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Elaborado por:
Moisés Ramos Blandón
Código: 73156706
SAMIR HERNANDEZ
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Código: xxxxxxxx
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Código: xxxxxxxx
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Código: xxxxxxxx
Dolffi Rodríguez
Tutora
Curso:
Estructura Molecular
Grupo:
401582A_45
Ejercicio 1.2
Tabla 1. Minerales con presencia de metales
Nombre Fórmula Elemento Uso del elemento metálico en la
mineral química metálico industria
silvita
Halita
Bauxita
Corindón
Hematita
Casiterita
Ejercicio 1.3
Diseño de un diagrama de bloques que explique la obtención para hierro fundido y el
acero.
Para hierro
Yacimiento
Hem
atita
Aire
Preparación Escoria
Extracción Transporte Lavado
del hierro Quebrado Alto horno
Cribado
Preparación
Arrabio
Explotación Transporte Refinado
del coque Calentado
Preparación
Explotación Transporte Lavado
De la piedra Quebrado
Cribado
Para el acero
Esta notación resumida se obtiene al tomar como referencia la configuración electrónica del
gas noble más próximo a él. En este caso corresponde al neón de configuración electrónica:
1s2 2s2 2p6. Como sus primeros niveles de energía corresponden a los primeros del
magnesio, o sea, que los primeros orbitales son iguales tanto en el magnesio como en este
gas noble, entonces se toma el símbolo atómico del neón que es Ne y se coloca entre corchete,
y luego se coloca los orbitales restantes del magnesio que no se repiten en el neón, obteniendo
así dicha notación ([Ne] 3s 2), la cual se interpreta que la configuración del magnesio es la
misma del neón más el orbital 3s2.
2. ¿Qué sucede con los orbitales de los átomos de magnesio en un cristal metálico de
éste elemento?
En un cristal metálico, los átomos están empaquetados muy cerca unos de otros, por lo que
los niveles energéticos de cada átomo de magnesio se ven afectados por los de los átomos
vecinos, lo que da como resultado el traslapo de orbitales.
3. ¿Cómo se forma un orbital de enlace y antienlazante?
Un orbital de enlace se forma mediante la interferencia constructiva de dos orbitales
atómicos de simetría apropiada. De esta forma, se obtiene un orbital con menor energía que
cualquiera de los dos orbitales atómicos originales, lo que favorece la formación del enlace
químico entre los dos átomos.
Un orbital antienlazante es el resultado de restar las funciones de onda de cada orbital
atómico, poseen mayor energía por lo que serán menos estables y son repulsivos por lo que
contribuyen negativamente al enlace.
N orbitales atómicos forman N antienlazantes (si quitan enlace) sencillo, dos orbitales
atómicos antienlazante. orbitales moleculares, que pueden ser enlazantes (si aportan
enlace), o no enlazantes (si no aportan ni quitan enlace). En el caso más interaccionan
para formar un orbital enlazante más un orbital.
Un orbital enlazante es aquél que aumenta la densidad electrónica entre los átomos
enlazados y, por tanto, su energía es menor que la de los OA de partida. Un orbital
antienlazante tiene menos densidad electrónica entre los núcleos y mayor energía que
los OA de partida. Se caracteriza por poseer un plano nodal entre los átomos unidos.
5. ¿Por qué los elementos metálicos como el magnesio conducen fácilmente la corriente
y cómo se realiza éste proceso?
En el caso del magnesio y de otros metales, las bandas de valencia son adyacentes a las
bandas de conducción, y por tanto estos metales actúan fácilmente como conductores.
Ejercicio 2.2
En la figura 3, se muestra la comparación de brechas de energías entre las bandas de valencia
y la banda de conducción de un metal, un semiconductor y un aislante:
Figura 3. Comparación de las brechas de energía entre las bandas de valencia y la banda de
conducción de un metal, un semiconductor y un aislante (Tomado de Chang, R. Goldsby, K.
