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2. Descripción de la actividad
Circuitos de disparo.
Rectificadores
Convertidores DC-DC
Convertidores DC-AC
Actividades a desarrollar
7. Los equipos que el tutor debe solicitar en el centro para el desarrollo de esta guía
de laboratorio se listan a continuación:
Multímetro.
Osciloscopio (incluir puntas de prueba).
Fuente de poder regulada variable. (incluir cables)
Generador de señal. (incluir cables)
3. Lentamente varié el valor de V2 hasta que el SCR conduzca. ¿Qué sucede con el
valor del VAK y porque?
Pregunta: ¿Qué observas ahora que repentinamente usted aumenta y luego reduce
la corriente de puerta?
Procedimiento:
Características de transferencia
2. Ajuste VDS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente mayor a ¼ del valor total.
3. V2 debe estar inicialmente en cero voltios, luego cambie el valor de VGS variando
el valor de V2. (mantenga R2 en el valor mínimo) y observe como cae el valor de
VDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS, llevando VGS a 5V.
VDS2 = 12V.
VDS3 = 15V
Llenar las tablas.
V1=VDS1 = 10V
V1=VDS2 = 15V o 12V
VGS V IDS (mA)
VGS V IDS (mA)
0V
8V (max)
Características de drenaje:
7. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2 = VTH ± 0.1V.
8. Llenar la tabla.
8V (max) 8V (max)
60N60
Figura No.3
Procedimiento:
Características de transferencia
4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio tenga en cuenta
que el VGE máximo debe ser 10 voltios.
5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el IGBT conduzca
es llamado VTH.
6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y dibuje la gráfica de VGE
vs IC.
Características de Colector
1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 5V o mayor o igual al VTH y
V1 hasta que VCE = 10V.
4. Si VGE es mayor que VP, una corriente constante fluye por el dispositivo y esta
región es llamada región de corriente constante.
5. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los valores de IC
vs VGE.
Para los nodos o centros de desarrollo de componente práctico in situ a nivel nacional
que cuenten con la estación de laboratorio de ingeniería NI Engineering Laboratory
Virtual Instrumentation Suite (NI ELVIS), que ofrece una experiencia de aprendizaje
basado en problemas usando medidas en línea, diseño embebido y práctico de
sistemas electrónicos. Se solicita al tutor encargado realizar un ejerció demostrativo
de las funcionalidades de los instrumentos integrados que trae este equipo realizando
el montaje y prueba del circuito de la primera práctica “Características del MOSFET”.
Figura No.4 ELVIS II
Fuente: Fritzing
En dicho taller se espera luego del montaje en protoboard del circuito con el MOSFET,
presentar el uso del osciloscopio, multímetro, fuente de alimentación y generador de
funciones integrados en el ELVIS II y verificar con la puesta en marcha las
características del dispositivo semiconductor.
Nota: Este taller práctico no tiene peso evaluativo y es opcional realizarlo debido a
que no todos los centros en que se realiza el desarrollo del componente práctico del
curso cuentan con el equipo ELVIS II.
Entorno para su desarrollo: Aprendizaje Práctico – Aula de laboratorio in-situ
Productos a El producto esperado es la asistencia participación y un informe
entregar por el final en formato IEEE que el estudiante debe entregar a su tutor
estudiante: de prácticas.
Tipo de No se entrega ningún
Individual x Colaborativo
producto: producto
Individual:
Documento escrito: informe de construcción individual que incluya: