Monografia Tiristores

UNIVERSIDAD NACIONAL DE
MORENO
Ingeniería Electrónica
Monografía: Tiristores (SCR)

Dispositivos Electrónicos
Becerra Juan Manuel
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Monografía Tiristores, Dispositivos Electrónicos, Ing. Electrónica
Indice
Introducción ........................................................................................................................... 3
Un poco de historia ................................................................................................................ 4
Dispositivos semiconductores de potencia ........................................................................ 4
El Tiristor ................................................................................................................................. 7
Estructura y Simbologia ...................................................................................................... 8
Funcionamiento del Tiristor en “bloqueo” o “polarización inversa” ................................. 9
Modelo de SCR de dos transistores: ................................................................................. 10
Funcionamiento del Tiristor en “conducción” o “polarización directa” ........................... 11
Principio de Encendido por Compuerta (Gate) ................................................................ 12
Activación del SCR............................................................................................................. 14
Acción de la Compuerta (Gate)......................................................................................... 15
Curva característica del SCR.............................................................................................. 16
Definición de los símbolos ................................................................................................ 17
Tipos de Tiristores ............................................................................................................. 20
Algunas aplicaciones típicas.............................................................................................. 28
Hojas de Datos ...................................................................................................................... 31
Bibliografia ............................................................................................................................ 47
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El Tiristor o SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
Introducción
Durante muchos años ha existido la necesidad de controlar la potencia eléctrica de los

sistemas de tracción y de los controles industriales impulsados por motores eléctricos;
esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de
obtener un voltaje de corriente directa variable para el control de los motores e
impulsores. La electrónica de potencia ha revolucionado la idea del control para la
conversión de potencia y para el control de los motores eléctricos.
La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control. El control se

encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los sistemas de lazo
cerrado. La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática y rotativa o giratoria,
para la generación, transmisión y distribución de energía eléctrica. La electrónica se ocupa
de los dispositivos y circuitos de estado sólido requerido e el procesamiento de señales
para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrónica de potenciase puede
definir como la aplicación de la electrónica de estado sólido para el control y la conversión
de energía eléctrica.
La electrónica de potencia se basa, en primer termino, en la conmutación de dispositivos
semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnología de los semiconductores
de potencia, las capacidades del manejo de la energía y la velocidad de conmutación de
los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnología
de los microprocesadores - microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la
síntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia.
El equipo de electrónica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia,
que puede compararse con el músculo, y (2) microelectrónica, que tiene el poder de la
inteligencia del cerebro.
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Un poco de historia
La historia de la electrónica de potencia empezó e el año 1900, con la introducción del

rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron gradualmente, el rectificador de
tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacio de rejilla controlada, el fanotron y el
tiratron. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energía hasta la década de 1950.
La primera revolución electrónica inicia en1948 con la invención del transistor de silicio en
los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardeen, Brattain y Shockley. La mayor
parte de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen su origen en esta
invención. A través de los años la microelectrónica moderna ha evolucionado a partir de
los semiconductores de silicio. El siguiente gran parte aguas, en 1956, también provino de
los Bell Telephone Laboratories: la invención del transistor de disparo PNPN, que se
definió como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR) por sus siglas en ingles.
La segunda revolución electrónica empezó en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial
por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrónica de
potencia. Desde entonces, se han introducidos muy diversos tipos de dispositivos
semiconductores de potencia y técnicas de conversión. La revolución de microelectrónica
nos dio la capacidad de procesar una gran cantidad de información a una velocidad
increíble. La revolución de la electrónica de potencia nos esta dando la capacidad de dar
forma y controlar grandes cantidades de energía con una eficiencia cada vez mayor.
Debido a la fusión de la electrónica de potencia que es el músculo, con la
microelectrónica, que es el cerebro, se han descubierto muchas aplicaciones potenciales
de la electrónica de potencia, y se descubrirán más. Dentro de los siguientes 30 años, la
electrónica de potencia formara y condicionara la electricidad, en alguna parte de la línea
de transmisión, entre el punto de generación y todos los usuarios.
La revolución de la electrónica de potencia ha ganado inercia, desde el fin de los años 80
y principios de los 90.
Dispositivos semiconductores de potencia

Desde que se desarrolló el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines
de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia.
Hasta 1970, los tiristores convencionales se habían utilizado en forma exclusiva para el
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control de la energía en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios

tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma
comercial. Éstos se pueden dividir en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2)
tiristores, (3) transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia,
y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de inducción
estáticos (SIT). Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos: (a) tiristor de
conmutación forzada, (b) tiristor conmutado por línea, (e) tiristor desactivado por
compuerta (GTO), (d) tiristor de conducción inversa (RCT), (e) tiristor de inducción
estático (SITH), (o tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT), (g) rectificador
controlado de silicio foto activado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS(MCT).
Los transistores de inducción estáticos también están disponibles en forma comercial.
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de
recuperación rápida) y Schottky. Los diodos de uso general están disponibles hasta 3000
V, 3500 A, y la especificación de los diodos de recuperación rápida puede llegar hasta
3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperación inversa varía entre 0.1 y 5µs. Los diodos de
recuperación rápida son esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia
a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un cátodo y un ánodo. Los diodos
Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy
pequeño, típicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y
sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su
ánodo es más alto que el de su cátodo; siendo la caída de voltaje directa de un diodo de
potencia muy baja, típicamente 0.5 y 1.2 V. Si el voltaje de cátodo es más alto que el
voltaje de ánodo, se dice que el diodo está en modo de bloqueo.
Existen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan
básicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el otro
como de disco empacado a presión o de disco de hockey. En el de perno, tanto el ánodo
como el cátodo podrían ser el perno.
Un tiristor tiene tres terminales: un ánodo, un cátodo, y una compuerta. Cuando una
pequeña corriente pasa a través de la terminal de la compuerta hacia el cátodo, el tiristor
conduce, siempre y cuando la terminal del ánodo esté a un potencial más alto que el
cátodo. Una vez que el tiristor está en un modo de conducción, el circuito de la compuerta
no tiene ningún control y el tiristor continuara conduciendo. Cuando un tiristor está en un
modo de conducción, la caída de potencial en directa es muy pequeña, típicamente 0.5 a 2
V.
Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del ánodo sea igual
o menor que el potencias de cátodo. Los tiristores conmutados en línea se desactivan en
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razón de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en

forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitería de
conmutación. Existen varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de
conmutación de línea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja.
Los tiristores naturales o conmutados en línea están disponibles con especificaciones de
hasta 6000V, 3500 A. El tiempo de desactivación de los tiristores de bloqueo inverso de
alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 µs con un
tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivación se define como el intervalo de
tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero después de la
interrupción externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es
capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse. Los RCT y los GATT se
utilizan en gran medida para la interrupción de alta velocidad, en especial en aplicaciones
de tracción. Un RCT se puede considerar como un tiristor que incluye un diodo inverso en
paralelo. Los RCT están disponibles hasta 2500 V, 1000 (y 400 A de conducción inversa)
con un tiempo de interrupción de 40 µs. Los GATT están disponibles hasta 1200 V, 400 A
con una velocidad de interrupción de 8 µs. Los LASCR, que se fabrican hasta 6000V, 1500
A, con una velocidad de interrupción de 200 a 400 µs, son adecuados para sistemas de
energía de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente, alterna de
baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de
calor, de iluminación, de motor, así como interruptores de corriente alterna. Las
características de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo
con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a través de un TRIAC se puede
controlar en cualquier dirección. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los
GTO y los SITH se activan mediante la aplicación de un pulso breve positivo a las
compuertas, y se desactivan mediante la aplicación de un pulso corto negativo a las
mismas. No requieren de ningún circuito de conmutación. Los GTO resultan muy
atractivos para la conmutación forzada de convertidores y están disponibles hasta 4000 V,
3000A.
Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300A, se espera que
puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una frecuencia de varios
cientos de Khz. y más allá del rango de frecuencia de los GTO. Existen varias
configuraciones de GTO. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los
convertidores de energía a frecuencias menores que 10 Khz. y su aplicación es eficaz en
las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Un transistor bipolar tiene tres
terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la
configuración de emisor común. Mientras que la base de un transistor NPN esté a un
potencial más alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande
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como para excitar al transistor en la región de saturación, el transistor se conservará

activado, siempre que la unión del colecto ral emisor esté correctamente polarizada. La
caída directa de un transistor en conducción está en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de
excitación de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conducción (es
decir desactivado).
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y están
disponibles en una especificación de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50
A, en un rango de frecuencia de varias decenas de Khz. Los IGBT son transistores de
potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son más rápidos que los BJT, pero aún no
tan rápidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen características de excitación y de
salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas
corrientes y frecuencias de hasta20 Khz. Los IGBT están disponibles hasta 1200 V, 400 A.
El Tiristor
En la industria hay numerosas operaciones, las cuales requieren se entregue una cantidad
de potencia eléctrica variable y controlada. La iluminación, el control de velocidad de un
motor, la soldadura eléctrica y el calentamiento eléctrico, son las cuatro operaciones más
comunes. Siempre es posible controlarla cantidad de potencia eléctrica que se entrega a
una carga si se utiliza un transformador variable para proporcionar un voltaje de salida
variables. Sin embargo, para grandes potencias, los transformadores variables son
físicamente grandes y costosos y necesitan un mantenimiento frecuente, estos tres
factores hacen que los transformadores variables sean poco utilizados.
Otro método para controlar la potencia eléctrica que se entrega a una carga, es intercalar
un reóstato en serie con la carga, para así controlar y limitar la corriente. Nuevamente
para grandes potencias, los reóstatos resultan de gran tamaño, costosos, necesitan
mantenimiento además, desperdician una cantidad apreciable de energía. Los reóstatos
no son la alternativa deseable frente a los transformadores variables en el control de
potencia industrial.
Desde 1960 está disponible un dispositivo electrónico, el cuál no adolece de las fallas
antes mencionadas. El SCR es pequeño y relativamente barato, no necesita
mantenimiento y su consumo de potencia es muy pequeño. Algunos SCR modernos
pueden controlar corrientes del orden de cientos de amperios en circuitos que operan a
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voltajes tan elevados como 1000 volts. Por estas razones, los SCR son muy importantes en
el campo del control industrial moderno.
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio (SCR) es, sin
duda, el de mayor interés hoy en día, y fue presentado por primera vez en 1956 por los
Bell Telephone Laboratories. Algunas de las áreas más comunes de aplicación de los SCR
son controles de relevador, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de alimentación
reguladas, interruptores estáticos, controles de motores, recortadores, inversores, ciclo-
conversores, cargadores de baterías, circuitos de protección, controles de calefacción y
controles de fase.
En años recientes han sido diseñados SCR para controlar potencias tan altas de hasta 10
MW y con valores individuales tan altos como de 2000 A a 1800 V. Su rango de frecuencia
de aplicación también ha sido extendido a cerca de 50 kHz, lo que ha permitido algunas
aplicaciones de alta frecuencia.
Estructura y Simbologia
El tiristor es un nombre genérico de una serie de dispositivos semiconductores de
potencia. Uno de ellos llamado SCR (rectificador controlado de silicio) es un
semiconductor sólido de silicio formado por cuatro capas P y N alternativamente,
dispuestas como se ve en la Figura 1, donde también se representa su símbolo.
Figura 1 – Símbolo y circuito equivalente del SCR Figura 2 – Sección longitudinal del SCR
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El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente

como sigue:
 Rectificación: consiste en usar la propiedad de funcionamiento unidireccional del
dispositivo, el cual realiza entonces la misma función de un diodo.
 Interrupción de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede

reemplazar a los contactores mecánicos.
 Regulación: la posibilidad de ajustar el momento preciso del encendido permite

emplear el tiristor para gobernar la potencia o la corriente media de salida.
 Amplificación: puesto que la corriente de mando puede ser muy débil en

comparación con la corriente principal, se produce un fenómeno de amplificación
en corriente o en potencia. En ciertas aplicaciones esta "ganancia" puede ser de
utilidad.
Funcionamiento del Tiristor en “bloqueo” o “polarización inversa”

Para simplificar el siguiente análisis admitiremos que el cátodo del tiristor está
siempre a tierra y que la puerta no está conectada ("flotando").
En estas condiciones, se puede comparar el tiristor a tres diodos conectados en oposición.
En efecto, las capas P2N2 y P1N2 forman diodos que aseguran el aguante en tensión del
dispositivo. De esta forma:
 Si el ánodo es positivo, el elemento está polarizado directamente, pero el
diodo P1N2 bloquea la tensión aplicada.
 Si, por el contrario, el ánodo es negativo, los diodos P2N2 y P1N1 tienen
polarización inversa. Por ser débil la tensión de avalancha de P1N1, su papel es
despreciable y es P2N2 el que ha de limitar la corriente inversa de fuga.
La tensión máxima viene limitada, prácticamente, por la tensión de avalancha de los

diodos P2N2 y P1N2 en serie.
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Figura 3 - Las tres uniones del tiristor

pueden representarse mediante tres diodos
equivalentes
Figura 4 – El SCR polarizado en Inversa
Modelo de SCR de dos transistores:

La acción regenerativa o de enganche debido a la retroalimentación directa se puede
demostrar mediante un modelo de un SCR de dos transistores. Un SCR se puede
considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, T1, y un transistor
NPN, T2 :
Figura 5 – A) SCR simplificado. B) SCR como dos Transistores. C) Circuito Equivalente
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Funcionamiento del Tiristor en “conducción” o “polarización directa”

Se comprenderá mejor el funcionamiento del tiristor si nos referimos al montaje
con dos transistores, PNP y NPN, de la Figura 5, que resulta equivalente. Estos dos
transistores están conectados de forma que se obtenga una realimentación positiva.
Supongamos que sea positiva la región P2 con relación a la N1. Las uniones J3 y J1 emiten
portadores positivos y negativos respectivamente hacia las regiones N2 y P1. Estos
portadores, tras su difusión en las bases de los transistores, llegan a la unión J2, donde la
carga espacial crea un intenso campo eléctrico.
Siendo 0.3 la ganancia de corriente que da la fracción de la corriente de huecos inyectada
en el emisor y que llega al colector del PNP, y siendo por otro lado a la ganancia de
corriente que da lafracción de la corriente de electrones inyectada en el emisor que llega
al colector del NPN, podemos escribir:
La corriente total de ánodo IA es evidentemente la suma de lc1 e lc2, a la que hay que
sumar la corriente de fuga residual que pasa por la unión central J2 y a la que llamaremos
Icx. Se tiene entonces:
Lo que nos queda:
Ahora bien, en muchos transistores de silicio la ganancia α es baja para valores reducidos
de corriente, aumentando cuando crece la corriente. Luego, si Icx es reducida, el
denominador de la fracción anterior se acerca a 1 (para corrientes débiles) y la corriente
IA es apenas mayor que la corriente de fuga.
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Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada

presentando una elevada impedancia. Cuando aumenta, por cualquier motivo, la
corriente de fuga lcx, aumentan la corriente y la ganancia. La suma tiende entonces
a 1 y la corriente IA tiende a infinito. En realidad, esta corriente toma un valor muy alto,
limitado sólo porel circuito externo.
El tiristor está entonces en estado conductor (también se dice que está
desbloqueado o disparado).
Hagamos observar que este tipo de encendido por aumento de la corriente de fuga esto
es, en general, por aumento de la tensión aplicada entre ánodo y cátodo del
elemento es desaconsejable en la mayoría de los casos.
Figura 6 – El SCR en polarización Directa
Principio de Encendido por Compuerta (Gate)

