DEGRADACIÓN DE SEÑAL EN FIBRAS ÓPTICAS

Atenuación: Unidades De Atenuación. Absorción. Pérdidas Por Dispersión Y

Curvatura. Pérdidas En El Núcleo Y En El Revestimiento.

Atenuación

Atenuación es un término general que se refiere a toda reducción en la fuerza de

una señal. La atenuación se produce con cualquier tipo de señal, sea digital o
analógica. La atenuación, que a veces también se menciona como pérdida, es un
fenómeno natural que se produce en la transmisión de señales a grandes
distancias. Puede afectar a una red, debido a que limita la longitud del cableado
de red por el cual se puede enviar un mensaje. Si la señal recorre grandes
distancias, es posible que los bits no se puedan discernir para cuando alcancen su
destino. Cuando es necesario transmitir señales a grandes distancias por medio
de un cable, se puede instalar uno o más repetidores a lo largo del cable. Los
repetidores le dan más fuerza a la señal para superar la atenuación. Esto aumenta
en gran medida el rango máximo alcanzable de comunicación.

La atenuación también se produce con las señales ópticas. La fibra absorbe y

Esparce parte de la energía luminosa a medida que el pulso luminoso viaja por la
fibra.

En ésta, la atenuación se puede ver influenciada por la longitud de onda o el color

de la luz, por el uso de fibra monomodo o multimodo, y por el vidrio que se utilice
para fabricar la fibra. Aun cuando se optimicen estas opciones, es inevitable que
se produzca cierto grado de atenuación. También afecta a las ondas de radio y las
microondas, debido a que éstas se absorben y se esparcen en la atmósfera. Esto
se denomina dispersión. Las reflexiones de las distintas estructuras en la vía de la
señal también repercuten en la confiabilidad de las señales de radio y provocan
atenuación
 Unidades De Atenuación

El decibelio, que se usa para comparar dos niveles de potencia, se puede definir
para una determinada longitud de onda como el cociente entre la potencia óptica a
la entrada de la fibra Pi y la potencia óptica a la salida Po según la siguiente

Pi
fórmula: Numeros de decibelios ( dB )=10 log 10
Po

Esta unidad logarítmica tiene la ventaja que las multiplicaciones y divisiones se

transforman en sumas y restas, por lo contrario las sumas y restas aunque
complejas no se usan casi nunca.

En comunicaciones ópticas la atenuación se expresa en decibelios por unidad de

Pi
longitud según:∝dB L=10 log 10 donde dB es la atenuación por unidad de longitud
Po
y L es la longitud de la fibra.

Pérdidas Por Dispersión Y Curvatura

 Pérdidas Por Dispersión: Las fibras ópticas no siempre se comportan como canales
de transmisión lineales en los cuales el incremento en la potencia de entrada
implique un incremento proporcional de la potencia de salida. Hay varios efectos
no lineales que en el caso que nos ocupa, la dispersión, provoca unos
incrementos muy altos en la atenuación. Este efecto ocurre para elevadas
potencias ópticas. Esta dispersión no lineal genera que potencia de un modo sea
transferida a otro, tanto en la misma dirección de propagación como en la
contraria, este otro modo tendrá además una longitud de onda distinta.
Esta dispersión depende fuertemente de la densidad de potencia óptica y sólo es
significativa sobre determinados umbrales de potencia. Los dos tipos de dispersión
más importantes son la dispersión por estimulación Brillouin y la Raman, ambos
tipos sólo son observados a altas densidades de potencia en fibras ópticas
monomodo de gran longitud. Estos fenómenos dispersivos de hecho proporcionan
ganancia óptica pero con una variación de la longitud de onda. Estos fenómenos
pueden aprovecharse para amplificación óptica como ya veremos en el capítulo
dedicado a óptica integrada.

Dispersión por estimulación Brillouin: La dispersión por estimulación Brillouin

puede explicarse como una modulación de la luz debida a vibraciones térmicas
moleculares en el interior de la fibra. La luz dispersada aparece como unas
bandas de frecuencia laterales (como una modulación de frecuencia), estas
bandas laterales aparecen en transmisión en la dirección contraria a la de la luz
dispersada.

Dispersión por estimulación Raman: La dispersión por estimulación Raman es

similar a la Brillouin excepto porque la modulación que genera las bandas laterales
se produce a mayor frecuencia (las bandas están más alejadas de la frecuencia
fundamental). La dispersión Raman puede ocurrir tanto en la dirección de la
propagación como en la contraria y suele tener una potencia umbral P R unos tres
órdenes de magnitud mayor que la Brillouin.

 Pérdidas Por Curvatura: La fibra óptica tiene perdidas cuando se dobla, esto es
debido a que la energía en el campo evanescente en la parte exterior de la
curva, ya que debe seguir el mismo frente de onda que el resto y por tanto
debe ir a una velocidad mayor, mayor que la velocidad de la luz. Esto es
imposible y para remediarlo pierde parte de su energía radiandola al exterior.

Pérdidas En El Núcleo Y En El Revestimiento

 Pérdidas En El Núcleo: Las pérdidas de potencia óptica resultantes de los tres
tipos de error de alineamiento dependen del tipo de fibra y en particular del
diámetro del núcleo y de la distribución de potencia entre los modos
permitidos. Parece claro que relativamente pequeños errores en el
alineamiento pueden causar atenuaciones significativas y esto será
especialmente cierto cuando los núcleos de las fibras se vayan reduciendo.
También por ello fibras de núcleos grandes ¿ 150 μm van a resultar poco
afectadas y por ello las fibras de plástico son tan simples de conectar.
También podemos deducir que va a haber grandes diferencias entre la
utilización de fibras monomodo y multimodo precisamente por las diferencias
entre los tamaños de los núcleos

 Pérdidas En El Revestimiento: el revestimiento es el elemento que rodea al

núcleo y su misión es la de confinar la señal óptica en el mismo, por ello su
índice de refracción es menor que el del núcleo, cuando este revestimiento
presenten una anomalía, ya sea por defectos de fabricas o por que las misma
a travez del tiempo se empiezan a deteriorar, La capa exterior de la óptica de
la fibra no que atrapa la luz en el núcleo y lo guía a lo largo de ella por lo cual
se da la cantidad de potencia óptica perdido como la luz que se transmite a
través de la fibra, empalmes, acopladores, etc, expresado en dB.

Distorsión De Señales En Guías De Onda Ópticas: Determinación De La

Capacidad De Información. Retardo De Grupo. Dispersión De Material Y De
Guía De Onda. Dispersión Por Polarización De Modo. Distorsión Intermodal.

Distorsión De Señales En Guías De Onda Ópticas

Una guía de ondas, es un dispositivo mediante el cual, la luz se ve obligada a

seguir trayectorias determinadas sin la necesidad de lentes. La acción
contrayente, la realizan las paredes de las guías en el caso de las fibras ópticas.
En la figura se aprecia como los frentes de onda P-Q y L-H son frentes paralelos,
pero que han seguido trayectorias diferentes hasta alcanzar su posición, por lo
que sus caminos ópticos son diferentes (han tardado diferente tiempo en llegar),
por lo que entre ellos existe un determinado desfase. La onda que ha realizado
más reflexiones, llega con retraso con respecto a la que llega directamente.
Además, en cada reflexión en la pared de la fibra, la onda realiza un salto de fase
de radianes, por lo que la diferencia de fase total entre las dos ondas, será la
suma de ambos desfases.

Dentro de la fibra, se producen infinidad de reflexiones, que producen la

superposición de infinitas ondas, que darán una resultante interferencial. A lo largo
de la guía (fibra) sólo se pueden propagar los pulsos por reflexiones totales
sucesivas, aquellas ondas cuyo ángulo de incidencia en las reflexiones sea mayor
que el ángulo límite, y que además, la resultante interferencial no se anule, o sea,
que los diferentes frentes de onda estén desfasados en un número entero de
vueltas (una vuelta son 2 radianes), o sea = m·2, m = 0, 1, 2,

Determinación De La Capacidad De Información

La fibra es un medio de transmisión de información analógica o digital. Las ondas

electromagnéticas viajan en el espacio a la velocidad de la luz. Básicamente, la
fibra óptica está compuesta por una región cilíndrica, por la cual se efectúa la
propagación, denominada núcleo y de una zona externa al núcleo y coaxial con él,
totalmente necesaria para que se produzca el mecanismo de propagación, y que
se denomina envoltura o revestimiento.

La capacidad de transmisión de información que tiene una fibra óptica depende de

tres características fundamentales:

Del diseño geométrico de la fibra.

 De las propiedades de los materiales empleados en su elaboración. (diseño

óptico)
 De la anchura espectral de la fuente de luz utilizada. Cuanto mayor sea
esta anchura, menor será la capacidad de transmisión de información de
esa fibra.
 Para ver el gráfico seleccione la opción "Descargar"

Presenta dimensiones más reducidas que los medios preexistentes. Un cable de

10 fibras tiene un diámetro aproximado de 8 o 10 mm. y proporciona la misma o
más información que un coaxial de 10 tubos.

El peso del cable de fibras ópticas es muy inferior al de los cables metálicos,
redundando en su facilidad de instalación.

El sílice tiene un amplio margen de funcionamiento en lo referente a temperatura,

pues funde a 600C. La F.O. presenta un funcionamiento uniforme desde -550 C a
+125C sin degradación de sus características.

Dispersión De Material Y De Guía De Onda

La dispersión del material de es Una Característica tanto inherentes del material
Que No Puede Ser facilmente Cambiada pecado alterar la Composición del Vidrio
y Aumentar la atenuación. Sin embargo, es Posible desplazar la dispersión
modificando la dispersión de Guía de onda.

La dispersión de guía de onda se origina la propagación de la luz en una guía de

onda depende de la longitud de onda así como de las dimensiones de la guía.  La
distribución de la luz entre el núcleo y el revestimiento cambia con la longitud de
onda. El cambio de la distribución de la luz afecta la velocidad de transmisión de la
luz a través de la fibra. El núcleo y el revestimiento tienen diferentes índices de
refracción que determinación la velocidad de la luz en ellos. Ya que la luz
permanece sin tiempo del tanto en el núcleo de como en el caldding, su velocidad
efectiva a través de toda la fibra es un promedio que depende de la distribución de
la luz empre ambos. Un cambio en la longitud de onda cambiara la distribución de
la luz, y asímismo la velocidad promedio, causando una dispersión de guía de
onda.

Ambas Dispersiones dependen del Rango de Longitud de onda de la Señal,

afortunadamente la dispersión Florerias Tener Diferentes Símbolos, dependiendo
si le velocidad de la luz en la fibra sí Incrementa o Disminuye con la Longitud de
Onda. De Manera las Dispersiones de Guía de onda y cromática sí Una Cancela
la Otra en Un Punto Cercano a 1,31 mm En Una fibra estándar del Tipo de salto
de índice tal se del como Muestra en la Figura. Cambiando el Diseño de la
interfase núcleo-revestimiento Se Puede alterar la dispersión de Guía de onda y
ASI Cancelar la dispersión cromática en Otra Longitud de onda.

La
dispersión de guia de onda compensa la dispersión cromática párrafo Producir sin
dispersión cero a 1,31 μm, En Una fibra monomodo pisos del escalonado (salto de
índice)

Existencial dos Tipos de dispersión Desplazada, con Pequeñas Diferencias, Que

Han Llegado Tener una gran importancia en el Desarrollo Tecnológico de la fibra

Dispersión Por Polarización De Modo

Cuando se realizaron las primeras discusiones sobre la Dispersión de Modo de

polarización en el año 1986, solo unos cuantos investigadores consideraron que
este efecto llegaría a formar parte de las restricciones del negocio de las
comunicaciones por fibra óptica. La PMD puede distorsionar la señal, hasta hacer
inmanejables los bits, destruyendo la integridad de una red.

El problema principal es que el núcleo de la fibra no es perfectamente redondo, lo

que origina dispersión a un grado tal que puede dejar a la señal en un estado que
difícilmente pueda ser leído Cuando la luz viaja en una fibra monomodo hacia el
receptor, tiene dos modos de polarización que viajan en dos ejes, y se mueven
formando un ángulo recto uno del otro. En una fibra ideal las dos polarizaciones se
propagarían a la misma velocidad de fase pero en realidad cualquier asimetría,
curvatura o torsión hace que las dos polarizaciones se propaguen a diferente
velocidad. La causa de la PMD[ ] es una pequeña diferencia en el índice de
refracción en una pareja particular de estadoS de polarización ortogonal, a esta
propiedad se denomina birrefrigencia . Esto quiere decir que la velocidad de la luz
depende de la ruta que toma a lo largo de la fibra.

Distorsión Intermodal

La dispersión intermodal es la distorsión que se presenta en la señal al

transmitirse por fibra óptica debido a que los modos mayores recorren mayor
distancia, por esta razón los rayos de luz llegan en tiempos distintos, generándose
un pulso ensanchado y deformado con respecto al original.

Ensanchamiento De Pulso En Fibras De Índice Gradual.

Determina la capacidad de transmisión de información, considerando pulsos

luminosos muy estrechos y separados en el tiempo. La capacidad viene limitada
por una distorsión de la señal que resulta por ensanchamiento de los pulsos
luminosos al transmitirse a lo largo de la fibra. Los factores que contribuyen dicho
ensanchamiento son la dispersión intermodal y la dispersión intramodal.

Dispersión intermodal ó modal es causada por la diferencia en los tiempos de

propagación de los rayos de luz que toman diferentes trayectorias por una fibra.
Tiene lugar solo en las fibras multimodo, se puede reducir usando fibras de índice
gradual y casi se elimina usando fibras monomodo de índice de escalón. Esta
dispersión causa que un pulso de luz se recibe en el receptor ensanchado.

 
La dispersión intramodal del material o cromática resulta porque a diferentes
longitudes de onda de la luz se propagan a distintas velocidades de grupo a través
de un medio dado (material de la fibra). Como en la práctica las fuentes de luz no
son perfectamente monocromáticas, se ocasiona por esta causa un
ensanchamiento de pulso recibido. Este efecto aparece en las fibras multimodo y
monomodo. Esta dispersión cromática se puede eliminar usando una fuente
monocromática tal como un diodo de inyección láser (ILD).

Dispersión intramodal de la guía de onda Es función del ancho de banda de la

señal de información y la configuración de la guía generalmente es más pequeña
que la anterior y se la puede despreciar.

Acople De Modos.

Cuando la luz ha sido introducida en la fibra la energía transmitida pertenecerá a

alguno de los modos guiados, En un principio no lo sabemos, pero la configuración
inicial de modos cambia. Por el acoplamiento entre modos.

Todos los aspectos referidos a la propagación que hemos tratado hasta el

momento tenían en cuenta guía-ondas perfectas, pero no lo son. Las no-
idealidades de la fibra como:

 desviaciones del eje respecto a una línea recta

 variaciones en el diámetro del núcleo
 irregularidades en la intercara entre núcleo y envoltura
 variaciones en el índice de refracción, tanto del núcleo como de la
envoltura.

