Comportamiento de los semiconductores

El átomo normal de silicio tiene cuatro electrones periféricos que son atraídos fuertemente
por el núcleo y, por tanto no pueden utilizarse como libres o móviles de transporte de cargas.
Dicho en otros términos, el silicio puro ofrece una resistencia al paso de la corriente eléctrica y
se comporta como un aislante más bien que como un conductor.

Para poder utilizar el silicio como conductor es preciso mezclarle o adicionarle pequeñas
cantidades de "impurezas", es decir, de elementos químicos cuyo átomo posea cinco o tres
electrones de valencia.

La adición de tales impurezas recibe el nombre de "dopado", y el resultado de la misma es la

obtención de un material con exceso de elementos libres o bien con deficiencia de electrones
libres (exceso de "huecos").

En efecto, si se añade una pequeña cantidad de arsénico (elemento cuyo átomo tiene cinco
electrones periféricos) al silicio puro molido, cuatro de estos electrones periféricos formarán
enlaces covalentes con los electrones de cuatro átomos contiguos de silicio, y el electrón
restante quedará libre para desplazarse al azar dentro del cristal de silicio.

Estos electrones libres constituirán una corriente electrónica en cuanto se aplique

exteriormente una diferencia de potencial al cristal de silicio. Cuando al adicionar una
impureza al silicio o al germanio puro químicamente se obtiene un material con numerosos
electrones libres (exceso de electrones), este material recibe el nombre de semiconductor de
Tipo N pues reúne todas las características necesarias para operar como un semiconductor. Así
cpor ejemplo si se aplica una tensión continua a los extremos de un bloque de semiconductor
Tipo N ( figura 1.3), los electrones libres de dicho bloque serán repelidos por el orne negativo
de la fuente de tensión y atraídos por el borne positivo de la fuente de tensión constituye una
circulación de corriente. Los electrones libres actúan, pues, como portadores activos de
corriente.

Se entiende por enlace covalentes en una red cristalina las uniones existente entre los átomos
que comparten sus electrones de valencia.

Eso significa que cada uno de los electrones periféricos de un átomo de silicio pertenece, no
solo a la capa exterior de dicho átomo, sino también a la de otro átomo vecino. En
consecuencia cada electrón se halla a la influencia de dos átomos más ien que a la de uno solo.

Si se añade, por el contrario, una pequeña cantidad de aluminio (elemento cuyo átomo tiene
tres electrones periféricos) al silicio o germanio puros, estos tres electrones formarán enlaces
covalentes con tres electrones de los átomos contiguos de silicio ( o germanio), y quedará un
enlace incompleto por faltar precisamente un electrón. La uasencia de un electrón se designa
con el nombre de hueco. Una sustancia que como la obtenida de esta manera, posee un déficit
de electrones, o sea un exceso de huecos en su estructura cristalina, se llama conductor Tipo
P.Si conectan los polos de una batería a los extremos de un semiconductor Tipo P se
establecerá una corriente electrónica que, partiendo del polo negativo de una batería,
atravesará el bloque de semiconductor y regresará al polo positivo. Para que los electrones
puedan moverse a lo largo de dicho bloque es preciso que rompan sus enlaces covalentes.
Cada vez que un electrón rompe un enlace covalente deja tras de sí un hueco, el cual es
ocupado a continuación por otro electrón también liberado de su enlace. Resulta pues, que si
bien los electrones circulan a través del semiconductor en el sentido indicado, los huecos que
van dejando se desplazan en sentido contrario. Los huecos actúan, por tanto, como portadores
positivos de corriente.

Los semiconductores tipo P y N se usan raramente, excepto en combinación o asociación

mutua.

 Diodos semiconductores
Se llama diodo semiconductor a la unión o combinación de dos semiconductores, uno de tipo P
y otro de tipo N, formando una unidad PN. Hay diversos métodos para fabricar un diodo PN,
pero, independientemente del método usado, se obtiene así una unidad cuyas características
electrónicas la convierten en un elemento útil.

La figura 1.4 representa esquemáticamente un diodo semiconductor PN.

La zona intermedia o de transición entre las zonas P y N recibe el nombre de Unión o Barrera.
En esta zona de transición ocurre un fenómeno interesante: algunos de los electrones libres
procedentes de la zona N se difunden a través de la unión para ocupar los huecos existentes
en la zona P. Por consiguiente el lado P de la unión adquiere una pequeña carga negativa,
puesto que gana electrones, y el lado N de la unión una pequeña carga positiva, puesto que
pierde electrones.

Como cada lado de la unión adquiere una carga igual y de signo contrario a la del lado opuesto,
se establece entre ambos una diferencia de potencial (fig. 1.5).