El encendido por puerta es el método más usual de disparo de tiristores. El
razonamiento siguiente aparecerá mucho más claro si nos referimos a la Figura 7.
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Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de

mando en su puerta (este ataque es en corriente, denominándose lG a esta última). El
transistor NPN designado T1 recibe una corriente de base lG, pasando a ser su corriente
de colector de , donde es la ganancia de corriente de este transistor (montaje en emisor
común).
Esta corriente se inyecta a su vez en la base del transistor T2 (PNP) que entrega entonces
una corriente de (siendo la ganancia de corriente de T2). Esta corriente, que
aparece en el colector de T2, vuelve a aplicarse a la base de T1.
Hay que considerar entonces dos casos:
1. El producto es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se enciende
2. El producto tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de

amplificación y el elemento pasa al estado de conducción.
Estas dos condiciones ( < 1 y = 1) caracterizan el estado del tiristor en función

de la corriente. En efecto, la ganancia β de un transistor de silicio crece normalmente,
por lo general, en función de la corriente (Figura 8). Así pues:
 Si la corriente de puerta es débil, el producto es inferior a la unidad y no se
enciende el dispositivo
 Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante

elevadas para que el producto tienda a 1.
En cuanto se produce el encendido, la realimentación hace que los dos transistores

conduzcan a saturación (por cuanto la corriente de colector de uno se inyecta
sistemáticamente en la base del otro). Una vez en conducción, los transistores se
mantienen ya en ese estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de
puerta, hasta que el circuito exterior deje de mantener la corriente IA.
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Figura 7 – Modelo SCR con transistores Figura 8 – Curva Beta en función de la IE
Activación del SCR

Como ya hemos visto, el tiristor puede adoptar uno de estos estados:
 De bloqueo, cuando está polarizado en sentido inverso;
 De bloqueo o de conducción, cuando la polarización es directa, según que esté

encendido o no.
En este último caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de conducción se
recurre, como se ha dicho ya, a la propiedad esencial del transistor de silicio: la de poseer
una ganancia de corriente que crece con la corriente de emisor, le.
Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un aumento de la
corriente IE. Los más importantes son:
 LA TENSIÓN: Cuando aumenta la tensión ánodo-cátodo del tiristor, llega un

momento en que la corriente de fuga es suficiente para producir un brusco
aumento de la corriente IE. Esta forma de disparo se usa sobre todo con los diodos
de 4 capas (diodos- tiristores).
 LA DERIVADA DE LA TENSIÓN: Ya se sabe que una unión PN presenta una cierta

capacidad. Así, pues, si se hace crecer bruscamente la tensión ánodo-cátodo, esta
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capacidad se carga con una corriente: Y, si esta corriente I es suficientemente

elevada, provocará el encendido del tiristor.
 LA TEMPERATURA: La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio

aumenta al doble, aproximadamente, cada 14° C (al aumentar la temperatura).
Cuando la corriente alcanza un valor suficiente, se produce el disparo del tiristor
por los mismos fenómenos ya vistos.
 EL EFECTO TRANSISTOR: Es la forma clásica de gobernar un tiristor. En la

base del transistor equivalente se inyectan portadores suplementarios que
provocan el fenómeno de disparo (la base es la puerta del tiristor).
 EL EFECTO FOTOELÉCTRICO: La luz, otra de las formas de energía, puede

también provocar el encendido del tiristor al crear pares electrón-hueco. En este
caso se emplea un fototiristor, que es un tiristor con una "ventana" (esto es una
lente transparente que deja pasar los rayos luminosos) en la región de puerta.
Acción de la Compuerta (Gate)

Si se aplica una señal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensión de encendido
de éste, tal como muestra las curvas de la Figura 9.
Cuando es nula la corriente lG de puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza la

tensión de disparo entre ánodo y cátodo del elemento. A medida que aumenta la
corriente de puerta lG, disminuye el valor de la tensión de disparo del tiristor. En el
límite, el tiristor se comporta como un diodo, esto es, para una corriente de puerta
suficientemente elevada, la menor tensión de ánodo provoca la conducción en el tiristor.
Para prevenir los posibles encendidos esporádicos del tiristor se puede conectar un
resistor en paralelo con la unión puerta-cátodo (siguiente figura). Esto es especialmente
interesante cuando la ganancia β del transistor NPN (del par equivalente) es elevada.
(Por lo general suele ser más elevada que la ganancia β del PNP.)
Por otra parte, casi todos los fabricantes integran ya un resistor de difusión entre la
puerta y el cátodo del tiristor; esta tecnología es la que se conoce como "shorted
emitter", con un cortocircuito puerta-emisor.
Al aumentar el valor de la corriente de puerta necesaria para el encendido del tiristor,

este resistor en paralelo mejora las características del elemento en bloqueo, y
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aumenta la inmunidad ante transitorios parásitos. La resistencia depende de la

temperatura y de las tolerancias de fabricación, y varía entre los valores extremos RG,
(mín.) y RG (máx.).
Figura 9 – Curva IA en función de la IG

