UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES

FACULTAD DE INGENIERÍA

ESTUDIANTE:

HUANCA ALEJO IVER

DOCENTE:

ING. RAMIRO ARCE

CARRERA:

INGENIERÍA INDUSTRIAL

FECHA DE ENTREGA:

25 DE FEBRERO, 2016
ALÓTROPOS DE CARBONO

Entre los más destacables podemos observar a:

 El diamante. Es uno de los alótropos del carbono mejor conocidos, cuya dureza y
alta dispersión de la luz lo hacen útil para aplicaciones industriales y joyería. El
diamante es el mineral natural más duro conocido, lo que lo convierte en
un abrasivo excelente y le permite mantener su pulido y lustre extremadamente
bien. No se conocen sustancias naturales que puedan rayar o cortar un diamante.

El mercado para los diamantes de grado industrial opera de un modo muy diferente
a su contraparte de grado gema. Los diamantes industriales son valuados
principalmente por su dureza y conductividad térmica, haciendo muchas de las
características gemológicas del diamante, incluyendo claridad y color,
principalmente irrelevantes. Esto ayuda a explicar por qué el 80% de los diamantes
minados, inadecuados para uso como gemas y conocidos como bort, son
destinados para uso industrial.

El uso industrial dominante de los diamantes es en cortado, perforado (brocas de

perforación), abrasión (cortadores con filo de diamante), y pulido. La mayoría de
usos del diamante en estas tecnologías no requiere diamantes grandes; en efecto,
la mayoría de diamantes que son de calidad de gema pueden encontrar un uso
industrial.

 El grafito. Es uno de los alótropos más comunes del carbono. A diferencia del
diamante, el grafito es un conductor eléctrico, y puede ser usado, por ejemplo,
como material en los electrodos de una lámpara de arco eléctrico. El grafito tiene la
distinción de ser la forma más estable de carbono a condiciones estándar. En
consecuencia, es usado en termoquímica como el estado estándar para definir el
calor de formación de los compuestos de carbono.

El grafito es capaz de conducir la electricidad, debido a la deslocalización de

los electrones π sobre y debajo de los planos de los átomos de carbono. Estos
electrones tienen libertad de movimiento, por lo que son capaces de conducir la
electricidad. Sin embargo, la electricidad es conducida sólo a lo largo del plano de
las capas. En el diamante, los cuatro electrones externos de cada átomo de
carbono están 'localizados' entre los átomos en enlaces covalentes. El movimiento
de los electrones está restringido, y el diamante no conduce corriente eléctrica. En
el grafito, cada átomo de carbono usa sólo 3 de sus 4 electrones de los niveles de
energía externos en enlaces covalentes a otros tres átomos de carbono en un
plano.

Cada átomo de carbono contribuye con un electrón a un sistema deslocalizado que

es parte también del enlace químico. Los electrones deslocalizados son libres de
moverse a través del plano. Por esta razón, el grafito conduce la electricidad a lo
 largo de los planos de los átomos de carbono, pero no conduce en una dirección a
ángulos rectos al plano.

 El grafeno. Una sola capa de grafito, que alguna vez se creyó ser imposible, es
denominada grafeno y tiene propiedades eléctricas, térmicas y físicas
extraordinarias. Puede ser producido por epitaxia (deposición química de vapor) en
una superficie aislante, o por exfoliación mecánica (pelado repetido)[cita requerida].
Sus aplicaciones pueden incluir reemplazar al silicio en dispositivos electrónicos de
alto rendimiento.

 El grafino. El grafino es una forma alotrópica del carbono. Su estructura es de

láminas planas de un átomo de espesor, con uniones entre átomos de enlaces
triples.

RETICULADO CRISTALINO

Un cristal es una disposición simétrica de átomos, iones o moléculas dispuestos en un

modelo tridimensional repetitivo. Sí los centros de las unidades materiales se reemplazan
por puntos, el sistema de puntos resultantes se llama una reticulado o res espacial o red
cristalina. Utilizando una red de líneas que unen los puntos de retículo, una red cristalina
puede dividirse en parte idénticas llamadas celdas unitarias. Teóricamente una red
cristalina puede reproducirse apilando en tres dimensiones sus celdas unitarias.