Esta diferencia de potencial impide el paso de electrones nuevos de N hacia P, y justifica el

nombre de barrera dado a la unión. En efecto, la polaridad negativa del lado P de la barrera
repele a los demás electrones libres que pretenden introducirse en la zona P. gracias a esta
pequeña barrera de potencial, que impide la completa difusión de los electrones de N hacia P,
el diodo puede conservar sus características originales.

 Polarización inversa y directa

Si a los extremos de una unidad PN se conecta una batería externa del modo indicado en la
figura 1.6 a través de la unión o barrera circulará una corriente muy exigua o nula.

En efecto, observando atentamente el esquema se notará que el polo negativo de la batería

está conectado al extremo libre de la zona P y el el polo positivo al extremo libre de la zona N.
En estas condiciones, la diferencia de potencial en la unión queda incrementada y por tanto
también la acción de la barrera, que solo permite la circulación de una corriente insignificante
(del orden de las millonésimas de amperio). Siempre que la tensión continua se aplica al diodo
del modo descrito, se dice que este recibe polarización inversa.

Por el contrario, si las conexiones de la batería se invierten como muestra la figura 1.7 (polo
positivo al extremo libre de la zona P y polo negativo al extremo libre de la zona N), la
diferencia de potencial existente en la unión queda sensiblemente reducida circula un notable
fluido de electrones a través de la barrera. En tal caso se dice que el diodo recibe polarización
directa. Por consiguiente un diodo PN ofrece elevada resistencia al paso de la corriente cuando
se le aplica polarización inversa y baja resistencia cuando se le aplica polarización directa.
Resulta, pues, que la resistencia opuesta por el diodo a la corriente que circula en un sentido
es mucho mayor que la que opone a la corriente que circula en sentido contrario. En otros
términos, un diodo PN conduce mucho mejor en un sentido que en el opuesto; de allí que
pueda utilizarse para rectificar una corriente alterna en una corriente continua pulsatoria.
Procedimiento:
1- EL DIODO P-N

Equipo:

Diodo P-N, 2 pilas de 1.5 voltios

voltímetro de 5 voltios 3 conectores

Armar el circuito como se muestra en la imagen (el voltímetro indica si la corriente eléctrica
pasa o no)

Diodo conectado en polarización directa:

Diodo conectado en polarización inversa:

Simbólicamente Directa:

Simbólicamente Inversa:
¿En qué tipo de polarización, el diodo se comporta como una resistencia alta?

En la polarización inversa, el polo positivo de la batería está conectada al diodo en l zona N y

el polo negativo está conectado a la zona P. En estas condiciones, la diferencia de potencial en
la unión queda incrementada y por tanto también la acción de la barrera, que solo permite la
circulación de una corriente insignificante (del orden de las millonésimas de amperio). Siempre
que la tensión continua se aplica al diodo del modo descrito, se dice que este recibe
polarización inversa.

Explicar el funcionamiento del diodo usando el modelo electrón – hueco

El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo

P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)

Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el
lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá de los
límites del semiconductor.

De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado
del material N y los huecos fluyen a través del material N.

En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los
electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado
P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay
corriente.

2- EL TRANSISTOR NPN

Equipo:

Transistor NPN 2 pilas

Voltímetro de 5 voltios 3 conectores

Identifica las salidas del transistor NPN: emisor (E), base (B), colector (C).

Para identificar las salidas se utilizo un ohmímetro en el rango x1 o x10.

Se ubica la base del transistor, la base es un punto común que debe marcar baja resistencia
con los dos terminales restantes, en el mismo rango se hace la prueba inversa, la base marca
infinito con los dos terminales restantes.

Ubicación del colector emisor, en la prueba inversa suba el rango del ohmímetro en x10k al
probar la base marca resistencia con el emisor, la base marca infinito con el colector.
Conectar las pilas y el voltímetro (que mostrara si pasa o no, corriente), al transistor NPN en
el siguiente orden.

Si se conecta ¿Pasa corriente? ¿Pasa al invertir la pila?

aByC No pasa Pasa 3,85voltios
aByE No pasa Pasa 3,85voltios
aEyC No pasa No pasa

¿En qué caso se enciende el foco?

Cuando pasa corriente quiere decir que esta polarizado directamente , entonces si se conecta
B y C y B y E se enciende el foco.

El símbolo de un transistor NPN es: dibuje los circuitos 1, 2 y 3 Usando

este símbolo.

¿Qué espera que suceda con un transistor PNP?

Para que un diodo PNP pueda estar en condiciones de funcionamiento, el diodo base emisor
debe estar polarizado directamente y el diodo base colector debe estar polarizado
inversamente.

En el transistor, el emisor es el encargado de “inyectar” electrones en la base, la cual se

encarga de gobernar dichos electrones y mandarlos finalmente al colector.