Figura 10 – Tecnología “Shorted Emitter”
Curva característica del SCR

En la Figura 11 se presenta la curva característica típica de un tiristor (elemento
unidireccional), representándose la corriente IA en función de la diferencia de tensión
ánodo-cátodo.
Cuando es nula la tensión V, lo es también la corriente IA. Al crecer la tensión V en sentido
directo — se la designará como VF, siendo F la inicial de "forward" (directo, en inglés) —
se alcanza un valor mínimo (Vd) que provoca el encendido; el tiristor se hace
entonces conductor y cae la tensión ánodo-cátodo mientras aumenta la corriente IA.
Por lo mismo que hemos dicho de la tensión, a esta corriente directa la llamaremos IF.
Si se polariza inversamente el tiristor, aplicándole una tensión VR(donde R es la inicial
de "reverse", esto es, inverso en inglés) observaremos la existencia de una débil
corriente inversa de fuga (esta corriente inversa recibirá el símbolo IR) hasta que se
alcanza un punto de tensión inversa máxima que provoca la destrucción del elemento.
El tiristor es pues conductor sólo en el primer cuadrante. El disparo ha sido provocado
en este caso por aumento de la tensión directa. La aplicación de una corriente de mando
en la puerta desplaza, como veremos, hacia la derecha el punto de disparo Vd.
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Figura 11 – Curva característica del SCR Figura 12 – Zonas de Trabajo del SCR
Definición de los símbolos

La curva característica del tiristor puede pues dividirse en 6 regiones, de las que 4
están situadas en el primer cuadrante. A continuación definiremos los símbolos
principales relativos a puntos notables de esta curva.
Debido a que la mayor parte de la bibliografía existente sobre tiristores procede de
Estados Unidos, se han conservado aquí las designaciones simbólicas del inglés. Las
magnitudes directas llevarán el índice F (de forward) y las inversas R (de reverse). El
siguiente cuadro resume el significado de las abreviaturas usadas:
CORRIENTE DIRECTA MEDIA

Se define así el valor medio de los valores instantáneos de corriente directa ánodo-
cátodo en el tiristor, para un intervalo dado de tiempo. Su símbolo es IF(AV).
CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO

Es el valor que puede alcanzar un pico de corriente ánodo-cátodo en forma
accidental, esto es transitoriamente y no de modo recurrente. Su símbolo es IFSM y
define pues el valor máximo admisible de las extracorrientes, en el curso de regímenes
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transitorios aleatorios. Normalmente se especifica para ½, 1, o 10 ciclos a una frecuencia

dada.
CORRIENTE MÁXIMA DE PUERTA

La corriente máxima de puerta se simboliza IGFS, y es el valor máximo instantáneo
que puede alcanzar un pico de corriente en el electrodo de mando del tiristor. Este valor
define también el valor máximo de la corriente de mando en régimen de impulsos de muy
corta duración.
TENSIÓN DIRECTA DE DISPARO

La tensión directa de disparo Vd (o también VBO) es la tensión directa por encima
de la cual se enciende el tiristor por disparo directo.
TENSIÓN INVERSA DE RUPTURA

La tensión inversa que produce la ruptura del elemento se designa como VRR.
TENSIÓN INVERSA REPETITIVA

La tensión inversa recurrente es VRWM. Se define así el valor máximo que puede tomar la
amplitud de la tensión inversa periódica aplicada entre el ánodo y cátodo del tiristor.
TENSIÓN INVERSA REPETITIVA DE PICO

La tensión inversa recurrente de pico es VRPM y es el valor máximo que pueden alcanzar
las punías recurrentes de tensión inversa. Este valor es numéricamente superior al valor
máximo de tensión inversa del tiristor (valor de pico máximo).
TENSIÓN INVERSA TRANSITORIA O ACCIDENTAL

La tensión inversa transitoria o accidental es VRSM. Este valor limita la tensión inversa
cátodo-ánodo a la que puede someterse el tiristor, durante un intervalo dado de tiempo.
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TENSIÓN DIRECTA DE PICO EN BLOQUEO

La tensión directa de pico en estado de bloqueo es VDWM (o también VFDM). Su valor fija
un límite a la tensión máxima aplicable entre ánodo y cátodo del tiristor, con puerta
flotante, sin riesgo de disparo. Esta tensión es pues ligeramente inferior a la tensión de
disparo en ausencia de señal de mando.
POTENCIA TOTAL DISIPADA

La potencia total disipada en el tiristor es Pav. En ella se consideran todas las corrientes:
directa, media e inversa (IFAV e IRR); de fuga, directa e "inversa (IFD e IR); de mando (IG);
corriente capacitiva, etc. Su valor permite calcular el radiador, si es que el tiristor precisa
de uno.
POTENCIA MEDIA DISIPABLE DE PUERTA

La potencia media disipable de puerta es PGAV. Es el valor de la potencia disipada
en la unión puerta-cátodo.
POTENCIA DE PICO DE PUERTA
La potencia de pico de puerta es PGFS. Corresponde a la potencia máxima disipada
en la unión puerta-cátodo, en el caso de aplicarse una señal de disparo no continua. Su
valor es superior al de PGAV y su límite depende de las condiciones de encendido.
CORRIENTE DE ENGANCHE
La corriente de enganche IL es la corriente IA mínima que hace bascular el tiristor
del estado de bloqueo al de conducción. Su valor es por lo general de dos o tres
veces la corriente de mantenimiento, definida a continuación.
CORRIENTE DE MANTENIMIENTO
Para conservar su estado de conducción el tiristor debe suministrar una comente
de ánodo, IA, mínima que recibe el nombre de corriente de mantenimiento, IH. A veces
se denomina también a esta corriente, corriente hipo-estática.
TENSIÓN DE ENGANCHE
A la corriente LI , de enganche le corresponde una tensión de enganche VL.
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TENSIÓN DE MANTENIMIENTO
Del mismo modo, se podría definir una tensión de mantenimiento VH que sería la
tensión que, aplicada al ánodo, permitiría el paso de la corriente In de mantenimiento.
CORRIENTE DE PUERTA
La corriente de puerta se designa GI . En una serie dada de tiristores — teniendo
en cuenta la dispersión de las características — el valor máximo necesario para
asegurar el encendido de cualquier elemento se designa lGT.
TENSIÓN DE ENCENDIDO
A esta corriente IGT le corresponde una tensión de encendido VGD (que en los
dispositivos de uso corriente se aproxima a 1 V).
TENSIÓN MÁXIMA EN LA PUERTA SIN DISPARO