En el reticulado cristalino dos puntos cualquiera tienen los mismos vecinos en el cual los
átomos son representados por esferas.
CELDAS UNITARIAS

Los tipos más sencillos de celdas unitarias son las celdas unitarias cúbicas. Es posible
tener puntos en posiciones diferentes de las esquinas de las celdas unitarias. En la celda
unitaria cúbica centrada en el cuerpo, un punto se halla en el centro de la celda. En la
celda unitaria cúbica centrada en las caras un punto se halla en el centro de cada cara de
la celda.

La celda unitaria cúbica simple contiene el equivalente de un solo átomo. La celda unitaria
cúbica centrada en el cuerpo contiene dos átomos. La celda unitaria centrada en las caras
contiene el equivalente de cuatro átomos.

Los cristales están formados por átomos, iones y moléculas. Podemos clasificar a los
cristales en cuatro tipos de acuerdo a la clase de partículas que forman el cristal y a las
fuerzas que las mantienen juntas.
Los cristales iónicos. Los iones positivos y negativos están sostenidos en la red cristalina
por atracciones electrostáticas. Debido a que las fuerzas son fuertes, las sustancias
iónicas tienen puntos de fusión elevados. Los cristales iónicos son duros y frágiles. Debido
al movimiento de un plano de iones sobre otro, los iones con la misma carga se repelen
mutuamente. El cristal se rompe en pedazos, estos son buenos conductores de
electricidad cuando están fundidos o en solución.

Los cristales moléculas, las moléculas ocupan posiciones de red o reticulado en los
cristales de los compuestos covalentes. Las fuerzas intermoleculares que mantiene las
moléculas en la estructura cristalina no son tan fuertes como las fuerzas electrostáticas
que mantienen juntos los cristales iónicos. Unos pocos compuestos moleculares se
disocian muy ligeramente y producen bajas concentraciones de iones.

Los cristales covalentes. Los átomos de los cristales covalentes se mantienen unidos en
una red tridimensional únicamente por enlaces covalentes. Esté tipo de cristal son
extremadamente duros y difíciles de deformar, y son malos conductores del calor y por lo
tanto de la electricidad (ya que sabemos que el calor y la conductividad tienen una relación
directa) ya que no existen electrones libres que trasladen energía de un punto a otro. Un
ejemplo típico de este tipo de cristal es el Diamante.
Las redes cristalinas, los átomos ocupan posiciones del retículo y están unidos por
una red de enlaces covalentes. Todo el cristal puede considerarse como una molécula
gigante. El diamante es un ejemplo de este tipo de cristal. Los materiales de este tipo
tienen puntos de fusión elevados y son extremamente duros debido al gran número de
enlaces covalentes que tendrían que romper para destruirse la estructura cristalina.
Los cristales metálicos, sus electrones externos de los átomos metálicos están
débilmente retenidos y se mueven libremente a través del cristal metálico. El resto de
los átomos metálicos, los iones positivos, ocupan posiciones fijas en el cristal.
Los materiales metálicos pueden estar constituidos por elementos metálicos puros o
combinaciones de ellos (aleaciones), pero también pueden contener pequeñas
proporciones de elementos no metálicos.

Algunas características

 Son buenos conductores del calor y de la electricidad.

 Son opacos a la luz visible y sus superficies pulidas son altamente reflectantes
(brillo metálico).

Son resistentes, aunque deformables, lo que los convierte en excelentes
candidatos para las aplicaciones estructurales

Algunos de ellos tienen interesantes propiedades magnéticas (imanes
permanentes, núcleos de transformadores, etc.).

La tendencia a la cristalización de los materiales metálicos es muy elevada, por lo que

en general su estructura atómica es ordenada. Sólo si se someten a velocidades de
enfriamiento muy severas puede invertirse esta tendencia y obtenerse un metal
amorfo.

La nube negativa de los electrones que se mueven libremente, algunas veces

llamadas gas electrónico o mar de electrones, mantiene junto al cristal. Esta fuerza de
enlace es llamada enlace metálico.
Es posible ver átomos.

