B y C.
E) Todos son correctos. a) Determinar el orden de sus terminales
b) Verificar sus terminales
16) El cto de la figura representa un control simple de
potencia con carga resistiva, calcular: ( 4 puntos) c) Hacer la consulta en el ECG
d) Todas las anteriores
Datos: Ve (RMS) = 120V f = 50Hz  = 60º RL = 20
e) Ninguna de las anteriores

19) relacionar.

A) Residuos de papel ( ) Blanco

B) Residuos metálicos ( ) marrón
C) Residuos orgánicos ( ) verde
D) Residuos vidrios ( ) amarillo
E) Residuos plásticos ( ) celeste

a) ABCDE c) ECDBA e) AEDBC

b) ABCED d) EDBCA
Calcular.-
1.- Tensión de pico en la carga. 20) RELACIONAR
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensión media en la carga. A) SEIRI ( ) AUTODISCIPLINA
4.- Corriente media en la carga. B) SEITON ( ) LIMPIAR
C) SEISO ( )CLASIFICAR
D) SEIKETSU ( )CONSERVAR
E) SHITSUKE ( )ORDENAR

a) EDCBA c) ACBED e) ECADB

b) EABCD D) AEBDC

Instructor: Javier Eguia Yupanqui

Cuso: Electrónica de potencia