Clase Dispositivos PDF

UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE
MÉXICO
FACULTAD DE INGENIERIA
APUNTES DE DISPOSITIVOS Y
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
DIODO Y TRANSISTOR TBJ
AUTOR: ING. JESÚS MARÍA FRANCISCO HERNÁNDEZ

MORALES
1 Dispositivos y Circuitos Electrónicos
TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR
En la actualidad, los dispositivos electrónicos

usan silicio como material básico. El silicio
está en el Grupo IV de la tabla periódica
(grupo tetravalente) y se clasifica como un
"semiconductor" debido al hecho que es un
conductor pobre en estado puro. Cuando se
agregan cantidades controladas de ciertas
"impurezas" a un semiconductor se hace un
buen conductor. Dependiendo del tipo de
impureza agregada al semiconductor básico,
su conductibilidad puede tomar dos tipos: P y Figura2 Semiconductor tipo N.
N.
La conductibilidad del tipo N en un
semiconductor es la conductibilidad debido a En la conductibilidad del tipo P, las cargas
la tendencia de electrones libres. En el silicio que llevan la corriente eléctrica por el cristal
puro a temperatura ambiente hay muy pocos actúan como si ellos fueran las cargas
electrones libres. positivas. Sabemos que electricidad siempre
El silicio es un elemento tetravalente, con se lleva por los electrones flotando en
cuatro electrones de valencia en la orbita cualquier material, y que no hay ningún
exterior; todos se aseguran por la fuerte portador positivo móvil en un sólido. Los
unión covalente de la celosía del cristal, portadores de carga positiva pueden existir
como se muestra en la figura 1. Cuando en los gases y líquidos en la forma de iones
cantidades controladas de impurezas del positivos pero no en los sólidos. El carácter
donador (los elementos del grupo V) como positivo del flujo real en el cristal del
fósforo se agregan, los átomos pentavalentes semiconductor puede pensarse como el
que entran en la estructura atómica movimiento de vacantes (llamados huecos)
proporcionan electrones extras no requeridos entre los enlaces covalentes.
por los enlaces covalentes. Estas impurezas Estos huecos flotan del positivo hacia el
se llaman las impurezas del donador dado negativo en un campo eléctrico,
que "donan" un electrón libre. Estos comportándose como si fueran los
electrones donados son libres para flotar del portadores positivos.
negativo al positivo por el cristal cuando se
aplica un campo eléctrico, como se muestra
en la figura 2. La nomenclatura de "N" para
este tipo de conductibilidad implica a los
portadores de carga negativa.
Figura3 Semiconductor tipo P.
La conductibilidad del tipo P en los

Figura1 Estructura del cristal de silicio semiconductores es el resultado de agregar
puro. las impurezas del aceptador (elementos del
Dispositivos y Circuitos Electrónicos 2
Grupo III) como el boro al silicio. En este

caso, los átomos del boro, con tres
electrones de valencia, forman uniones con
la estructura tetravalente del silicio. Dado que
los enlaces covalentes no se pueden
satisfacerse con sólo tres electrones, cada
átomo del aceptador deja un hueco en el
enlace covalente. Estos huecos aceptan
electrones introducidos por las fuentes
externas o creados por la radiación o por el
calentamiento, como se muestra en la figura
3. Cuando un circuito externo se conecta, los
electrones de la fuente "llenan" estos huecos
desde la terminal negativa y saltan de hueco Figura5 Curva del comportamiento ideal del
en hueco a través del cristal, se puede diodo.
pensar en este proceso de una manera
diferente pero equivale al desplazamiento de Su símbolo se muestra a continuación:
huecos positivos hacia la terminal negativa.
Es esta tendencia de huecos cargados
positivamente la base para el término de la
conductibilidad tipo P.
Cuando las regiones de semiconductores de
tipo N y tipo P se forman en un cristal Figura6 Representación gráfica del diodo.
semiconductor adyacentes una a la otra, se
llama unión PN. La punta de la flecha del símbolo circuital,
representada en la figura 6, indica el sentido
permitido de la corriente.
Apoyándonos en la ley de Ohm y analizando
EL DIODO IDEAL la figura 5 deducimos que:
El diodo es el dispositivo electrónico más
sencillo, se forma con la unión de dos 1. Para Vd>0, Id será diferente a cero y
semiconductores uno del tipo N y otro del tipo por lo tanto R=0
P y se puede fabricar en estructura vertical o 2. Para Vd<0, Id = 0 y por lo tanto R=∞.
plana como se muestra en la siguiente figura:
Esto es equivalente a un interruptor que se
cierra o se abre dependiendo de la dirección
de la corriente.
Ejemplo 1.- Determinar el comportamiento

del diodo en el siguiente circuito, tomando en
cuenta que el voltaje aplicado a la entrada es
una señal cuadrada que varia entre +10 y -10
Voltios.
Figura4 Construcción del diodo.

Su comportamiento ideal nos muestra al
diodo como un dispositivo capaz de permitir
el flujo de corriente en una dirección (ánodo a
cátodo) con una resistencia de valor cero,
mientras que presenta una resistencia infinita
cuando el flujo de la corriente se realiza en
sentido contrario (cátodo a ánodo), este Ejemplo 1
comportamiento lo podemos visualizar en la
siguiente figura:
Solución:
Para el análisis del diodo se consideran las
dos opciones: cuando la entrada es de +10
Voltios y cuando la entrada es de -10 Voltios,
en el primer caso el circuito a analizar será el
siguiente:
Finalmente el voltaje de R1 con respecto a la

entrada será el siguiente:
En este caso el diodo se polariza en directa,

lo cual implica que la corriente fluirá de
ánodo a cátodo y con lo cual el diodo se
comportará como un interruptor cerrado
como se observa en la siguiente figura:
Problema 1.- Empleando el modelo ideal del

diodo determinar el voltaje en R1 del
siguiente circuito, considerando que el voltaje
a la entrada Vi = Vm sen(ω)t como se
muestra a continuación:
Con lo anterior tendremos que VR1 = 10V, y
la corriente en este caso será de 10mA.
En el segundo caso el voltaje de entrada es

de -10 Voltios:
Bajo esta condición el diodo se polariza en

forma inversa, lo cual forzará el flujo de
corriente de cátodo a ánodo, en está
situación el diodo se comportará como un
interruptor abierto, con lo cual la corriente
que fluye a través del circuito será cero.
Problema 2.-Empleando el mismo voltaje a

la entrada determinar el voltaje en R1 del
siguiente circuito:
Aplicando el modelo del diodo ideal tenemos

que para el lóbulo positivo de la señal (0 a π)
el diodo se comportará como un interruptor
Problema 3.- Empleando SPICE determinar cerrado. Por lo que el voltaje en la resistencia
el voltaje en R1, así como la corriente en R1 será:
ambos circuitos, para esto R1 = 1KΩ, la
amplitud máxima del voltaje de entrada Vm =
10 V y su frecuencia es de 1Khz.
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos de los problemas anteriores
pertenecen a un grupo de circuitos conocidos
como rectificadores, por lo general se
emplean para convertir Voltajes de Corriente
Alterna (VCA) a Voltajes de Corriente Para el lóbulo negativo (π a 2 π), el diodo se
Continuo (VCC) o bien con ayuda de algunos polariza en inversa, lo cual hace que el diodo
elementos adicionales a Voltajes de se comporte como un interruptor abierto,
Corriente Directa (VCD). Su principal dado que no hay flujo de corriente el voltaje
aplicación son las fuentes de alimentación. en R1 será 0, como se muestra a
A su vez estos circuitos se dividen en continuación:
rectificadores de media onda y rectificadores
de onda completa.
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Un circuito rectificador de media está
constituido como se muestra a continuación:
Dado que este es un proceso cíclico,

después de 2p, se repiten las condiciones
iniciales, por lo cual el voltaje en R1 será el
siguiente:
Figura 7 Circuito rectificador de media onda.
Despejando y sustituyendo obtenemos lo

siguiente:
Vcc = 0.318 ⋅ ( 2 ⋅ VRMS )
Vcc = 0.318 ⋅ ( )
2 ⋅ 12V = 5.4V
Figura 8 Señal rectificada en un circuito Problema 4.- Obtenga el voltaje promedio

rectificador de media onda rectificado en circuitos rectificadores de
media onda, si empleamos transformadores
Para determinar el valor promedio de la señal con los siguientes voltajes en el secundario:
rectificada, se debe calcular el área bajo la a) 9 VRMS.
curva de la figura 2, dividiendo este valor por b) 18 VRMS.
el periodo de la onda rectificada: c) 24 VRMS.
d) 48 VRMS.
1 1 π
T∫ 2π ∫0
Vcc = vdt = (Vm ⋅ SenΘ)dΘ
Otra consideración en el uso de estos
circuitos es el Voltaje Inverso de Pico (VIP),
que representa el máximo voltaje al que se
Vm
Vcc = [− CosΘ]π0 = Vm = 0.318 ⋅ Vm somete el diodo en polarización inversa y que
2π π por lo general es igual a Vm:
Con lo cual podemos afirmar que el valor VIP = Vm

promedio de la señal rectificada para este
circuito será: Este parámetro es importante para evitar que
el diodo se destruya.
Vcc = 0.318 Vm
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
Donde: Con el fin de obtener un mejor
Vcc = Valor promedio del voltaje aprovechamiento de la onda senoidal a la
rectificado. entrada, se emplea el siguiente circuito:
Vm = Valor máximo (pico) del
voltaje de C.A.
Ejemplo 2.- Calcular el voltaje promedio de

un circuito de media onda, tomando en
cuenta que se emplea un transformador con
un voltaje en el secundario de 12 Voltios
(RMS).
Solución.- Sabemos que Vcc = 0.318 Vm,

Figura 9 Circuito rectificador de onda
sin embargo el dato del voltaje en el
completa.
secundario se da en VRMS lo cual nos indica
que: Como se puede observar en la figura anterior
se emplea un transformador con derivación
central en el secundario, lo cual tiene una
Vm desventaja, esta derivación es un divisor de
V RMS = voltaje, lo cual provoca que el voltaje
2
aprovechado sea igual a Vm/2, sin embargo
el circuito es capaz de aprovechar ambos
lóbulos de la señal de entrada como se
muestra a continuación:
Considerando la siguiente entrada senoidal:
Tenemos que analizar la onda resultante

mediante el análisis de cada uno de los
lóbulos de la señal, para el caso del lóbulo En esta polarización se observa que el diodo
positivo el circuito adquiere la siguiente D1 está polarizado en inversa y por lo tanto
polarización: funciona como un circuito abierto y por lo
cual no habrá flujo de corriente en esa rama.
Por su parte el diodo D2 está polarizado en
directa lo cual permitirá el flujo de corriente
por esa rama del circuito, nuevamente R1 se
conecta a un voltaje pico igual a Vm/2.
Dado que se trata de un ciclo repetitivo, se

Podemos observar que el diodo D1 se obtiene el siguiente voltaje en R1:
polariza en directa mientras que el diodo D2,
se polariza en inversa, con lo cual el diodo
D1, funcionará como un interruptor cerrado y
permitirá el flujo de la corriente, mientras que
el diodo D2 se comportará como un
interruptor abierto, lo cual impedirá el flujo de
corriente a través de este. Además el voltaje
pico que alimenta a la resistencia R1, es
igual a Vm/2. Figura 10 Forma de onda resultante de un
circuito rectificador de onda completa.
En este caso el voltaje promedio rectificado

será:
1
Vcc = 0.636 (Vm/2)
Para el caso de lóbulo negativo se tiene la

siguiente polarización del circuito: 1
Muchos autores consideran Vcc = 0.636 Vm, sin
embargo suponen que cada lóbulo entrega un
voltaje pico igual a Vm, en este análisis Vm es el
máximo que ofrece el secundario del
transformador.
Ejemplo 3.- Determine el voltaje promedio

para un circuito rectificador de onda 2 ⋅ 127V
completa, que utiliza un transformador cuyo V2 = = 68.03V
voltaje en el secundario es de 9 VRMS y posee 2.64
una derivación central. Finalmente el valor promedio será:
Solución: El voltaje en el devanado  68.03 

Vcc = 0.636 = 21.63V
 2 
secundario del transformador es de 9 VRMS,
por lo cual podemos determinar que el voltaje
Vm del secundario es:
Problema 5.- Mediante el análisis de la onda

Vm = 2 ⋅ VRMS resultante para un circuito rectificador de
onda completa, demuestre que:
Con lo cual obtenemos:
Vcc = 0.636 Vm
Vm = 2 ⋅ 9V = 12.72V
Considere el valor máximo para cada lóbulo
Finalmente el voltaje promedio será: como Vm.
Problema 6.- Calcule el valor promedio para