Entre los más grandes avances de la ciencia tenemos a:

EL MICROSCOPIO TUNEL

Es un instrumento para tomar imágenes de superficies a nivel atómico. Su desarrollo en

1981 hizo ganar a sus inventores, Gerd Binnig y Heinrich Rohrer (de IBM Zürich),
el Premio Nobel de Física en 1986. Para un STM, se considera que una buena resolución
es 0.1 nm de resolución lateral y 0.01 nm de resolución de profundidad. Con esta
resolución, los átomos individuales dentro de los materiales son rutinariamente
visualizados y manipulados. El STM puede ser usado no solo en ultra alto vacío, sino que
también en aire, agua, y varios otros líquidos o gases del ambiente, y a temperaturas que
abarcan un rango desde casi cero Kelvin hasta unos pocos cientos de grados Celsius.

El STM está basado en el concepto de efecto túnel. Cuando una punta conductora es
colocada muy cerca de la superficie a ser examinada, una corriente de
polarización (diferencia de voltaje) aplicada entre las dos puede permitir a los electrones
pasar al otro lado mediante efecto túnel a través del vacío entre ellas. La
resultante corriente de tunelización es una función de la posición de la punta, el voltaje
aplicado y la densidad local de estados (LDOS por sus siglas en inglés) de la muestra. La
información es adquirida monitoreando la corriente conforme la posición de la punta
escanea a través de la superficie, y es usualmente desplegada en forma de imagen. La
microscopía de efecto túnel puede ser una técnica desafiante, ya que requiere superficies
extremadamente limpias y estables, puntas afiladas, excelente control de vibraciones, y
electrónica sofisticada.

PRINCIPIO DE OPERACIÓN O PROCESO DE FUNCIONAMIENTO

El efecto túnel es un concepto que surge de la mecánica cuántica. Clásicamente, un objeto

que choca con una barrera impenetrable no pasará a través de ella. Sin embargo, los
objetos con una muy pequeña masa, tales como el electrón, tienen características de
onda que permiten el evento conocido como efecto túnel.

Los electrones se comportan como haces de energía, y en la presencia de un

potencial U(z), asumiendo un caso unidimensional, los niveles de energía ψn(z) de los
electrones están dados por las soluciones a la ecuación de Schrödinger,

Donde ħ es la constante de Planck reducida, z es la posición, y m es la masa de un

electrón.4 Si a un electrón de energía E se le hace incidir hacia una barrera de energía de
altura U(z), la función de onda del electrón es una solución de onda,
Donde

Si E > U(z), que es verdad para una función de onda dentro de la punta o dentro de la
muestra.4 Dentro de una barrera, E < U(z) así que las funciones de onda que satisfacen
esto son ondas en descomposición,

Donde

Cuantifica el decaimiento de la onda dentro de la barrera, con la barrera en la dirección

+z para .

Conociendo la función de onda es posible calcular la densidad de probabilidad para que el

electrón se encuentre en una localización en particular. En el caso de efecto túnel, las
funciones de onda de la punta y la muestra se traslapan tal que cuando están bajo una
tensión de voltaje, existe alguna probabilidad finita de encontrar al electrón en la región de
barrera e incluso del otro lado de la barrera. Se asume que la tensión de voltaje es V y la
anchura de la barrera es W. La probabilidad mencionada, P, de que un electrón enz=0
(borde izquierdo de la barrera) pueda ser encontrado en z=W (borde derecho de la
barrera) es proporcional al cuadrado de la función de onda,

Si la tensión de voltaje es pequeña, puede asumirse que U − E ≈ φM en la expresión

para κ, donde φM, la función trabajo, da la energía mínima necesaria para arrancar un
electrón desde un nivel ocupado, el mayor de los cuales está al nivel de Fermi (para
metales a T=0 Kelvin), a un nivel vacío. Cuando una pequeña tensión de voltaje V es
aplicada al sistema, únicamente los estados electrónicos muy cerca del nivel de Fermi,
dentro de eV (un producto de la carga del electrón y el voltaje, no debe confundirse con la
unidad electronvolt), son excitados. Estos electrones excitados pueden hacer efecto túnel
a través de la barrera. En otras palabras, el efecto túnel ocurre principalmente con
electrones de energías cercanas al nivel de Fermi.

