20/4/2015 Polarizacion del Transistor

APUNTES DE LABORATORIOS DE ELECTRONICA

POLARIZACION DEL TRANSISTOR
PRACTICA Nº 9
 
I.­ FUNDAMENTO TEORICO

El  transistor  bipolar  es  un  dispositivo  que  posee  tres  capas  semiconductoras  con  sus  respectivos  contactos  llamados;
colector(C), base(B) y emisor(E).

La  palabra  bipolar  se  deriva  del  hecho  que  internamente  existe  una  doble  circulación  de  corriente:  electrones  y  lagunas  o
agujeros.

A.­ CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores bipolares se clasifican de la siguiente manera:

1.­ Por la disposición de sus capas

­ Transistores PNP

­ Transistores NPN

2.­ Por el material semiconductor empleado

­ Transistores de Silicio

­ Transistores de Germanio

3.­ Por la disipación de Potencia

­ Transistores de baja potencia

 ­Transistores de mediana potencia

­ Transistores de alta potencia

4.­ Por la frecuencia de trabajo

­ Transistores de baja frecuencia

­ Transistores de alta frecuencia

B.­ POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Para  que  un  transistor  bipolar  funcione  adecuadamente,  es  necesario  polarizarlo  correctamente.  Para  ellos  se  debe  cumplir
que:

­ La juntura BASE ­ EMISOR este polarizado directamente, y

­ La juntura COLECTOR – BASE este polarizado inversamente.

Ejemplo:  Si  el  transistor  es  NPN,  la  base  debe  tener  un  voltaje  positivo  con  respecto  al  emisor  y  el  colector  debe  tener  un
voltaje también positivo pero, mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo contrario.

C.­ CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores tienen un código de identificación que en algunos casos especifica la función que cumple y en otros casos
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indica su fabricación.

Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos, Japoneses y Americanos.

CODIFICACION EUROPEA

Primera letra

A : Germanio

B : Silicio

Segunda Letra

A : Diodo (excepto los diodos túnel)

B : Transistor de baja potencia

D : Transistor de baja frecuencia y de potencia

E : Diodo túnel de potencia

F : Transistor de alta frecuencia

L : Transistor de alta frecuencia y potencia

P : Foto – semiconductor

S : Transistor para conmutación

U : Transistor para conmutación y de potencia

Y : Diodos de potencia

Z : Diodo Zener

Número de serie

100 – 999 :
Para equipos
domésticos
tales como
radio, TV,
amplificadores,
grabadoras,
etc.

10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.

Ejemplo : AD149, es un transistor de potencia, de germanio y sus aplicaciones son
de baja frecuencia.

CODIFICACION JAPONESA

Primero

0 (cero) : Foto transistor o fotodiodo

1 : Diodos

2 : Transistor

Segundo

S : Semiconductor

 
Tercero
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A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)

B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)

C : Transistor NPN de RF

D : Transistor NPN de AF

F : Tiristor tipo PNPN

G : Tiristor tipo NPNP

Cuarto

Número de serie : comienza a partir del número 11

Quinto

Indica un transistor mejor que el anterior

Ejemplo:

Es un transistor PNP de RF con mejores características técnicas que el 2SA186.

CODIFICACION AMERICANA

Anteriormente  los  transistores  americanos  empezaban  su  codificación  con  el  prefijo  2N  y  a  continuación  un  número  que
indicaba la serie de fabricación. Ejemplo 2N3055, 2N2924, etc.

Actualmente, cada fábrica le  antepone  su  propio  prefijo,  así  se  tiene  por  ejemplo  :  TI1411,  ECG128,  etc.  que  corresponden
respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.

II.­ MATERIALES Y EQUIPO

Una Fuente de Tensión de 0 a 15 V

Un transistor 2N3904 (NPN) o equivalente

9  Resistencias  de  ½  W:  100Ω,750Ω,910Ω,  1KΩ,  2.2KΩ,  3.3KΩ,  10KΩ,  270KΩ,

470KΩ.