Vm  12.72 
Vcc = 0.636 ⋅   = 0.636 ⋅   = 4.04V
un circuito rectificador de onda completa, y
 2   2  con derivación central en el secundario, para
los siguientes casos:
Ejemplo 4.- Obtenga el valor promedio para
un circuito rectificador de onda completa, que a) El voltaje en el secundario es de 12
utiliza un transformador con derivación VRMS.
central en el devanado secundario con una b) El transformador se alimenta de la
relación de vueltas de 2.64, considere que el línea (127 VRMS) y posee una relación
primario se conecta a la línea de de vueltas de 10.6.
alimentación (127 VRMS).
CIRCUITO PUENTE RECTIFICADOR
Solución.-La relación de vueltas se define Una variante del circuito rectificador de onda
como razón del número de espiras en el completa es el circuito puente rectificador
devanado primario (N1), entre el número de que emplea cuatro diodos para rectificación
espiras en el devanado secundario (N2), esta completa, en este caso el secundario del
razón también es proporcional a la relación transformador no utilizará la derivación
del voltaje en el devanado primario, entre el central, con esto se aprovecha mejor el
voltaje en el devanado secundario: voltaje en el secundario:
N1 V 1
= = 2.64
N2 V2
Despejando tenemos que el voltaje en el
secundario será:
V1
V2 =
2.64
Dado que el valor del voltaje en el primario
está en VRMS , se requiere obtener su valor
instantáneo, por lo cual V2 será: Figura 11 Circuito Puente Rectificador de onda
completo
Para el análisis de la operación del circuito se

necesita analizar las rutas de conducción
para cada lóbulo de la señal de entrada, así
cuando se presente el ciclo positivo de la
señal, el circuito se polarizara de la siguiente
manera:
Para este caso observamos que D2 y D3

están polarizados en directa, de manera que
permitirán el paso de corriente, por su parte
D1 y D4 tienen polaridad inversa con lo cual
se comportarán como un interruptor abierto,
impidiendo así el paso de corriente. El flujo
de la corriente se muestra a continuación:
Podemos observar que los diodos D1 y D4
están polarizados en directa, mientras que
los diodos D2 y D3 se polarizan en inversa,
con lo D1 y D4 conducen, mientras que D2 y
D3 se comportan como circuitos abiertos, de
manera que la ruta es la siguiente:
Al igual que en el lóbulo positivo el voltaje en

R1 será Vm, cabe resaltar que la polaridad
en R1 en los dos casos permaneció igual.
Cabe mencionar que el voltaje en R1 será

Vm, para este lóbulo positivo.
Durante el lóbulo negativo de la señal de

entrada la polarización del circuito se
manifiesta de la siguiente manera:
Finalmente el voltaje resultante a la salida de Solución.- Sabemos que:

un puente rectificador será el siguiente:
2 ⋅ Vm
Vcc =
π
despejando Vm obtenemos lo siguiente:
π π
Vm = Vcc = 21.6V = 33.93V
2 2
Figura 12 Voltaje resultante de un puente
rectificador. Por otro lado sabemos que la relación de
Para determinar el valor promedio de la señal vueltas de un transformador esta dada por:
rectificada, se debe calcular el área bajo la
curva de la figura 12, dividiendo este valor N1 V 1
por el periodo de la onda rectificada: R= =
N2 V 2
1 1 π
Vcc =
T ∫ vdt =
2π ∫
0
(Vm ⋅ SenΘ) dΘ + Para nuestro caso el valor del voltaje pico en
el secundario (V2) es de 33.93V, sin
1 2π 2 ⋅ Vm embargo, necesitamos el valor del voltaje
2π ∫π (Vm ⋅ − SenΘ)dΘ =
π
= 0.636 ⋅ Vm pico en el primario:
V 1 = 2 ⋅ 127V = 179.6V
Vcc = 0.636Vm
Finalmente nuestra relación de vueltas en el
A diferencia del rectificador de onda completa transformador será:
con derivación central el puente rectificador
aprovecha completamente el voltaje en el V1
secundario de un transformador. R= = 5.29
V2
Ejemplo 5.- Determine el voltaje promedio de
Problema 7.- Determine la relación de
la señal rectificada de un circuito puente
vueltas de un transformador de un circuito
rectificador si se emplea un transformador
puente rectificador, de tal manera que Vcc =
con un voltaje nominal de 12 VRMS en su
100 V y el primario esta conectado a la línea
secundario.
de alimentación de 127 VRMS.
Problema 8.- Determine el voltaje promedio
Solución.- El voltaje nominal en el
de la señal rectificada de un circuito puente
secundario es de 12 VRMS, lo primero que
rectificador, cuando se emplea un
debemos obtener es su voltaje pico (Vm):
transformador con un voltaje en su
secundario de 24 VRMS.
Vm = 2 ⋅ 12V = 16.97V
con lo cual obtenemos que:
Vcc = 0.636 (16.97V)=10.79 V
Ejemplo 6.- Determine la relación de vueltas

de un transformador empleado en un puente
rectificador de tal manera que Vcc = 21.6 V,
cuando el primario del transformador se
conecte a una alimentación de 127 VRMS.
El voltaje obtenido mediante circuito Voltaje de Rizo.

rectificadores, funciona bien para cargar
baterías o para encender lámparas, sin Los diodos rectificadores cargan al capacitor
embargo la mayoría de los circuitos de filtrado C1, hasta el valor pico Vm, durante
electrónicos necesitan un voltaje de los ciclos de no conducción el capacitor se
alimentación mas suave. Por ejemplo, en el descargará mediante la resistencia de carga
caso de los amplificadores de audio, un RL. Esto creará una onda del tipo de diente
voltaje rectificado sin filtrar se puede de sierra que se le denominará Voltaje de
escuchar como un zumbido en las bocinas. Rizo. El valor del voltaje de rizo depende de
Este zumbido es proporcional a la frecuencia la corriente de la carga, la frecuencia de la
de la fuente de alimentación. El “suavizado” fuente de alimentación y el valor del
del voltaje de alimentación se realiza capacitor. Un cálculo aproximado del voltaje
agregando un capacitor de valor alto en de rizo se obtiene de la siguiente ecuación:
paralelo con la carga, justamente después de
la sección de rectificación, a esta sección en i
las fuentes de alimentación se le conoce Vr =
como sección de filtrado. f ⋅C
Donde:
Vr es el voltaje de rizo
i es la corriente en la carga
f es la frecuencia.
C es el valor del capacitor de filtrado
Dado que la corriente en la carga también se

puede calcular como:
Vm
La onda resultante se muestra a i=
continuación. RL
Donde:
i es la corriente en la carga
Vm es el valor pico del secundario.
RL es la resistencia de carga.
Sustituyendo lo anterior tenemos que:
Vm
Vr =
Figura 13 Onda resultante al agregar un f ⋅ R ⋅C
capacitor de filtrado.
Este cálculo se aplica a circuitos con carga
ligera. La frecuencia variará en función del
De la figura anterior podemos afirmar que el tipo de circuito rectificador que se emplea,
voltaje rectificado promedio obtenido será: así cuando se emplea un rectificador de
media onda la frecuencia es de 60 Hz, en el
Vr caso del puente rectificador y el circuito
Vcc = Vm −
2 rectificador de onda completa la frecuencia
de operación es de 120 Hz.
Donde:
Vcc es el voltaje promedio rectificado.
Vm es el voltaje pico en el secundario
del transformador.
Vr es el voltaje de rizo.
Ejemplo 6.- Determinar el voltaje promedio CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE

rectificado de un circuito puente rectificador, VOLTAJE
considerando que su transformador tiene un
valor nominal de 24 VRMS en el secundario, el Con el fin de obtener un voltaje rectificado
capacitor empleado en el filtrado tiene un pico (Vm) mayor al que puede ofrecer el
valor de 2200µF y su resistencia de carga es secundario del transformador, se emplea
de 1KΩ. este tipo de circuitos, el voltaje resultante a la
salida es un múltiplo de dos, tres o más
Solución.- Sabemos que veces el voltaje pico del secundario del
transformador.
Vm
Vr = DOBLADORES DE VOLTAJE.
f ⋅ R ⋅C
En la figura 1, se muestra un doblador de
Tenemos que la frecuencia de operación es voltaje de media onda.
de 120 Hz, dado que estamos empleando un
circuito puente rectificador.
Por otro lado el voltaje en el secundario del

transformador es de 24 VRMS, así que su
voltaje pico será:
Vm2 = 2 ⋅ 24V = 33.94V

Figura 14 Circuito doblador de voltaje de
Para obtener el voltaje del rizo tenemos que:
media onda.
33.94V
Vr = = 128mV Al igual que en el caso de los circuitos
[(120 Hz ) ⋅ (1kΩ) ⋅ (2200µF )] rectificadores el voltaje en el secundario, será
una señal senoidal. Para su análisis se debe
Finalmente el voltaje promedio obtenido será: considerar los dos casos posibles, para
cuando la polarización de entrada es positiva
Vr .128V y para cuando la polarización de entrada es
Vcc = Vm 2 − = 33.94V − = 33.87V inversa:
2 2
En el caso de la polarización positiva, la
Problema 9.-Obtenga el voltaje promedio, polarización resultante en el circuito será:
así como su voltaje de rizo de un circuito
rectificador, si se emplea un capacitor de
filtrado de 470µF, con una resistencia de
carga de 2.2 kΩ, el transformador tiene un
valor nominal en el secundario de 12 VRMS,
bajo las siguientes configuraciones:
1. Rectificador de media onda.

2. Puente rectificador.
Problema 10 .-Realizar el análisis del

problema anterior mediante SPICE. Podemos observar que el diodo D1 se
polariza en directa, lo cual provoca que
conduzca corriente, mientras que el diodo D2
se polariza en inversa lo cual provoca que no
conduzca corriente.
Al comportarse D1 como un corto circuito,

provoca que el capacitor C1 se cargue con
un voltaje igual al voltaje pico en el
secundario (Vm), dado que el capacitor tiene
la propiedad eléctrica de almacenar carga en
forma de voltaje, el voltaje tiende a conservar
su valor.
Figura 15 Forma de onda resultante del
Para cuando se invierte la polaridad en la circuito doblador de media onda
entrada, el circuito tiene la siguiente
polarización:
La figura 3 nos muestra a un doblador de
voltaje de onda completa
En esta polarización el diodo D1 se polariza

en inversa con lo cual se comporta como un
circuito abierto y el diodo D2 se comporta
como un corto circuito, lo cual hace que fluya
corriente a través de él:
Figura 16 Circuito doblador de voltaje de onda
completa.
Para una entrada positiva la polarización será

la siguiente:
Como podemos observar C2 se carga con un

voltaje debido a la suma del voltaje
almacenado en el capacitor C1 más el voltaje
debido al voltaje pico del secundario del
transformador, con lo cual:
Vo = −2 ⋅ Vm
Como podemos observar el diodo D1 se

polariza en directa, con lo cual tenemos un
corto circuito, mientras que el diodo D2 de
polariza en inversa y se comportará como un
circuito abierto. De lo anterior tenemos que:
Como podemos observar la salida será:
Vo = 2 ⋅ Vm
El capacitor C1 se carga con un voltaje igual Su forma de onda a la salida se presenta a

al voltaje pico del secundario del continuación:
transformador.
Para el semiciclo negativo tenemos la
siguiente polarización:
Figura 17 Forma de onda resultante a la salida

de un circuito doblador de voltaje de onda
En este caso el diodo D1 se polariza en completa.
inversa con lo cual no conduce corriente y el
diodo D2 se polariza en directa de tal forma
que se comporta como corto circuito: Ejemplo 7.- Se desea construir circuito
doblador de voltaje de onda completa, su
salida tendrá que dar 50 V. Determinar ¿Cuál
debe ser la relación de vueltas del
transformador empleado, si el primario se
conecta a la línea de alimentación de 127
VRMS?.
Solución.- Dado que un doblador de voltaje

ofrece el doble del voltaje pico en el
transformador, tenemos que:
Si medimos el voltaje a través del capacitor

C1, obtendremos a Vm, en el capacitor C2 el
Vo valor es de 2Vm, el voltaje a través de C1 y
Vm = = 25V C3 es de 3Vm y finalmente el voltaje a través
2
de C2 y C4 es de 4Vm.
El voltaje RMS en el secundario será:
Cabe notar que el Voltaje Inverso de Pico
(V.I.P.) para este circuito es de 2 Vm.
Vm 25V
V2= = = 17.67V PROYECTO 1.- Desarrolle un circuito
2 2 multiplicador de voltaje, de tal forma que
podamos obtener los siguientes voltajes a la
Finalmente la relación de vueltas será: salida de un solo circuito:
N1 127V a) 25 Voltios.
R= = = 7.18 b) 50 Voltios
N 2 17.67V c) 75 Voltios.
d) 100 Voltios.
Multiplicadores de Voltaje
CIRCUITOS RECORTADORES
El siguiente circuito es una variación del
doblador de voltaje de media onda que es Los circuitos recortadores son circuitos
capaz de desarrollar hasta 4 veces el voltaje formadores de onda, que eliminan una
pico del secundario del transformador (Vm). porción de la señal de entrada, por lo general
constan de un diodo y una resistencia, sin
embargo adicionalmente pueden contar con
una batería.
El siguiente circuito es un ejemplo de un

circuito recortador.
Figura 18 Circuito multiplicador de voltaje.
En el primer semiciclo positivo de la señal de

entrada, el capacitor C1 se carga a través del Figura 19 Circuito recortador
diodo D1 al voltaje pico Vm, en el semiciclo El voltaje de entrada se muestra a
negativo el capacitor C2 se carga con valor continuación:
pico de 2Vm desarrollado por la suma del
voltaje en el Capacitor C1 y el secundario del
transformador.
En el siguiente semiciclo positivo los diodos

D1 y D3 conducen lo cual provoca que el
capacitor C3 se cargue con el valor del
capacitor C2 : 2Vm.
Para el siguiente semiciclo negativo los

diodos D2 y D4 conducen, de tal forma que
C4 se carga con C3 : 2Vm.
Considerando un análisis de diodo ideal

tenemos que:
Para Vi < 15 V, el diodo se polarizará en
inversa lo cual implica que habrá flujo de
corriente a través de éste, cuando el valor de
Vi > 15V, el diodo se polariza en directa lo
cual permite un flujo de corriente hacia R1.
La forma de onda resultante a la salida será:
La figura anterior muestra la porción de la

onda se recorta cuando D1 no conduce, de
tal forma que la forma de onda a la salida
será la siguiente:
Ejemplo 8.- Analice el siguiente circuito

recortador para determinar la forma de onda
a la salida (VR1):
Ejemplo 9.- Determine la forma de onda a la

salida (VR1) del siguiente circuito recortador:
Su voltaje a la entrada Vi se muestra a

continuación:
Su entrada se muestra a continuación:
Solución .- La condición para que el diodo

D1 conduzca es cuando Vi > V2, que en este
caso es de – 8 V, cuando Vi < V2, el diodo no Solución.- En este circuito la condición para
conducirá. Una manera gráfica de explicarlo
que D1 conduzca es que Vi < V2, en el caso
se muestra a continuación:
contrario cuando Vi > V2, D1 no conducirá.
Una manera gráfica de visualizar la onda

resultante se muestra a continuación:
CIRCUITOS SUJETADORES
Estos circuitos también cambian la forma de

onda a la salida, desplazando la señal a un
nivel de referencia distinto.
Por lo general estos circuitos constan en su
forma más básica de tres elementos: un
diodo, un capacitor y una resistencia,
adicionalmente se le puede agregar una
batería.
Con el fin de que el voltaje a través del
Con lo cual la onda resultante será la
capacitor no varié significativamente, se
siguiente:
deben elegir valores de C y R, de tal forma
que la constante del tiempo τ = R C sea lo
suficientemente grande.
Por lo general, en un circuito RC el capacitor
se carga alrededor de 5τ, para evitar
deformaciones considerables en la salida del
circuito deberemos diseñarlo de tal forma
que:
Problema 11.- Determine la forma de onda T << τ

resultante para el siguiente circuito
recortador: Donde:
T es el periodo de la señal
τ es la constante de tiempo RC
Ejemplo 10.- Determine la forma de onda a

la salida del siguiente circuito:
Su voltaje de entrada se muestra a

continuación:
El voltaje de entrada tiene una frecuencia de
1 kHz y se muestra a continuación:
En todo el análisis considere al diodo como

diodo ideal.
Solución .- El primer paso es determinar la

constante de tiempo τ = RC:
τ = 100kΩ ⋅ 0.1µF = 10ms
τ = 10 ms
si comparamos Toff con τ observamos que

efectivamente:
Toff << τ En este caso D1 se polariza en inversa con lo

cual el circuito resultante será:
0.5ms << 10ms
Con esto aseguramos que la señal a la salida

no variara en forma significativa cuando se
descargue el capacitor.
Analizando para el primer caso, cuando Vi =

10V, tenemos el siguiente circuito:
Durante este intervalo de tiempo,

observamos que Vo = -30 V. Durante este
periodo el capacitor se descargará por R1,
sin embargo como se comprobó
anteriormente, Toff << τ , con esto
aseguramos que el voltaje en el capacitor
variará muy poco.
Podemos observar que D1 se polariza en
Finalmente la onda resultante con respecto a
directa, lo cual hace que se comporte como
la entrada se muestra a continuación:
un corto circuito como se muestra a
continuación:
De lo anterior podemos decir que Vo = 0V, y

que el capacitor se cargará a través del corto
circuito, considerando que la resistencia del
diodo en polarización directa es cero, la
constante del tiempo será τ = RC = 0C =0,
con esto podemos observar que el capacitor
se carga de manera inmediata al valor del
voltaje Vi.
Cuando el valor de la entrada es Vi = -20V,

se tiene el siguiente circuito:
Problema 12.- Determinar la forma de onda

a la salida del siguiente circuito: a b Vo
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
De la tabla anterior podemos afirmar que el

circuito en cuestión se comporta como una
función AND.
Si el voltaje a la entrada es el siguiente:
En el circuito anterior observamos que si a

una entrada se le aplica una entrada de nivel
COMPUERTAS LÓGICAS alto (1), el diodo se polarizará en directa, que
lo hará comportarse como un corto circuito,
Mediante el uso de diodos es posible con esto la salida Vo tendrá un nivel alto (1),
implementar funciones lógicas como se si por el contrario la entrada es un nivel bajo
muestra a continuación. (0), el diodo no conducirá corriente y la salida
será de un nivel bajo.
Al combinar ambas entradas obtenemos lo

siguiente:
a b Vo
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
En el circuito anterior observamos que hay Con estos datos podemos afirmar que se
dos entradas a y b, nuestra salida será Vo, trata de un circuito que se comporta como
nuestras entradas tendrán dos niveles una función OR
lógicos: alto (V+) y un bajo (0V).
Problema 13.- Diseñar circuitos con diodos
Si una entrada se conecta a un nivel alto el de tal forma que realicen las siguientes
diodo estará al mismo nivel de potencial en funciones:
sus dos extremos, lo cual no generará un
flujo de corriente, en este caso la salida 1. (A + B) ∗ C
tendrá un nivel alto. 2. (A ∗ B) + C
Cuando una entrada se conecta a un nivel
bajo, provoca que el diodo se polarice en
directa, lo cual provoca que se comporte
como un corto circuito, de esta forma el nivel
de la salida será bajo.
Cuando combinamos ambas entradas
obtenemos los siguientes resultados:
Polarización inversa
DIODO REAL
Al aplicar un potencial externo a la unión PN
Para poder entender mejor el de tal forma que la terminal positiva se
comportamiento del diodo real, primero conecta al material tipo N y la terminal
debemos ver el comportamiento electrónico negativa al material tipo P, el número de
de su construcción. portadores descubiertos en la zona de
Como sabemos el diodo se forma de la unión agotamiento del material N se incrementará
de dos materiales semiconductores: uno tipo debido al gran número de electrones “libres”
P y otro tipo N, ambos construidos de la atraídos por el potencial positivo del voltaje
misma base Ge (Germanio) ó Si (silicio). aplicado. De manera similar el número de
Cuando ambos materiales se juntan portadores negativos descubiertos en el
físicamente, los electrones y los huecos de la material P aumentará. Sin embargo, el efecto
región de la unión se combinan de tal forma resultante es una ampliación de la zona de
que se genera una zona libre de carga. A agotamiento.
esta zona se le denomina zona de
agotamiento.
Unión PN sin polarización
En esta situación tanto el material

semiconductor P como el N, están libres de
cargas o campos eléctricos externos, Para
este caso los portadores cada material son
atraídos por su contraparte, esto se
acentuará más en la zona de agotamiento,
donde podremos encontrar portadores de Esto crea una gran barrera que debe vencer
carga de signo contrario al material. la corriente para fluir. A pesar de que existe
una oposición de corriente, el diodo genera
por si mismo una pequeña corriente que se
llama corriente de saturación inversa (Is). El
valor de esta corriente es muy pequeña del
orden de microamperios, el término
“saturación”, se refiere al hecho a que
alcanza su valor máximo rápidamente y se
mantiene constante aún con el aumento del
voltaje aplicado.
Polarización directa.
Cuando se aplica un voltaje de tal forma que

la terminal positiva se conecte al material tipo
Al hacer un análisis de la corriente veremos P y la terminal negativa se conecte con el
que esta combinación genera un flujo de material tipo N, se dice que se polariza en
portadores en ambas direcciones, sin forma directa, el efecto de esta polarización
embargo cada material llega a una condición se refleja en la disminución de la zona de
de equilibrio, en la cual no existe un exceso agotamiento, lo cual representa una
de carga contraria dentro de un material. Por oposición menor al flujo de corriente.
lo cual podemos afirmar que, el flujo neto de
carga en cualquier dirección sin voltaje
aplicado, es cero.
o
Tk = Tc + 273 ( Temperaturas: Tk
temperatura en grados Kelvin, Tc
temperatura en grados centígrados).
Esta ecuación se aproxima mucho al

comportamiento, sin embargo por factores
como la resistencia del material, la
resistencia de la unión y la resistencia del
conductor metálico hace que la curva se
desplace en la región de polarización directa.
Ejemplo 11.- Determinar la corriente de un

La magnitud de la corriente se incrementa en
diodo de Silicio, polarizado en directa a
forma exponencial, a medida que
0.65V, con una temperatura ambiente de
aumentamos el voltaje de la polarización o
10 C.
directa.
Solución.- Tenemos que convertir nuestra
La curva característica del comportamiento
temperatura a grados Kelvin:
del diodo real se muestra a continuación:
T o K = T o C + 273 = 10 + 273 = 283 o K

Calculamos K debemos tomar en cuenta que
se trata de un diodo de silicio por lo cual n=2.
11600
K= = 5800
2
Consideramos la corriente inversa de
saturación como 1µA, de tal forma que:
( 5800 )(.65 )
I D = (1µA)(e 283
− 1) = 0.61A.
Ejemplo 12.- Determinar la corriente del

ejemplo anterior, esta vez con una
o
temperatura ambiente de 20 C.
Observamos que en la zona de polarización
directa la corriente aumenta en forma Solución.- Convirtiendo la temperatura
exponencial, una ecuación que puede tendremos lo siguiente:
describir este comportamiento es la
siguiente: o o
T K = 20 C+273 = 293 K
o
K ⋅V
La corriente resultante será:
I D = I s ⋅ (e TK
− 1)
( 5800 )( 0.65 )
Donde: I D = (1µA)(e 293

− 1) = 0.38 A
ID es la corriente en el diodo.
V es el voltaje aplicado al diodo. Ejemplo 13.- Determinar la corriente de un
Is es la corriente de polarización en diodo de Germanio, que está polarizado en
inversa. directa a un 0.1V, la temperatura ambiente es
o
K = 11 600/n con n = 1 para Ge y de 22 C.
n = 2 para Si.
Solución.- Necesitamos convertir la
temperatura:
o o
T K = 22 + 273 = 295 K El valor de Rd puede determinarse a partir de
unos valores. De la gráfica podemos
Considerando una corriente de saturación en observar que para un valor de polarización
inversa del diodo de Germanio de 1µA, de 1V tendremos una corriente de 10mA,
tendremos que: considerando que para Vd = 0, corresponde
una corriente de Id = 0 mA, Con lo anterior
(11600 )( 0.1) podemos calcular Rd (resistencia promedio)
I D = (1µA)(e 295
− 1) = 50 µA mediante la siguiente fórmula:
Problema 14.- Determinar la corriente de un ∆Vd

diodo de silicio, con una temperatura
Rd =
o ∆Id Puntoapunto
ambiente de 15 C cuando se polariza en
directa a los siguientes voltajes:
De lo anterior obtenemos que:
1. 0.2V
2. 0.3V (1 − 0.7V ) 0.3V
3. 0.5V
Rd = = = 30Ω
(10mA − 0) 10mA
En el caso de germanio, el valor de Rd será

Circuito equivalente
de 70Ω.
La siguiente gráfica muestra el Finalmente el modelo equivalente de un

comportamiento del diodo en polarización diodo de silicio en polarización directa se
directa: muestra a continuación:
Ejemplo 14.- Determinar el voltaje de RL, la

corriente a través del diodo y la resistencia
equivalente del diodo del siguiente circuito,
considerando que es un diodo de silicio:
Un circuito equivalente para este

comportamiento se muestra a continuación:
Sustituyendo el modelo equivalente del diodo

tendremos el siguiente circuito:
Dado que el diodo de silicio no conduce
hasta después de que se polariza por arriba
de 0.7V, se incluye una batería que
representa el voltaje de inicio de conducción
del diodo. En el caso del germanio este
voltaje tendría un valor de 0.3V.
Solución.- Dado que el voltaje Vi es mucho Solución.- Al igual que el caso anterior Vi es
mayor que 0.7V el diodo D1 se polariza en mucho mayor que 0.7V, esto garantiza que el
directa, con lo cual se comportará como un diodo D se polarice en directa y por lo cual se
cortocircuito, entonces para obtener el voltaje comportará como un cortocircuito.
de RL tenemos que:
Para obtener el voltaje en la carga VRL
(15 − 0.7V )(1kΩ) tenemos que:
V RL = = 13.88V
(1000Ω + 30Ω)
(10 − 0.7V )(100Ω)
V RL = = 7.15V
La corriente a través del circuito será: (100Ω + 30Ω)
Vi − Vo 20V − 0.7V La corriente a través del circuito será:
ID = = = 18.7 mA
R L + R D 1kΩ + 30Ω
10V − 0.7V
ID = = 71.5mA
El voltaje en el diodo se calcula como sigue: 100Ω + 30Ω
V D = Vo + R D I D = 0.7V + (18.7 mA ⋅ 30Ω) El voltaje en el diodo será:
VD = 1.26V V D = VO + R D I D = 0.7V + (71.5mA ⋅ 30Ω)
Finalmente la resistencia equivalente del VD = 2.84V

diodo será:
La resistencia equivalente del diodo:
V 1.26V
Rcc = D = = 67.43Ω VD 2.84V
I D 18.7 mA Rcc = = = 39.69Ω
I D 71.5mA
Ejemplo 15.- Determinar el voltaje de RL, la
corriente a través del diodo y la resistencia Problema 15.- Determinar el voltaje en RL, la
equivalente del diodo del siguiente circuito, corriente a través del diodo ID, el voltaje en el
considerando que es un diodo de silicio: diodo VD y la resistencia equivalente en el
diodo RCC, considerando que el diodo D1,
sea de:
1. silicio
2. germanio
en el siguiente circuito:
Sustituyendo el circuito equivalente se tendrá

el siguiente circuito:
átomo y se generan portadores. Aunque

existan estos dos mecanismos de ruptura, en
ambos casos el voltaje asociado al cambio
brusco en las características de conducción
se le conoce como región Zener.
Diodo Zener
El diodo Zener es un dispositivo diseñado

Al analizar la zona de la polarización inversa
para hacer uso de la zona Zener.
observamos que existe una zona donde la
corriente se dispara a partir de cierto valor.
Durante la construcción de estos diodos es
posible variar su voltaje zener (VZ), variando
los niveles de contaminación del
semiconductor; así al incrementar las
impurezas, el voltaje zener se reducirá, este
voltaje puede variar desde 2.4 hasta 200V,
con potencias que van desde 0.25 hasta 50W
y por lo general estos diodos se fabrican de
silicio.
Dado que la región Zener se encuentra en la

polarización inversa, estos diodos por lo
general funcionan bajo esta polarización.
Región Zener
Cuando la polarización en inversa llega hasta

cierto valor conocido como voltaje zener (Vz) Un circuito equivalente del diodo Zener que
donde los portadores libres desarrollan una puede corresponder al comportamiento en
velocidad suficiente para liberar portadores polarización inversa se muestra a
adicionales por medio de la ionización. Esto continuación.
provoca que los electrones de la valencia
choquen entre si, desarrollando la energía
suficiente para abandonar a sus respectivos
átomos. A medida que aumenta el número de
portadores libres aumenta también la
ionización de los demás átomos, hasta que
se llega a un punto en el cual se genera una
gran corriente de avalancha y se determina la
región de ruptura por avalancha.
Dependiendo del grado de dopaje del

material semiconductor la región de El valor de Vz es igual al voltaje Zener, por
avalancha se puede acercar al eje vertical su parte la resistencia dinámica del Zener es
(Vd = 0V). Sin embargo para valores de VZ
muy pequeña. Suponiendo que las
por debajo de los –5V, el diodo utiliza el
resistencias externas al diodo Zener son
mecanismo conocido como ruptura Zener. En
mucho mayores a la resistencia equivalente
este caso se presenta un fuerte campo del Zener (Rz), lo cual nos lleva a reducir
eléctrico en la unión PN, que provoca la nuestro diodo Zener polarizado en inversa al
ruptura de las uniones de enlace dentro del
siguiente circuito equivalente:
(20 − 15V )
I Ri = = 2.27 mA
2.2kΩ
Por otro lado:
15V
I RL = = 1.5mA
Siempre y cuando el voltaje con el que se 10kΩ
este polarizando sea mayor a Vz.
Dado que la corriente de IRi = IRL + IZ
Circuitos de referencia
Despejando tenemos que:
Una de las principales aplicaciones del diodo
Zener, es su empleo como un generador de IZ = IRi - IRL
voltaje de referencia fijo, para esto se tendrá
que polarizar al diodo Zener con un voltaje IZ = 2.27 mA – 1.5 mA = 0.77 mA.
mayor a su voltaje Zener, una ventaja de este
circuito es que el voltaje de polarización Cuando Vi = 18V, tenemos las siguientes
puede variar, sin embargo, el voltaje condiciones:
resultante se mantendrá constante.
Considerando que Vi es mayor que Vz, se
Ejemplo 16.- Se desea saber cuales son las debe suponer que el diodo Zener debe estar
posibles variaciones dentro del siguiente en la región Zener, sin embargo se debe
circuito, el diodo Zener empleado es un tomar en cuenta el siguiente análisis:
1N965B, cuyo voltaje de Zener nominal es de
15 V, calcule la corriente del circuito cuando: El voltaje al cual se polariza en inversa al
diodo esta determinado también por el divisor
1. Vi = 20 V de voltaje Ri y RL, calculando el Voltaje del
2. Vi = 18 V diodo Zener tenemos:
Vi ⋅ RL 18V ⋅ 10kΩ
Vz = = = 14.75V
( RL + Ri ) 10kΩ + 2.2kΩ
Dado que el voltaje al que se polariza no es

igual al Vz nominal del diodo, no podremos
realizar ningún análisis como un circuito de
referencia.
Ejemplo 17.- Determinar el voltaje a la salida

Solución.- Considerando que Vi es mayor del siguiente circuito:
que Vz, entonces nuestro diodo Zener
entrará a la región de Zener. Con lo cual el
circuito resultante es el siguiente:
Para cuando Vi es de 20V, tenemos que:

Con Vsin = 0.5 Sen ωt.
1
Solución.- De las hojas de especificaciones VR = (2 + Senωt )V
de diodos Zener, obtenemos que el voltaje 2
Zener del diodo 1N961B es de 10V.
Gráficamente el voltaje en la resistencia R
El voltaje a la entrada es igual a la suma de (VR) será:
la fuente de corriente directa y la fuente
senoidal.
El voltaje combinado a la entrada se muestra

a continuación:
Finalmente la corriente en R se calcula como:
VR (2 + 0.5Senωt )V
IR = =
IR 4.7kΩ
I R = (425 + 106Senωt ) µA
De este circuito podemos observar que

aunque la entrada muestre variaciones en su
Como se puede observar, este voltaje tiene entrada a la salida se tendrá una salida
variaciones a la entrada, sin embargo el valor constante o de referencia.
del voltaje a la entrada siempre será mayor a
los 10V, por lo cual el diodo estará en la zona Generadores de onda cuadrada
Zener. Para su análisis el circuito se puede
reducir como sigue: El siguiente circuito es un generador de
ondas cuadradas, para esto se deberá tener
una entrada lo suficientemente grande de tal
manera que su voltaje se mucho mayor que
el voltaje del diodo Zener empleado.
Podemos observar que la salida será

constante y será de un valor constante de
10V.
El diodo Zener 1N751A es un diodo cuyo Vz
es de 5.1V.
El voltaje en la resistencia se calcula a partir
de la diferencia de potenciales a la entrada y
Supongamos que tenemos la siguiente
en la salida:
entrada:
1
V R = Vi − VZ = (12 + Senωt )V − 10V
2
En este instante la salida será Vz (5.1V),

cuando la entrada vuelve a bajar de nivel y
Analizando el primer lóbulo tenemos la
Vi < Vz, entonces la salida volverá a ser Vi.
siguiente polarización para los diodos Zener:
Para el lóbulo negativo se aplica un análisis
similar, de tal manera que la onda resultante
se muestra a continuación:
Podemos observar que el diodo DZ1 se

polariza en directa, en esta zona de
polarización el diodo se comporta como un
diodo normal, así que podemos asumir que
se trata de un cortocircuito; por su parte el
diodo DZ2 se polariza en inversa, sin
embargo aquí hay una condición extra,
mientras el voltaje de polarización sea menor
a Vz (que en este caso es de 5.1V), este
diodo se comportará como un circuito abierto,
esto se muestra en la siguiente figura:
Regulador de voltaje
Dado que el diodo Zener provee de un voltaje

estable cuando se le polariza
apropiadamente, es muy común su uso para
la regulación de voltaje en circuitos con carga
ligera (poca demanda de corriente), la
capacidad del diodo Zener da oportunidad a
Con lo anterior el voltaje a la salida (Vo), será obtener voltajes constantes a la salida ante
el mismo que el de la entrada (Vi). variaciones de la carga.
Cuando el voltaje a la entrada supera el Es importante recalcar que se debe asegurar

voltaje de Zener del diodo DZ2 esté se que el diodo Zener se encuentre a su
comportará como una fuente de referencia de potencial de Zener (Vz) para poder ofrecer
5.1V, como se ocurre en el siguiente circuito: una buena regulación.
Ejemplo 18.- Determinar el mínimo voltaje a

la entrada en el cual nuestro diodo DZ A su vez VRL = VZ = 10V.
1N951B (Vz = 10V) se enciende en el
siguiente circuito: Para determinar la corriente en la carga se
tiene lo siguiente:
V RL 10V
I RL = = = 0 .1 A
RL 100
Para calcular IRi tendremos que:
Vi − Vz 100V − 10V
I Ri = = = 0 .9 A
Ri 100Ω
Solución.- Sabemos que el potencial Zener
del diodo 1N951B es de 10V, sin embargo no Por la ley de Kirchoff de corrientes tenemos
sabemos cual es la entrada. que:
Por divisor de voltaje tenemos que: IRi = Iz + IRL
RL ⋅ Vi Despejando Iz tenemos que:

VZ =
RL + Ri
Iz = I Ri − I RL = 0.9 A − 0.1A = 0.8 A
Despejando Vi tenemos que:
Ejemplo 20.- Para el siguiente circuito
determine el rango de IL que hará que VL se
Vz ( RL + Ri ) 10V (100Ω + 100Ω)
Vi = = mantenga en 10V.
RL 100Ω
Vi = 10V (2) = 20V
Por lo cual podemos concluir que el mínimo

voltaje de entrada para que nuestro diodo
pueda conducir será de 20V.
Ejemplo 19.- Determinar las corrientes del

ejemplo anterior considerando Vi = 100V.
Considere:
Izmin= 0 mA
Izmax = 32 mA
Para calcular RLmin, tenemos que suponer

que el voltaje en el divisor de voltaje Rs y RL
es de 10V:
(Vi )( RLmin )
V L = VZ = = 10V
Solución.- Dado que el voltaje mínimo a la ( RLmin + RS )
entrada para encender nuestro diodo es de
20V, podemos asegurar que nuestro diodo Despejando RLmin, tenemos:
Zener esta encendido.
De lo anterior podemos asegurar que

