Investigación y Desarrollo

Generadores de Microondas con Diodos Gunn

en la Banda X (8-12) ghz

Néstor E. Arias

En este trabajo se presenta el desarrollo y construcción de tres generadores de microondas en estado

sólido con diodos Gunn, para operar en la banda X (8-12) GHz. con cavidades resonantes rectangulares y
en dos tipos de potencia, 10 y 250 milivatios.

Microwaves generators with Gunn diodes in the X (8-12) GHz band

In this work, the development and construction of three generators of microwaves in solid state with Gunn
diodes are presented. These are intended to operate in the band X (8-12) GHz. with rectangular resonant
cavities and with two levels of power, 10 and 250 milliwatts.

Introducción

Se han trazado varios objetivos en los diseños de los tres osciladores, los principales son:
 Investigación
 Docencia
 Transferencia Tecnológica en Sistemas de Telecomunicaciones

Siguiendo estos objetivos se han diseñado y construido:

1. Un oscilador de 250 mW que tiene suficiente potencia para ensayos y desarrollos de antenas de
microondas y, otras tareas de investigación.
2. Un oscilador de 10 mW con sintonía fija en 10,5 GHz. para reemplazar el oscilador Klystron (válvula)
que posee el banco de microondas del Laboratorio de Telecomunicaciones del DEEC de la UNT.
3. Un oscilador de 10 mW que tiene dos salidas alternativas a 90º una de otra que permite trabajar con
varios tipos de iris de acoplamiento. Su objetivo fundamental es trabajar con mezcladores.

Los dispositivos y sus partes fueron desarrollados en forma artesanal en el Laboratorio de

Telecomunicaciones.

Diodo Gunn Corriente

A
Ih
El diodo Gunn es un dispositivo semiconductor de Arseniuro
Región de
de Galio (Ga As) que tiene características de resistencia funcionamiento
negativa en la zona de trabajo (Fig 1), unida ésta a la
presencia de: ruido aleatorio y un medio externo, como ser una
cavidad resonante, permite la generación de potencia en Resistencia Resistencia
Positiva Negativa
frecuencias de microondas desde 4 GHz. a más de 100 GHz.
en potencias que van desde milivatios a vatios.
Son dispositivos de muy bajo rendimiento 1% al 2%, y pueden Tensión
V
Vh
funcionar con bajas tensiones, entre 3 y 15 voltios, según
Fig.1
diseño.
Relación Tensión Corriente de un diodo Gunn
Normalmente son usados para generar frecuencias de
microondas en modos Transversal Eléctrico, TE.
El circuito equivalente de un diodo Gunn es el de un capacitor en paralelo con una resistencia negativa (Fig.
2).
La suceptancia capacitiva del diodo puede hacerse resonar con una suceptancia inductiva, que se obtiene
en una guía de onda con un extremo en corto circuito, las dimensiones elegidas del sector de guía de onda
usada como resonador fijan la frecuencia de resonancia.
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El acoplamiento a una carga externa puede ser controlado por un Iris (abertura) de apropiadas dimensiones.
La distancia entre el diodo y el Iris o, entre el diodo y una pared en corto circuito es de g/2. Siendo g la
longitud de onda en el interior de la guía usada como resonador.
Por su bajo rendimiento el diodo Gunn debe ser montado en un
disipador térmico adecuado. Como ejemplo, un diodo
Le
especificado para 250 milivatios, consume de fuente 10 vatios
que deben ser disipados para evitar daños en la juntura del Rs

diodo.
Ce

La resistencia negativa del diodo, desde continua hasta Cd

Rn
frecuencias muy elevadas, hace que cualquier inductancia
externa y capacidades parásitas, lleven al diodo a oscilaciones
de relajación con amplitudes y potencias tales, que pueden
Elementos que corresponden Elementos que corresponden
ocasionar la destrucción del mismo. Por tal motivo, para evitar al diodo al encapsulado
Rn =Resistencia negativa Le=Inductancia del encapsulado
este comportamiento, es necesario agregar un capacitor de gran Cd=Capacidad del diodo Ce=Capacidad del encapsulado
Rs=Resistencia serie
valor (10-25 F), colocado muy cerca del diodo, (Fig. 3) Fig.2
(recomendado por MDT, [1]). Circuito equivalente de un diodo Gunn

Cavidades Resonantes V
3
Una cavidad resonante es un sistema pasivo, su modelo es Ohms
similar al de una línea de transmisión de de (/2) en corto
circuito. Normalmente son construidas con sectores de guías Diodo 10-25
Gunn uf
de onda normalizadas.
.47uf
Las cavidades resonantes adoptadas para el diseño de los
tres generadores, son del tipo rectangular con sectores de
guías de onda WG-16 y WR- 75 para trabajar en el modo
TE1,0,1. La frecuencia de resonancia puede ser calculada Fig.3
según las dimensiones internas del sector de guía de onda, Circuito de alimentación para un diodo Gunn
(Fig. 4) y según la expresión (1). Recomendado por Microwave Device Technology Corporation

c. a  L
2 2
f (1)
2.a L
m
En donde: c  3.10   velocidad de la luz en el vacío
8

s
a = Longitud mayor de la boca de la guía de onda
expresada en metro
L = Profundidad de la guía de onda en metro