Pueden cambiar las características de propagación de la fibra. Estas variaciones

tendrán el efecto de acoplar la energía transmitida de un modo a otro dependiendo
de la perturbación específica. La óptica geométrica nos puede ayudar a entender
el. Puede observarse que en ambos casos el rayo no mantiene el mismo ángulo
respecto al eje de la fibra. El cambio de ángulo es equivalente al cambio de modo
de transmisión.
Así pues un modo determinado no se propaga a lo largo de la fibra sin grandes
transferencias de energía hacia otros modos, al igual que también recibe estas
transferencias, incluso cuando la fibra es de gran calidad. Esta conversión entre
modos se llama acoplamiento entre modos o mezcla modal.

Este acoplamiento entre modos va a causar que pueda transferirse energía desde
un modo guiado a un modo radiativo, con lo que la energía se pierde dando lugar
a atenuaciones de la señal transmitida.

Dos posibles no-idealidades de la fibra que dan lugar a acoplamiento entre modos:
(a) Irregularidad en la intercara entre núcleo y envoltura; (b) Doblado de la fibra.

Optimización De Diseño De Fibras Monomodo: Perfiles De Índice De

Refracción. Longitud De Onda De Corte.

Las fibras monomodo están compuestas de un hilo de núcleo de muy pequeño

diámetro (<10um) que soporta un solo modo de transmisión luminos

La fibra monomodo tiene la menor atenuación y el mayor ancho de banda de

todos los tipos de fibra óptica. La electrónica de transmisión, recepción y repetición
también es más cara que la de los sistemas multimodo. En las aplicaciones FTTH
con fibra monomodo la Recomendación UIT-T G.652cubra la mayoría de los
casos.

Recientemente se ha empezado a comercializar un nuevo tipo de fibra monomodo

que tiene menores pérdidas cuando la curvaturas de la manguera es baja. Esta
fibra está normalizada por UIT-T G.657. Este tipo de fibra es muy interesante
cuando hay que instalarla en lugares donde los cables tendrán curvas más
cerradas, como en los cableados de edificios y en el interior de viviendas.

El uso de algún material con el índice de refracción del núcleo entre las dos fibras
puede ser de ayuda ya que elimina la atenuación por reflexión Fresnel y mantiene
los extremos de la fibra limpias de polvo ambiente. Sin embargo no son una
solución ya que por contra no es práctica la existencia de ningún material no sólido
en la zona en la que se conecta y desconecta ya que los fluidos fluirán
derramándose y además atraerán polvo, que no llegará a la fibra pero servirá
como barrera al paso de la luz.

Las fibras monomodo son muy importantes en el mundo de las comunicaciones

ópticas debido a que

 Tienen el mayor ancho de banda y las pérdidas más pequeñas

 Su calidad de transmisión es mejor debido a la ausencia de ruido modal
 Son compatibles con la óptica integrada
 Tienen un elevado tiempo de vida

Longitud De Onda De Corte

2π1
Se puede apreciar en la ecuación V = an1 √ 2 ∆ que la operación monomodo no
λ
lo es para todas los longitudes de onda sino para sólo sobre una longitud de onda

2 πan1
de corte λ c que se puede calcular como λ c = √ 2 ∆ donde Vc es la frecuencia
Vc
de corte normalizada. Así pues para toda λ> λc la fibra será monomodo, otra
relación que nos va a ser de utilidad se obtiene dividiendo las ecuaciones

λc V
anteriores con lo que obtenemos = Los sistemas prácticos de transmisión
λ Vc
se operan de forma que se esté trabajando cerca de λ c para mejorar el
confinamiento del modo guiado pero lo suficientemente lejos como para que no se
transmita nada del modo LP11

Cálculo De Dispersión. Diámetro De Campo Modal

Cálculo De Dispersión

En sistemas digitales se usa LD hasta 140 Mbits/seg se desprecia el ancho de banda de

la fibra monomodo ya que es GHz. Por tanto para monomodo se calcula dispersión en
lugar de ancho de banda.

El ensanchamiento del pulso ΔT = M(λ) Δλ L

ΔT = ensanchamiento del pulso en ps
M(λ) = dispersión cromática en ps/nm*Km
Δλ = ancho espectral medio del emisor en nm
L = longitud de la fibra en Km
Por ejemplo para:
L = 25 Km
λ = 1330 nm
Δλ = 5 nm
M(λ) = 3.5 ps/nm*Km
Resulta ΔT = 3.5 * 5 * 25 = 437.5 ps
0.441 0.441
De la expresión para el cálculo de ancho de banda B= = ≅ 1GH Z
∆T 437.5

El cálculo de la dispersión en sistemas encima de 565 Mbits/seg considera

adicionalmente características del láser como ruido de distribución de modos.

Diámetro De Campo Modal

Diámetro de campo modal.- Da idea de la extensión de la mancha de luz del modo

fundamental a la salida de la fibra. Su valor aumenta conforme la longitud de onda
de la luz guiada es mayor, es de gran importancia en las características de la fibra
monomodo. A partir de él se puede calcular posibles pérdidas en empalmes,
pérdidas por micro curvaturas y dispersión cromática de la fibra.

FUENTES ÓPTICAS

Física De Los Semiconductores

La Física de semiconductores es el conjunto de teorías y modelos que explican el

comportamiento de los semiconductores, bajo diversas condiciones. Sin embargo
gran parte de los semiconductores son estudiados en Física del estado sólido.
Michael Faraday descubrió que el sulfuro de plata tiene un coeficiente negativo
de resistencia. En 1839 A. E. Becquerel observó un fotovoltaje al alumbrar un electrodo
de un electrolito. W. Smith, en 1873, advirtió que la resistencia del selenio disminuye al
iluminarlo. En 1874, F. Braun descubrió que la resistencia de los contactos
entre metales y piritas de galena depende de la tensión aplicada sobre ellos; A.
Schuster observó algo similar en superficies pulidas y no pulidas en cables de cobre.
En 1876, W. G. Adams y R. E. Day construyen la primera fotocélula, y C. E.
Fritts presenta el primer rectificador con selenio.

En la década de 1930, E. H. Hall descubre que la cantidad de portadores de carga

eléctrica en los semiconductores es mucho menor que en los metales, aunque a
diferencia de éstos, aumentan rápidamente con la temperatura, y también que en los
semiconductores tienen mucha mayor movilidad. También observó que en algunos casos
los portadores eran negativos y en otros positivos.

Conducción Eléctrica

Debido a que la banda que efectivamente conduce es la que está casi vacía o casi
llena, la poca densidad de los portadores de carga en el seno del cristal hace que
se comporten como un gas clásico o maxweliano.

Portadoras De Carga

En un cristal hay dos clases de portadores de carga: electrones y huecos. Si bien

estos últimos son ficticios, ya que resultan de un estado vacante en la banda de
valencia, esta condición no invalida los modelos. Sin entrar en detalles, un
semiconductor presenta dos tipos de corriente eléctrica:

 Corriente de arrastre (o deriva): debida a un campo eléctrico.

 Corriente de difusión: debida a la diferencia de concentración de
portadores.
Tipos De Semiconductor

Una de las propiedades más importantes de los semiconductores es la cantidad de

portadores como función de la temperatura. El modelo de las 2 corrientes es el usado
para describir los portadores, donde los electrones exitados son los que conducen cargas
negativas y los huecos transportan carga positiva. Así que las cantidades importantes a
determinar son la cantidad de portadores en la banda de conducción (   ) y la cantidad
de portadores en la banda de valencia (   ).

Dependiendo de la relación entre la cantidad de portadores en cada banda podremos

clasificar a los semiconductores. Así es como si la cantidad de portadores (huecos) en la
banda de valencia es igual a la cantidad de portadores de la banda de conducción
(electrones) tendremos lo que se llama un semiconductor intrínseco ( ). Si, en
cambio, la relación cambia se dice que es un semiconductor extrínseco.

El caso intrínseco se da en cristales puros, donde la densidad de carga es despreciable.

Las bandas de conducción solo pueden ser ocupadas por electrones que abandonaron la
banda de valencia, dejando una vacancia, o sea un hueco. De esta manera la cantidad de
cada tipo de portador esta siempre balanceada.

El caso extrinseco, por el contrario, tiene exceso ya sea de electrones o huecos. Esto se
debe que el cristal puro se encuentra "contaminado" con un átomo de otro tipo que puede
agregar un donor (electron) o un aceptor (hueco), esto pasa cuando ese átomo
contaminante tiene una cantidad distinta de electrones en la capa de valencia a los de la
red pura.

Contaminación O Dopaje
Los semiconductores en sí no presentan propiedades prácticas, por esto se los contamina
para darles alguna propiedad especial, como alterar la probabilidad de ocupación de las
bandas de energía, crear centros de recombinación, y otros.

Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con elementos pentavalentes

(As, P o Sb); al tener éstos elementos 5 electrones en la última capa, resultará que al
formarse la estructura cristalina, el quinto electrón no estará ligado en ningún enlace
covalente, encontrándose, aún sin estar libre, en un nivel energético superior a los cuatro
restantes. Si consideramos el efecto de la temperatura, observaremos que ahora, además
de la formación de pares e-h, se liberarán también los electrones no enlazados, ya que la
energía necesaria para liberar el electrón excedente es del orden de la centésima parte de
la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes (en torno a 0,01 eV).

Así, en el semiconductor aparecerá una mayor cantidad de electrones que de huecos; por
ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energía eléctrica y
puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a
éstas se las llama donadoras. Aún siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue
cumpliendo, dado que aunque aparentemente sólo se aumente el número de electrones
libres, al hacerlo, se incrementa la probabilidad de recombinación, lo que resulta en un
disminución del número de huecos p, es decir: :n > ni = pi > p, tal que: n·p = ni² Por lo que
respecta a la conductividad del material, ésta aumenta enormemente, así, por ejemplo,
introduciendo sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio, la conductividad es
24100 veces mayor que la del silicio puro.
En cambio si se ha dopado con elementos trivalentes (Al, B, Ga o In), las impurezas
aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras (de electrones, se entiende).
Ahora bien, el espacio vacante no es un hueco como el formado antes con el salto de un
electrón, si no que tiene un nivel energético ligeramente superior al de la banda de
valencia (del orden de 0,01 eV).

En este caso, los electrones saltarán a las vacantes con facilidad dejando huecos en la
banda de valencia en mayor número que electrones en la banda de conducción, de modo
que ahora son los huecos los portadores mayoritarios. Al igual que en el caso anterior, el
incremento del número de huecos se ve compensado en cierta medida por la mayor
probabilidad de recombinación, de modo que la ley de masas también se cumple en este
caso.

Bandas De Energía

El objetivo principal de la teoría de las bandas es el de encontrar un modelo

analítico o matemático, que describa cuantitativamente el comportamiento de una
partícula cargada en el cristal, como si se estructurara del que tiene una partícula
libre como una peculiar masa denominada masa efectiva.

Cuando el electrón pasa cerca de un átomo es acelerado y cuando se aleja es

desacelerado, hasta que entra dentro del campo eléctrico del siguiente átomo.
Este proceso se repite átomo tras átomo, por lo que el campo de energía potencial
del cristal ideal es periódico.

Se sabe por la mecánica cuántica que la expresión que proporciona los niveles de
energía discretos de un electrón en un pozo unidimensional y simétrico es :
Considerando analíticamente el comportamiento del electrón en redes periódicas
(redes de bravais) mediante un modelo basado en un potencial periódica de forma
cuadrada en un cristal unidimensional de dimensiones infinitas se describe el
potencial periódico de forma cuadrada.

Para algunos valores de energía e, el primer miembro resulta mayor que la unidad
por lo que el electrón no puede tener estas energías. Esta es la explicación de que
aparezcan bandas de energía prohibida.

Unión PN
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes
electrónicos comúnmente denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores  BJT. Está formada por la unión metalúrgica
de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican
de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico.
Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o
compuesto químico.

Silicio Puro E Intrinseco

Los cristales de Silicio están formados a nivel atómico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de
valencia del átomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe
mencionar: el de hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja
un electrón cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrón libre.
Esto es lo que se conoce como pares electrón - hueco y su generación se debe a
la temperatura (como una aplicación, al caso, de las leyes de la termodinámica) o
a la luz (efecto fotoeléctrico). En un semiconductor puro (intrínseco) se cumple
que, a temperatura constante, el número de huecos es igual al de electrones
libres.

Malla cristalina del Silicio puro.

Silicio Extrinseco Tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

sustituyéndole algunos de los átomos de un semiconductor intrínseco por átomos con
menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrión, normalmente trivalente, es
decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para
poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos).

Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente
vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido
como impurezas aceptoras.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusión,
uno de los átomos vecinos le ceda un electrón completando así sus cuatro enlaces. Así
los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado
negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en
general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del
átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por
un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando
un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la
excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios,
mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los
diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas deboro (B), son un ejemplo de un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Silicio Extrinseco Tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un

cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa
de valencia, al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga
libres (en este caso, negativos, electrones libres).

Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente
vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también
conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al semiconductor.

El propósito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el

material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo N considérese el caso
del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej.
fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de
un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón
no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de electrones libres, el
número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrón extra que "dar", son llamados átomos donantes. Nótese que cada electrón libre
en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

Barrera Interna De Potencial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al

establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unión, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de
potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexión, de
vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin
embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y
terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V
si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro,
la zona de carga espacial es mucho mayor.
Polarización Directa De La Unión P-N

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como
se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y
una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes
de la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los
átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón
que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo
que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de
valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones
negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al

efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a
ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA)
denominadacorriente inversa de saturación. Además, existe también una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre
indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la
superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para
realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. A
medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial
de fugas es despreciable.