(2013). Química. (12a. ed.). (pp. 940) México, D.F.: McGraw-Hill Interamericana.
Con base en lo consultado en las referencias y la interpretación de la figura 3, los estudiantes
deben responder las siguientes preguntas de forma individual y posteriormente debatir en
grupo las respuestas para seleccionar una sola respuesta por cada literal entre los integrantes
del grupo colaborativo:
a. ¿Qué ocurre con los electrones de la banda de valencia para cada caso?
1. En metal - Las bandas de valencia y de conducción están solapadas, por lo que
prácticamente la separación de energía es nula.
2. En un semiconductor - la separación de energía es muy pequeña, y se necesita
poca energía para transferir a los electrones de la banda de valencia a la banda
de conducción, incluso la energía térmica a temperatura ambiente es
suficiente.
3. En un aislante - la banda de valencia está llena de electrones, de modo que los
electrones no pueden moverse en esta banda.
Para los aislantes, existe una barrera de energía entre la banda de energía más baja
(llena con electrones) y los restantes estados disponibles (estados posibles), por lo cual no se
puede promover electrones de la banda de valencia hacia la banda de conducción, por esto
no es posible ganar energía por absorción de fotones.
Los semiconductores se encuentran situados, por lo que hace a su resistencia, entre los
conductores y los aislantes, ya que a temperaturas muy bajas difícilmente conducen la
corriente eléctrica y más bien se comportan como aislantes pero, al elevar su temperatura o
al ser sometidos a un campo eléctrico externo, su comportamiento cambia al de los
conductores. Estos semiconductores son conocidos como intrínsecos y, en ellos, las bandas
de conducción y valencia se encuentran separadas por una barrera de energía (banda
prohibida).
Compuestos Conductor
de carbono
superconductores Semiconductor
puros
Aislante
Conductor
eléctrico de
tipo perfecto
Chang, R. Goldsby, K. (2013). Química. (12a. ed.). (pp. 931-951) México, D.F.: McGraw-
Hill Interamericana.
Masterton, W. L. Hurley. C. N. (2003) Química: Principios y reacciones. (pp. 562-568).
Madrid: Paraninfo.
Chang, R. Goldsby, K. (2013). Química. (12a. ed.). (pp. 931-951) México, D.F.: McGraw-
Hill Interamericana.
Masterton, W. L. Hurley. C. N. (2003) Química: Principios y reacciones. (pp. 562-568).
Madrid: Paraninfo.
Chang, R. Goldsby, K. (2013). Química. (12a. ed.). (pp. 931-951) México, D.F.: McGraw-
Hill Interamericana.
Masterton, W. L. Hurley. C. N. (2003) Química: Principios y reacciones. (pp. 562-568).
Madrid: Paraninfo.
Chang, R. Goldsby, K. (2013). Química. (12a. ed.). (pp. 931-951) México, D.F.: McGraw-
Hill Interamericana.
Chang, R. Goldsby, K. (2013). Química. (12a. ed.). México, D.F McGraw-Hill
Interamericana. (pp. 939-941).
González, V W., Mancini, H L. (2005). Ciencia de los materiales. (pp. 27-35) Barcelona,
España: Editorial Ariel. Smith, W. F.,
Hashemi, J. (2006). Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales. (4a. ed.). (pp.
790-810) México, D.F.: McGraw-Hill Interamericana.
Banda de valencia. (2019, 21 de octubre). Wikipedia, La enciclopedia libre. Fecha de
consulta: 11:57, noviembre 18, 2019
desde https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Banda_de_valencia&oldid=120620637.
Banda de conducción. (2019, 1 de agosto). Wikipedia, La enciclopedia libre. Fecha de
consulta: 12:13, noviembre 18, 2019
desde https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Banda_de_conducci%C3%B3n&oldid=11
7912275.
Rami Arieli: "The Laser Adventure" Chapter 6.3 Diode lasers Page 9.
Versión en español por A. Requena, C.Cruz, A. Bastida y J. Zúñiga. Universidad de Murcia.
Spain