Finalmente, la tensión máxima aplicable a la puerta s n provocar el disparo se simboliza
por VGD. Esta tensión se define a la temperatura máxima y es siempre muy inferior a la
tensión de encendido (puede ser, por ejemplo, de 0,3 V).
Tipos de Tiristores
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo requiere
de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el punto cercano
a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el tiristor. Para
controlar el di/dt, el tiempo de activación y el tiempo de desactivación, los fabricantes
utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construcción física y del comportamiento de activación y

desactivación, en general los tiristores pueden clasificarse en ocho categorías:
1. Tiristores de control de fase o de conmutación rápida (SCR).

2. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
3. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
4. Tiristores de conducción inversa (RTC).
20
5. Tiristores de inducción estática (SITH).

6. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR).
7. Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
8. Tiristores controlados por MOS (MCT).
TIRISTORES DE CONTROL DE FASE O DE CONMUTACIÓN RÁPIDA (SCR)
El miembro más importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales,

conocido también como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo
desarrolló la General Electric en 1958 y lo denominó SCR. El nombre de tiristor lo adoptó
posteriormente la Comisión Electrotécnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se
muestra el símbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.
Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su

característica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la
misma que la del diodo PNPN.
Lo que hace al SCR especialmente útil para el control de motores en sus aplicaciones es
que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que
fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta,
tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura,
sin señal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces,
solamente puede activarse mediante la aplicación de una corriente a la compuerta. Una
vez activado, el dispositivo permanece así hasta que su corriente caiga por debajo de IH.
Además, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin
que afecte su estado activo. En este estado, la caída de voltaje directo a través del SCR es
cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la caída de voltaje a través de un diodo directo-oblicuo
común.
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso más
común en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o
rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos
pocos amperios hasta un máximo de 3,000 A.
21
Un SCR:
 Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO

 Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente
iG, presente en el SCR
 Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por él cae por debajo de IH
 Detiene todo flujo de corriente en dirección inversa, hasta que se supere el voltaje
máximo inverso.
Figura 13 – Simbolo del SCR
TIRISTORES DE DESACTIVACIÓN POR COMPUERTA (GTO)
Entre las mejoras más recientes que se le han hecho al tiristor está el apagado por
compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsación
suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH.
Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960, solamente se volvieron
prácticos para las aplicaciones de control de motores, al final de los años setenta. Estos
dispositivos se han vuelto más y más comunes en las unidades de control de motores,
puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar los SCR
en circuitos de cc.
Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR
común. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del
orden de 10 A o más. Para apagarlos se necesita una gran pulsación de corriente negativa
de entre 20 y 30µ s de duración. La magnitud de la pulsación de corriente negativa debe
ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.
22
Figura 14 – Simbolo
del GTO
TIRISTORES DE TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC)
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposición, con una
compuerta de paso común; puede ir en cualquier dirección desde el momento en que el
voltaje de ruptura se sobrepasa. El símbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El
voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la
misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los
impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC
permanece así hasta que su corriente cae por debajo de IH.
Figura 15 – Simbolo del

TRIAC
TIRISTORES DE CONDUCCIÓN INVERSA (RTC)
En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a través de

un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga
inductiva, y para mejorar el requisito de desactivación de un circuito de conmutación. El
diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 ó 2v por debajo de las condiciones de
régimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede
elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro
del dispositivo.
Un RCT es un intercambio entre características del dispositivo y requisitos del circuito;

puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se
23
muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR).
El voltaje de bloqueo directo varía de 400 a 2000v y la especificación de corriente llega
hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es típicamente 30 a 40v. Dado que para un
dispositivo determinado está preestablecida la relación entre la corriente directa a través
de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarán a diseños de
circuitos específicos.
TIRISTORES DE INDUCCIÓN ESTÁTICA (SITH)
Por lo general, un SITH es activado al aplicársele un voltaje positivo de compuerta, como

los tiristores normales, y desactivado al aplicársele un voltaje negativo a su compuerta. Un
SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una
baja resistencia en estado activo así como una baja caída de potencial, y se puede fabricar
con especificaciones de voltaje y corriente más altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas de dv/dt y

di/dt. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6m s. La especificación de voltaje
puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente está limitada a 500 A. Este dispositivo es
extremadamente sensible a su proceso de fabricación, por lo que pequeñas variaciones en
el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus
características.
RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR LUZ (LASCR)
Este dispositivo se activa mediante radiación directa sobre el disco de silicio provocada
con luz. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente
de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se diseña
a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes
luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y
dv/dt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisión
de cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática o de volt-
amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre la fuente de
disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de potencia, que flota
24
a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificación de

voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo
luminoso de menos de 100mw. El di/dt típico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto
como 2000v/m s.
Figura 17 - LASCR
TIRISTORES CONTROLADOS POR FET (FET-CTH)
Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se

muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, típicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el
tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutación, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede
desactivar mediante control de compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que un
disparo óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento eléctrico entre la
señal de entrada o de control y el dispositivo de conmutación del convertidor de potencia.
Figura 18 –
Estructura FET-CTH
25
TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS (MCT)
Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las características de un tiristor

regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente
se muestra en la figura siguiente (b) y el símbolo correspondiente en la (a). La estructura
NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura
de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de
canal n M2.
Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el ánodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican
todas las señales de compuerta. Supongamos que el MCT está en estado de bloqueo
directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversión) se forma
en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E 2 de
Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a través del canal p hacia la base p B1 de Ql (que
es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base
correspondiente al transistor npn Q1. A continuación e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta
electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el
emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP
Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal
p, proporcionando así la corriente de base del transistor Q2.
Supongamos que el MCT está en estado de conducción, y se aplica un voltaje positivo VGA.
Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan
lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a
través del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET
M2 del canal n+). Este flujo de electrones desvía la corriente de base del transistor PNP
Q2 de tal forma que su unión base-emisor se desactiva, y ya no habrá huecos disponibles
para recolección por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2de Q2). La eliminación de esta
corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT
regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta V GA, desvía la
corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es

menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores
que su corriente controlable pico de especificación, puede provocar la destrucción del
dispositivo. Para valores más altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR
26
estándar. Los anchos de pulso de la compuerta no son críticos para dispositivos de

corrientes pequeñas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivación debe
ser mayor. Además, durante la desactivación, la compuerta utiliza una corriente pico. En
muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso
continuo de compuerta sobre la totalidad del período de encendido/apagado a fin de
evitar ambigüedad en el estado.
Un MCT tiene:
 Una baja caída de voltaje directo durante la conducción;

 Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado
rápido, típicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
 Bajas perdidas de conmutación;
 Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
 Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitación. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con sólo modestas reducciones en la especificación de
corriente del dispositivo. No se puede excitar fácilmente a partir de un
transformador de pulso, si se requiere de una polarización continua a fin de evitar
ambigüedad de estado.
Figura 19 – Estructura MCT
27
Algunas aplicaciones típicas
REGULACIÓN DE LUZ
Una de las aplicaciones más típicas de uso domestico es el regulador de luz. La figura 183
muestra un esquema de este circuito basado en el TRIAC MAC218A de Motorola y cuyo
control de disparo se realiza a través de un SBS. La resistencia R1+R2 carga el condensador
C1 a través de la propia tensión de alimentación en alterna y cuando se alcanza la tensión
de ruptura del SBS, este dispara el TRIAC haciendo circular la corriente por la carga
(lámpara). El uso de TRIAC y SBS permite el control de potencia en semiperiodos positivos
y negativos.
El ángulo de conducción se controla a través de la resistencia variable R1; contra mas

pequeño sea su valor el ángulo de conducción será mayor, y viceversa. Las ecuaciones de
funcionamiento del circuito son difíciles de extraer pero en la Figura 20 se indican los
valores típicos de los diferentes componentes. Los diodos, la resistencia de R4 y el
condensador C2 actúan como elementos de protección.
Figura 20 – Regulador de Luz
Un segundo ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la Figura 21. En este caso,
el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al TRIAC. El circuito de polarización del UJT está
constituido por un circuito rectificador de diodos, una resistencia y el diodo zener 1N4871
de 22V; con ello se consigue obtener la señal VS indicada en la parte inferior de la figura.
Esta señal seria prácticamente una onda cuadrada si no existiese el TRIAC. El disparo del
TRIAC hace que la caída de tensión en sus terminales sea muy baja (~1 a 2V) anulando el
28
circuito de polarización (VS~ 0V). El UJT actúa como oscilador de relajación cuya frecuencia
está determinada por R1 y C1. La activación del UJT dispara a su vez el TRIAC a través de un
pequeño transformador. El ángulo de conducción del TRIAC oscila entre φ=0° a 170° en
cada semiperiodo.
Figura 22 – Regulador de Luz con UJT
CONTROL DE VELOCIDAD DE MOTORES
El control de velocidad de los motores se ha realizado en base a SCR en mayor medida que
en TRIAC. A primera vista, el TRIAC presenta mayores ventajas debido a su simetría, lo que
le confiere ciertas ventajas frente al SCR que únicamente conduce en un semiperiodo. Sin
embargo, el TRIAC tiene unas características dv/dt inadecuadas para el control de motores
y es difícil la realización de circuitos de control simétricos. Por otra parte, el SCR puede
conducir en todo el periodo si se rectifica la señal de red. Las figuras 185a y 185b
muestran dos ejemplos sencillos de control realizados a través de SCR de un motor
universal (Figura 23a) y un motor de imán-permanente (Figura 23b).
29
Figura 23 – Control de velocidad de motores - a)Motor universal – b)Motor de imán permanente
CONTROL DE CALOR CON SENSOR DE TEMPERATURA
El circuito de control de calor mostrado en la Figura 24 ha sido concebido para controlar la