Diodo emisor de luz (LED)

Emisión Espontánea
 Potencia De Salida De Led
 Eficiencia Cuántica Interna
 Eficiencia Cuántica Externa
 Extremadamente Pequeña, Alrededor De 1%
 Eficiencia Cuántica Es La Multiplicación De Las Eficiencias Tanto Interna
Como Externa.
Su Funcionamiento Se Basa En Dos Premisas:
 Causar Un Flujo De Corriente En La Región Donde Se Produce La Luz.
 Acoplar La Luz Producida A Una Interfaz De Salida.
 Existen Dos Tipos De Estructura Basados En La Forma De Colectar La Luz Que
Emana De La Región Activa:
 Led De Emisión Superficial (Burrus)
 Tiene Eficiencia Cuántica Mayor
 Tamaño Comparable Con El De La Fibra
 Led De Emisión Lateral.
 La Intensidad De Salida Es Mayor Y El Ancho Del Haz Es Menor.
 Medidas Son De 10x300M
 Ambos Tipos Pueden Ser De Uniones Simples P-N O Heteroestructuras
Materiales
 Eg Debe Ser Apto Para Generar Luz A Determinada Longitud De Onda.
 Indice De Refracción Y Coeficiente De Recombinación.
 Gaas, Gap, Inas, Inp, Elementos De La Tabla Periódica De Los Grupos Iii Y V.
Características De Frecuencia (Led)
 La Frecuencia De Radiación Del Led Se Determina Por La Energía De
Radiación De Los Fotones.
Un Led De Asga Opera A Una Temperatura Ambiente Con Una Eficiencia
Cuántica Total De =0.2. Cuando La Corriente Del Diodo Es De 50ma, Encuentre
La Longitud De Onda, El Ancho Espectral Y La Potencia Optica De Salida.
 Un Led Ingaasp Con Una Banda Prohibida De 0.9 Ev A 320ºk, Es Usado Como
Tx En Un Sistema Pcm. La Dispersicón De La Fibra Es De 30ps/Km.Nm.
Encuentre La Dispersión Total Para 50km De Fibra. Si Reducimos La Temperatura
A 77 ºk Cual Es El Factor De Reducción De La Dispersión.
La Onda De Luz Del Led No Tiene Una Frecuencia Central Sinusoidal Bien
Definida
 Los Fotones Emitidos Son Independientes Unos De Otros
 No Tienen Frecuencias Y Fases Bien Definidas
 Se Usa Modulación En Intensidad
 La Potencia De Salida Es Linealmente Proporcional A La Corriente De Entrada.
Se Suma La Señal De Corriente Variante A La De Polarización.
 Fuente De Luz Importante Para Scfo.
El Led Responde A Un Disturbio En La Densidad De Portadores A Una Razón
Máxima, Que Está Ligada A Una Constante De Tiempo.
 Hay Una Frecuencia Máxima Correspondiente Para Una Modulación Sinusoidal
De Intensidad.
 El Ancho De Banda De La Modulación Es:
 Para Pcm La Mínima Duración Del Pulso Debe Ser De Dos A Tres Veces El
Tiempo De Decaimiento.
Heteroestructuras
 Es Posible Mejorar Las Características De Dispositivos Controlando Mejor Las
Propiedades De Los Materiales Utilizados Para Fabricar Los Led
 Si Se Utilizan 2 O Más Materiales Diferentes Para Formar Un Dispositivo
Semiconductor A Cristal Se Les Llama De Heteroestructura.
 Los Materiales Utilizados Deben Tener Las Mismas Dimensiones Físicas De
Red Cristalina, Para Que El Cristal Resultante No Presente Tensión Mecánica
Entre Los Dos Materiales, Pero Sus Propiedades Eléctricas Y Electrónicas Son
Diferentes.

Diodo Laser

Los Diodos láser, emiten luz por el principio de emisión estimulada, la cual surge
cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a
pasar al estado de reposo, este proceso esta acompañado con la emisión de un
fotón, con la misma frecuencia y fase del fotón estimulante. Para que el numero de
fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontánea, para
que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es
necesario por un lado tener una fuerte inversión de portadores, la que se logra con
una polarización directa de la unión, y por el otro una cavidad resonante, la cual
posibilita tener una trayectoria de retroalimentación positiva facilitando que se
emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de
onda haciendo mas angosto al espectro emitido.

La presencia de una inversión grande de portadores y las propiedades de la

cavidad resonante hacen que las características de salida (potencia óptica como
función de la corriente de polarización) tenga un umbral a partir del cual se obtiene
emisión estimulada, el cual es función de la temperatura.
Un diodo láser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que
significa que todas las ondas luminosas están en fase entre sí. La idea básica de
un diodo láser consiste en usar una cámara resonante con espejos que refuerza la
emisión de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta
resonancia, un diodo láser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso,
enfocado y puro.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.

APLICACIÒN BÀSICA
La aplicación básica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de
alimentación lumínica para sistemas de telecomunicaciones vía fibra óptica. El
diodo láser es capaz de proporcionar potencia óptica entre 0.005-25mW, suficiente
para transmitir señales a varios kilómetros de distancia y cubren un intervalo de
longitud de onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar un diodo láser
como fuente lumínica, es necesario diseñar un sistema de control que mantenga el
punto de operación del sistema fijo, debido a que un corrimiento de este punto
puede sacar al diodo fuera de operación o incluso dañarlo.

CARACTERISTICAS BASICAS
Característica de salida de los diodos láser Dependencia de la característica de
salida como función de la temperatura.

Los diodos láser son más recomendables como fuentes ópticas para sistemas de
comunicación con grandes separaciones entre repetidores y altas velocidades de
transmisión. Se puede lograr distancias de 100Km sin repetidores con velocidades
de 1 GHz.
Diferencias del diodo láser con un diodo LED.

LASER LED
*Más rápido *Mayor estabilidad térmica
*Menor potencia de salida, mayor
*Potencia de salida mayor tiempo de vida
*Emisión coherente de luz *Emisión incoherente
*Construcción es más compleja *Mas económico
*Actúan como fuente s adecuadas
en sistemas de Se acoplan a fibras ópticas en
telecomunicaciones distancias cortas de transmisión
*Modulación a altas velocidades, *Velocidad de modulación hasta
hasta GHz 200MHz

Ventajas del diodo láser con un diodo LED

La emisión de luz es dirigida en una sola dirección: Un diodo LED emite fotones en
muchas direcciones. Un diodo láser, en cambio, consigue realizar un guiado de la
luz preferencial una sola dirección.

La emisión de luz láser es monocromática:

 Los fotones emitidos por un láser poseen longitudes de onda muy cercanas entre
sí. En cambio, en la luz emitida por diodos LED, existen fotones con mayores
dispersiones en cuanto a las longitudes de onda.

Con el láser se pueden conseguir rayos de luz monocromática dirigidos en una

dirección determinada. Como además también puede controlarse la potencia
emitida, el láser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que
sea necesario entregar energía con precisión.
Un diodo láser requiere de una fuente de alimentación de 100 a 200 mW. Se les
hizo funcionar primero en el modo de pulsos en 1962. Luego se usaron en
operación en onda continua (OC) en los años setentas.

Los diodos láser han tenido uso extenso como emisores en comunicación por
fibras ópticas de alcance corto y largo, y como sensores en los reproductores de
discos de compactos (DC). Los diodos láser se modulan con facilidad,
conmutando la corriente de entrada a conectado y desconectado

Los diodos láser de un solo modo, capaces de emitir de 20 a 50 mW, tienen

demanda para grabación óptica, impresión a alta velocidad, sistemas de
distribución de datos, transmisión de datos y comunicaciones espaciales entre
satélites en órbita.

Tipos De Fuentes De Luz

Se puede decidir tener una fuente de luz que sea tratada como si estuviera
localizada eninfinitamente lejos de la escena o una que sea cercana a la escena.

Direccional

El primer tipo referido, se conoce como fuente de luz direccional; el efecto de una
localización en el infinito es que los rayos de luz pueden considerarse paralelos en
el momento que alcanzan un objeto.

A la función glLight*() se le pasa un vector de cuatro valores (x,y,z,w) para el

parámetro GL_POSITION. Si el último valor, w, es cero, la fuente de luz
correspondiente es de tipo direccional y los valores (x,y,z) describen su dirección.

Posicional
El segundo tipo referido se conoce como fuente de luz posicional, ya que su
posición exacta dentro de la escena determina el efecto que tiene sobre esta,
específicamente, la dirección desde la cual vienen los rayos de luz.

A la función glLight*() se le pasa un vector de cuatro valores (x,y,z,w) para el

parámetro GL_POSITION. Si el último valor, w, es distinto de cero, la fuente de luz
correspondiente es de tipo posicional y los valores (x,y,z) especifican la
localización de la fuente de luz.

Para luces en el mundo real, la intensidad de la luz decrece a medida que

aumenta la distancia desde la fuente de luz. Ya que una luz direccional está
infinitamente lejos, no tiene sentido atenuar su intensidad con la distancia, luego la
atenuación está desactivada para luz direccional. OpenGL atenúa una fuente de
luz multiplicando la contribución de esa fuente por un factor de atenuación.

Spotlight

Una luz posicional irradia en todas las direcciones, pero se puede restringir esto
deforma que se produzca un cono de luz definiendo lo que se conoce como una
luz tipo spotlight (un ejemplo puede ser una lámpara tipo flexo).
Por lo tanto, para definir un spotlight hay que determinar la apertura deseada del
cono de luz. (Recordar que, puesto que las spotlights son luces posicionales, hay
que darles una localización). Para especificar el ángulo entre el eje del cono y un
rayo a lo largo del borde del cono, usar el parámetro GL_SPOT_CUTOFF.

Por defecto el valor del parámetro es 180º, es decir, irradia en todas las
direcciones (360º). Los valores que puede tomar, a parte del particular 180, están
comprendidos en el intervalo [0,90].
También hay que especificar la dirección del eje del cono de luz, para lo cual se
utiliza el parámetro GL_SPOT_DIRECTION.

Hay dos formas de controlar la intensidad de la distribución de la luz dentro del

cono:

Fijando el factor de atenuación descrito anteriormente, el cual es multiplicado por

la intensidad de la luz.

Fijando el parámetro GL_SPOT_EXPONENT que controla cómo es la luz de

Concentrada. La intensidad de la luz es más alta en el centro del cono. La luz se
atenúa hacia los bordes del cono luz, luego a mayor exponente resulta en una
fuente de luz más focalizada.

LANZAMIENTO Y ACOPLE DE POTENCIA

LANZAMIENTO DE LA LUZ

Para enviar una señal por un cable de fibra óptica se necesita una fuente de luz.
Puede ser un LED (diodo emisor de luz), un láser (amplificación de luz por emisión
estimulada de radiación) o un VCSEL (láser emisor de superficie vertical). Los
láseres y los VCSEL proporcionan una fuente de luz más intensa y enfocada por lo
que pueden transmitir mayores distancias que sus equivalentes LED. El equipo
que genera la señal mediante las dos últimas tecnologías es más caro que una
fuente LED.Con independencia del tipo de fibra, el hecho de situar los pulsos de
luz en la fibra se conoce como "lanzar". El método de lanzamiento puede variar
desde un lanzamiento saturado a un lanzamiento de modo restringido. La ruta de
la luz se llama modo. En un lanzamiento saturado, la luz introduce una señal de
mayor tamaño que el núcleo real de la fibra. Eso permite que todos los modos se
exciten. En lanzamiento de modo restringido, se introduce un núcleo de luz más
pequeño que excita sólo determinados modos en la fibra. En monomodo, sólo se
excita una única ruta o modo.

Los pulsos de luz pueden dispersarse dentro de la fibra con la distancia, lo que se
conoce como dispersión. Cuando los pulsos se superponen, pueden limitar la
capacidad del receptor para registrar pulsos distintos, limitando en consecuencia
el ancho de banda de una fibra. La luz viaja a diferentes velocidades en diferentes
colores también. Para contrarrestar cierta pérdida de dispersión, la fuente de luz
puede proporcionar lo que se llama un lanzamiento restringido, normalmente
empleado para aplicaciones de mayor velocidad.

En vez de llenar todos los modos en una fibra con luz, sólo determinados modos
se excitan y por lo tanto se restringe la gama de pulsos y los efectos de dispersión.
A longitudes de onda más largas para velocidades de gigabit funcionando en
calidades más antiguas de fibra multimodo de 62,5/125 micras, el lanzamiento
restringido provoca retardo de modo diferencial (las señales no llegan al receptor
al mismo tiempo). Para esas aplicaciones, deben utilizarse latiguillos
acondicionadores de modo. Esos latiguillos proporcionan un desfase de manera
que la luz no entra directamente en el centro del núcleo de la fibra. Al desfasar el
haz hacia un área fuera del centro del núcleo, la dispersión se minimiza. Debe
utilizarse un juego de latiguillos de lanzamiento restringido en cada extremo del
sistema.

El ancho de banda de la fibra es la capacidad de transmisión de información de la

fibra. Es inversamente proporcional a la cantidad de dispersión. Así, la medida en
la que pueda controlarse la dispersión determina esencialmente el ancho de
banda utilizable de la fibra.

PATRON DE EMISION DE LA FUENTE

El objetivo de cualquier medida de certificación es proporcionar indicaciones

Pasa/Falla en las que el usuario final y el contratista de la instalación puedan
confiar. Las ‘condiciones de emisión’ han demostrado tener una influencia
importante en la precisión y la coherencia de las mediciones de pérdida de fibra
óptica.

Hemos visto que la luz se propaga en muchos modos por la fibra multimodo de
índice gradual. El número de modos utilizados por la emisión y el nivel de energía
en cada modo afecta a las medidas de potencia. Si las condiciones de emisión no
están controladas de una herramienta de prueba a otra, cada herramienta puede
proporcionar resultados diferentes de medición y prueba; una indicación cierta de
que ninguno de ellos son correctos o fiables.
El objetivo es controlar las condiciones de emisión de modo que las herramientas
de prueba compatibles produzcan resultados que se encuentren dentro de un
estrecho margen alrededor del verdadero valor de pérdida.

Factores que influyen en las condiciones de emisión. Los LEDs son las fuentes de
luz preferidas para comprobar las pérdidas en enlaces de fibra multimodo. Vimos
cómo los VCSELs se han convertido en la fuente de luz de elección para todas las
aplicaciones de red de alto rendimiento con fibra multimodo porque los VCSELs
tienen la capacidad de modulación necesaria para proporcionar pulsos cortos en
una rápida sucesión, y así admitir la velocidad de datos de las aplicaciones a 1 y
10 Gbps. Pero los VCSELs no son adecuados para la comprobación de pérdida
porque cada VCSEL puede utilizar un conjunto de modos diferente con niveles de
energía variables en cada modo. Además, la comprobación de pérdida se realiza
con una onda de luz constante en lugar de una señal modulada.

Los LEDs producen un cono de luz que se reparte uniformemente en el extremo

de la fibra, incluso más allá del núcleo. Los LEDs crean una condición de “emisión
en desbordamiento”. El grado de desbordamiento, sin embargo, produce
importantes variaciones en la medición de pérdida. Una fuente de luz láser como
un VCSEL crea una condición de “emisión restringida”. Estas fuentes iluminan un
estrecho cono de luz en el centro del núcleo. Una condición de emisión restringida
puede no detectar correctamente problemas en el enlace de fibra y, por
consiguiente, proporcionar un resultado más favorable de la prueba.
Control de las condiciones de emisión. Con los años, se han desarrollado
mejores métodos para controlar estas condiciones de emisión en desbordamiento
en un estrecho margen con el objetivo de producir resultados de prueba de
pérdida precisos y repetibles. Las normas establecieron dos métricas
independientes para caracterizar y controlar las condiciones de emisión. Son la
Distribución de Potencia Modal y la Relación de Potencia Acoplada.