Vz = 10V.
V L ⋅ RS 10V ⋅ 1kΩ Vz = 220 V

RLmin = = = 250Ω Iz = 15 mA
(Vi − VL ) (50V − 10V ) IL = 25 mA
Bajo esta condición la corriente que circula Problema 17 .- Determine RLmin y RLmax,
en RL será máxima: para el siguiente circuito:
Vz 10V
ILmax = = = 40mA
RLmin 250Ω
Cuando tenemos la condición de Izmax,

implica que la corriente en la carga será la
mínima, pero también por otro lado por las
leyes de Kirchoff tenemos que:
Con los siguientes datos:
IRS = IZ + IL
Vi = 340 V
Dado que el diodo Zener se mantiene Vz = 220V
activado IRS será constante como se muestra Rs = 1.5 k
a continuación:
Además la corriente del diodo Zener deberá
(Vi − Vz ) (50V − 10V ) estar en el siguiente intervalo:
I RS = = = 40mA
Rs 1kΩ
3mA ≤ Iz ≤ 50mA
De lo anterior tenemos que:
I RS = Iz max − ILmin
despejando ILmin tenemos que:
ILmin = I RS − Iz min = 40mA − 32mA = 8mA
Finalmente la resistencia máxima de la

carga:
Vz 10V
Rmax = = = 1.25kΩ
ILmin 8mA
Problema 16.- Determine Rs, IRS, y RL, para

el siguiente circuito
Si:
Vi = 300 V
El Transistor
y su símbolo electrónico es:
El transistor es un dispositivo electrónico
formado por tres capas de semiconductores
que constan de dos capas de material tipo N
y una capa intermedia de material
semiconductor tipo P, esta configuración se
le llama NPN, o bien por dos capas de
material semiconductor tipo P y una capa
intermedia de material semiconductor tipo N, Empleando el transistor pnp, explicaremos su
a esta configuración se le conoce como PNP. operación básica.
Las capas exteriores del transistor están

fuertemente contaminadas y sus
dimensiones son mayores que el material
intermedio como se muestra en la figura
En la figura anterior observamos que el
anterior. Dado que la contaminación del
transistor pnp, ha sido polarizado únicamente
material central es mucho menor, el número
con polarización emisor-base (VEB) y sin
de portadores libres es menor lo cual implica
polarización base-colector (VBC). Para este
que su conductividad es menor.
caso vemos que la unión PN se polarizara en
directa, lo cual hace que la zona de
Operación básica agotamiento de la unión disminuya, lo cual
implica también un flujo de corriente del
El transistor consiste de tres terminales:
material tipo P al tipo N.
colector, base y emisor, para el caso de los
transistores tipo npn tendremos:
Su símbolo electrónico se muestra a

Para la polarización anterior el transistor
continuación:
ahora tiene polarización base-colector (VBC),
mientras que la no hay polarización en la
unión emisor-base. Para este caso la unión
base-colector se polariza en inversa, de esta
forma la región de agotamiento aumenta en
esta unión, lo cual implica una mayor
resistencia al flujo de corriente, solo existe
una pequeña corriente inducida por la zona
Para el caso de los pnp, se tiene: de agotamiento.
Si aplicamos ambas polarizaciones
obtendremos que una unión del transistor se
polariza en inversa, mientras que la otra se
polariza en directa:
Aplicando la ley de Kirchhoff tenemos que:
I E = IC + I B
Sin embargo la corriente del colector, se

compone de dos partes, la corrientes de
portadores mayoritarios y la corriente de
portadores minoritarios, a esta ultima, se le
conoce como corriente de escape (ICO). Esta
De este modo encontraremos dos zonas de corriente es del orden de los microamperios o
agotamiento en ambas uniones, sin embargo nanoamperios, en la mayoría de los casos
ambas están en condiciones inversas, sus efectos pueden ser ignorados, salvo en
mientras que la unión emisor-base esta aquellos con amplias variaciones de
polarizada en directa, la unión base-colector temperatura.
se polariza en inversa, con esto la zona de
agotamiento de la unión emisor-base es
I C = I Cmayoritaria + I CO min oritaria
angosta, la zona de agotamiento de la unión
base-colector es más ancha.
La relación de pequeños cambios de IC en
proporción a pequeños cambios de IE se
denomina factor de amplificación de
cortocircuito, de base común y se le da el
símbolo de α.
∆I C
α=
∆I E VBC = cons tan te
El valor típico de α es muy próximo a la

unidad (0.9 ~ 0.998). Una forma de obtener
el valor de α, es la siguiente ecuación:
Un gran número de portadores fluirán a
través de la unión polarizada en directa
IC
(emisor-base) hasta el material tipo n, dado α≅
que el material tipo n, es muy delgado y su IE
conductividad es baja, un pequeño número
de portadores de carga tomará ruta hacia la
α nos indica el porcentaje de huecos
terminal de la base, esta corriente es del
(portadores mayoritarios) que se originan en
orden de microamperios, que resulta mucho
el material tipo p del emisor y que llegan a la
menor a la corriente que fluye entre el emisor
terminal del colector.
y el colector. La mayor parte de este flujo de
portadores provienen de la zona de
agotamiento de la unión polarizada en I C = α ⋅ I Emayoritario + I CO min oritario
inversa (base-colector) e irán al material tipo
p, conectado en la terminal del colector. Con el fin de acercar a α a la unidad, la
región de la base del transistor se debe
construir lo más estrecho posible.
Por otro lado sabemos que:
I E = IC + I B
Despreciando la corriente de escape (ICO),

tenemos que:
IC
= IC + I B
α
Despejando IC, obtenemos que:
α
IC = I B ( )
1− α
o bien: Como podemos observar en la figura, los
potenciales aplicados en la configuración
IC = I B ⋅ β base común siempre serán referidos a la
base, por lo cual tenemos: Veb y Vcb. En
otras palabras el segundo subíndice siempre
En consecuencia, cuando el transistor bipolar
indicará la configuración del transistor. Para
está funcionando en modo activo se
nuestro transistor pnp, tendremos que el
comporta como una fuente ideal de corriente
potencial Veb es positivo y el potencial Vcb
constante en la que controlando la corriente
es negativo.
de base IB podemos determinar la corriente
de colector IC, siendo la constante β un
parámetro particular de cada transistor
bipolar, denominado ganancia de corriente
en emisor común y cuyo valor, en contraste
con el de α, que es cercano a la unidad y
difícil de medir, está comprendido
típicamente en un rango que va de 100 a
600, aunque puede ser tan elevado como
1000 en determinados dispositivos activos En el caso de un transistor npn, observamos
muy específicos. que Veb es negativo y Vbc es positivo.
Además, pequeños cambios en el valor de α
se corresponden con grandes variaciones en La curva característica de esta configuración
el valor de β. Por todo ello, el parámetro β es se muestra a continuación:
el más utilizado en el análisis y diseño de
circuitos basados en transistores bipolares.
De esta forma, el valor de la corriente de

emisor IE en un transistor bipolar funcionando
en modo activo puede expresarse como
I E = I B ( β + 1)
Dado que β >> 1, podemos considerar que:
I E ≈ IC
Configuraciones del transistor

Podemos encontrar tres zonas en la curva:
La zona de saturación, la zona de corte y la
zona activa.
Base común
En la región activa la unión del colector es
En esta configuración la base es un punto polarizada en forma inversa mientras que la
común tanto para el emisor, como al colector. unión del emisor se polariza en forma directa,
Esto se muestra en la siguiente figura: la región de activa se utiliza para
amplificación de sonidos con una distorsión un rango de valores de entrada (Ib). Como se
mínima. Cuando la corriente del emisor (Ie) muestra en la figura a continuación:
es cero la corriente del colector se deberá
únicamente a la corriente inversa de
saturación ICO, dado que esta corriente tiene
valores del orden de microamperios puede
considerarse como cero.
En la región de corte ambas uniones del

transistor están polarizadas en sentido
inverso, lo cual produce una corriente de
colector despreciable.
En la región de saturación ambas uniones del

transistor están polarizadas en directa, lo
cual genera un crecimiento exponencial de la
corriente en el colector con incrementos
pequeños en el voltaje colector base (Vcb).
En la gráfica tenemos que la magnitud de Ib
Emisor común esta en el orden de microamperios, mientras
Ic es del orden de miliamperios. Otra
Esta es una de las configuraciones más característica es que las curvas de Ib no son
frecuentes, su denominación se debe a que tan horizontales como las que se obtienen en
el emisor resulta común tanto a las las curvas de Ie en la configuración base
terminales de la base como a la terminal del común, para este caso la magnitud del
colector. voltaje colector emisor influenciará en la
magnitud de la corriente del colector Ic.
En la zona activa la unión del colector está

polarizado en inversa, mientras que la unión
del emisor esta polarizado en directa. La
zona activa de esta configuración (emisor
común), se puede emplear para la
amplificación de corriente, voltaje ó potencia.
La zona de corte se localiza bajo la curva

para Ib=0, sin embargo podemos observar
que aun así existe corriente en el colector,
Para un transistor tipo pnp, la configuración esta corriente se define como:
emisor común tendrá esta forma:
I CO
I C = I CEO =
1−α Ib = 0
Puesto que ICEO es del orden de

microamperios, la zona de corte existirá
cuando se emplea el transistor para fines de
conmutación, cuando Ib = 0.
Colector común
La configuración colector común se utiliza

principalmente para acoplamiento de
Para esta configuración las características de impedancias ya que posee una impedancia
salida es una gráfica del voltaje de salida alta a la entrada y una impedancia baja a la
(Vce) versus la corriente de la salida (Ic) para salida, en oposición a los mismos valores
para las configuraciones base común y propias del dispositivo, tal información la
emisor común. podremos encontrar en las curvas
características del dispositivo, si por ejemplo
analizamos la respuesta de un transistor TBJ
en configuración emisor común, veremos la
siguiente curva:
La figura anterior muestra la configuración

colector común para un transistor npn.
Consideremos 4 puntos de interés (A, B, C y

D), los cuales los localizaremos en varias
zonas de las curvas características:
Las curvas características de esta configuración

son similares a las de la configuración emisor
común, lo único que varia es que se graficará IE
versus VEC para valores de IB constantes.
Polarización de los transistores TBJ
Las aplicaciones del transistor TBJ son muy

variadas van desde la amplificación de
voltaje y corriente hasta aplicaciones de
control (on o off), lo primero que se necesita La región de operación es el área de
realizar en el transistor es polarizar el corriente y voltaje, comprendida dentro de los
dispositivo, la razón principal de polarizar el limites del dispositivos, podemos observar
transistor es que este conduzca, y ponerlo en que los límites son el voltaje máximo, la
una región de su curva característica donde corriente máxima y la potencia máxima
su operación sea más lineal. disipada (producto de la corriente por el
voltaje). Un transistor TBJ puede polarizarse
La polarización en si se trata de poner al fuera de esta área, sin embargo, esto
dispositivo en un punto de operación lineal, producirá una vida de operación reducida, o
para este punto se deberá tener una bien la destrucción inmediata del transistor.
corriente especifica al igual que un voltaje De tal forma que es recomendable, localizar
especifico, en ambos casos se les conoce puntos de operación dentro de esta área.
como voltaje de operación (VQ) y corriente de
operación (IQ). En la gráfica anterior tenemos que el punto A
nos representa al dispositivo sin polarizar, el
Para obtener el punto de operación (VQ, IQ), cual esta completamente cortado. Se
se debe poner atención en las características necesita polarizar al dispositivo para que
pueda responder a cambios de corriente o polarización. Para evitar esto el circuito de

voltaje a partir de una señal de entrada. Para polarización debe tener cierta estabilidad a la
el punto B, los puntos de operación permiten variación de temperatura, con el fin de evitar
una operación mas adecuada del dispositivo, variaciones en el punto de operación debido
en caso que se este empleando una señal a la temperatura.
pequeña a la entrada, el dispositivo podrá
funcionar como amplificador, dependiendo de
su uso, y puede que con esta señal el Circuito de polarización Base Común
dispositivo no alcance las zonas de corte o
saturación. Si por el contrario la señal de En esta configuración, la localización del
entrada es lo suficientemente grande, el punto de operación es muy fácil, la siguiente
dispositivo podrá alcanzar la zona de corte o figura muestra una configuración base
la de saturación, cuando se llega a la zona común, podemos observar que la base es
de corte el transistor no conducirá. En referencia tanto a la entrada (emisor), como a
saturación el voltaje del transistor es muy la salida (colector).
pequeño y la corriente en el dispositivo
alcanza un valor límite o de saturación
delimitado por los componentes externos. Un
amplificador ideal deberá funcionar dentro de
la zona de operación, fuera de la zona de
corte y de saturación.
En el punto C el transistor permite

variaciones positivas y negativas, sin
embargo su voltaje a la salida no puede Si recordamos la curva característica de esta
decrecer mucho dado que a que la configuración tendremos lo siguiente:
polarización en voltaje de C es menor que el
punto B. Además, su corriente de operación
es mucho menor, en este punto la ganancia
del circuito se encuentra en una zona muy
limitada, por lo cual puede caer dentro de las
zonas de corte o de saturación cuando la
entrada exceda cierto valor, lo cual provocará
una ganancia no lineal, por lo cual es
preferible trabajar en un punto en la región de
operación en el cual la ganancia sea más
lineal.
Finalmente el punto D está localizado muy

próximo al valor del voltaje máximo, lo cual
limita al voltaje a la entrada.
Lo primero que podemos observar es que la
Como se puede observar el mejor punto de
corriente de colector o de salida IC,
operación se localiza en B, aquí podemos
corresponde casi al valor de la corriente del
obtener mejores variaciones de voltaje y de
emisor o de entrada IE, esta relación esta
corriente, y por consiguiente una mejor
dada por:
ganancia lineal.
Otro factor que se debe tomar en cuenta al IC = α ⋅ I E

momento de polarizar un transistor es la
temperatura. La temperatura hace que las Donde α tiene un valor típico de 0.9 a 0.998.
características de ganancia de corriente, así
como la corriente de escape del transistor El punto de operación de esta configuración
cambien. A mayor temperatura aumenta el se muestra a continuación:
flujo de corriente en el transistor, lo cual
afecta el punto de operación del circuito de
Donde Vee es la fuente de alimentación de la

sección de entrada, Re es básicamente una
resistencia limitadora de la corriente del
emisor y Vbe es el voltaje base-emisor (0.3
Voltios para Germanio y 0.7 Voltios para
Silicio).
En el caso del análisis de la salida se tiene lo

siguiente:
De la gráfica anterior podemos ver que el

punto de operación se determino para:
Vcc En este caso se tiene una batería (Vcc), la

