Masa Efectiva

Semiconductores
ƒ Cualquier electrón está sujeto a fuerzas
Ftotal = Fext + Fint = ma

ƒ Si expresamos la ecuación sólo en función de

las fuerzas externas
Fext = m* a
ƒ El electrón se comporta como si su masa
cambiara. Esta es la masa efectiva.

Masa Efectiva Masa Efectiva

ƒ Consideremos la velocidad de grupo ƒ El momento lineal del electrón se puede
dω 1 dε expresar como hk así que
vg = =
dk h dk d (hk )
= −eE
ƒ Tomemos su derivada dt
dv g 1 d 2ε 1 d 2ε dk ƒ Entonces
= =
dt h dtdk h dk 2 dt dv g 1 d 2ε dk 1 d 2ε d (hk ) 1 d 2ε
= = = 2 2 (− eE )
dt h dk 2 dt h 2 dk 2 dt h dk

Masa Efectiva Hueco

ƒ La masa efectiva es entonces ƒ La densidad de corriente está dada por
e
1
=
1 d ε2
J =− ∑ vi
V i (ocupado )
m* h 2 dk 2
ƒ Si expresamos la ecuación en función de los
vacíos e e
J = − ∑ vi + ∑ vi
V i (total ) V i ( vacíos )
ƒ Pero esta suma es cero.
e
J =+ ∑ vi
V i (vacíos )

1
 Hueco Distribución de electrones
ƒ Así la corriente se puede interpretar como una ƒ La distribución de electrones en la banda de
corriente de huecos de carga positiva conducción está dado por la densidad de
estados en la banda de conducción por la
e
J =+
V
∑v
i (vacíos )
i probabilidad de que ese estado está ocupado:

n( E ) = g c ( E ) f ( E )

Concentración de Huecos A Temperatura Cero

ƒ La distribución de huecos en la banda de
valencia está dado por la densidad de estados
de la banda de valencia por la probabilidad de
que ese estado no está ocupado por un
electrón:
p ( E ) = g v ( E )[1 − f ( E )]
ƒ Todos los estados de la banda de valencia van
a estar ocupados y ningún estado estará
ocupado en la banda de valencia.
ƒ Por lo mismo ningún hueco estará presente en
la banda de valencia.

A Temperatura Mayor que Cero

ƒ Electrones térmicamente excitados pasan a la
banda de conducción dejando en la banda de
valencia una concentración de huecos

2
 Concentración de Electrones Concentración de Electrones
ƒ El número de electrones por unidad de ƒ Aplicando la distribución de estados.
volumen está dado por ∞
(2m )* 3/ 2
− (E − E F )
no = ∫ g c ( E ) f ( E )dE
no = ∫
Ec
2π h
n
2 3
E − Ec exp
kT
dE
C ƒ Haciendo el cambio de variable
ƒ Para E > Ec entonces (Ec − E F ) >> kT y la E − Ec
distribución de Fermi se aproxima a la α=
distribución de Maxwell-Boltzmann. kT

f (E) =
1
≈ exp−
(E − E F ) (2m kT )
* 3/ 2
− ( Ec − E F ) 1 / 2
∞

1 + exp
( E − EF ) kT no = n

2π 2 h 3
exp
kT ∫ α exp(− α )dα
Ec
kT

Concentración de Electrones Concentración de Huecos

ƒ Pero... ∞
1 ƒ El número de huecos por unidad de volumen
∫α
1/ 2
exp(− α )dα = π está dado por
2
0
po = ∫ g v ( E )[1 − f ( E )]dE
ƒ Entonces
− ( Ec − E F )
V

no = N c exp ƒ Para E < Ev entonces (EF − Ev ) >> kT así que

kT
1 − (E F − E )
1 − f (E) =
(E − E ) ≈ exp
3/ 2
 m* kT 
donde N c = 2 n 2 
1 + exp F kT
 2πh 
kT

Concentración de Huecos Concentración de Huecos

ƒ Aplicando la distribución de estados. ƒ Pero... ∞
1
Ev
(2m )* 3/ 2
− (E F − E ) ∫α′
1/ 2
exp(− α ′)dα ′ = π
∫ 2
p
po = Ev − E exp dE 0
−∞
2π h 2 3
kT
ƒ Haciendo el cambio de variable ƒ Entonces
Ev − E − ( E F − Ev )
α′ = po = N v exp
po =
(
− 2m kT *
p ) 3/ 2
kT kT
2π h 2 3
3/ 2
 m*p kT 
− ( E F − Ev ) donde N v = 2 
0