La Distribución de Potencia Modal (Modal Power Distribution, MPD) mide el nivel

relativo de potencia en los diferentes modos transferidos entre la fuente de luz y el
TRC. Deberá satisfacer esta métrica el diseño del equipo, así como la selección
de diodos LED y el acoplamiento dentro el instrumento de fuente de luz entre el
LED y la conexión interna de fibra. (Todos los módulos de prueba de fibra óptica
diseñados y fabricados por Fluke Networks desde 2002 cumplen los requisitos de
MPD).

La Relación de Potencia Acoplada (Coupled Power Ratio, CPR) es una medida de

la cantidad modal de relleno en una fibra multimodo (latiguillo de referencia de
prueba). Se hizo popular porque se puede medir en campo. Tanto la fuente de luz
como el TRC (Un TRC es un latiguillo de fibra de alta calidad de entre 1 y 3 m con
conectores de alto rendimiento en cada extremo) pueden ser clasificados con un
índice CPR. Un valor de CPR se mide como la pérdida entre un TRC multimodo y
un TRC monomodo acoplado. Cuando la luz de la fibra multimodo contiene
energía significativa en los modos de orden superior, la pérdida de este
acoplamiento será mayor que cuando la fibra multimodo lleva menos energía en
los modos de orden superior. El valor de esta medida de pérdida define la
condición de desbordamiento deseada cuando se utiliza una fuente de luz con
MPD compatible. Las normas especifican los valores de la pérdida CPR; un índice
CPR de 1 es la tasa deseada y recomendada para las mediciones de certificación
de los enlaces de fibra óptica multimodo.
Mandril. Ya que un equipo de prueba con una fuente de luz con MPD compatible
en combinación con TRCs con CPR de índice 1 puede producir diferentes
resultados de pruebas de pérdida, se han diseñado más pasos aún para limitar
esta variabilidad en los resultados. Es necesario el uso de un mandril para
comprobar enlaces multimodo de fibra óptica para obtener mediciones de pérdida
más precisas. El mandril adecuado limita las incertidumbres de la medición y
mejora la precisión de la medida de pérdida.
Un mandril es un pequeño cilindro con un diámetro especificado que depende del
tamaño del núcleo y la construcción de la fibra del TRC

Lanzamiento de potencia versus longitud de onda

Especificaciones ISO para ancho de banda multimodo

Nota: El ancho de banda efectivo de lanzamiento de láser se garantiza usando

retardo de modo diferencial (DMD), como se especifica en IEC/PAS 6073-1-49.
Especificaciones TIA para ancho de banda multimodo
ISO/IEC 11801 Ed2.0 define tres tipos ópticos de fibra multimodo. OM1
principalmente comprende la fibra histórica de 62,5/125 micras. OM2 tiene un
ancho de banda efectivo de 500 MHz•km a ambas longitudes de onda y
representa la fibra de calidad estándar de 50/125 micras. OM3 tiene un ancho de
banda de 1500/500 MHz•km para lanzamientos saturados y 2000 MHz•km con un
lanzamiento de modo restringido, y se conoce por TIA/EIA como fibra “optimizada
para láser” de 50/125 micras.

La pérdida de potencia en función de la longitud de onda, se denomina

ATENUACION ESPECTRAL, los factores que originan la atenuación son:
absorción, scattering y radiación. Aunque la fibra óptica está fabricada con silicio
de alta pureza, pueden aparecer pequeñas impurezas e imperfecciones que
hagan que parte de la potencia se pierda o se convierta en otro tipo de energía.
La impureza más importante son los iones OH, procedentes de una deficiente
eliminación de agua. Debido a estos iones aparece una frecuencia de resonancia
a 1390 nm que hace que la atenuación aumente en este punto. En fibras
comerciales actuales se ha reducido este pico de dispersión, son las fibras LWP
(Low Water Peak) bajo recomendación ITU-T G.652.D, como se puede apreciar en
la imagen a continuación.
CALCULO DE ACOPLE DE POTENCIA

Los acopladores (o acopladores direccionales) son componentes pasivos. Éstos

operan en el dominio óptico y se emplean en la distribución y combinación de
señales, la realización de multiplexación y demultiplexión por longitud de onda, la
construcción de otros componentes ópticos y la monitorización de sistemas.

Las configuraciones en que se presentan estos dispositivos son:

• Acopladores: estructura con N puertos de entrada y N de salida (con N = 2).
Este dispositivo divide el campo que entra por uno de los puertos de entrada entre
los 2 terminales de salida.
• Divisores (splitter) y taps: estructura con 1 puerto de entrada y 2 puertos de
salida. La diferencia entre un splitter y un tap es el elevado coeficiente
acoplamiento en este último.
• Combinadores: estructura con 2 puertos de entrada y 1 de salida (misma
estructura que un splitter pero al revés).

Otros componentes ópticos pasivos son los aisladores ópticos que transmiten la
luz en una única dirección. Éstos son muy importantes en los sistemas de
comunicaciones ópticos para evitar que las reflexiones de las señales alcancen a
otros dispositivos y puedan dañarlos, como por ejemplo a los láseres. Otro
componente óptico pasivo es el circulador. El circulador es un tipo de aislador
óptico cuya funcionalidad es permitir el paso de toda la luz que entra por uno de
sus puertos hacia el siguiente puerto.
Estos componentes están caracterizados por la matriz de scattering, que expresa
la relación entre los campos eléctricos de cada puerto de salida con los campos
eléctricos de las entradas.

El parámetro α se denomina coeficiente de acoplamiento o de acoplo, y

determina cuanta potencia se dirige a cada puerto de salida. La potencia óptica
acoplada de una fibra a otra puede ser variada a modificando la longitud de la
región de acoplamiento y el grado de reducción del radio de la fibra (como se
muestra en la figura el radio de las fibras que forman el acoplador se reduce
gradualmente antes de la región de acoplamiento), entre otros parámetros.

Estructura de un acoplador 1x2, también llamado divisor o splitter

En el soplador 2 x 2 del ejemplo, P0 es la potencia de entrada, parte de esta

potencia se transmite a los puertos de salida, P1 (potencia transmitida por la fibra
1) y P2 (potencia acoplada a la fibra 2), y otra pequeña parte es reflejada a hacia
las entradas, P3 y P4 ; cuyos valores están comprendidos entre -50 y -70 dB por
debajo de la potencia de entrada.
En este tipo de dispositivos el coeficiente de acoplamiento depende de la longitud
de onda de la señal óptica, por lo que se llaman acopladores selectivos en
frecuencia; aunque se pueden construir acopladores independientes de λ , que es
el caso más común. La principal utilidad de los acopladores selectivos en
frecuencia es acoplar in láser de bombeo en un amplificador de fibra dopada con
erbio, Erbium Doped Fiber Amplifier (EDFA).

Los parámetros que caracterizan a un acoplador son,

El coeficiente de acoplamiento,

Pérdidas en exceso, excess loss, es decir, las pérdidas del dispositivo,

Pérdidas de inserción, insertion loss, este parámetro se refiere a las perdidas

asociadas a un camino en concreto.

Pérdidas de retorno, return loss , este parámetro mide el aislamiento entre la

potencia de entrada y la potencia óptica reflejada en el mismo puerto,

Crosstalk, este parámetro mide el aislamiento entre la potencia de entrada y la

potencia óptica reflejada en otro puerto de entrada,

ABERTURA NUMERICA DE EQUILIBRIO

ABERTURA NUMERICA
La abertura numérica (NA, de numerical aperture) se relaciona en forma estrecha
con el ángulo de aceptación, el cual es el ángulo máximo que pueden formar los
rayos luminosos externos al llegara la interfaz aire-fibra para poder propagarse por
la fibra, y viene a ser la figura de merito que suele usarse para medir la magnitud
del ángulo de aceptación. En esencia, se usa la abertura numérica para describir
la capacidad de reunir la luz que tiene una fibra óptica y para calcular la eficiencia
de acoplo fibra/fuente. Mientras mayor sea la abertura numérica, la fibra acepta
mayor cantidad de luz externa. Para fibras unimodales o multimodales, la abertura
numérica se define como el seno del ángulo máximo que un rayo de luz que entra
a la fibra puede formar con el eje de la fibra, y propagarse por el cable por
reflexión interna, es decir, el seno del medio ángulo de aceptación. Los rayos de
luz que entran al cable desde el exterior del cono de aceptación entraran al
revestimiento y, en consecuencia, no se propagaran por el cable. Así, para la luz
que entra en la fibra desde el espacio libre, la abertura numérica es
La potencia irradiada de las fuentes de luz (LED y diodo láser) tienen que ser
acoplada en la fibra óptica eficazmente y establemente. Dos tipos de acoplamiento
son posibles:

1. Acoplamiento directo - Para las fuentes de emisión por la superficie,

la distribución de la intensidad óptica radiada, por unidad de anglo sólido
y por unidad de superficie de área de emisión (W/cm2.sr), es dado por
(emisión Lambertiana):

Donde Ies la intensidad de radiación, en la dirección del normal a la

superficie de radiación. En general: LED de emisión superficial ~1%;
diodo láser ~10%.
2. Acoplamiento por lente - Las lentes pueden ser usada para mejorar el
acoplamiento si: (1) La abertura numérica de la fibra óptica (N.A) es mayor que
la abertura numérica de la fuente de luz. (2) La área de emisión de la fuente de luz
es menor que el núcleo de la fibra óptica. (3) La anchura espectral de la fuente de
luz estrecha. En general: LED de emisión lateral ~10%; diodo láser ~70%.

Uniones Fibra A Fibra, Pérdidas Relacionadas A La Fibra

Un cable de fibra óptica bien elaborado de fábrica, normalmente no presenta

ningún tipo de pérdida de luz, pero en realidad sufre varias perdidas de las cuales
las más usuales son:

Pérdidas por dispersión de Rayleigh.

Durante el proceso de fabricación, el vidrio es producido en fibras largas de un
diámetro muy pequeño, durante este proceso, el vidrio esta en un estado plástico (
entre liquido y sólido ).La tensión aplicada al vidrio durante este proceso causa
que el vidrio se enfríe y desarrolle irregularidades submicroscópicas que se
forman, de manera permanente en la fibra. Los rayos de luz que inciden en estas
irregularidades se difractan causando que la luz se disperse en muchas
direcciones.

Pérdidas por dobleces.

Las pérdidas por dobleces ocurren en todas las curvas de una fibra óptica, “esto
se debe al cambio del ángulo de incidencia en la frontera núcleo - revestimiento” .
Si el radio de curvatura es mayor que el radio mínimo de curvatura de la fibra, las
pérdidas son despreciables o viceversa.
Pérdidas por acoplamiento.

En los cables de fibra las pérdidas de acoplamiento pueden ocurrir en cualquiera

de los tres tipos de uniones ópticas: conexiones de fuente a fibra, de fibra a fibra
y conexiones de fibra a fotodetector. Las pérdidas de unión son causadas más
frecuentemente por una mala alineación lateral, una mala alineación de
separación y un mal acabado de la superficie, más específicamente

Mala alineación lateral. Ocurre cuando hay un desplazamiento axial o lateral entre
dos piezas de cable de fibra contigua.

Mala alineación de separación. Ocurre cuando se empalman fibras, las fibras

deben tocarse, entre más separadas estén las fibras mayor será la pérdida de luz.

Mal acabado de superficie. Las puntas de las dos fibras a unir deben estar
altamente pulidas, de lo contrario éstas no podrán alinearse.

Existen dos tipos de acoplamiento básico: acoplamiento por empalme y

acoplamiento por conector.

El acoplamiento por empalme es una técnica que ese utiliza para unir
permanentemente dos fibras ópticas en una conexión de bajas pérdidas. Esta
conexión se puede realizar usando uno de estos dos métodos: empalmes por
fusión o empalme mecánico. Un empalme por fusión proporciona la conexión de
pérdidas más bajas. Para realizar este tipo de empalme se utiliza un dispositivo
denominado empalmadora de fusión. La empalmadora de fusión alinea con
precisión las dos fibras, generando un pequeño arco eléctrico para soldar las dos
fibras. Un empalme mecánico es una técnica alternativa de empalmado que no
requiere una empalmadora de fusión. Un empalme mecánico es un conector de
fibra pequeño que alinea dos fibras desnudas de manera precisa y que las
asegura mecánicamente. Para fijar permanentemente la unión se utilizan cubiertas
de epoxi o resina sintética directamente sobre las fibras desnudas. Normalmente
luego de realizar un empalme, éste debe ser protegido, por lo que se coloca en
una bandeja de empalmes la cual se cierra a presión, luego ésta es colocada en
una caja de empalmes de tal manera de proteger la bandeja de empalmes
posibles daños de animales o causados por las condiciones del ambiente.

El acoplamiento por conector no es más que un empalme, pero en vez de ser

fibra a fibra, es de fibra a conector. Para acoplar un conector a una fibra se debe
tener en cuenta el tipo de conector que se va a usar y el lugar en que se
encuentra, de tal manera que si instala un panel de conexiones deberán usarse
también cordones de conexión o latiguillos. Un latiguillo no es más que un cordón
de conexión cortado a la mitad, y un cordón de conexión es un cable de fibra
óptica de corta longitud con conectores en ambos extremos. Un latiguillo de fibra
óptica se usa para terminar una fibra óptica con un conector, el latiguillo se
empalma a la fibra óptica para proporcionar una terminación de calidad con un
conector de fábrica. Las pérdidas de luz de una fibra se mide normalmente en
decibelios (dB), que no es más que la cantidad de potencia de onda de una señal.

Perdidas Extrinsecas. (Desalineamientos Mecánicos)

Las perdidas extrínsecas son producidas por desalineamientos mecánicos de la

unión de las fibras ópticas. Este desalineamiento causa pérdidas de radiación ya
que el cono o ángulo de aceptancia de la fibra emisora, no concuerda con el cono
de aceptancia de la fibra receptora.
Existen tres tipos principales de desalineamiento:
1. DESPLAZAMIENTO O FALLA AXIAL. Ocurre donde los ejes de la fibra no
están colineales sino que están separados paralelamente por una distancia
determinada.

2. DESALINEAMIENTO O FALLA ANGULAR. Sucede cuando los ejes de la fibra

forman un ángulo y las caras de los extremos exceden de su separación máxima
permitida.

3. SEPARACION LONGITUDONAL. Ocurre cuando la fibra óptica al unirse sobre

un mismo eje pero tienen un espacio entre las caras de los extremos.

TECNICAS DE EMPALME
-Identifique las fibras ópticas a unir y trace la ruta exacta a seguir desde la entrada
del cable a la bandeja de empalmes.

-Pela la cubierta exterior del cable en ambas puntas (aproximadamente dos

metros en cada cable). Si fuese un cable de varias fibras pele primero la
protección de los cables de fibra con la peladora de tubo, y luego quite la cubierta
exterior de cada fibra.

-Limpie cuidadosamente todas las fibras de cualquier gel que pudiera estar
presente en el cable con la solución de limpieza del gel del cable. Utilice guantes
para proteger sus manos de la solución de limpieza.

-Identifique la fibra a empalmar, luego utilizando el pelador de recubrimiento

elimine suficiente recubrimiento de manera tal que queden expuestos 5 cm de la
fibra desnuda aproximadamente.

-Limpie con cuidado la fibra desnuda frotándola en una dirección con una gasa y
alcohol libre de residuos. Se recomienda proteger las manos de la solución de
limpieza utilizando guantes. Después de limpiada la fibra no la ponga en contacto
con ninguna superficie incluso sus manos.

-Prepare la herramienta de corte y seccione la fibra para obtener una superficie

perpendicular (utilice lentes de seguridad durante el proceso de corte). Utilice las
pinzas para introducir el pedazo de fibra cortado en un contenedor con tapa. Haga
este procedimiento con las dos fibras a empalmar.

-Pula la superficie de ambas fibras con una lija y asegúrese de que no queden
residuos dentro de la fibra. Utilice el lente óptico de aquí en adelante.

-Sitúe y alinee las fibras mediante un conector mecánico, utilice una cubierta
adhesiva para sujetar las dos fibras, asegúrese nuevamente de que las fibras
estén alineadas y luego recubra el tubo con resina sintética. Deje secar la resina y
luego lleve la fibra a la bandeja de empalmes.
-Para evitar que la fibra se rompa por un esfuerzo de torsión, colóquelo con
cuidado en la bandeja de empalmes y dé vueltas a la fibra alrededor de la misma
asegurándose que no se viole el radio mínimo de curvatura del cable.
Preparación De La Fibra

En esta imagen podemos ver el inicio del

proceso para la preparación de un Cable
de Fibra Optica que será conectado
a un panel de distribución. Como primer
paso, la cubierta exterior del cable de Fibra
Optica debe ser
cuidadosamente retirada.
La cubierta ha sido separada, ahora se
deberá retirar con cuidado para que el
delgado tubo que contiene las Fibras
(en este caso 6) no se rompa o se
quiebren todas o alguna de las fibras. En
caso de quebrarse alguna fibra, se deberá
iniciar todo el proceso, lo cual implica
pérdida de materiales y tiempo
Ahora se acaba de montar en el cable un
soporte especial, el cual llevará acoplado
el o los bifurcadores que separarán cada
una de las fibras. El tubo que contiene las
fibras es de color anaranjado, como se
muestra en la imagen.
Ahora, el técnico ha separado el tubo que
contiene las fibras. 
Este proceso se lleva a cabo con
herramientas especiales, que permiten un
mayor margen de seguridad, evitando así
la rotura de alguna de las fibras. En la
fotografía se pueden ver las seis
Fibras Opticas de este cable.
Las fibras dentro del tubo vienen inmersas
en una "jalea" especial que las aisla de
agentes externos como la humedad.
Esta jalea debe ser retirada totalmente de
Cada una de las fibras, para luego instalar
el bifurcador. En este caso, se está
procediendo a limpiar las fibras con Alcohol
Isopropílico.
Aquí, la imagen nos muestra cuando las
seis fibras han sido introducidas en el
bifurcador. De uno de sus extremos salen
seis tubitos de hule suave (color
anaranjado), lo que permite manipular las
fibras fácilmente. En el otro extremo se
encuentran los minúsculos orificios por
donde son introducidas las fibras.
Ahora podemos apreciar más
detalladamente el soporte y el bifurcador,
los cuales deberán ser acoplados. Este es
un bifurcador para 6 fibras, existen de otras
capacidades. 
En esta imagen y en la anterior ya
podemos ver las delgadísimas fibras en las
que se ha estado trabajando.
A esta altura del proceso podemos ver
acoplados el soporte con el bifurcador de
fibras. Podríamos decir que la parte más
delicada del procedimiento ha terminado.
Ahora se procede a instalar la cubierta del
soporte, la cual le dará fortaleza y
seguridad a esta parte del cable de
Fibra Optica. Esta cubierta plástica es
asegurada por dos tornillos a la base del
soporte

Así podemos apreciar el soporte terminado

y los seis tubos anaranjados del bifurcador,
conteniendo cada uno de ellos una fibra.

En esta imagen tenemos el otro extremo

de los tubos delbifurcador, así como
también la salida de las seis
Fibras Opticas. En estos extremos de las
fibras se procederá a instalar los
respectivos conectores a cada una de
ellas.
En el proceso de instalación del conector
para fibra, procedimiento que también se
ejecuta con herramientas especiales,
podemos ver la "remachadora", utilizada
para fijar y sellar los conectores. Después
de instalado el conector, se
corta la fibra y se procede a pulirla en la
punta de cada uno de los conectores
La fibra deberá quedar bien pulida para así
evitar pérdidas durante la transmisión de la
señal de luz. En el pulido se utilizan tres
tipos de lija muy fina: la de color rojo que
es de 1 micra, la amarilla de 0.5 y la blanca
de 0,38 micras. El proceso se hace a partir
de la más gruesa hasta finalizar en la más
delgada.
Todo este proceso hasta ahora descrito,
termina con el análisis del acabado de la
fibra, para ello usamos un microscopio
y un emisor de luz. Con este microscopio
se puede observar
el pulido de la fibra durante el proceso y
así poder decidir el momento en que la
fibra se encuentra perfectamente pulida
y terminada.
Una vez acabado todo este proceso de
preparación e
instalación de conectores para un cable de
Fibra Optica, en este caso de seis hilos, se
procede a hacer la conexión en el
respectivo panel de distribución
Este panel puede albergar hasta 24 Fibras
Opticas. 
La función del panel es poder interconectar
cada una de las
fibras con los respectivos equipos
transmisores/receptores.

Empalmes en fibras monomodo

Una fibra que tenga un tamaño de núcleo de 8 a 10/125 µm se conoce como fibra
monomodo puede propagar la mayor tasa de datos y tiene la atenuación mas baja.
Se utiliza frecuentemente para aplicaciones de transmisión de datos a alta
velocidad o para largas distancias. Debido al pequeño diámetro de su núcleo, el
equipamiento óptico utiliza conectores de alta precisión y fuentes laser. Esto
aumenta los precios del equipamiento. El equipamiento de las fibras monomodo
cuesta a menudo más que el equipamiento de fibras multimodo. Sin embargo, un
cable de fibras monomodo es más barato que un cable de fibras multimodo.

Cuando se emparejan las fibras ópticas para hacer un empalme o conexión, los
diámetros de los núcleos deben ser del mismo tamaño. Una fibra multimodo de
62,5/125 µm debería empalmarse únicamente con otra fibra multimodo 62,5/125
µm. Las fibras multimodo y monomodo no se pueden conectar o intercambiar .El
equipamiento diseñado para fibras monomodo solo se puede conectar a fibras
monomodo. El equipamiento diseñado para fibras multimodo se puede conectar
solo a fibras multimodo.

La fuente de luz utilizada en fibra óptica  para fibra monomodo es el VCSEL

(Vertical Cavity Surface Emitting Laser), o láser de emisión superficial de cavidad
vertical.

Conectores
Estos elementos se encargan de conectar las líneas de fibra a un elemento, ya
puede ser un transmisor o un receptor. Los tipos de conectores disponibles son
muy variados, entre los que podemos encontrar se hallan los siguientes:
FC, que se usa en la transmisión de datos y en las telecomunicaciones.
FDDI, se usa para redes de fibra óptica.
LC y MT-Array que se utilizan en transmisiones de alta densidad de datos.
SC y SC-Dúplex se utilizan para la transmisión de datos.
ST o BFOC se usa en redes de edificios y en sistemas de seguridad.
Los cables de fibra óptica se unen con conectores especiales o se empalman
entre sí. Los conectores de fibra óptica están hechos de un casquillo, un cuerpo
conector y un mecanismo de acoplamiento. El casquillo es un cilindro delgado que
sostiene la fibra óptica en su centro ahuecado. Los conectores de fibra óptica
pueden fabricarse con metal, plástico o cerámica. El cuerpo del conector está
hecho de plástico o metal. Este sostiene el casquillo y conecta con la funda
exterior del cable. El mecanismo de acoplamiento es el cuerpo que sostiene al
conector en su lugar cuando se conecta a un dispositivo electrónico. Los
conectores de fibra óptica pueden ser un clip de cierre de presión y clic, un
conector con rosca o un conector de tuerca de giro y enganche de estilo bayoneta.

Conectores monomodo

Las botas de los conectores monomodo son azules o blancas. El casquillo del
conector a menudo está hecho de circonio, que es un tipo de cerámica. El
casquillo monomodo tiene un agujero más pequeño que el del casquillo multimodo
y no es detectable a simple vista.
En una fibra monomodo, el conector de Punta Recta (ST) es el más
frecuentemente utilizado.

Perdidas Por Retorno

Unir un conector a un cable de fibra óptica provocará que parte de la luz que
atraviesa esa fibra óptica se pierda.

Independientemente de si el conector fue instalado en fábrica o in situ, su

presencia será la responsable de que parte de la luz se refleje hacia atrás en
dirección a su fuente, el láser. Estos reflejos, que suelen conocerse como pérdida
de retorno (RL), dañan el láser y degradan el rendimiento de la señal. El nivel de
degradación de la señal causado por el RL depende de las especificaciones del
láser; algunos láseres son más sensibles que otros al RL.
La cantidad de pérdida de retorno óptico generada está relacionada con el tipo de
pulido utilizado en el conector.
 FOTODETECTORES

La definición básica de un fotodetector radica en su funcionamiento como

transductor de luz que proporciona una señal eléctrica como respuesta a la
radiación óptica que incide sobre la superficie sensora.

Existen dos tipos fundamentales de detectores de luz, los térmicos y los fotónicos
que operan con mecanismos de transducción diferentes.

Los detectores térmicos absorben (detectan) la energía de los fotones incidentes

en forma de calor con lo que se produce un incremento en la temperatura del
elemento sensor que implica también un cambio en sus propiedades eléctricas
como por ejemplo la resistencia. El cambio en esta propiedad eléctrica en función
del flujo radiante recibido es lo que permite su medida a través de un circuito
exterior. La mayoría de esta clase de fotodetectores son bastante ineficientes y
relativamente lentos como resultado del tiempo requerido para cambiar su
temperatura, lo que les hace inadecuados para la mayor parte de las aplicaciones
fotónicas.

Fig. 4.1 Esquema básico de un dispositivo fotodetector

Los detectores fotónicos no utilizan la energía del fotón en forma de calor, sino
que la invierten en incrementar la energía de sus portadores de carga, con lo que
se modifican las propiedades de conducción eléctrica de los sistemas detectores
en función del flujo de fotones recibido. Este proceso de conversión implica la
transformación de los fotones incidentes en electrones, pero esta respuesta simple
no tendría ninguna relevancia si esos electrones no se ponen en movimiento para
generar una corriente, que es la magnitud que realmente podemos medir, para ello
en ocasiones hay que aplicar un campo eléctrico, dando lugar a un esquema como
el de la figura 4.1. Dado su origen, la corriente así generada recibe el nombre de
fotocorriente. Es a esta clase de detectores a la que nos vamos a dedicar en este
tema.

Propiedades de los detectores fotónicos

Son los más utilizados en los sistemas de comunicaciones, y como ya se ha dicho,

están basados en la capacidad de ionización de un material semiconductor, de
forma que los diferentes dispositivos que veremos no son más que variaciones de
este mismo principio. Para caracterizar el comportamiento de estos detectores,
existen unos parámetros fundamentales a tener en cuenta en el proceso de
selección para cada aplicación particular. Estos parámetros son

Eficiencia cuántica

Responsividad

Tiempo de respuesta

Características de ruido

En general, los fabricantes de dispositivos proporcionan datos relacionados con

estas características fundamentales, aunque en ocasiones no se den éstos de
manera explícita. Aparte de la información de los dispositivos como detectores de
radiación, también hay que tener en cuenta sus propiedades eléctricas en virtud
de las características de componente electrónico que presentan. A lo largo del
tema podremos ver algunos ejemplos de cómo trabajar con estos datos.

En principio, vamos a dar una breve descripción de los parámetros básicos

enumerados anteriormente, indicando los factores más importantes de que
dependen cuando sea necesario.

Eficiencia cuántica ( 0 <= η <= 1 )

Se define como la probabilidad de que un fotón incidente sobre el dispositivo

genere un par de portadores que contribuyen a la corriente del detector. Dado que
en general tendremos una elevada cantidad de fotones incidiendo sobre la
superficie del detector, podemos escribir la eficiencia cuántica como

(4.2.1)

No todos los fotones incidentes generan portadores que contribuyan a

la fotocorriente, los efectos de reflexión en la superficie, transparencia del material
a los fotones de energía inferior a la del gap de energía prohibida del mismo, la
probabilidad de absorción cerca de la superficie del dispositivo y la rápida
recombinación de portadores en este caso por la abundancia de defectos, hace
que la eficiencia cuántica se reduzca. Si tenemos en cuenta estos factores, la
eficiencia cuántica total vendrá dada por

             (4.2.2) 

En la expresión (4.2.2), aparecen tres términos diferentes que afectan a al

eficiencia cuántica. El primero da cuenta de los efectos de reflexión en la
superficie del dispositivo, es decir, de todos los fotones incidentes una fracción no
penetra en el material. El segundo término (ξ ) hace referencia a la fracción de los
fotones incidentes que penetran en el material generando pares eh y que evitan la
recombinación superficial de portadores de carga, con lo que contribuyen a la
generación de corriente útil. El problema de la recombinación superficial puede
minimizarse si se realiza un crecimiento cuidadoso de los cristales que forman los
dispositivos. Finalmente, aparece un término que da cuenta de la fracción de
fotones absorbidos en el material masivo. Aparecen parámetros tales como el
coeficiente de absorción del material (α [cm1]) y la profundidad del fotodetector (d
[cm]). La obtención de este término tiene en cuenta el flujo de fotones
incidente Φo y los absorbidos en función de la capacidad de absorción del material
(figura 4.3). Si tenemos en cuenta la expresión de los fotones absorbidos

               (4.2.3) 

es fácilmente deducible el tercer término de la expresión (4.2.2).

En la figura 4.2 puede verse una representación esquemática de todos los

fenómenos que intervienen en el valor final del factor de la eficiencia cuántica.