Un VOM (Multímetro digital o analógico)

III.­ PROCEDIMIENTO

 
POLARIZACION FIJA DE BASE

­ El circuito con el que se trabajó es el siguiente:

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En las mediciones prácticas se obtuvieron los siguientes resultados:

 
  Práctico Teórico
VC 7.5V 7.53V
VB 0.7V 0.7V
VE 0V 0V
VCE 7.5V 7.53V
IC 10mA 9.96mA
IE 10mA 9.96mA
IB 52.96μA 52.96μA
β 188.82 188

 
RESULTADOS TEORICOS

Si consideramos B=188

Tenemos

En la Malla de base:

Ib(270K)+0.7V=15V

Ib = (15V­0.7V)/(270K)

Ib = 52.96uA

Ic = B(Ib)

Ic = (188)(52.96uA)

Ic = 9.96 mA

En la malla de colector

Ic(750)+Vce = 15V

Vce = 15V – (9.96mA)(750)

Vce = 7.53 V

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POLARIZACION POR EMISOR

­ El circuito con el que se trabajó es el siguiente:

En las mediciones prácticas se obtuvieron los siguientes resultados:

 
  Práctico Teórico
VC 10V 10.09V
VB 1.2V 1.24V
VE 0.55V 0.54V
VCE 9.6V 9.55V
IC 5.1mA 5.4mA
IE 5.1mA 5.4mA
IB 27μA 29.25uA
β 188.88 188

Si consideramos B=188

Tenemos

En la Malla de base:

Ib(470K)+0.7V+Ie(100) = 15V

Ib = (15V­0.7V)/(470K+100(188+1))

Ib = 29.25uA

Ic = Ib(188)

Ic = (29.25uA)(188)

Ic = 5.4 mA

En la malla de colector

Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V

Vce = 15V – (910)(5.4mA)­(100)(5.4mA)

Vce = 9.55 V

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Ve = (100)(5.4mA)

Ve = 0.54 V

Vc = 9.55V + 0.54V

Vc = 10.09V

Vb = 0.7V + 0.54V

Vb = 1.24V

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

­ El circuito con el que se trabajó es el siguiente:

En las mediciones prácticas se obtuvieron los siguientes resultados:

 
  Práctico Teórico
VC 8.4V 8.45V
VB 2.7V 2.65V
VE 2.1V 1.95V
VCE 6.6V 6.5V
IC 1.8mA 1.97mA
IE 1.8mA 1.97mA
IB 8μA 8.77uA
β 225 225

Si consideramos B=225

Tenemos

En la Malla de base:

Ib(Rbb)+0.7V+Ie.Re = Vbb

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Ib(1.8K)+0.7V+Ie(1000) = 2.7V

Ib = (2.7V­0.7V)/(1.8K+1000(225+1))

Ib = 8.77uA

Ic = Ib(225)

Ic = (8.77uA)(225)

Ic = 1.97mA

En la malla de colector

Rc.Ic + Vce + Re.Ie = 15V

Vce = 15V – (3.3K)(1.97mA)­(1000)(1.97mA)

Vce = 6.5 V

Ve = (1000)(1.97mA)

Ve = 1.95V

Vc = 6.5V + 1.97V

Vc = 8.45V

Vb = 0.7V + 1.95V

Vb = 2.65 V

IV.­ CONCLUSIONES

La  corriente  de  colector  es  aproximadamente  igual  a  la  corriente  del  emisor.  La
corriente  de  base  es  mucho  más  pequeña,  generalmente  menor  que  el  5%  de  la
corriente de emisor.

La  razón  de  la  corriente  de  colector  a  la  corriente  de  base  se  llama  ganancia  de
corriente, y se le denota por βCD o bien por hFE.

Cuando  el  transistor  se  usa  como  amplificador,  el  transistor  opera  en  la  región
activa.  Cuando  se  usa  en  circuitos  digitales,  el  transistor  usualmente  opera  en  las
regiones de saturación y/o corte.

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