Sin embargo, el efecto túnel requiere que haya un nivel vacío de la misma energía del
electrón para que el electrón realice el efecto túnel hacia el otro lado de la barrera. Esto es
debido a la restricción de que la corriente de tunelamiento puede ser relacionada a la
densidad de estados disponibles o llenos en la muestra. La corriente debida a un voltaje
aplicado V (se asume que el efecto túnel ocurre de la muestra a la punta) depende de dos
factores: 1) el número de electrones entre Ef y eV en la muestra, y 2) el número entre ellos
que tiene estados libres correspondientes para hacer túnel hacia el otro lado de la barrera
en la punta. Entre mayor sea la densidad de estados disponibles será mayor la corriente
de tunelamiento. Cuando V es positivo, los electrones en la punta hacen túnel hacia los
estados vacíos en la muestra; para una tensión de voltaje negativa, los electrones hacen
túnel desde los estados ocupados en la muestra hacia la punta.

Matemáticamente, esta corriente de tunelamiento está dada por

Se puede sumar la probabilidad sobre las energías entre Ef − eV y Ef para obtener el

número de estados disponibles en este rango de energía por unidad de volumen,
encontrando así la densidad local de estados (LDOS) cerca del nivel de Fermi. La
densidad local de estados cerca de alguna energía E dentro de un intervalo ε está dada
por

Y la corriente de túnel a una pequeña tensión de voltaje V es proporcional a la densidad

local de estados cerca del nivel de Fermi, que brinda información importante acerca de la
muestra. Es deseable usar la densidad local de estados para expresar la corriente debido
a que este valor no cambia conforme cambia el volumen, mientras que sí lo hace la
densidad de probabilidad. Así, la corriente de tunelamiento está dada por

Donde ρs(0,Ef) es la densidad local de estados cerca del nivel de Fermi de la muestra en
su superficie. Esta corriente puede también ser expresada en términos de la densidad local
de estados cerca del nivel de Fermi de la muestra en la superficie de la punta,

El término exponencial en las ecuaciones superiores significa que pequeñas variaciones

en W tienen mucha influencia en la corriente de tunelamiento. Si la separación es reducida
por 1 Ǻ, la corriente se incremente por un orden de magnitud y viceversa.

Esta aproximación falla en tener en cuenta la tasa a la cual los electrones pueden pasar la
barrera. Esta tasa debería afectar la corriente de túnel, así que puede ser tratada usando
la regla de oro de Fermi con el apropiado elemento de matriz de tunelamiento. John
Bardeen resolvió este problema en su estudio de la unión metal-aislante-metal. Él encontró
que si se resuelve la ecuación de Schrödinger para cada lado de la unión de manera
separada para obtener las funciones de onda ψ y χ de cada electrodo, se podría obtener la
matriz de tunelamiento, M, a partir del traslape de estas dos funciones de onda. Esto
puede ser aplicado al STM haciendo electrodos a la punta y a la muestra, asignando ψ y χ
como funciones de onda de la muestra y la punta, respectivamente, y evaluando M en
alguna superficie S entre los electrodos metálicos, donde z=0 en la superficie de la
muestra y z=W en la superficie de la punta.

Ahora, la regla de oro de Fermi da la tasa para la transferencia de electrones a través de la

barrera, y se escribe

Donde δ(Eψ–Eχ) restringe que el efecto túnel ocurra solo entre niveles de electrones con la
misma energía.4 El elemento de matriz de túnel, dado por

Es una descripción de la menor energía asociada con la interacción de funciones de onda

en el traslape, llamada también energía de resonancia.

Sumando sobre todos los estados da la corriente de tunelamiento como

Donde f es la función de Fermi, ρs y ρT son la densidad de estados en la muestra y la

punta, respectivamente. La función de distribución de Fermi describe el llenado de niveles
de electrones a una temperatura dada T.