ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CON MENCIÓN EN TELECOMUNICACIONES

DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

Ing. César Huamaní Ayala

chuamani@uch.edu.pe

2018 - II
UNIDAD DIDÁCTICA 1 SESIÓN 1

TEMA DE SESIÓN: Amplificadores de varias etapas

CAPACIDAD ESPECÍFICA

• Analiza y diseña circuitos amplificadores bipolares y de efecto campo, en alta y baja frecuencia.

CAPACIDAD DE PROCESO:

• Reconoce las distintitas configuraciones, y determina ganancias e impedancias en amplificadores multietapa.

INDICADORES:

• Calcula las ganancias e impedancias en amplificadores multietapa.

 Principios físicos.

Símbolos
Estructura interna:

Cuando consideramos la estructura física del transistor (NPN), en la zona de carga espacial de la unión emisora circulan unas
corrientes de huecos y electrones que obedecen a la ley del diodo. A consecuencia de la polarización directa, el emisor inyectará
muchos electrones a la región P de la base y serán atraidos hacia el fuerte campo eléctrico del colector.

Sobre una estructura

NPN “polarizada”
 Comportamiento idealizado del transistor bipolar

I E = I B + IC  Corrientes externas con el transistor polarizado


 → Relaciones más importantes en la región de trabajo activa.
IC    I B     es " el factor de amplificac ión".

Convenio de tensiones y corrientes

NPN PNP

VCE = VBE + VCB VEC = VEB + VBC

Características I-V
Sobre la configuración de emisor común

Características de entrada I B = f (VBE )

(diodo)

Características de salida IC = f (VCE )

Modelo en continua según modo de trabajo

IC =   I B
IB  0
VCE  (VCEsaturación = 0,2V)
VBE  0,7V
IC    IB
IB  0
VCE  (VCEsaturación = 0,2V)
VBE  0,7 V
IC  0
IB  0
VBE  0,7 V
VBC  0,7 V
Análisis en DC de circuitos con transistores bipolares
El objetivo del análisis en DC es conocer las tensiones en los nudos del circuito y las corrientes que circulan
por sus elementos. En particular, calcular tres corrientes, IE, IB, IC y tres tensiones, VBE, VCE, VCB. El punto de
trabajo Q es IC y VCE .

Ejercicio
Dado el circuito de la fig 1 encontrar el punto de trabajo Q(VCEQ , IC ) con los datos del transistor que se dan.
 Thevenin →
15V
VTH =  5K = 5V
15K
R TH = 10K // 5K = 3,3K

tensiones en V y resistencias en K : Re lación entre I C e I E  En la salida (malla de colector) 

15 = 3  I C + VCE + 2  I E 
 → 15 = 5  I C + VCE
En la entrada (malla de base)  IC =   IB   +1 IE  IC 
 → IE =  IC
5 = 3,3  I B + VBE + I E  2 IE = IB + IC   V
o bien : I C = − CE + 3
IC =   IB  Si   1 (como es normal) → I E  I C 5
 → I E = (1 + )  I B que es la " recta de carga en continua" (rcc)
IE = IC + IB 
5 = 3,3  I B + VBE + (1 + )  I B → (con los datos) →
I B = 20,9A
I C =   I B = 100  20,9A = 2,09mA

8
9
Ejercicio

Indicar en que zona de trabajo se encuentra el transistor de la figura.

10
 Solución

Comprobamos la tensión de base. Sin el efecto diodo de la base del transistor :

10V + 5V
VBs = 10K − 5V = 2,5V  0,7V. → El transistor podría estar en la zona activa o en
20K
la zona de saturación. 
Corriente de base (con VBE = 0,7V) →
10V − 0,7 V − 5V − 0,7 V
I B = I1 + I 2 = +  0,36mA
10K 10K
10V - 0,2V
Hipótesis : si el transistor está en la zona de saturación  VCEsat = 0,2V → I Csat = = 9,8mA
1K
como   I B = 50  0,36mA  18mA entonces →
  I B  I Csat es decir, 18mA  9,7mA → El transistor está efectivame nte en la zona de saturación.

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Modelo en AC para el BJT
Análisis en pequeña señal: Circuito incremental y ganancia
Cuando los incrementos son de pequeña amplitud, se puede considerar que el circuito
incremental del transistor es lineal. Se le denomina también modelo de pequeña señal.

a) Modelo del transistor en activa. b) Modelo de pequeña señal del transistor

Modelo equivalente en señal
Aplicación en E.C.

VT
r :Resistencia dinámica del diodo r =
I BQ
Base-emisor
Ganacia de tensión

Circuito amplificador
Ejercicio

Encontrar el punto de trabajo Q(ICQ ,VCEQ ) en continua y las ganancias de tensión Gv , corriente Gi
e impedancia de entrada zi.