VCBQ = resistencia de carga Rc y el voltaje de la
2 unión colector-base. Para poder operar esta
configuración como amplificador la unión
A su vez podemos ver que la corriente a la
colector-base se debe polarizar en inversa.
salida se puede determinar de:
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff se
Vcc − VCBQ tiene que para esta rama del circuito:
I CQ =
Rc
Vcc − Ic ⋅ Rc − Vcb = 0
Con lo anterior podemos ver que este
transistor está dentro de la región lineal de Despejando el voltaje colector-base se tiene
ganancia. lo siguiente:
Un análisis de esta configuración nos lleva a Vcb = Vcc − Ic ⋅ Rc

observar tanto la entrada como la salida. De
tal forma que a la entrada tendremos lo Dado que la corriente de colector IC es
siguiente: aproximadamente de la misma magnitud que
la corriente del emisor IE, podemos afirmar
que:
Ic ≅ Ie
Para poder solucionar esta configuración se
recomiendan los siguientes pasos:
Empleando ley de voltaje de Kirchhoff 1. Determinar el voltaje Vbe para el

tenemos que: transistor en cuestión (0.7 V para
silicio y 0.3V para germanio).
Vee + Veb − Ie ⋅ Re = 0 2. Calcular la corriente del emisor Ie
mediante:
De lo anterior obtenemos que la corriente del Vee − Vbe
Ie =
emisor se calcula: Re
Vee − Vbe 3. El valor de la corriente del colector es
Ie = aproximadamente la misma que la
Re
corriente del emisor, de tal forma
que:
Ic ≅ Ie En el caso del voltaje máximo de Vcb será

igual a Vcc = 9V.
4. Se calcula el voltaje colector-base
mediante: La gráfica se muestra a continuación:
Vcb = Vcc − Ic ⋅ Rc
Ejemplo 21. Calcule los voltajes de
polarización, así como las corrientes de
colector y emisor, para el siguiente circuito
que contiene un transistor npn de silicio,
además realice la localización del punto de
operación en una gráfica de su región de
operación:
También es posible obtener el valor de Ic a

partir de un valor de Vcb, a partir de la
siguiente ecuación:
Vcc − Vcb
Ic =
Solución: Dado que estamos empleando un Rc
transistor de silicio el valor de Vbe es de 0.7 Ejemplo 22. Obtener los valores de Ic, del
Voltios. ejemplo anterior a partir de los siguientes
valores de Vcb:
Para obtener la corriente del emisor se
emplea la ecuación: a. 8V
b. 6V
c. 2V
Vee − Vbe 9V − 0.7V
Ie = = = 2.075mA
Re 4 KΩ Solución: Sabemos que Vcc = 9V, y Rc =
2.4 KΩ, empleando la ecuación:
Dado que Ic ≅ Ie , tenemos que:
Vcc − Vcb
Ic =
Ic = 2.075mA Rc
Para el cálculo del voltaje colector-base,
9V − 8V
tenemos lo siguiente: a.- Ic = = 416 µA
2 .4 K Ω
Vcb = Vcc − Ic ⋅ Rc = 9V − (2.075mA ⋅ 2.4 KΩ )
Vcb = 4.02V 9V − 6V
b.- Ic = = 1.25mA
2 .4 K Ω
Finalmente para ver la gráfica del punto de
operación tenemos que el valor de corriente 9V − 2V
de colector máxima se calcula como: c.- Ic = = 2.916mA
2 .4 K Ω
Vcc 9V
I C max = = = 3.75mA Ejemplo 23.- Calcule el voltaje de operación
Rc 2.4 KΩ Vcb y la corriente del colector Ic para el
siguiente circuito de configuración base
común, con un transistor npn. El valor de Vbe

es de 0.7 V y α = 0.985, además grafique el
punto de operación.
Problema 18.- Calcule el voltaje colector

Solución.- Lo primero que se debe base para el circuito del ejemplo anterior,
determinar es el voltaje Vbe, que para este teniendo en cuenta que sus componentes
caso es de 0.7 V, a partir de esto podemos son los siguientes: Re = 1.8 KΩ, Rc = 2.7
calcular Ie: KΩ, Vee = 9V, Vcc = 22V, α = 0.995 y Vbe =
0.7 V.
Vee − Vbe 1.5V − 0.7V Realice además su gráfica del punto de
Ie = = = 1.11mA
Re 720Ω operación, finalmente determine la corriente
a la salida para los siguientes valores de Vcb:
En este caso α = 0.985, dado que a) 5 Voltios
b) 10 Voltios
IC = α ⋅ I E , tenemos que: c) 15 Voltios.
Ic = α ⋅ Ie = 0.985 ⋅ 1.11mA = 1.09mA Problema 19.- Realice el análisis del punto

de operación del problema anterior mediante
El voltaje colector-base: SPICE, de tal forma que se determine el
voltaje colector-base de operación (VCBQ) y la
Vcb = Vcc − Ic ⋅ Rc = 9V − (1.09mA ⋅ 3.9 KΩ) corriente de colector de operación (ICQ).
Vcb = 4.749V Configuración Emisor Común
Para graficar debemos determinar sus puntos Una conexión muy popular para amplificar,
máximos, en el caso de Vcb, tenemos que el implica que la señal de entrada se conecte a
máximo es Vcc = 9V. la base, mientras que el emisor vaya
En el caso de Ic, tenemos que el valor conectado como terminal común, a diferencia
máximo es el siguiente: de la configuración base-común, en la emisor
común, solo se necesita una fuente de
Vcc 9V alimentación, debemos recordar que para
I C max = = = 2.3mA amplificar en un transistor, la unión emisor-
Rc 3.9 KΩ
base deberá polarizarse en directa, mientras
que la unión base-colector debe polarizarse
en inversa, para este caso con una fuente de
alimentación es suficiente.
Debemos recordar que las curvas Aplicando la ley de Kirchhoff para esta rama
características de esta configuración son las del circuito tenemos:
siguientes:
Vcc − Ib ⋅ Rb − Vbe = 0
Despejando la corriente de base Ib,
obtenemos:
Vcc − Vbe
Ib =
Rb
Sección de salida
La sección de salida para esta configuración

será la mostrada a continuación:
Se recomienda tener el punto de operación

dentro de la zona activa, tratando de evitar
tener el punto cerca de la zona de corte o la
zona de saturación.
Para poder determinar el punto de operación

de un circuito con emisor común deberemos
analizarlo en dos partes:
Sección de entrada
La sección de entrada la asociamos al En esta rama la corriente del colector se

circuito base-emisor, que se muestra a considera prácticamente la misma que la
continuación: corriente en el emisor, como se ha visto
anteriormente, sin embargo, la corriente del
colector se relaciona con la corriente de base
mediante la ganancia de corriente del
transistor, beta (β):
Ic = β ⋅ Ib
Cabe recordar que esta relación es

independiente de cualquier resistencia en el
colector.
Vcc − Vbe 12V − 0.7V

Calculando las caídas de voltaje en la Ib = = = 51.3µA
sección de salida, obtenemos: Rb 220 KΩ
Corriente en el colector:
Vcc − Ic ⋅ Rc − Vce = 0
Despejando Vce: Ic = β ⋅ Ib = 60(51.3µA) = 3.08mA
Vce = Vcc − Ic ⋅ Rc Voltaje colector-emisor:
La ecuaciones anteriores de la sección de Vce = Vcc − Ic ⋅ Rc = 12V − 3.08mA( 2.2 KΩ)

salida serán validas, siempre y cuando el Vce = 5.22V
transistor no tenga su punto de operación
dentro de la sección de saturación, para La corriente de saturación, para este circuito
evitarlo debemos tomar en cuenta que la será el siguiente:
corriente en el colector Ic, deberá ser menor
al valor máximo de corriente, esto se debe Vcc 12V
satisfacer de tal manera que: Ic SAT ≅ = = 5.45mA
Rc 2.2 KΩ
Vcc
Ic < Como podemos observar nuestra corriente
Rc del punto de operación es menor a la
corriente de saturación del colector, con lo
Cabe recordar que cuando se tiene una cual podemos asegurar que se encuentra en
corriente máxima (de saturación), el voltaje la zona de ganancia lineal.
colector-emisor de saturación será
prácticamente 0 Voltios. Finalmente la región de operación para este
circuito tendrá como límites:
Aunque el transistor también puede funcionar
bajo condiciones de corte y saturación, en a) Icmax= Icsat= 5.45 mA
aplicaciones de control, lógica digital y otras b) Vcemax= Vcc= 12 V
aplicaciones, cuando se desee su uso para
amplificación deberemos tratar de evitar
estas situaciones.
Ejemplo 24.- Determine el punto de

operación del siguiente circuito, considerando
a Vbe = 0.7 V y β = 60
Ejemplo 25.- Determine el punto de

Solución.- Cálculo de la corriente de base: operación para el circuito mostrado:
Considerar a Vcc = 9V, Vbe = 0.7V, Rc =

1.5KΩ, Rb = 150KΩ y β = 100.
Solución.- Corriente de base:

Ib = = = 55.3µA
Rb 150 KΩ
Corriente en el colector: Para este caso podemos observar como
nuestro circuito está polarizado muy cerca de
Ic = β ⋅ Ib = 100(55.3µA) = 5.53mA la zona de saturación, con lo cual podemos
afirmar que no es muy recomendable para
amplificación, ya que ante variaciones de la
Voltaje colector-emisor:
señal de entrada considerables, el transistor
estará en la zona de saturación.
Vce = Vcc − Ic ⋅ Rc = 9V − 5.53mA(1.5 KΩ)
Vce = 0.705V Problema 20.- Determine el punto de
operación para el circuito mostrado:
Corriente de saturación:
Vcc 9V
IcSAT ≅ = = 6mA
Rc 1.5 KΩ
En este circuito podemos observar que la
corriente en el punto de operación está muy
cercana a la zona de saturación, esto
también se ve reflejado en el voltaje colector-
emisor, cuyo valor es muy cercano a cero.
La gráfica del punto de operación para este

circuito se muestra a continuación: Considerar a Vcc = 12V, Vbe = 0.7V, Rc =
1.8KΩ, Rb = 250KΩ y β = 70.
Estabilización de la polarización
El circuito emisor común, presentado

anteriormente ofrece una buena ganancia
como amplificador, sin embargo presenta
dificultades cuando se varia la temperatura,
esto se ve reflejado del hecho que la
ganancia de corriente del transistor β

aumenta con la temperatura, una de las
principales manifestaciones es la variación
del punto de operación con la temperatura.
Con el fin de estabilizar la polarización se
debe agregar una resistencia en el emisor.
esta resistencia deberá cumplir la siguiente
condición con el fin de estabilizar la
polarización:
Rb
( β + 1) >>
Re
Siendo β >> 1.
Circuito con resistencia en el emisor Haciendo un análisis mediante la ley de

voltajes de Kirchhoff, para esta sección,
Como vimos el agregar una resistencia en el tenemos lo siguiente:
emisor aumenta la estabilidad en el circuito
emisor común, con lo cual nuestro nuevo Vcc − Ib ⋅ Rb − Vbe − Ie ⋅ Re = 0
circuito tendrá el siguiente arreglo:
Sustituyendo a Ie por (β +1)Ib y despejando la
corriente de base de la ecuación anterior
tenemos:
Vcc − Vbe
Ib =
Rb + ( β + 1) Re
Sección de salida
La rama de la sección de salida se conforma

de los siguientes componentes:
Para poder analizar este circuito se debe

analizar en dos secciones:
Sección de entrada
Esta sección se muestra a continuación:
El análisis de esta sección nos da la