∫∞ (α ′) exp(− α ′)dα ′
2 
 2πh 
1/ 2
exp
kT

3
 np Constante Semiconductores Intrínsicos
ƒ Si multiplicamos no y po tenemos ƒ Sin impurezas, la concentración de electrones
− ( Ec − E F ) − ( E F − Ev ) es igual a la concentración de huecos
no po = N c exp N v exp 2
ni pi = ni = pi
2
kT kT
ƒ Así que…
− ( Ec − E v ) − Eg
= N c N p exp = N c N p exp 3/ 2
− Eg
kT kT  kT 
ni = pi = 2 2 
(m m )
* * 3/ 4
exp
 2πh 
n p
3
− Eg 2kT
= 4
2π
(
 kT  * * 3 / 2
2 
mn m p ) exp
kT
 h 
ƒ No depende de la energía de Fermi

Energía de Fermi para

Semiconductores Intrínsicos Semiconductores Extrínsecos: Donadores
ni = pi

− (Ec − E F ) − (E F − Ev )
=

=
=

=
= Si = Si = Si = Si = = Si = Si = Si = Si =
N c exp = N v exp
kT kT
=

=
=

=
= Si = Si = Si = Si = = Si = Si = P = Si =

m 
*
=

=
=

=
1 3
E F = (Ec + Ev ) + kt ln *p  = Si = Si = Si = Si = = Si = Si = Si = Si =

2 4 m  e-
=

=
=

=
 n = Si = Si = Si = Si = = Si = Si = Si = Si =

ƒ Nota que si las masas efectivas son iguales, el

=

=
=

=
nivel de energía de Fermi está a la mitad de la
región prohibida. ƒ Existe un electrón adicional incrementando n.

Semiconductores Extrínsecos : Donadores Semiconductores Extrínsecos : Aceptores

ƒ La energía para elevar este electrón donado es
menor que la energía para elevar cualquier
=

=
=

electrón que esté en un enlace covalente. = Si = Si = Si = Si = = Si = Si = Si = Si =

=

=
=

Banda de Conducción = Si = Si = Si = Si = = Si = Si = B = Si =
Ec
=

=
=

Ed = Si = Si = Si = Si = = Si = Si = Si = Si =
=

=
=

Ev = Si = Si = Si = Si = = Si = Si = Si = Si =
Banda de Valencia
=

=
=

ƒ Este es un semiconductor tipo n. ƒ Existe un hueco adicional incrementando p.

4
 Distribución de Electrones y Huecos en
Semiconductores Extrínsecos : Aceptores Semiconductores Extrínsecos
ƒ La energía para ocupar esta posición es menor ƒ Tenemos que la concentración de electrones
que la energía para elevar cualquier electrón en la banda de conducción y la concentración
que esté en un enlace covalente. Pero el de huecos en la banda de valencia están dadas
electrón no queda en la banda de conducción. por:
Banda de Conducción − ( Ec − E F )
Ec no = N c exp
kT
Ea
Ev − ( E F − Ev )
Banda de Valencia po = N v exp
kT
ƒ Este es un semiconductor tipo p.

Distribución de Electrones y Huecos en Distribución de Electrones y Huecos en

Semiconductores Extrínsecos Semiconductores Extrínsecos
ƒ Sumemos y restemos el nivel de la energía de ƒ De la misma manera obtenemos la
Fermi intrínseca: concentración de huecos:
− (Ec − E Fi ) + (E F − E Fi ) − (E F − E Fi )
no = N c exp po = ni exp
kT kT
 − (Ec − E Fi )  (EF − EFi )
=  N c exp  exp
 kT  kT ƒ De tal manera que se mantiene que

= ni exp F
(E − EFi ) 2
no po = ni
kT

Distribución de Electrones y Huecos en

Semiconductores Extrínsecos
ƒ Si E F > E Fi , entonces no > ni

ƒ Si E F < E Fi , entonces po > ni

5
 Concentración Electrónica en Función de Concentración Electrónica en Función de
la Concentración de Impurezas la Concentración de Impurezas
ƒ Por medio de la neutralidad del material y si ƒ Resolviendo
asumimos ionización completa 2
no + N a = po + N d Nd − Na  N − Na  2
no = +  d  + ni
2  2 
ƒ Además, 2
no po = ni
ƒ De la misma manera,
ƒ Entonces n
no + N a = i + N d
2
Na − Nd  N − Nd  2
po = +  a  + ni
no 2  2 

Conducción
ƒ La conducción estará dada por electrones y
por huecos:
J n = − nevdnc = σ n E = neµ n E
J p = pevdpv = σ p E = peµ p E