POLARIZACIÓN Y AMPLIFICACIÓN CON FETs

Jonathan Jimenez, Santiago Lozada, Mario Sangucho

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos,

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica,
Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador

santiago.lozada@epn.edu.ec
mario.sangucho@epn.edu.ec

OBJETIVOS Ic 0 [A] 0 .1[uA] 0%

- Analizar e implementar circuitos de polarización Is 0 [A] 0 .2[mA] 0%
para JFET.
- Revisar la temática de amplificadores con JFET. Por divisor de voltaje

DESARROLLO Medición Valor real Valor medido Error

VD 28[V] 27.1[V] 3.21%
Para realizar la práctica fue necesario consultar todas las
VG 13[V] 11.3[v] 13.07%
características referentes al transistor JFET, una vez
VS 0 .5[V] 0 .3[V] 40%
entendido el transistor se implementaron seis circuitos
donde los tres primeros fueron para hacer medición de Id 0.30 [mA] 0 .21mA] 30 %
voltajes y corrientes de polarización y los últimos tres Ic 0 [A] 0 [A] 0%
fueron para observar la amplificación de voltaje donde se Is 0.2 [A] 0 .2[mA] 0%
observaron comportamientos muy interesantes.
Los elementos utilizados en la práctica fueron: Un Amplificador con Fet I
osciloscopio, Una fuente, Un generador de funciones, 2
Medición Valor real Valor medido Error
puntas de prueba, 2 cables banana- lagarto, Un VDS 27[V] 26.8 [V] 0,74%
protoboard, Cables de protoboard, Elementos necesarios IDS 1.03[mA] 1.48[mA] 43.68%
para la práctica (JFET, resistencias, capacitores).
Amplificador con Fet II
I. TRABAJO PREPARATORIO
Medición Valor real Valor medido Error
A. Tabular un cuadro en el cual consten los valore VDS 21.50[V] 21.1[V] 1.86%
medidos, los teóricos del preparatorio. Calcular el IDS 357[uA] 346[uA] 3.08%
error y justificarlo.
Amplificador con Fet III
Paralización Fija
Medición Valor real Valor medido Error
Medición Valor real Valor medido Error VDS 7.2[V] 7[V] 2.77%
VD 13[V] 12[V] 7.692% IDS 356 [uA] 316[uA] 11.23%
VG 1.2[V] 1.03[V] 14.16%
VS 0 [V] 0 [V] 0% Los errores son producidos debido a muchas de las veces
Id 0 [A] 0 [A] 0% a fallos de los Fets ya que si no se manipula de manera
Ic 0 [A] 0 [A] 0% correcta puede hacer que al realizar las mediciones den
Is 0 [A] 0 [A] 0% valores erróneos haciendo que el error sea en varios casos
muy notable, otro de los factores que afecta es que en la
Autoporalización práctica los elementos eléctricos también consumen
energía del circuito provocando que los valores se alejen
Medición Valor real Valor medido Error
de los reales
VD 18[V] 16.90[V] 6.11%
B. Realizar los cálculos necesarios para determinar
VG 0.5[V] 0.2[v] 6%
la ganancia de voltaje, compararla con el valor
VS 0 [V] 0 .2[V] 0%
teórico y calcular los errores.
Id 0 [A] 0 .2[mA] 0%
AMPLIFICADOR 1
Valor teórico

Tabla 1 Cálculo de errores

Circuito V. Teórico V. Medido Error %

A1 -4.84 -4.33 10

A2 -5.53 -5.54 0.18

Valor medido
A3 0.75 1.13 50.66

Al comparar los valores de ganancia teóricos y prácticos

se da un error muy bajo a excepción del tercer
amplificador que su error es del 50%. Estos errores
pueden provocarse por mala manipulación del transistor,
variación con los valores de las resistencias o por defectos
AMPLIFICADOR 2
del aparato de medida. Pero estos valores indican que la
Valor teórico
práctica fue hecha de manera correcta ya que los valores
son muy cercanos.

C. Consultar sobre el diseño de los diferentes tipos de

configuraciones de amplificadores con JFET y
MOSFET.
Valor medido A continuación se presentara una tabla de resumen de las
configuraciones de amplificadores con JFET y MOSFET

AMPLIFICADOR 3
Valor teórico

Valor medido

Ejemplo de cálculo de error

Tabla 2: Resumen de las configuraciones de

amplificadores con JFET y MOSFET.
Fuente: Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. [1]
 • Se pudo verificar en la tomada de medidas de
corrientes de los diferentes circuitos
implementados en la práctica; la corriente (IG)
que circula por el terminal de compuerta (G) es
casi despreciable; dado que estos valores
medidos (IG) no supera el 0.1 [uA].

Mario Sangucho

• Con el desarrollo se la práctica se logró

comprobar que en el amplificador en drenaje
común la ganancia de voltaje es prácticamente
uno así que la señal de entrada es la misma a la
de salida.

• Con la investigación se pudo conocer que se

pueden hacer ciertas relaciones entre JFET y
TBJ para hacer la resolución de los circuitos,
como por ejemplo la compuerta se relaciona con
la base.

Recomendaciones

• Usar un aislante para manipular directamente los

Tabla 3:Resumen de las configuraciones de
JFETS, dado que al manipularlos directamente
amplificadores con JFET y MOSFET.
se pueden averiar por electricidad estática.
Fuente: Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. [1] • Para realizar la práctica es necesario buscar el
datasheet del transistor ya que ahí se encontraran
D. Graficar en hojas de papel milimetrado las señales
datos que se necesitan para hacer el cálculo de
observadas en el osciloscopio
voltajes y corrientes de polarización, además se
Anexo 1 puede observar la numeración de los terminales.

Conclusiones • El JFET es mucho más sensible a los cambios de

señal , lo cual hay que tener cuidado en la
Jonathan Jimenez manipulación ya que si tocamos con las manos
esté se puede dañar.
• Se pudo concluir que la corriente ID es igual
acero puesto que la resistencia conectada en la Bibliografía
Compuerta (Gate) es muy elevado impidiendo
asi la circulación de dicha corriente.
[1] R. Boylestad y L. Nashelsky, Electrónica:Teoría de
• El FET es un dispositivo activo que funciona circuitos y dispositivos electrónicos, México:
como fuente de corriente controlado por voltaje. PEARSON EDUCACION, 2009.
Básicamente el voltaje en la compuerta VGS,
controla la corriente ID entre el drenador y la
fuente.

Santiago Lozada

• Se concluye que los JFETs son dispositivos

electrónicos muy sensibles al voltaje con una alta
impedancia de entrada, dado las resistencias en
la entrada eran altas y estaban en valores de los
Megas esto influye en que las corrientes de
entrada sean muy bajas.