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 Análisis en continua:

Capacidades con valor que

tienden a infinito en continua
son circuitos abiertos.

Circuito en continua
Thevenin →
9V
VTH =  2,2K = 1,4V
12K + 2,2K
R TH = 12K // 2,2K = 1,85K
En la malla de base →
1,4 = 1,85K  I B + 0,7 + 0,2K  I C
con I C = I E
IC =   IB ( = 50)
I BQ = 60A
I CQ = 3mA

En la malla de colector →
9 = 1K  I C + 0,2K  I E + VCE
con I C = I E →
VCE 9V
IC = − + que es la recta de carga en continua (rcc)
1,2K 1,2K
como I C = 3mA → VCEQ = 5,4V
 Análisis en alterna:
(pequeña señal)
Modelo incremental con ro ∞

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Ganancia de tensión (G V ) →
El signo negativo indica
v   i b  0,5K 50 que la señal de salida
GV = o = − =−  0,5K = −25
vi i b  r 1K está desfasada 180º con
respecto a la señal de
Ganancia de corriente( G I ) → entrada

1K v i 1K 50 1K
−   ib  −    
io 2 K r 2K 1K 2K = −16,2
GI = = =− =−
ii  1 1  1 1 1
+
1
v i   +  v i   + 
 1,85K r   1,85 K r  1,85K 1K
Impedancia de entrada(z i ) →
vi
zi = = R TH // r = 1,85K // 1K = 0,65K
ii

18
 Con los datos del ejercicio :
Recta de carga en alterna (rca) (corrientes en mA , tensiones en V y resistencias en K)
Recta de carga en continua (rcc) punto de trabajo Q → I CQ = 3mA , VCEQ = 5,4V
Concepto de margen dinámico de salida rca → i C = −
v CE
+ 13,8
0,5
Recta de carga en alterna (rca) V
rcc → I C = − CE + 7,5 Gráficamente
1,2
v ce 
ic = −
R C // R L 

i C = I CQ + i c →
v CE = VCEQ + v ce 

VCEQ − v CE
rca → i C = I CQ +
R C // R L

Recta de carga en continua (rcc)

en la gráfica se observa →
VCC = I C  (R C + R E ) + VCE → v CEsat = VCEQ − VCEsat 
→ RESTRINGE LA
v CEcorte = I CQ  (R C // R L )
VCE VCC DINAMICA
rcc → I C = − + v CEsat = 5,2V
RC + RE RC + RE v CEcorte = 1,5V
Con los datos que tenemos en el ejercicio como se comportará el amplificador ?

restricció n de la dinámica → v CEcorte = 1,5V → v o máx = 1,5V 


vo →
GV = = −25 
vi 
Situación dinámica ideal: Máxima Excursión Simétrica (MES)

v CEsat = VCEQ − VCEsat 


v CEcorte = I CQ  (R L // R C )

Para conseguir M áxima Excursión Simétrica es necesario que →

v CEsat = v CEcorte →
VCEQ − VCEsat = I CQ  (R L // R C )
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Configuraciones compuestas: Conexión cascada y Transistor
Darlington

Un amplificador multietapa es una conexión en cascada:

Ejemplo:
Etapa 1 (Gv1) Etapa 2 (Gv2)

22
Ejercicio

Encontrar la ganancia en tensión Gv

del siguiente circuito:

Modelo equivalente incremental en pequeña señal:

(capacidades que tienden a infinito son cortocircuito y tensiones en continua a masa)
(observar que RTH1=R1//R2 y RTH2=R3//R4)
 Análisis:

Etapa 1 (G V1 ) →
v o1   i b1  (R C1 // z i 2 ) 
G V1 = =−  v o1   i b1  (R C1 // R TH 2 // r ) 50  (1K // 1,85K // 1K )
vi i b1  r  → G V1 = =− =− = −19,7
 v i 
b1  r 1 K
z i 2 = R TH 2 // r 
i

Etapa 2 (G V2 ) →
vo   i b 2  (R C 2 // R L ) 50  (1K // 100)
G V2 = =− =− = −5
v o1 i b 2  r 1K
vo
Ganancia total G V = = G V1  G V2 = (−19,7)  (−5) = 98,5
vi

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Transistor Darlington encapsulado

D= 8000, VBE= 1.6 V

I C = 1   2  I B = D  I B


VBE = VBE1 + VBE2 
VCE = VCE 2 = VCE1 + VBE2 
Bibliografia
[1] Boylestad, Nashelsky. Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos
(Octava edición-2003), Pearson/Prentice Hall
[2] Prat, L. Circuits i Dispositius electrònics. Fonaments d’electrònica (2001),
Edicions UPC y Alfaomega Grupo Editor
Referencias

• Según APA.