Fig. 4.2 Factores que intervienen en la eficiencia cuántica de un fotodetector

Debemos notar que el coeficiente de absorción en la ecuación (4.2.2) depende de

la longitud de onda. Este es uno de los factores principales por los que la
eficiencia cuántica del dispositivo que utilicemos dependerá también de la longitud
de onda. Esta circunstancia da lugar a la necesidad de utilizar diferentes
materiales dependiendo del rango de longitudes de onda a detectar (figura 4.3).
En efecto, si λ > λC, nos encontraremos con η<<, por lo que no será posible la
detección de esa longitud de onda. Si por contra λ << λC, se da el fenómeno de
absorción superficial, lo que como ya sabemos hace que la recombinación de
portadores se de en un tiempo tan corto que no se genera fotocorriente. En este
caso también η <<.

Figura 4.3 Coeficientes de absorción para varios materiales semiconductores

Responsividad R

Es un dato que suelen suministrar los fabricantes de dispositivos (figura 4.4) y que
hace referencia a la corriente que circula por el mismo en función de la potencia
óptica incidente. Si cada fotón incidente generase un pareh, un flujo de
fotones φ produciría el mismo flujo de electrones, con lo que tendríamos
una fotocorriente

(4.2.4) 

por tanto, una potencia óptica incidente

(4.2.5) 

generaría una corriente eléctrica

   (4.2.6)

pero debemos tener en cuenta la fracción de fotones útiles en la generación de

esa corriente, y ese valor nos lo proporciona la eficiencia cuántica, por tanto

(4.2.7)

Según las diferentes relaciones que aparecen en la ecuación(4.2.7), La

responsividad crece con λ hasta que se alcance el valor de la longitud de onda de
corte λC. Al presentar una dependencia con λ, los fabricantes pueden proporcionar
bien una figura con el rango total de longitudes de onda para las que es útil el
dispositivo (fig. 4.4b) o el dato para a la λ a que la responsividad es máxima (fig.
4.4a). La responsividad del detector puede degradarse cuando la potencia óptica
incidente es muy elevada. Se produce entonces la saturación del detector, es
decir, se pierde la relación lineal entre la potencia óptica recibida y la corriente
generada según la ecuación (4.2.7). En general, la responsividad dependerá
también de factores como la temperatura y el ángulo de incidencia de la radiación
sobre el detector (figura 4.4c).

Un dato a tener en cuenta es que la responsividad puede recibir diferentes

nombres en las hojas de características de dispositivos, así en ocasiones nos
encontraremos con que aparece el dato como fotosensibilidad, sensibilidad,
sensibilidad espectral, etc. En estos casos siempre es útil observar las unidades
que se ofrecen.

Algunos dispositivos pueden presentar ganancia, por lo que las expresiones para
la corriente y la responsividad de la expresión (4.2.7) pueden generalizarse sin
más que multiplicar por ese factor de ganancia.

Tiempo de respuesta

Va a ser un parámetro decisivo cuando la radiación incidente varía en el tiempo.

Es un dato que también aparece especificado por los fabricantes para cada
dispositivo particular, aunque en general podemos decir que los fotodiodos y sus
variantes van a ser más rápidos que los fotoconductores, siempre tendremos que
referirnos a los datos de la hojas de características. La rapidez en la respuesta a
las variaciones del flujo de fotones recibido dependerá del propio material, de las
características constructivas del componente y del circuito electrónico al que se
encuentre acoplado. Aún con ciertas precauciones en el siguiente dato, los valores
típicos en la respuesta de los detectores fotónicos suelen ser inferiores al µs. Este
dato puede aparecer en las hojas de especificaciones bajo diferentes formas,
como tiempo de subida y bajada, como frecuencia de operación, etc.
Fig. 4.4 a) Valor de la sensibilidad espectral (responsividad) para una longitud de
onda fija, b) Valores relativos de la responsividad en función de la longitud de onda
y c) Responsividad en función del ángulo de incidencia.

Características de ruido

Ya conocemos la respuesta ideal de un fotodetector a la potencia óptica recibida

(ec.(4.2.4)). Sin embargo el dispositivo también genera una corriente aleatoria que
fluctúa en torno a su valor medio, y estas fluctuaciones pueden llegar a ser críticas
cuando en nuestra aplicación tengamos bajos niveles de luz. Entre las posibles
fuentes de ruido, podremos encontrar la llegada de fotones no deseados al
detector, la generación espontánea de pares eh (corriente de oscuridad), ruido de
ganancia y el ruido asociado a los circuitos electrónicos del receptor. Al ruido
dedicaremos un apartado especial al final de este capítulo.

Detectores Fotónicos: tipos y características

Dentro de la categoría de detectores fotónicos podemos encontrar una gran

variedad de dispositivos, cada uno de ellos presentará unas características
particulares. En este apartado, veremos algunos ejemplos de detectores teniendo
en cuenta las propiedades más importantes. El conocimiento de estas
propiedades podrá ayudarnos en la elección del fotodetector adecuado para cada
aplicación concreta.

Fotoconductores

Constituye el caso más simple de la aplicación de materiales semiconductores a la

detección de radiación óptica, pues consiste simplemente en la absorción de luz
por parte de un trozo de semiconductor con contactos eléctricos, tal y como
aparece en la figura 4.5a. Cuando un fotón alcanza al semiconductor y es
absorbido, se produce la generación de un par eh. La influencia del campo
eléctrico que hay entre los contactos provoca la migración de electrones y huecos
hacia ellos, con lo que se produce un cambio en la resistencia del material en
función de la cantidad de luz que reciben, es decir, su conductividad aumenta
proporcionalmente al flujo de electrones recibido, con lo que se obtiene
una fotocorriente medible en el circuito de la figura 4.5a. Con este tipo de
fotodetectores se puede registrar esa fotocorriente o bien medir la caída de
tensión en una resistencia de carga colocada en serie con el dispositivo.

Fig.4.4. a) Esquema básico de del funcionamiento de un fotoconductor. b)

Configuración más habitual para fotoconductores comerciales.
Una configuración usual de esta clase de detectores es la que se muestra en la
figura 4.5b, donde el ánodo y el cátodo se encuentran sobre la misma superficie
del material de forma que el tiempo de transición entre uno y otro se minimiza al
tiempo que se maximiza la transmisión de luz. Aquí encontramos una
característica útil para los detectores en general, y es que cuanto menor sea su
tamaño, su comportamiento en conmutación será mejor, aunque esta reducción en
las dimensiones hace que recolecte menos luz.

Podemos calcular el aumento en la conductividad del material por efecto del flujo
de fotones incidente Φ. Si Vol. = S l es el volumen de semiconductor, sabemos
que no todos los fotones incidentes producen la generación de corriente útil, para
dar cuenta de esto utilizamos el parámetro de la eficiencia cuántica η. La tasa de
generación de pares eh será entonces

 (4.3.1)

Si τ es el tiempo de vida medio de los portadores antes de la recombinación, esto

quiere decir que los electrones desaparecen a un ritmo .n/τ, tal que .n es la
concentración de electrones generados por fotones. En el estado estacionario las
tasas de generación y recombinación deben ser iguales, por lo que podemos
escribir

 (4.3.2)

Este cambio en la concentración de portadores resulta en un cambio en la

conductividad del material dado por

(4.3.3) 
donde µe y µh son las movilidades de electrones y huecos en el material
respectivamente. Sustituyendo valores en la ecuación (4.3.3) podemos ver la
proporcionalidad entre el incremento de la conductividad y el flujo de fotones
incidente. Operaciones de electricidad básica, nos permiten obtener a partir de la
conductividad y el campo eléctrico aplicado, el valor de la fotocorriente generada

(4.3.4)

donde τe es el tiempo de tránsito entre electrodos, parámetro que depende de las

dimensiones físicas del dispositivo y de la tensión entre electrodos. Según esta
expresión, y si recordamos las ecuaciones (4.2.7) generalizadas, tendremos que el
cociente τ/τe debe corresponder a la ganancia G del fotoconductor. Esta ganancia
proviene de que la velocidad de los electrones en el material es superior a la de
los huecos, lo que implica que el electrón llega antes al cátodo que el hueco al
ánodo. En ese momento el ánodo emite un electrón al material, que también
tenderá a llegar antes al cátodo que el hueco al ánodo, con lo que se emitirá otro
electrón al material.

Sensibilidad espectral

Está gobernada principalmente por la dependencia con λ de la eficiencia cuántica.

Así pues, diferentes semiconductores tendrán distintas limitaciones en la longitud
de onda de operación. Detectores fotoconductores pueden funcionar bien en el
rango del IR (por encima de λ = 2 µm).

Para eliminar las limitaciones de los materiales intrínsecos (ausencia de dopaje),

pueden emplearse los denominados semiconductores extrínsecos, que involucren
en el fenómeno de la fotoconductividad a niveles de energía dentro de la banda
prohibida. Con este tipo de componentes, la energía de los fotones subsceptibles
de ser absorbidos se reduce, con lo que es posible detectar longitudes de onda
mayores, aunque este tipo de tratamiento hace que tengamos que enfriar los
detectores para evitar el ruido térmico de los mismos. Algunos ejemplos de la
sensibilidad espectral en fotoconductores comerciales pueden verse en la figura
4.6.

Tiempo de respuesta

Está limitado por el tiempo de tránsito y por la constante RC del circuito asociado.
El tiempo de tránsito suele ser aproximadamente igual al tiempo de recombinación
de portadores τ. También podremos encontrar este valor en las hojas
características de los componentes (figura 4.6).

Fig. 4.6 Ejemplo de datos característicos y respuesta espectral para un

fotoconductor que opera a temperatura ambiente. Está construido con un
semiconductor de gap variable HgCdZnTe (hoja completa en anexo).

3.2. Fotodiodos: configuraciones básicas

De la misma forma que en el caso de los fotoconductores, el fenómeno que

interviene es la absorción de radiación por parte de un material semiconductor,
generando pares de portadores de carga que contribuyen a lafotocorriente.
Existen diferentes configuraciones para los fotodiodos, cada una de ellas con
características específicas. En este apartado vamos a ver las más comunes, que
además presentan propiedades que también encontraremos en fotodetectores
más complejos.
3.2.1 Fotodiodo pn

Fig. 4.7 Esquema básico del funcionamiento de un fotodiodo pn

A grandes rasgos, podemos definir un fotodiodo pn como una unión pn en la que

la corriente inversa aumenta con el flujo de fotones incidente.

En principio, los fotones pueden ser absorbidos en toda la estructura como en el

caso de los fotoconductores, pero aquí aparece el efecto de la unión de forma que
existe un campo eléctrico intenso en la zona de la unión con la dirección np (figura
4.7) que es capaz de separar los pares de portadores generados rápidamente,
disminuyendo así la probabilidad de que se produzcan recombinaciones que
impidan la contribución a la fotocorriente. Será en esta zona donde será deseable
que se produzca la absorción. A temperatura ambiente existe una cierta
probabilidad de que se produzcan transiciones espontáneas entre bandas aún en
ausencia de iluminación, con lo que se puede generar una pequeña corriente que
recibe el nombre de corriente de oscuridad. Esta corriente de oscuridad dependerá
de la temperatura y de las condiciones eléctricas de operación del fotodiodo (figura
4.8).
Fig 4.7 a)Corriente de oscuridad en función de la tensión aplicada al diodo y b) En
función de la temperatura para una tensión fija.

El tiempo de respuesta está limitado, como es lógico, por el tiempo de tránsito de

los portadores a través de la zona de la unión, así como por la constante de
tiempo del circuito asociado. Hay además otra contribución a la fotocorriente por
parte de los portadores generados fuera de la zona de la unión, pero con cierta
proximidad a ella. Estos portadores tienen la posibilidad de alcanzar la zona de
transición por medio de la difusión térmica dentro de los materiales neutros, con lo
que el campo eléctrico puede hacer que atraviesen rápidamente la zona de
transición comunicándoles una cierta aceleración. En este caso, esos portadores
generados fuera de la zona de la unión pueden contribuir a la corriente. Sin
embargo, los procesos asociados con la difusión de portadores dentro de la
estructura son muy lentos, lo que hace que los dispositivos basados en
fotodiodos pn no puedan ser utilizados en sistemas que requieran de una alta
velocidad de conmutación, aunque en general presentarán un menor tiempo de
respuesta que los fotoconductores.

Como hemos visto, la zona en que interesa que se produzca la incidencia del flujo
de fotones de forma que se consiga la mayor eficiencia cuántica, es la zona de la
unión o zona de transición. Pero esa zona es físicamente muy delgada. Para
mejorar las prestaciones del fotodiodo pn, la idea más sencilla sería aumentar el
tamaño de esa zona de transición, y eso es lo que se pretende con la siguiente
configuración.

Como cualquier componente electrónico basado en la unión de semiconductores,

el fotodiodo presenta una característica iV en régimen estacionario e iluminado

  (4.3.5)

donde is es la corriente inversa de saturación. En la ecuación (4.3.5) el primer

término representa la corriente de oscuridad, y se añade además el término de la
fotocorriente ip, que tiene sentido contrario.

Existen tres formatos clásicos de operación con un fotodiodo: circuito abierto

(modo fotovoltaico), cortocircuito y polarizado en inversa (modo fotoconductivo).

En el modo de circuito abierto (fig. 4.9) la luz genera pares eh en la zona de la

unión. Los electrones generados se recombinan con los huecos de la zona p de la
zona de transición y viceversa. El resultado es un incremento del campo eléctrico
que produce un fotovoltaje VP a través del dispositivo que aumenta con el flujo de
fotones recibido. Como en el caso de los generadores, el valor de potencia
consumida es negativo, lo que hace que el fotodiodo se comporte en esta
configuración como una fotopila, que suministra potencia a partir de la luz recibida.
No es usual encontrar un fotodiodo trabajando de esta forma, pero este
comportamiento básico se emplea, con algunas modificaciones principalmente en
cuanto a su extensión y a la optimización de la eficiencia cuántica, en las células
solares o fotovoltaicas. La responsividad en el caso del fotodiodo actuando en
modo fotovoltaico puede aparecer como V/W en lugar de la especificación usual
de A/W.
Fig. 4.9 a) Esquema de fotodiodo operando en modo de circuito abierto. b) Curvas
características iV en este modo de operación (falta curva característica).

Tanto en el caso de considerar fotocorriente, como en el caso de considerar

voltaje, la información relacionará las variaciones en ambas magnitudes con la
cantidad de luz recibida, tal y como podemos ver en la figura 4.10, ejemplo de un
fotodiodo de silicio.

Fig. 4.10 Comportamiento de un fotodiodo pn operando en modo de circuito

abierto. Información gráfica dependiente de los niveles de iluminación, y numérica
para una iluminación fija.

El fotodiodo operando en modo de cortocircuito (V = 0) presenta un esquema

básico como el de la figura 4.11. En este caso, la corriente por el circuito es
simplemente la fotocorriente ip.
Fig. 4.11 a) Esquema de fotodiodo operando en modo de cortocircuito. b) Curvas
características iV en este modo de operación

En este caso, la información proporcionada por el fabricante es simplemente la

fotocorriente para un determinado valor de iluminación (figura 4.12).