Para el caso del diseño del generador de 10,5 GHz. de 10 milivatios. El sector de guía de onda WR-75 tiene
las siguientes dimensiones:
a = 19,1 10-3 metro
L = 20,35 10-3 metro
Así, aplicando la expresión (1) es f = 10,77 GHz. Stub
Para ajustar la frecuencia a un valor deseado (10,5 GHz.) y
cercano al valor calculado, se recurre a una sintonía fina
mediante un Stub construido con un tornillo de cobre,
bronce o aluminio como se indica en la figura 4.
En las figuras 5,6 y 7, se muestran los dibujos
esquemáticos de los tres diseños. L

Fig.4
 Investigación y Desarrollo

La figura 5 corresponde al generador de 250 milivatios que puede ser sintonizado desde 8 a 12 GHz. La
frecuencia deseada se obtiene modificando la longitud L con el corto circuito variable y, ajustando los Stubs
de la cavidad, como así también, los ubicados en la guía de onda después del Iris. En algunas frecuencias
es necesario desplazar el Iris uno o dos milímetros hacia la cavidad o, hacia el flange, esto a fin de obtener
máxima transferencia a 10 V
1A
la carga. Resorte
La variación de la Flange
Mica Filtro 39/U
frecuencia en función Pasa
de la longitud L se Bajo
Guía de
Stubs Stubs
muestra en el gráfico Onda 1"
WG-16
de la figura 8.
La posibilidad de Iris Diodo
Corto
Circuito
obtener cualquier Gunn Cavidad Variable
Resonante
frecuencia en la banda
X y entregar una Disipador
potencia considerable Flange L
39/U
(250 mW), hace del
generador una
herramienta útil para el
desarrollo y medición
de antenas,
materiales dieléctricos y
otros dispositivos de
microondas, en tareas
de investigación y
docencia.

En la figura 6 se Diodo Gunn MDT

MG1007-17 250 mW
muestra el oscilador Escala: X 5
diseñado para trabajar
en una frecuencia fija
de 10,5 GHz. El motivo
de la elección de la
frecuencia fija es
maximizar el Fig.5
rendimiento y la GENERADOR CON DIODO GUNN EN LA BANDA X 8-12 GHz.
potencia entregada a la 250 milivatios
carga. El objetivo es
reemplazar el oscilador Klystron del banco de microondas del Laboratorio de Telecomunicaciones del
DEEC.
Se ha utilizado un diodo Gunn Marconi [2] CDC 1201B de 10 milivatios.

8V
0,1A

Salida 1
Flange
39/U

Flange
Filtro Pasa 39/U
Bajo Iris
Stub
Resonante

Salida 2
Cavidad

Stubs Iris
Diodo
Gunn Cavidad Iris
Marconi Resonante Diodo Gunn Marconi Guía de
CDC 1201 B 10mW Onda
Guía de WG-16
Onda WR-17
Disipador Guía de
Diodo Gunn Marconi Onda
p= 29,35 mm CDC 1201 B 10mW WG-16
Esc: X 5

Fig. 7
Fig. 6
 Investigación y Desarrollo

En la figura 7 se muestra un oscilador con dos salidas alternativas a 90º una de otra. Tiene por finalidad el
ensayo de diferentes Iris, como así también, el monitoreo de la potencia generada y aplicaciones en
mezcladores.
El diodo Gunn usado es un diodo Marconi CDC 1201 B de 10 milivatios.

12

11,6

11,2

10,8
f GHz

10,4

10

9,6

9,2

8,8

8,4

8
14 15,8 17,6 19,4 21,2 23 24,8 26,6 28,4 30,2 32
L en mm
Fig.8 Frecuencia en función de la longitud L de la cavidad

Conclusiones
La construcción artesanal de los generadores ha aportado importante experiencia en el manejo de técnicas
de microondas en el Laboratorio de Telecomunicaciones del Departamento de Electricidad, Electrónica y
Computación de la FACET UNT y ha sentado las bases para la construcción de otros dispositivos y
sistemas que son de utilidad en la investigación, transferencia y docencia.

Agradecimiento
El autor agradece a las compañías Marconi de Gran Bretaña y a Microwave Device Technology
Corporation de EEUU, por haber hecho posible la construcción de los generadores con el aporte de diodos
Gunn y datos técnicos. Como así también, al Profesor Dr. Angel Mediavilla de la Universidad de Cantabria
(España) que ha colaborado con materiales e información de mucho valor, para éste y otros proyectos en
marcha.

Bibliografía

-Microwave Device Technology Corporation Catalog- Gunn Oscilator- Aplication Notes 2000
-Marconi Applied Technology Limited Gunn Diode Aplication Notes June 2000
-Fields and Waves in Modern Radio Simon Ramo John R. Whinnery John Wiley & Sons, Inc 1953
-Microwave Technology Dennis Roddy ISBN 0-8359-4390-9 Prentice-Hall 1986

Néstor E. Arias
Ing. Electricista Orientación Electrónica.
Egresado de la Universidad Nacional de Tucumán en el año 1968.
Profesor Titular de Antenas (plan 1963), de Electromagnetismo I y Electromagnetismo II (Antenas) (plan
1991) en el Departamento de Electricidad, Electrónica y Computación de la Facultad de Ciencias Exactas y
Tecnología, Universidad Nacional de Tucumán.