Vcc − Ic ⋅ Rc − Vce − Ie ⋅ Re = 0
Considerando que:
En el caso de la corriente de colector, el
Ic ≅ Ie máximo se obtiene cuando Vce = 0, para
este caso la corriente de saturación se
Obtenemos que el voltaje colector-emisor se calcula:
calcula como:
Vcc
Icmax = IcSAT =
Vce ≅ Vcc − Ic( Rc + Re) Rc + Re
Ejemplo 26.- Determinar el punto de Para nuestro caso:
operación del siguiente circuito, considere
β = 100 y Vbe = 0.7V: 20V
Icmax = = 6.66mA
2 KΩ + 1KΩ
Para el máximo del voltaje colector-emisor,
este ocurrirá cuando Ic = 0, en este caso el
voltaje colector-emisor máximo es igual a
Vcc, que en nuestro caso Vcc = 20V.
De lo anterior se obtiene la siguiente gráfica

para el circuito en cuestión.
Solución.
Corriente de base:

Ib = =
Rb + ( β + 1) Re 400 KΩ + (101)1KΩ
Ib = 38.5µA
Corriente de colector: Problema 21.-Determinar el punto de

operación para el siguiente circuito:
Ic = β ⋅ Ib = 100(38.5µA) = 3.85mA
Corriente de emisor:
Ie ≅ Ic = 3.85mA
Vce ≅ Vcc − Ic( Rc + Re)

Vce ≅ 20V − 3.85mA(2 KΩ + 1KΩ)
Vce ≅ 8.45V
Para determinar los límites en la línea de
carga, se tiene lo siguiente:
Para estos casos:
a) Vcc = 18V, Vbe = 0.7V, Rb = 47 KΩ,

Rc = 500Ω, Re = 750Ω y β = 55.
b) Vcc = 10V, Vbe = 0.7V, Rb = 75 KΩ,
Rc = 500Ω, Re = 470Ω y β = 80.
Circuito de polarización independiente de

β
En los circuitos de emisor anteriores, hemos

observado como la corriente y el voltaje del
colector dependen de la ganancia de
corriente (β). Sin embargo el valor de b varia
con la temperatura, incluso varia de un
Se puede reducir al siguiente circuito
transistor a otro. El siguiente circuito cumple
equivalente:
con las condiciones de un circuito de
polarización independiente de las variaciones
de β:
Donde Vbb es el voltaje del divisor de voltaje:

Rb 2(Vcc)
Vbb =
Rb1 + Rb 2
Y Rbb es el paralelo de Rb1 y Rb2:
Rb1 ⋅ Rb2
Rbb =
Rb1 + Rb 2
Análisis del circuito La caída de voltajes dentro de la sección de
salida será entonces:
Para hacer un análisis de la sección de
entrada de este circuito, es necesario recurrir
Vbb − Ib( Rbb) − Vbe − Ie(Re) = 0
a un circuito equivalente de Thevenin, así la
sección de entrada que se muestra a
continuación: En la ecuación anterior podemos sustituir a Ie
por (β +1)Ib, de tal forma que al despejar Ib
obtenemos lo siguiente:
Vbb − Vbe
Ib =
Rbb + ( β + 1) Re
En la sección de salida tenemos la siguiente

rama:
Rb 2(Vcc) 4 KΩ(22V )
Vbb = = = 2V
Rb1 + Rb 2 40 KΩ + 4 KΩ
Resistencia equivalente de base (Rbb):
Rb1 ⋅ Rb 2 40 KΩ( 4 KΩ)

Rbb = = = 3.63KΩ
Rb1 + Rb 2 40 KΩ + 4 KΩ
Corriente de base (Ib):
Vbb − Vbe 2V − 0.65V

Ib = =
Rbb + ( β + 1) Re 3.63KΩ + (121)1.5KΩ
Ib = 7.29 µA
La caída de voltajes en esta rama es la Corriente en el colector:

siguiente:
Ic = β ⋅ Ib = 120 ⋅ 7.29 µA = 0.875mA
Vcc − Ic( Rc) − Vce − Ie(Re) = 0
Corriente del emisor:
Considerando que Ic ≅ Ie , al despejar Vce
de la ecuación anterior tenemos: Ie ≅ Ic = 0.875mA
Vce = Vcc − ( Rc + Re) Ic Voltaje colector-emisor (Vce):
Finalmente la corriente en el colector es: Vce = Vcc − ( Rc + Re) Ic

Vce = 22V − (10 KΩ + 1.5 KΩ)0.875mA
Ic = β ⋅ Ib
Ejemplo 27.- Determine el punto de Vce = 11.93V
operación del siguiente circuito:
Para graficar el punto de operación, primero
debemos determinar los límites de operación,
en el caso de la corriente, tenemos que la
corriente de saturación será:
Vcc 22V
Ic SAT = = = 1.91mA
Rc + Re 10 KΩ + 1.5KΩ
En caso del límite de voltaje colector-emisor,

tenemos que Vcemax = Vcc = 22V.
De tal forma que la grafica del punto de

operación para este circuito se muestra a
continuación:
β = 120 y Vbe = 0.65
Solución.-
Voltaje equivalente de base (Vbb):

Problema 22.- Determinar el punto de

operación del circuito de ejemplo 27 para los
siguientes valores de β:
El análisis de la caída de voltajes nos da la
a) β = 100 siguiente ecuación:
b) β = 150
Comentar cuanta fue la variación del punto

Vcc − Ib ⋅ Rb − Vbe − Ie ⋅ Re = 0
de operación, considerando como referencia
el valor obtenido del punto operación en el Utilizando la relación de corriente:
ejemplo 27 (11.93V, 0.875mA).
Ie = ( β + 1) Ib
Circuito de polarización para colector Despejando Ib obtendremos la siguiente

común. ecuación:
La tercera conexión para transistores tiene la Vcc − Vbe

entrada por la base y la salida por el emisor Ib =
del circuito, esto implica que el colector sea Rb + ( β + 1) Re
común tanto a la entrada como a la salida,
como se muestra a continuación: El circuito de la rama de la salida es el
siguiente:
Por el lado de la rama de entrada tenemos el

siguiente circuito: Para esta rama el voltaje emisor-colector
será:
Vec = Vcc − Ie ⋅ Re
Ejemplo 28.- Calcule el punto de operación

del siguiente circuito, con los valores de β = Finalmente la gráfica para este circuito se
50 y Vbe = 0.65V. muestra a continuación:
Solución.-
Corriente de base:
Problema 23.- Determinar el punto de
Ib = = operación para el circuito mostrado en la
Rb + ( β + 1) Re 100 KΩ + (51)2.2 KΩ figura, sus componentes tienen los siguientes
Ib = 39.35µA valores: Rb = 220 KΩ, Re = 1.8 KΩ, Vcc =
9V, Vbe = 0.7V y β = 100.
Ie = ( β + 1) Ib = (51)39.35µA = 2mA
Voltaje emisor colector:
Vec = Vcc − Ie ⋅ Re = 9V − 2mA ⋅ 2.2 KΩ

Vec = 4.6V
Aquí cabe comentar que por lo general es
deseable diseñar el voltaje emisor-colector,
como la mitad de Vcc, en este caso podemos
observar que su valor es muy próximo a lo
deseado. Diseño de circuitos de polarización
Límites de operación: Cuando se desea diseñar un circuito de
polarización a partir de un punto de
En el caso de la corriente de emisor: operación se debe tomar en cuenta algunos
parámetros de diseño.
Vcc 9V
IeSAT = = = 4.1mA
Re 2.2 KΩ En el caso de tener resistencia en el emisor
con el fin de estabilizar, el voltaje del emisor
Para el voltaje emisor-colector: debe ser un décimo de el voltaje Vcc:
VecMAX = Vcc = 9V
1 Vcc − VceQ − VeQ

VeQ = (Vcc) Rc =
10 IcQ
Cuando se tiene un divisor de voltaje en la (16 − 6 − 1.6)V
base con el fin de estabilizar las variaciones
Rc = = 8 .4 K Ω
1mA
de β, el valor de Rb2, se calcula como sigue:
Corriente de base:
1
Rb 2 ≤ ( β ⋅ Re)
10 IcQ 1mA
Ib = = = 6.6 µA
Ejemplo 29.- Determinar los valores de los
β 150
componentes del circuito mostrado en la
figura, a partir del siguiente punto de Voltaje de base:
operación: corriente de colector 1mA y voltaje
colector-emisor 6V. VbQ = VeQ + Vbe = 1.6V + 0.7V = 2.3V
El valor de β es de 150 y el valor de Vcc es
de 16V. Determinar Rb2:
1 150(1.6 KΩ)
Rb 2 ≤ ( β ⋅ Re) = = 24 KΩ
10 10
Calculo de Rb1:
Sabemos que:
Rb 2(Vcc)
VbQ = = 2.3V
Rb1 + Rb 2
despejando Rb1 tenemos:
Rb2(Vcc − VbQ ) 24 KΩ(16V − 2.3V )

Rb1 = =
VbQ 2.3V
Solución.- Rb1 = 143KΩ
Voltaje de emisor: Problema 24.- Obtenga los valores de los

componentes para un circuito similar al
1 16V ejemplo 29, de tal forma que el punto de
VeQ = (Vcc) = = 1.6V operación sea:
10 10 a) IcQ = 10mA y VceQ = 10V, Además
Vcc = 22V y β = 250.
Resistencia de emisor: b) IcQ = 2mA y VceQ = 10V, Además
Vcc = 22V y β = 80.
VeQ 1.6V
Re = = = 1 .6 K Ω
IcQ 1mA
Resistencia de colector:
Dispositivos y Circuitos Electrónicos. 49
Análisis del transistor TBJ en señal Este parámetro nos indica la impedancia en
pequeña cortocircuito.
Como se comento anteriormente un Ahora bien, si I1 = 0, despejando h12 de la

transistor puede configurarse como un primera ecuación obtenemos que:
dispositivo amplificador. Esto provoca que a
una señal pequeña a la entrada podamos V1
generar una señal más grande a la salida, h12 =
esta ganancia puede ser en corriente, voltaje V2 I 1= 0
o bien en potencia.
Este parámetro híbrido nos indica la relación
Para poder analizar el comportamiento de un de transferencia de voltaje inversa, cuando la
transistor en el uso de señales pequeñas, corriente de la entrada es cero.
tendremos que emplear circuitos
equivalentes. Empleando la segunda ecuación, cuando
V2=0, tenemos que h21 será:
Para comenzar a entender el uso de los
circuitos equivalentes, nos tenemos que
I2
basar en la teoría de dos puertos. Para el h21 =
dispositivo básico de tres terminales se I1 V 2 =0
muestra tanto la entrada como la salida.
Tenemos que observar que en ambos
Este parámetro se conoce como la relación
puertos existen dos variables de interés.
de transferencia de corriente, con salida
cortocircuitada.
Finalmente si I1 = 0, en la segunda ecuación

obtendremos que h22, será:
I2
h22 = (Siemens )
V2 I 1= 0
Para poder relacionar las cuatro variables en
cuestión utilizamos las siguientes Este parámetro se conoce como parámetro
ecuaciones: de conductancia de salida en circuito abierto.
V1 = h11 I 1 + h12V2 Un circuito que se ajusta para la primera

ecuación se muestra a continuación:
I 2 = h21 I 1 + h22V2
Los parámetros que relacionan las cuatros

variables se denominan parámetros –h, la
letra h, se deriva de la palabra híbrido. El
término híbrido fue escogido debido a la
mezcla de variables (v e i ) en cada ecuación
que resulta en un conjunto “híbrido” de
medidas para los parámetros –h.
Si hacemos V2= 0, despejando h11 de la

primera ecuación:
En el caso de la segunda ecuación
tendremos el siguiente circuito:
V1
h11 = (Ω )
I1 V 2= 0
50 Dispositivos y Circuitos Electrónicos.
De los circuitos anteriores, podemos afirmar

que los parámetros –h, corresponderán a: Los valores típicos de estos parámetros
variara de configuración, a continuación se
h11: Resistencia de entrada (hi). muestran algunos valores típicos para las
h12: Relación de transferencia inversa tres configuraciones:
de voltaje (hr).
h21: Relación de transferencia directa
de corriente (hf) Parámetro EC CC BC
h22: Conductancia de salida (ho). hi Ω
1 kΩ Ω
1 kΩ Ω
20 kΩ
hr 2.5 × 10 −4 ≅1 3 × 10 −4
hf 50 - 50 -0.98
ho 25µµA/V µA/V
25µ µA/V
0.5µ
1/ho 40 kΩΩ Ω
40 kΩ 2 MΩ Ω
Un análisis de los valores anteriores nos

permite observar que los parámetros hr y ho,
son despreciables en comparación de hi y hf.
La figura anterior muestra el circuito
equivalente híbrido completo del transistor, y Con base en esto el modelo híbrido
se aplica a cualquier configuración. Sin equivalente para una configuración emisor
embargo, los parámetros –h variarán común puede simplificarse como se muestra
dependiendo de la configuración empleada. a continuación:
Así en el caso de una configuración emisor

común, tendremos lo siguiente:
O bien de la siguiente configuración:
En el caso de una configuración base común,

el circuito resultante será:
El modelo anterior se conoce como modelo π

y sus valores se obtienen como se muestra a
continuación:
IC
gm =
VT
β
Rπ =
gm
Solución.- El primer paso es hacer un
En el caso de la configuración base común, análisis de corriente directa, para este caso
el circuito equivalente híbrido obtiene de la los capacitores C1 y C2, se consideran como
siguiente configuración: circuito abierto:
De lo cual se puede reducir al siguiente

circuito:
Para el calculo de la corriente del emisor
tenemos que:
Vee − Veb 10V − 0.7V