Fig 4.12 Valor de fotocorriente de un fotodiodo operando en cortocircuito. Dados

los bajos valores de ésta, será necesario llevar a cabo una amplificación de la
misma.

Finalmente, el fotodiodo puede ser polarizado en inversa, con lo que funciona en

su régimen típico, el fotoconductivo, tal y como aparece en la figura 4.13a, y si
añadimos una resistencia de carga como en la figura 4.13b.
Figura 4.13 a) Fotodiodo en modo fotoconductivo sin resistencia de carga. b) Con
resistencia de carga. El punto de operación se encuentra en la recta de carga.

El comportamiento de los fotodiodos en régimen de conmutación, está

directamente relacionado con el tiempo de respuesta del componente. En general,
ese tiempo de respuesta va a depender da la constante RC del circuito, por lo que
para evaluarlo necesitamos el valor de la capacitancia de la unión (figura 4.14a).
Con este dato, podemos escribir

(4.3.6) 

donde debemos tener en cuenta que tal capacitancia depende de la tensión

inversa a que se somete la unión (figura 4.14b). Cuando aumenta VR disminuye la
Cj con lo que el dispositivo es más rápido, pero esta disminución en la
capacitancia acarrea también el aumento de la corriente de oscuridad, lo que en
redunda en la pérdida de sensibilidad.

Figura 4.14 a) Valor máximo de capacitancia de la unión, b) variación con tensión

inversa aplicada

En general, los fotodiodos operan con una fuerte polarización inversa con el
objetivo de crear un campo eléctrico intenso en la zona de la unión, de forma que
aumente la velocidad de los portadores en ella reduciendo así el tiempo del
transitorio, además, se incrementa la anchura de la zona de transición, con lo que
facilitamos la absorción de fotones en la zona de interés a la vez que reducimos la
capacitancia de la unión, lo que también contribuye al incremento en la velocidad
de respuesta. Todos estos datos relativos al funcionamiento del fotodiodo, suelen
ser suministrados por los fabricantes (anexo hojas características) junto con otros
tales como las características direccionales, datos de ruido, etc. Por tanto, no
tendremos más que estudiar las hojas de características para encontrar el
dispositivo más adecuado para nuestros fines.

En algún momento de la discusión acerca de las características de los fotodiodos

básicos, hemos hablado de su relativamente alto tiempo de respuesta, y
conseguimos reducirlo aplicando una tensión en inversa de forma que el fotodiodo
funcionaba en modo fotoconductivo. Una de las causas por las que mejoraba en lo
referido al tiempo de respuesta, era el ensanchamiento de la zona de la unión,
donde también vimos que era deseable que se produjera la absorción. La
pregunta que surge es ¿podemos mejorar la respuesta de un fotodiodo sin
necesidad de aplicar tensiones elevadas sobre el dispositivo?. La respuesta, en el
siguiente punto.

Fotodiodo pin

En este caso, la zona de la unión se ensancha mediante la adición de un material

intrínseco o ligeramente dopado entre las zonas p y n. Con ello conseguimos una
zona de transición extensa que favorece la absorción de fotones y su conversión a
corriente útil. En principio, este dispositivo, que aparece de forma esquemática en
la figura 4.15, puede funcionar bajo las mismas condiciones que el fotodiodo pn, y
presentan una serie de ventajas sobre éstos

Aumenta la probabilidad de absorción de fotones dado el significativo aumento del

volumen de material absorbente.

El ensanchamiento de la zona de transición disminuye la capacitancia de la

misma, con lo que la respuesta del dispositivo será más rápida por la reducción de
la constante de tiempo RC.
Pueden conseguirse tiempos de respuesta del orden de decenas de ps,
correspondiente a anchos de banda de . 50 GHz.

                                         

Fig. 4.15 Esquema de un fotodiodo pin

Existen una serie de consideraciones a tener en cuanta cuando trabajemos con

este tipo de fotodiodos según la configuración indicada en el apartado anterior.
Cuando el pin opera en modo fotoconductivo tiene problemas para niveles de
iluminación bajos, pues la corriente térmica generada es una fuente bastante
importante de ruido. Para niveles de luz suficientes, esto no representa ningún
inconveniente y la respuesta es más rápida que si opera en modo fotovoltaico. En
este modo, con una menor corriente de oscuridad ofrece una buena sensibilidad a
bajos niveles de luz. El inconveniente en este caso es la
baja fotocorriente generada, lo que hace que requiera una inmediata
amplificación.

Las diferencias con el caso anterior en cuanto a sus características ópticas y

eléctricas son mínimas, por lo que no reproduciremos las figuras y datos que
pueden verse en el anexo de hojas características. Como en el caso anterior, la
forma más habitual de emplearlos es en el modo fotoconductivo, lo que hace que
los parámetros suministrados se refieran a éste principalmente.

Otros tipos de fotodiodo

Fototransistores

La influencia de la luz sobre los transistores tradicionales es conocida desde el

momento de su invención, de ahí el hecho de que se encapsulen con un material
opaco. Los fototransistores pretenden utilizar esa dependencia con la luz del
transistor para su uso como detector. Dependiendo de donde se produzca la
incidencia de luz, se generarán portadores en diferentes zonas, y el efecto será
distinto según la zona en cuestión. El diseño óptimo requiere que la absorción
tenga lugar en la unión entre el emisor y la base, con lo que se genera un flujo de
corriente en el circuito EB (ver figura 4.16) que se amplifica por la acción del
dispositivo como transistor       

                                     .

Figura 4.16 Esquema básico de un fototransistor

Su funcionamiento es básicamente equivalente al de un transistor NPN

convencional, aunque en el diseño de fototransistores el área de la base es más
extensa para favorecer la absorción de fotones y generar corrientes elevadas en la
unión BC que se utiliza con polarización inversa (la unión BE se polariza en
directa). La generación de portadores por parte de la radiación incidente, unida a
la inyección de electrones por parte del emisor, produce una corriente que a la
salida del dispositivo vendrá dada por

(4.3.7) 
Así pues, un fototransistor puede entenderse como un transistor bipolar con sus
mismas zonas de trabajo, controlado por la radiación incidente en la región activa
de la base.

Ofrece la ventaja de un menor ruido y mayor señal de salida que los APD, sin
embargo su responsividad es inferior a la de los APD y pin. Su respuesta espectral
es adecuada en el rango del visible y NIR, con lo que suelen utilizarse en sistemas
de control remoto, de alarma, etc.

En ocasiones, los fototransistores se emplean como componentes de circuitos

integrados. En esta configuración reciben el nombre de IPD (Integrated
Preamplified Detectors) o detectores OPIC (Optical Integrated Circuit).

Sus características van a ser una mezcla de propiedades ópticas y eléctricas,

siendo estas últimas las típicas para un transistor convencional, aunque las
familias de curvas que aparecen en las hojas de características estarán asociadas
a ciertos niveles de iluminación.

Así, su sensibilidad espectral va a ser análoga a la de un fotodiodo con el mismo

material de la base, dependiente de la longitud de onda, la temperatura y el ángulo
de recepción (figura 4.17).
Figura 4.17 Parámetros de sensibilidad de un fototransistor

Su característica de salida ic = f(VCE) es igual que la de un transistor NPN, pero

el parámetro que aparecerá será la irradiancia en lugar de la corriente de base
(figura 4.18). Mientras no se supere la tensión de ruptura, el efecto de
VCE sobre ic es despreciable. Cuando trabajemos con un fototransistor, habrá
que tener cuidado con la carga aplicada para evitar que el punto de trabajo se
sitúe por encima de los valores fijados por la potencia disipada a una temperatura
dada. La variación de la potencia con T también es un dato que obtendremos en
las hojas características. En todo caso, conviene recordar que la potencia disipada
por el transistor es función deic y VCE.

La responsividad de los fototransistores es básicamente igual que en los

fotodiodos (ecuación (4.2.7)). Para el caso de fototransistores operando en la zona
activa, deberemos añadir el factor de ganancia, que dependerá de T y θ, de forma
que

(4.3.8) 

Cuando el fototransistor se encuentra en estado de corte (Ee=0), existe una

pequeña corriente de fugas que circula entre el colector y el emisor icE0. Esta
corriente constituye la corriente de oscuridad en los fototransistores, y es
equivalente a la icB0 o simplemente ic0 de transistores bipolares.
Figura 4.18 Característica de salida de un fototransistor

Las limitaciones básicas a la velocidad de respuesta en los fototransistores

procede fundamentalmente de la capacidad dela unión BC. A efectos prácticos,
podemos considerar que esta capacidad se incrementa por el factor de
amplificación hFE, con lo que si recordamos la expresión (4.3.6) tendremos para
este caso que

(4.3.9) 

Sobre los valores de tr y tf, podremos encontrar información gráfica en las hojas
de características para niveles de V y T fijos.

3.3.2 Fotodiodos de avalancha (APD)

Esta clase de fotodiodos genera una cascada de portadores en movimiento a

partir de la incidencia de un fotón, con lo que amplifican la señal durante el
proceso de fotodetección.

Figura 4.19 a) Esquema de un fotodiodo de avalancha. b) esquema del

funcionamiento de un APD.
En su forma básica, un APD es un diodo pin con una fuerte polarización inversa
(puede llegar a ser del orden de miles de Voltios frente a los . 3V de un fotodiodo
convencional). La principal diferencia estructural es que la zona intrínseca se dopa
ligeramente de tipo p y se la renombra como capa π. Típicamente es más ancha
que una zona i y se diseña de forma que el campo eléctrico a través de ella sea lo
más uniforma posible, como se ve en la figura 

                                        

Figura 4.20 Distribución del campo eléctrico en un APD

Los fotones atraviesan la unión n+ p ( que se fabrica muy delgada) y son

absorbidos en la capa π, donde se generan los pares eh. El potencial eléctrico en
esta capa es suficiente para arrastrar a los portadores hacia los contactos
eléctricos. En las proximidades de la unión n+ p el campo eléctrico es tan intenso
(figura 4.20) que los electrones son fuertemente acelerados con lo que aumenta
su energía. Cuando estos electrones rápidos colisionan con los átomos de la red
cristalina, se generan nuevos pares eh, proceso conocido como ionización por
colisión. Estos pares de portadores así generados también son acelerados con lo
que tanto los electrones como los huecos pueden contribuir al proceso de
multiplicación.

El problema que nos encontramos es ¿cuándo se detiene el proceso?. Para

controlar el proceso de avalancha, lo que se suele hacer es diseñar los
dispositivos de forma que sólo uno de los portadores sea capaz de ionizar, de
forma que al cabo de cierto tiempo todos esos portadores alcanzan la parte n de
la zona de transición (p en el caso de huecos).

Podemos expresar la ganancia del dispositivo por medio de la ecuación

(4.3.10)

donde h = αh/αe representa la tasa de ionización, definida como el cociente entre

los coeficiente de ionización huecos y electrones respectivamente. El coeficiente
de ionización es un parámetro que representa la probabilidad de ionización por
unidad de longitud.

Así pues, resumiendo las características de los APD, podemos decir que la alta
sensibilidad es uno de los motivos fundamentales para su utilización, pues un solo
fotón puede generar una señal detectable por el circuito asociado. La velocidad de
respuesta va a estar limitada (ecuación (4.3.11)), como en casos anteriores, por el
tiempo del transitorio y los efectos RC. La reducción de la capacitancia es un
factor que contribuye al aumento de la velocidad, pero hay que tener en cuenta el
tiempo de generación de la avalancha, que es un valor intrínsecamente aleatorio
lo que hace del APD un dispositivo intrínsecamente ruidoso. Máxime teniendo en
cuenta que la avalancha afecta a todos los electrones libres, incluidos los
generados térmicamente. También las altas tensiones de polarización pueden
causar episodios de ionización espontánea, lo que incrementa aún más el ruido.

 (4.3.11)

Este tipo de fotodiodo estará especialmente indicado en aquellas aplicaciones en

las que la sensibilidad sea lo más importante, como por ejemplo en aquellas en
que se requiera un área extensa de detección o efectuar ésta a larga distancia. Sin
embargo, si lo que se pretende es aunar la velocidad con la sensibilidad, es más
útil utilizar fotodiodos pin con preamplificación.

Barrera Schottky

Están basados en la unión entre un metal y un semiconductor (existe la variante

de la configuración MetalSemiconductorMetal), con lo que uno de los
componentes de la unión pn se sustituye por un metal, tal y como se ve en la
figura 4.21. Actualmente no son muy utilizados de forma comercial, aunque si
están siendo objeto de investigación debido a ciertas características muy
prometedoras.

En principio existe un elevado número de materiales semiconductores que podrían

utilizarse en la detección dadas sus buenas características de eficiencia, pero no
pueden emplearse en las configuraciones de pn o pin a causa de las dificultades
para su dopaje. También existen problemas en las estructuras de fotodiodo por la
necesidad de casamiento del parámetro de red cristalina en la construcción de las
uniones, este problema se salva con la utilización del metal, que al ser también un
buen conductor facilita la salida de electrones de la unión minimizando los
problemas de recombinación. Con ello se consigue un aumento en la eficiencia del
dispositivo y la velocidad de respuesta.

                                                

Figura 4.21 Fotodiodo de unión metalsemiconductor

 
Fotodetectores de cavidad resonante

Una forma de conseguir una alta eficiencia cuántica al tiempo que una muy alta
velocidad de respuesta, consiste en utilizar fotodetectores de cavidad resonante
(RECAP). En éstos, un fotodiodo pin con una capa intrínseca delgada, se sitúa en
el interior de una cavidad FabryPerot como en la figura 4.22. El hecho de que la
capa intrínseca sea delgada hace que la velocidad de respuesta aumente. Para
mantener la eficiencia del dispositivo, lo que se hace es que la luz pase por esa
capa un gran número de veces, de forma que la probabilidad de absorción
también aumenta. La cavidad resonante que forman los reflectores de Bragg de la
figura 4.20 es altamente selectiva en λ, con lo que el detector también lo será. La
aplicación de este tipo de detectores aparece en los modernos sistemas de
comunicaciones ópticas basados en WDM.                

                                           

Figura 4.22 Fotodiodo resonante

 

4. Detectores de posición: PSD

Hasta el momento nos hemos concentrado en la detección de luz, principalmente

centrándonos en las características de recepción aún con ciertas limitaciones en
cuanto a la dirección desde donde podíamos recibirla, parámetro que podíamos
encontrar en las hojas de los componentes bajo en nombre de directividad o
características direccionales, de forma que toda la radiación incluida dentro del
cono de aceptación del fotodiodo se convierte en señal de salida (fotocorriente en
general) independientemente de su origen.

