Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se
encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales

específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de
la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través
de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule
la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se
grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor,
tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones)
básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y
base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la
compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Construcción

Material semiconductor

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de
microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor de arseniuro
de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El material
semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como elemental.

Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento de
la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores diversos.

La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor

bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de la
unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de
la unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para colocar
en conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada
disminuye con el aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es
de –2.1 mV/°C.34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales
(sensistores) para compensar tales cambios.

La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del

campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de
impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento
eléctrico.

Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la

velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material
semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del material.
En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar
más rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este
respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con el
silicio y arseniuro de galio:

Su temperatura máxima es limitada.

Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
No puede soportar altas tensiones.
Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos para
todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser más
rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor más alto de
movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en
aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el
transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre
diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro
de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de
barrera GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan
en los receptores de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los HEMT
basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT) proporcionan
una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando para diversas
aplicaciones.

Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a
partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o el
transistor puede dañarse.

Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente como diodos
Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de
silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje
como parte del proceso de fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces se
utiliza en el circuito del cual forma parte.

Tipos de Transistores

Transistor Bipolar
Transistor Bipolar. El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas de su
denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales
denominados emisor, base y colector.

La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de
corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada
por la corriente en el terminal de base. La mayoría de funciones electrónicas se realizan con
circuitos que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales son los
dispositivos básicos de la electrónica moderna.

Funcionamiento
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-
colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que
existe entre la base y el colector.

Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo
compartida. En una operación típica, la juntura base-emisor está polarizada en directa y la
juntura base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensión positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base.
Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana
al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la
base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P,
los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser menor
al ancho de difusión de los electrones.

Regiones operativas del transistor

Los transistores bipolares de juntura tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:
Región activa:

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces

está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de 1 (ganancia de corriente, es un dato
del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de señal.
Región inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor

bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y
emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los TBJ son diseñados para
maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es
drásticamente menor al presente en modo activo.
Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:

corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib
=0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande
como para inducir una corriente de colector 1 veces más grande. (recordar que Ic = 1 * Ib)

Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo ield-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad

una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los
transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o
canal. La región activa de los TFTs (thin-film transistores, o transistores de película fina),
por otra parte, es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto
que la principal aplicación de los TFTs es como pantallas de cristal líquido o LCDs).

Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-
Insulator- Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente
que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un
comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y
diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una
tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente
en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos
integrados o chipsdigitales.