Explicar el funcionamiento del transistor usando el modelo electrón – hueco

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente

(contaminadas con materiales específicos en cantidades específicos) que forman dos uniones
bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera,
que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada.
 3- LA CELDA FOTOELECTRICA O PILA SOLAR

EQUIPO:

Celda fotoeléctrica Papel celofán (10x15cm) rojo

Voltímetro de 5 voltios amarillo azul
2 conectores Cartulina negra (10x15 cm)
Fuente de luz Cinta métrica.

Buscar una zona oscura para el experimento.

Ubicar la pila solar a 20 cm del foco de luz como se ilustra. Conectar la pila solar al voltímetro.

Nota: al llegar la luz a la celda fotoeléctrica, se forma una corriente que se mide con el
voltímetro.

Vamos a estudiar cómo influyen distintos factores en el voltaje (C) de la corriente eléctrica
producida por la celda foto eléctrica

Factor distancia (d): coloque le celda solar a 10 cm de distancia del foco y aléjala de 10 en 10
cm hasta 1 metro.
A partir de allí de 50 en 50 cm hasta llegar a 4 metros. Anote las distancias y los voltajes.

D (m) V (volt)

0,1 4,49

0,2 4,17

0,3 3,99

0,4 3,84

0,5 3,71

0,6 3,61

0,7 3,47

0,8 3,37

0,9 3,26

1,0 3,18

1,5 2,81

2,0 2,45

2,5 2,17

3,0 1,76

3,5 1,57

4,0 1,31

De acuerdo a los datos ¿Qué relación hay entre el voltaje producido (V) por la celda
fotoeléctrica y la distancia (d) al foco de luz?

La relacion es inversa porque a más distancia menor era la intensidad registrada en el

voltímetro. A cada 10 centímetros que se aleja el foco de la celda foto eléctrica, el
voltaje que genera disminuye en 0.1voltio aproximadamente

Factor longitud de onda (λ) de la luz incidente: ubique la celda fotoeléctrica a 50 cm del foco
de luz. Cubra bien toda la celda con los filtros de distintos colores (papel celofán rojo, amarillo,
azul y cartulina negra). Anote el voltaje producido en la tabla.
 Color y
longitud de rojo amarillo azul Transparente
onda
voltaje 3,57 3,75 3,45 3,79
Longitud de
6,5 5,8 4,7 5,23
onda x10-7

frecuencia 4,6 5,2 6,4 5,87

En base a los datos obtenidos qué relación hay entre el voltaje producido por la
celda fotoeléctrica y la longitud de onda (λ) de la luz que llega al misma.

Junte las relaciones halladas en los procedimientos 2.1 y 2.2 según esto, a cuál de
las siguientes formulas se parece tu conclusión (K es la constante de
proporcionalidad

a) V=Kdλ b) V=K/dλ c) V=Kλ/d d) V= Kd/λ e) N.A.

Describa como es el voltaje producido por una celda fotoeléctrica frente a la LUZ

El voltaje producido por una celda fotoeléctrica es una corriente continua por que la
celda fotoeléctrica es un semiconductor que deja pasar solo electrones positivos y
negativos por cada polo.

Imagine que se haces muy pequeño y que puede ver los electrones de la celda
fotoeléctrica. Ilustre, con dibujos, cómo actúan los fotones de luz para poner a
trabajar a los electrones y generar así, la electricidad observada.
Explique el funcionamiento la celda solar usando el modelo electrón-hueco.

En la producción de celdas solares al silicio se le introducen átomos de impurezas

(dopado) para crear una región tipo p y una región tipo n de modo de producir una
unión p-n. El dopado se puede hacer por difusión a alta temperatura, donde las planchas
se colocan en un horno con el dopante introducido en forma de vapor. Hay muchos
otros métodos de dopar el silicio. En la fabricación de algunos dispositivos de lámina
delgada la introducción de dopantes puede ocurrir durante la deposición de las láminas
o de las capas.

Un átomo del silicio tiene 4 electrones de valencia (aquellos más débilmente unidos),
que enlazan a los átomos adyacentes. Substituyendo un átomo del silicio por un átomo
que tenga 3 o 5 electrones de la valencia producirá un espacio sin un electrón (un
agujero) o un electrón extra que pueda moverse más libremente que los otros, ésta es la
base del doping. En el doping tipo p, la creación de agujeros, es alcanzada mediante la
incorporación en el silicio de átomos con 3 electrones de valencia, generalmente se
utiliza boro. En el dopaje de tipo n, la creación de electrones adicionales es alcanzada
incorporando un átomo con 5 electrones de valencia, generalmente fósforo.

Una vez que se crea una unión p-n, se hacen los contactos eléctricos al frente y en la
parte posterior de la célula evaporando o pintando con metal la plancha. La parte
posterior de la plancha se puede cubrir totalmente por el metal, pero el frente de la
misma tiene que tener solamente un patrón en forma de rejilla o de líneas finas de metal,
de otra manera el metal bloquearía al sol del silicio y no habría ninguna respuesta a los
fotones de la luz incidente.