En ocasiones, además de la intensidad de la radiación recibida, también el útil

conocer la procedencia espacial del haz que se detecta, es decir, desde donde
nos llega la luz emitida por una fuente o reflejada en una superficie. El
funcionamiento básico es análogo a la de los fotodetectores que ya conocemos en
cuanto a al interacción con la radiación, así pues la estructura básica de los PSD
será como la de los fotodiodos pn o pin. La diferencia aparece en la construcción
de los dispositivos, lo que nos van a permitir identificar el punto de incidencia del
haz de luz en función de las características de las señales de salida.

En principio vamos a encontrar dos formatos clásicos para este tipo de detectores,
en uno de ellos denominado continuo encontraremos solo un elemento detector,
mientras que en el caso de los detectores segmentadosla señal total procederá
de un conjunto de detectores idénticos e independientes.

4.1. Detectores de posición continuos

Aparte del comportamiento usual de los fotodiodos, la inclusión de electrodos

enfrentados entre si, hace que se produzca un efecto lateral, de forma que la
fotocorriente que se genera es inversamente proporcional a la distancia al
electrodo, siempre y cuando la resistividad de la zona p (figura 4.23) sea uniforme,
condición que se va a cumplir en términos generales.
      
                                                        

Figura 4.23 Detector de posición unidimensional y continuo

Dentro de los detectores de posición continuos, podemos distinguir dos casos, los
que son unidimensionales como el de la figura 4.21, en que se toma como punto
de partida un fotodiodo pin operando en modo fotoconductivo, y tal que el espesor
de la zona de transición es constante, con lo que tiene una capacidad por unidad
de superficie fija. Los valores de la corriente que circula por los electrodos de la
figura 4.23, presentan cierta dependencia con el desplazamiento del punto de
incidencia de luz respecto al origen, que tomamos en el centro del detector

(4.4.1)

donde Io= I1+ I2 es la fotocorriente total generada que ya conocemos, y L es la
distancia entre electrodos. Una simple operación algebraica nos dice a que
distancia del origen ha incidido el haz de luz

(4.4.2)

 
 

Figura 4.24 Detector de posición bidimensional y continuo

Una modificación de estos detectores nos permite situar el punto de incidencia en

el plano, nos encontramos entonces con detectores bidimensionales. Las
configuraciones más usuales tienen la disposición de un cuadrado, con los
electrodos enfrentados dos a dos. En el ejemplo de la figura 4.24 aparece un
detector bidimensional de tipo cuadrado. En este caso, utilizando un razonamiento
análogo al caso unidimensional, podemos determinar las coordenadas en el plano
del punto de incidencia, resultando

  (4.4.3)

Una evolución de este ejemplo, es el detector tipo pincushion (figura 4.25) que

ofrece mejora tanto en la superficie sensora como en los electrodos. En este caso,
la posición en el plano vendrá dada por

Figura 4.25 Detector de posición tipo pincushion

Detectores de posición segmentados

Como ya se ha dicho, se caracterizan por estar formados por una serie de celdas
o elementos detectores con un único electrodo, de forma que actúan
prácticamente como fotodiodos independientes. En el diseño de esta estructura
hay que tratar de que la separación entre los diferentes detectores sea lo más
pequeña posible, de forma que el impacto de la luz sobre el PSD siempre alcance
a alguno de los diodos.

Fig. 4.26 Detectores de posición segmentados a) unidimensional y b)

bidimensional

Al igual que en el caso de PSD continuos, podemos encontrar detectores de

posición segmentados unidimensionales en los que los elementos sensores se
disponen uno a continuación del otro (figura 4.26a) obidimensionales (figura
4.26b). Aunque existen una gran variedad de ejemplos de ambas clases, los más
significativos son los bicelda y los de cuadrante (figura 4.27a y 4.27b).

Fig. 4.27 Detectores de posición a) bicelda y b) cuadrante

En el caso del detector bicelda, la posición del haz incidente se determina a través
de la relación

(4.4.5)

mientras que en caso del detector de cuadrante, la posición respecto al origen

situado en el punto de corte de las dos líneas que separan los cuatro segmentos

(4.4.6)

Hay que notar, que para una detección precisa de la posición del haz incidente, en
ocasiones conviene desenfocar el haz, de forma que incida sobre diferentes
elementos del detector. Si incide sobre uno solo de ellos, conoceremos
aproximadamente su posición con la incertidumbre del tamaño del elemento. Una
alternativa, más costosa pero en ocasiones ventajosa, será la de aumentar el
numero de detectores reduciendo su tamaño, lo que como sabemos, puede
contribuir a aumentar la velocidad de respuesta.

Introducción al ruido en fotodetectores

Ya conocemos como es el comportamiento ideal de un fotodiodo o cualquiera de

sus variantes (ecuaciones (4.2.4)(4.2.7)). Pero en condiciones reales de
funcionamiento siempre vamos a encontrar una fluctuación aleatoria en torno a un
valor medio en la corriente de salida de los dispositivos. Estas fluctuaciones
constituyen lo que se denomina ruido, y hay que ser especialmente cuidadoso
cuando nos encontremos operando con bajos niveles de irradiancia, lo que se
traduce generalmente en bajos niveles en la corriente proporcionada por los
dispositivos fotodetectores.

En los sistemas de recepción de radiación, vamos a encontrar diferentes fuentes

de ruido. Una parte procederá de los propios fotodetectores, mientras que otra
será consecuencia del circuito electrónico asociado a él. Como norma general,
veremos que en los sistemas de mayor calidad y rendimiento (y por tanto, más
caros) la aportación fundamental al ruido será la del detector. Por el contrario, en
sistemas de menor sensibilidad y coste, la influencia más importante en el ruido
será la del circuito asociado.

Descripción del ruido

La descripción de las fluctuaciones de una señal se realiza a través de un

parámetro estadístico como es la desviación estándar σi respecto del valor medio
de la señal. La definición de esta desviación estándar se realiza a través del valor
cuadrático medio

  (4.5.1)

donde en este caso el subíndice i hace referencia a la corriente, aunque en

general puede aplicarse a cualquier magnitud sobre la que efectuemos la medida.

Para el caso particular en que el valor medio de la corriente sea nulo, la desviación
estándar coincidirá con el valor rms de la señal.

Las contribuciones al ruido total, procedentes de fuentes de ruido independientes

(no correladas), se superponen en términos de potencia. Si por ejemplo
consideramos un sistema con N fuentes de ruido independientes, el ruido total
será
 (4.5.2)

Para la caracterización de un sistema receptor de radiación suelen emplearse

diferentes magnitudes. La magnitud fundamental que se emplea es el cociente
señalruido SNR (Signal to Noise Ratio) que para el caso de detectores en IR y
visible se define como el cociente entre el valor medio de la señal y la desviación
estándar de la misma

  (4.5.3)

El ruido, también puede describirse a través de su potencia espectral DEP (o PSD

en ingles), definida como la potencia del ruido por unidad de frecuencia [W/Hz].
Esta magnitud proporciona información acerca delas fuentes de ruido, puesto que
cada una de ellas presenta un contenido espectral diferente (figura 4.28). Esta
tendencia espectral permite elegir la frecuencia de modulación a la que puede
trabajar un determinado sistema en un rango de frecuencias estrecho (por ej. un
sistema de comunicaciones), o los límites superior e inferior para un sistema con
amplio ancho de banda.

Según la figura 4.28, para frecuencias inferiores a 1KHz, domina el ruido de tipo
1/f. En el rango intermedio la contribución principal corresponde al ruido de disparo
o de generación-recombinación. En este rango, la DEP es prácticamente plana
hasta el valor de frecuencia dado por el inverso del tiempo de vida medio de los
portadores, que puede oscilar entre los 20 KHz y 1 MHz. Por encima de estos
valores, el ruidoes fundamentalmente de tipo Jonson o por causa del amplificador.
En este último rango, la DEP también es prácticamente plana hasta frecuencias
muy superiores a las de interés en sistemas detectores.

En la mayoría de los cálculos para nuestros fines, se considera que el ruido es

blanco, es decir con una DEP plana. Con esta consideración, la potencia total
debida al ruido es proporcional al ancho de banda .f, con lo que la desviación
estándar lo será a la raíz cuadrada del ancho de banda. Esta dependencia con el
ancho de banda implica que si se promedia la señal en un intervalo más largo de
medida, el ruido disminuirá.

Figura 4.28 Distribución espectral del ruido

La evaluación del rendimiento de un detector, de manera que sea posible predecir

su valor de SNR para un determinado valor de potencia óptica incidente va a estar
relacionada con otra magnitud que es la que usualmente ofrecen los fabricantes
en sus especificaciones. Esta magnitud es la Potencia Equivalente al
Ruido NEP (Noise Equivalent Power) definida como el flujo o potencia óptica
incidente para dar lugar a una respuesta igual a la desviación estándar del ruido,
es decir, la potencia óptica incidente que proporciona un SNR unidad, aunque
también puede interpretarse como la mínima cantidad de potencia óptica
detectable. El verdadero flujo incidente requerido para que el detector actúa de
forma aceptable dependerá también de las especificaciones sobre el valor de
SNR, que habitualmente está determinado por la tasa de señal falsa y la
probabilidad de detección. Con estas consideraciones, encontraremos el valor del
NEP como

(4.5.4)

de forma que a menor NEP, mayor sensibilidad o mayor SNR.

Una forma alternativa de escribir el NEP, es utilizar los valores de responsividad y

desviación estándar

 (4.5.5)

Otra magnitud relacionada con el NEP que podemos encontrar en las

especificaciones de un fotodiodo es la Detectividad Normalizada D. cuyo valor es
inversamente proporcional al NEP normalizado por la superficie del detector y del
ancho de banda,

  (4.5.6)

lo que define una figura de mérito independientemente del ancho de banda de la

medida y de la superficie del detector. Un dato a tener en cuente es cuanto mayor
sea un detector y más volumen tenga, mayor será la cantidad de ruido que
genere.

D. es una característica útil para poder comparar el rendimiento de distintos

materiales y procesos de fabricación, independientemente del ancho de banda y
de la superficie de detección requerida para una determinada aplicación.

A través de D., podemos calcular el valor esperado de SNR

  (4.5.7)

para lo que deberemos especificar el área del detector de acuerdo con las
especificaciones ópticas del sistema en cuanto al campo de visión que es el
tamaño angular cubierto por un sistema óptico

(4.5.8)

y a la huella del detector (resultante de llevar el detector al espacio objeto de

manera que actúa como diafragma de campo)

 (4.5.9)

El ritmo de adquisición de datos determinará el valor de la anchura de banda, con

lo que finalmente

 (4.5.10)

Fuentes de ruido

Ya conocemos algunas fuentes de ruido, como es el caso de la corriente de

oscuridad. También hemos nombrado algunas en el apartado anterior cuando nos
referimos a la densidad espectral de ruido. Aquí, vamos a realizar una breve
descripción de éstas, incidiendo en su origen y su evaluación.

Ruido shot y de generaciónrecombinación
En primer lugar, hay que decir que el proceso de llegada de fotones a un detector
es aleatorio, y su número fluctuará de acuerdo a una ley de probabilidad que
dependerá de la naturaleza de la fuente. Para los casos de interés, esta ley es la
ley de Poisson

(4.5.11)

en la que el valor cuadrático medio σn2 es igual al número medio de fotones

(4.5.12)

Esta propiedad entronca con la naturaleza cuántica del proceso de detección, de

forma que no es posible fraccionar el número de fotones que llegan al detector, ni
por consiguiente, el número de portadores generados. Es decir, o hay excitación o
no la hay, teniendo en cuenta otro proceso probabilistico como es la eficiencia
cuántica. Vamos a encontrar pues fluctuaciones que afectan al valor de SNR y que
serán especialmente problemáticas a niveles bajos de irradiancia. A estas
fluctuaciones se las conoce como ruido de disparo o shot, y se manifestarán en
dispositivos en los que los portadores generados por los fotones incidentes, deben
superar una barrera de potencial para contribuir a la fotocorriente, mientras que el
ruido de disparo será nulo en aquellos dispositivos por los que no circule corriente.

Dado que la probabilidad de generación de corriente cumple con la ley de

distribución de Poisson, la desviación estándar de la fotocorriente generada será
proporcional a la raíz cuadrada del valor medio de esa corriente. Si además
tenemos en cuneta el tiempo de integración del detector, podemos escribir

(4.5.13)
donde podemos ver que la influencia del ruido shot se manifestará principalmente
a niveles bajos de irradiancia pues

(4.5.14)

con lo que vemos que a mayor fotocorriente, mayor ruido (ec. (4.5.13)), pero
también aumentará el cociente SNR.

Además de los portadores generados por la fuente que nos interesa medir,
tendremos otras aportaciones no deseadas a la corriente total de salida del
dispositivo, entre estas aportaciones se encuentran la corriente de oscuridad y la
radiación de fondo, que se sumarán a la fotocorriente sin que sea posible restar su
contribución como componentes constantes, pues también a ellas le afecta el
ruido de disparo. Al tener en cuenta estos factores, tendremos que sustituir en las
expresiones (4.5.13) y (4.5.14)

(4.5.15)

En detectores en los que no hay barrera de potencial, como es el caso de los

fotoconductores, el ruido de disparo se sustituye por el ruido de generación y
recombinación. Ambos procesos son aleatorios por lo que se suman en
cuadratura, proporcionando un ruido de mayor amplitud que el de disparo. Así la
desviación estándar de la ecuación (4.5.13) aparecerá multiplicada por .2, por lo
que en igualdad del resto de factores del sistema (flujo de fotones, eficiencia
cuántica, ancho de banda, etc) los sensores fotónicos presentarán un mayor SNR
que los fotoconductores.

Ruido Jonson y 1/f

El ruido Jonson tiene un origen estrictamente térmico que afecta principalmente a
los componentes del circuito asociado al sistema. Mediante argumentos
estadísticos, puede demostrarse que una resistencia R a una temperatura T,
presenta una corriente aleatoria i(t) cuyo valor promedio es nulo, y su desviación
estándar es

(4.5.16)

valor que habrá que sumar al resto de contribuciones al ruido (ecuación (4.5.2)).

El ruido 1/f aparece cuando tenemos una corriente de polarización atravesando el

circuito. Esta clase de ruido tiene una densidad espectral de potencia
inversamente proporcional a la frecuencia, con lo que será dominante a
frecuencias bajas, por debajo de 1 KHz

 (4.5.17)

Lo habitual para estos casos es emplear un filtro electrónico para eliminar las
frecuencias bajas de la señal.

En caso de contar con detectores con ganancia, habría que tenerla en cuenta en
la desviación estándar asociada a cada tipo de ruido. Como el propio proceso de
ganancia también es aleatorio, habrá que considerar las fluctuaciones de ganancia
a través del factor de exceso de ganancia

   (4.5.18)
de forma que se empleará el valore medio de la ganancia y este factor F en la
ecuación (4.5.13), de forma que

(4.5.19)

Por ejemplo, para el caso de un APD, el valor del exceso de ganancia viene dado
por

   (4.5.20)