temperatura de una habitación, bien utilizando una fuente de calor (por ejemplo, una
resistencia eléctrica o un horno) o bien utilizando un ventilador (o cualquier dispositivo
refrigerador). El circuito de disparo se realiza a través de un UJT que introduce un ángulo
de conducción de los TRIAC que va a depender de la temperatura de la habitación medida
a través de una resistencia térmica (termistor) RT cuyo valor es de 2 kΩ a 25 °C; el
rectificador de puente de diodos y el diodo zener 1N5250A alimentan a este circuito de
disparo. R2 se ajusta para que el transistor bipolar 2N3905 este en corte a una
temperatura dada. Cuando el 2N3905 está en corte ninguna corriente carga el
condensador C y, por consiguiente, el UJT y los TRIAC están cortados. Si el 2N3905 esta a
ON, este carga el condensador C y dispara el UJT cuando alcanza la tensión V P. El tiempo
que tarda en alcanzar la tensión VP del UJT depende de RT. Un incremento en la
temperatura disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el valor de corriente
de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador
(disminuye el ángulo de conducción). Por el contrario, al disminuir temperatura aumenta
el ángulo de conducción. El modo de operar con la temperatura se invierte si se
intercambia RT con R2.
30
Figura 24 – Circuito de control de calor
Hojas de Datos
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Bibliografia
Apuntes
Academia de Instrumentacion - CECyTEM - Unidad I: Tiristores
Rashid - Capitulo 7 - Teoria del Tiristor
Universidad del Salvador – Dispositivos Electronicos – Tiristores y Triacs
Sitios Web
http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/dc-ac/tiristor.htm#lascr
http://www.datasheetcatalog.net
47

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE

Monografía: Tiristores (SCR)

Un poco de historia ................................................................................................................ 4

Dispositivos semiconductores de potencia ........................................................................ 4

Estructura y Simbologia ...................................................................................................... 8

Funcionamiento del Tiristor en “bloqueo” o “polarización inversa” ................................. 9

Modelo de SCR de dos transistores: ................................................................................. 10

Funcionamiento del Tiristor en “conducción” o “polarización directa” ........................... 11

Principio de Encendido por Compuerta (Gate) ................................................................ 12

Activación del SCR............................................................................................................. 14

Acción de la Compuerta (Gate)......................................................................................... 15

Curva característica del SCR.............................................................................................. 16

Definición de los símbolos ................................................................................................ 17

Tipos de Tiristores ............................................................................................................. 20

Algunas aplicaciones típicas.............................................................................................. 28

Hojas de Datos ...................................................................................................................... 31

El Tiristor o SCR (Rectificador Controlado de Silicio)

Durante muchos años ha existido la necesidad de controlar la potencia eléctrica de los

La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control. El control se

La historia de la electrónica de potencia empezó e el año 1900, con la introducción del

Dispositivos semiconductores de potencia

control de la energía en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios

razón de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en

como para excitar al transistor en la región de saturación, el transistor se conservará

El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar un poco arbitrariamente

 Interrupción de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede

 Regulación: la posibilidad de ajustar el momento preciso del encendido permite

 Amplificación: puesto que la corriente de mando puede ser muy débil en

Funcionamiento del Tiristor en “bloqueo” o “polarización inversa”

La tensión máxima viene limitada, prácticamente, por la tensión de avalancha de los

Figura 3 - Las tres uniones del tiristor

Figura 4 – El SCR polarizado en Inversa

Modelo de SCR de dos transistores:

Figura 5 – A) SCR simplificado. B) SCR como dos Transistores. C) Circuito Equivalente

Funcionamiento del Tiristor en “conducción” o “polarización directa”

Lo que nos queda:

Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece pues bloqueada

Figura 6 – El SCR en polarización Directa

Principio de Encendido por Compuerta (Gate)

Una vez polarizado directamente el tiristor se inyecta un impulso positivo de

2. El producto tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de

Estas dos condiciones ( < 1 y = 1) caracterizan el estado del tiristor en función

 Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante

En cuanto se produce el encendido, la realimentación hace que los dos transistores

Figura 7 – Modelo SCR con transistores Figura 8 – Curva Beta en función de la IE

Activación del SCR

 De bloqueo o de conducción, cuando la polarización es directa, según que esté

 LA TENSIÓN: Cuando aumenta la tensión ánodo-cátodo del tiristor, llega un

 LA DERIVADA DE LA TENSIÓN: Ya se sabe que una unión PN presenta una cierta

capacidad se carga con una corriente: Y, si esta corriente I es suficientemente

 LA TEMPERATURA: La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio

 EL EFECTO TRANSISTOR: Es la forma clásica de gobernar un tiristor. En la

 EL EFECTO FOTOELÉCTRICO: La luz, otra de las formas de energía, puede

Acción de la Compuerta (Gate)

Cuando es nula la corriente lG de puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza la

Al aumentar el valor de la corriente de puerta necesaria para el encendido del tiristor,

aumenta la inmunidad ante transitorios parásitos. La resistencia depende de la

Figura 9 – Curva IA en función de la IG

Curva característica del SCR

Definición de los símbolos

CORRIENTE DIRECTA MEDIA

CORRIENTE ACCIDENTAL DE PICO

transitorios aleatorios. Normalmente se especifica para ½, 1, o 10 ciclos a una frecuencia