IE = = = 1.86mA
Re 5 KΩ
Del modelo equivalente híbrido tenemos que:
Donde la resistencia de emisor se calcula

como:
VT
re =
Ie
Ejemplo 30.- Obtenga IE, ∆V, ∆i, Zi y Zo, para

el circuito mostrado a continuación:
Calculo de la resistencia equivalente del
emisor:
VT 26mV
re = = = 13.97Ω
I E 1.86mA
Entonces el circuito equivalente híbrido

completo se muestra a continuación:
El voltaje a la salida se calcula mediante la

Vo = Ic ⋅ Rc = Ie ⋅ Rc
El voltaje a la entrada se calcula de la
Solución.-
Vi = Ie ⋅ re
Análisis en corriente directa:
La ganancia de voltaje:
Corriente de base:
Vo Ie ⋅ Rc Rc
∆V = = = Vcc − Vbe 10V − 0.7V
Vi Ie ⋅ re re Ib = = = 46.5µA
Rb 200 KΩ
4 KΩ
∆V = = 286.32
13.97Ω Corriente de colector:
La ganancia de corriente: Ic = β ⋅ Ib = 50(46.5µA) = 2.32mA

Io Corriente del emisor:
∆i = ≅1
Ii
Ie ≅ Ic = 2.32mA
Dado que Ic = Ie.
Voltaje colector emisor:
Impedancia de salida:
Vce = Vcc − Ic ⋅ Rc
Zo = Rc = 4 KΩ Vce = 10V − (2.32mA ⋅ 2 KΩ) = 5.35V
Impedancia de entrada:
Análisis en señal pequeña:
Zi = Re re = 5 KΩ 13.97Ω = 13.93Ω Circuito equivalente:
De lo anterior podemos observar que:
Zi ≈ re
Esto es valido para un cálculo rápido.
Ejemplo 31 .- Determine ∆V, ∆i, Zi y Zo para

Transconductancia del transistor:
el siguiente circuito:
Ic 2.32mA
gm = = = 89.23mS
VT 26mV
β 50
rπ = = = 560.34Ω
gm 89.23mS
Calculo de rπ mediante otro método:

Donde claramente podemos afirmar que:
Resistencia de emisor equivalente:
Vi = Vbe
VT 26mV
re = = = 11.20Ω
Ie 2.32mA De tal forma que:
rπ = β ⋅ re = 50(11.2Ω) = 560Ω Vo − Vbe ⋅ gm ⋅ Rc

∆V = = = − gm ⋅ Rc
Vi Vbe
por lo tanto podemos afirmar que:
∆V = −89.23mS (2 KΩ) = −178.46
ri = rπ = 560Ω
Ganancia de corriente:
Ganancia de voltaje:
Analizando la salida observamos que:
Análisis de la salida:
Io = Ic = Vbe ⋅ gm
Podemos observar que:
Analizando la entrada:
Vo = − Ic ⋅ Rc
a su vez:
Ic = Vbe ⋅ gm
Con lo cual:
Vo = −Vbe ⋅ gm ⋅ Rc
Análisis de la entrada:
Vi Vi
En la malla de la entrada tenemos la i0 = i1 + i2 = i Rb + irπ = +
siguiente rama de circuito: Rb rπ
Sin embargo vemos que Rb >> rπ , con lo

cual iRb<<irπ , por lo cual podemos afirmar
que:
Vi Vbe
Ii ≅ I rπ = =
rπ rπ
La ganancia de corriente será:
Io Vbe ⋅ gm
∆I = = = gm ⋅ rπ
Ii Vbe
rπ
pero sabemos que:
β Solución:
Rπ =
gm Análisis en corriente directa:
Por lo cual:
Corriente de base:
∆I = β = 50
Impedancia de entrada: Ib = =
Rb + ( β + 1) Re 400 KΩ + (101)1KΩ
Para nuestro caso: Ib = 38.5µA
Zi = Rb rπ = 200KΩ 560Ω = 558.4Ω Corriente de colector:
Ic = β ⋅ Ib = 100(38.5µA) = 3.85mA
Para fines prácticos en este tipo de circuitos,
tendremos que:
Zi ≅ rπ Ie ≅ Ic = 3.85mA
Vce ≅ Vcc − Ic( Rc + Re)
En este tipo de circuitos:
Vce ≅ 20V − 3.85mA(2 KΩ + 1KΩ)
Zo ≅ Rc = 2kΩ Vce ≅ 8.45V
Ejemplo 32. Determinar ∆V, ∆i, Zi y Zo para Análisis en señal pequeña:

el siguiente circuito, considere β = 100 y Vbe
Circuito equivalente:
= 0.7V:
Calculo de rπ: Análisis de la entrada:
Ic 3.85mA Ii ( Rb)
gm = = = 148mS Ib =
VT 26mV Rb + rπ + ( β + 1) Re
β 100
rπ = = = 675.3Ω Despejando Ii, tenemos:
gm 148mS
Ganancia de Voltaje: Ib[Rb + rπ + ( β + 1) Re]

Ii =
Rb
De la rama de la salida tenemos que:
Finalmente:
Vo = − gm ⋅ Vbe ⋅ Rc
Io gm ⋅ rπ ⋅ Rb
En la rama de la entrada tenemos que: ∆I = =
Ii Rb + rπ + ( β + 1) Re
rπ ⋅ Vi 148mS ⋅ 675.3Ω ⋅ 400 KΩ
Vbe = ∆I =
rπ + ( β + 1) Re 400 KΩ + 675.3Ω + (101)1KΩ
∆I = 79.7
Despejando Vi, obtenemos:
Vbe[rπ + ( β + 1) Re]
Vi =
rπ Zi = Rb (rπ + ( β + 1) Re)
Con lo cual la ganancia de voltaje será: Zi ≅ Rb ( β + 1) Re
Vo − gm ⋅ Vbe ⋅ Rc Si β >> 1, entonces la ecuación se reduce a:

∆V = =
Vi Vbe[rπ + ( β + 1) Re]
rπ Zi ≅ Rb β ⋅ Re
− gm ⋅ Rc ⋅ rπ
∆V = Zi ≅ 400 KΩ (100)1KΩ
rπ + ( β + 1) Re
Zi ≅ 80 KΩ
− 148mS ⋅ 2 KΩ ⋅ 675.3Ω
∆V =
675.3Ω + (101)1KΩ Impedancia de salida:
∆V = 1.96
Zo ≅ Rc = 2 KΩ
En el lado de la salida tenemos que:
Io = Ic = Vbe ⋅ gm
Por su parte:
Vbe = Ib ⋅ rπ
Con lo cual:
Io = Ib ⋅ rπ ⋅ gm
Ejemplo 33.- Determinar ∆V, ∆i, Zi y Zo para

el siguiente circuito, considere β = 50 y Vbe =
0.65V:
Ganancia de voltaje:
En la salida del circuito observamos que:
Vo = Ie ⋅ Re = Vbe ⋅ gm ⋅ Re
Por otra parte en la entrada tenemos que:

Solución:
rπ ⋅ Vi
Análisis en corriente directa: Vbe =
rπ + ( β + 1) Re
Corriente de base:
Despejando Vi, obtenemos:
Ib = =
Rb + ( β + 1) Re 100 KΩ + (51)2.2 KΩ Vbe[rπ + ( β + 1) Re]
Vi =
Ib = 39.35µA rπ
Con lo cual la ganancia de voltaje será:
Vo gm ⋅ Vbe ⋅ Re
∆V = =
Ie = ( β + 1) Ib = (51)39.35µA = 2mA Vi Vbe[rπ + ( β + 1) Re ]
rπ
Voltaje emisor colector: gm ⋅ Re⋅ rπ 76.9mS ⋅ 2.2 KΩ ⋅ 628Ω
∆V = =
rπ + ( β + 1) Re 628Ω + (51)2.2 KΩ
Vec = Vcc − Ie ⋅ Re = 9V − 2mA ⋅ 2.2 KΩ ∆V = 0.94
Vec = 4.6V
Análisis del circuito equivalente:
En el lado de la salida tenemos que:
Ie 2mA
gm = = = 76.9mS Io = Ie = Vbe ⋅ gm
VT 26mV
β 50 Por su parte:
rπ = = = 628Ω
gm 76.9mS
Vbe = Ib ⋅ rπ
Con lo cual el circuito equivalente se Con lo cual:
conforma por los siguientes componentes:
Io = Ib ⋅ rπ ⋅ gm
Análisis de la entrada:
Ii ( Rb)
Ib =
Rb + rπ + ( β + 1) Re
Despejando Ii, tenemos:
Ib[Rb + rπ + ( β + 1) Re]
Ii =
Rb
Finalmente:
Io gm ⋅ rπ ⋅ Rb
∆I = =
Ii Rb + rπ + ( β + 1) Re
76.9mS ⋅ 628Ω ⋅ 100 KΩ
∆I =
100 KΩ + 628Ω + (51)2.2 KΩ
∆I = 22.7
Zi = Rb (rπ + ( β + 1) Re)
Zi = 100 KΩ (628Ω + (51)2.2 KΩ)
Zi = 53KΩ
rπ Re
Zo =
( β + 1)
628Ω 2.2 KΩ
Zo =
51
Zo = 12.24Ω

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE

DIODO Y TRANSISTOR TBJ

AUTOR: ING. JESÚS MARÍA FRANCISCO HERNÁNDEZ

TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR

En la actualidad, los dispositivos electrónicos

Figura3 Semiconductor tipo P.

La conductibilidad del tipo P en los

Grupo III) como el boro al silicio. En este

Ejemplo 1.- Determinar el comportamiento

Figura4 Construcción del diodo.

Finalmente el voltaje de R1 con respecto a la

En este caso el diodo se polariza en directa,

Problema 1.- Empleando el modelo ideal del

En el segundo caso el voltaje de entrada es

Bajo esta condición el diodo se polariza en

Problema 2.-Empleando el mismo voltaje a

Aplicando el modelo del diodo ideal tenemos

RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Dado que este es un proceso cíclico,

Despejando y sustituyendo obtenemos lo

Vcc = 0.318 ⋅ ( 2 ⋅ VRMS )

Figura 8 Señal rectificada en un circuito Problema 4.- Obtenga el voltaje promedio

Con lo cual podemos afirmar que el valor VIP = Vm

Ejemplo 2.- Calcular el voltaje promedio de

Solución.- Sabemos que Vcc = 0.318 Vm,

Considerando la siguiente entrada senoidal:

Tenemos que analizar la onda resultante

Dado que se trata de un ciclo repetitivo, se

En este caso el voltaje promedio rectificado

Para el caso de lóbulo negativo se tiene la

Ejemplo 3.- Determine el voltaje promedio

Solución: El voltaje en el devanado  68.03 

Problema 5.- Mediante el análisis de la onda

Problema 6.- Calcule el valor promedio para

Para el análisis de la operación del circuito se

Para este caso observamos que D2 y D3

Al igual que en el lóbulo positivo el voltaje en

Cabe mencionar que el voltaje en R1 será

Durante el lóbulo negativo de la señal de

Finalmente el voltaje resultante a la salida de Solución.- Sabemos que:

Vcc = 0.636 (16.97V)=10.79 V

Ejemplo 6.- Determine la relación de vueltas

El voltaje obtenido mediante circuito Voltaje de Rizo.

Dado que la corriente en la carga también se

Sustituyendo lo anterior tenemos que:

Ejemplo 6.- Determinar el voltaje promedio CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE

Por otro lado el voltaje en el secundario del

Vm2 = 2 ⋅ 24V = 33.94V

1. Rectificador de media onda.

Problema 10 .-Realizar el análisis del

Al comportarse D1 como un corto circuito,

En esta polarización el diodo D1 se polariza

Para una entrada positiva la polarización será

Como podemos observar C2 se carga con un

Como podemos observar el diodo D1 se

Como podemos observar la salida será:

El capacitor C1 se carga con un voltaje igual Su forma de onda a la salida se presenta a

Figura 17 Forma de onda resultante a la salida

Solución.- Dado que un doblador de voltaje

Si medimos el voltaje a través del capacitor

El siguiente circuito es un ejemplo de un

Figura 18 Circuito multiplicador de voltaje.

En el primer semiciclo positivo de la señal de