UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

INFORME DE LABORATORIO N ° 01

CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRICOS I

PROFESOR: NEGRON MARTINEZ, CONSUELO

SECCIÓN: “N”

NOMBRE: SONCCO VELIZ GERSON JOSSEPH

CODIGO: 20171486J

1.- Defina los términos y averigüe en que época se descubrieron y empezaron a usar

a) Diodo semiconductor rectificador

En 1874 el científico alemán Karl Ferdinand Braun descubrió la naturaleza de conducir por una sola dirección de los
cristales semiconductores. Braun patentó el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de óxido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la década de los 1930.
El científico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en
1894. El detector de cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo práctico para la recepción de señales
inalámbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quién inventó un detector de cristal de silicio en 1903 y recibió una patente de
ello el 20 de noviembre de 1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se usó
ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que más
se usó porque tenía la ventaja de ser barato y fácil de obtener. Al principio de la era de la radio, el detector de cristal
semiconductor consistía de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el cual se podía mover manualmente a
través del cristal para así obtener una señal óptima. Este dispositivo problemático fue rápidamente superado por los diodos
termoiónicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvió a usarse frecuentemente con la llegada de los económicos
diodos de germanio en la década de 1950.
En la época de su invención, estos dispositivos fueron conocidos como rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acuñó
el término diodo del griego dia, que significa separado, y ode (de ὅδος), que significa camino.

b) Diodo led

El fenómeno de la electroluminiscencia fue descubierto en 1907 por el experimentador británico Henry Joseph Round, de los
laboratorios Marconi, usando un cristal de carburo de silicio y un detector de bigotes de gato.1516 El inventor soviético Oleg
Lósev informó de la construcción del primer led en 1927. Su investigación apareció en revistas científicas soviéticas,
alemanas y británicas, pero el descubrimiento no se llevó a la práctica hasta varias décadas más tarde. Kurt Lehovec, Carl
Accardo y Edward Jamgochian interpretaron el mecanismo de estos primeros diodos led en 1951, utilizando un aparato que
empleaba cristales de carburo de silicio, con un generador de impulsos y con una fuente de alimentación de corriente, y en
1953 con una variante pura del cristal.

Los primeros ledes comerciales fueron generalmente usados para sustituir a las lámparas incandescentes y las lámparas
indicadoras de neón así como en los visualizadores de siete segmentos.26 Primero en equipos costosos tales como equipos
electrónicos y de ensayo de laboratorio, y más tarde en otros dispositivos eléctricos como televisores, radios, teléfonos,
calculadoras, así como relojes de pulsera. Hasta 1968, los ledes visibles e infrarrojos eran extremadamente costosos, del
orden de 200 dólares por unidad, por lo que tuvieron poca utilidad práctica. 27 La empresa Monsanto Company fue la primera
que produjo de manera masiva ledes visibles, utilizando fosfuro de arseniuro de galio (GaAsP) en 1968 para producir ledes
rojos destinados a los indicadores.27
Hewlett-Packard (HP) introdujo los ledes en 1968, inicialmente utilizando GaAsP suministrado por Monsanto. Estos ledes
rojos eran lo suficientemente brillantes como para ser utilizados como indicadores, puesto que la luz emitida no era
suficiente para iluminar una zona. Las lecturas en las calculadoras eran tan débiles que sobre cada dígito se depositaron
lentes de plástico para que resultaran legibles. Más tarde, aparecieron otros colores que se usaron ampliamente en aparatos y
equipos. En la década de los 70 Fairchild Optoelectrónicas fabricó con éxito comercial dispositivos led a menos de cinco
centavos cada uno. Estos dispositivos emplearon chips de semiconductores compuestos fabricados mediante el proceso
planar inventado por Jean Hoerni de Fairchild Semiconductor.

2.- Complete el cuadro buscando la información pedida:

I)DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo conducen en
polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no conducen. Estas características
son las que permite a este tipo de diodo rectificar una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que
pueden soportar.

Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema americano, la

referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de serie, por ejemplo: 1N4004. La “N”
significa que se trata de un semiconductor, el “1” indica el número de uniones PN y el “4004” las
características o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o continental se
emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y
la “Y” el tipo (rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias referencias, por
ejemplo: ECG581.

II)DIODO ZÉNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener un
voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados inversamente, y por ello se
emplean como elementos de control, se les encuentra con capacidad de ½ watt hasta 50 watt y
para tensiones de 2.4 voltios hasta 200 voltios.
El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal, su voltaje
permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

Los diodos zener se identifican por una referencia, como por ejemplo: 1N3828 ó BZX85, y
se especifican principalmente por su voltaje zener nominal (VZ) y la potencia máxima que pueden
absorber en forma segura sin destruirse (PZ)

III)DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúan como condensadores
variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy útiles como elementos de
sintonía en receptores de radio y televisión. Son también muy empleados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una
variante de los mismos son los diodos SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

IV)DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto sucede,
ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si este se ha polarizado
directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su
composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída de
voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa (IF) y la intensidad
luminosa. Típicamente VF es del orden de 4 V a 5 V. Se consiguen LED’s con valores de IF desde
menos de 20 mA hasta más de 100 mA e intensidades desde menos de 0.5 mcd (milicandelas)
hasta más de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El
valor de VF depende del color, siendo mínimo para LED’s rojos y máximo para LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la corriente
a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima.
También deben protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a
5V causa generalmente su destrucción inmediata del LED.
V)DIODO PIN
Los diodos PIN son aquellos semiconductores que tienen una estructura de 3 capas, las capas externas son de material tipo p
y n, mientras la capa intermedia es un material intrínseco, de allí recibe el nombre de PIN, P por el material tipo p, I por el
material intrínseco y N por el material tipo N, sin embargo, en la práctica comúnmente la capa intrínseca se cambia por un
material tipo P de alta resistividad o por una capa tipo n igualmente de alta resistividad. Los diodos tipo PIN principalmente
son utilizados como conmutadores de alta frecuencia o como resistencias variables por voltaje ya que la velocidad en que
tardan los portadores de libres en atravesar la unión es sumamente elevada.
3.- Explique el funcionamiento del diodo semiconductor polarizado en directa y en inversa.

Polarización directa de un diodo

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del
diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se
dirigen hacia la unión p-n.

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir
que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial
en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar
a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae
en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido
esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la
zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.

Polarización inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la
batería, tal y como se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
 de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en
iones positivos.

 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. Recordemos
que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que
falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en
la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones
negativos.

 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial
eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se
formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña
corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña
corriente por la superficie del diodo; ya que, en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de
suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace
que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente
inversa de saturación, la corriente superficial de fuga es usualmente despreciable.
4.--Para el circuito de la figura:

a) Calcule teóricamente el valor de Vo para una onda Vs, senoidal de 12 Vpp a 60 Hz., grafique la forma de
onda, Vs y Vo en una misma gráfica (no use fondo negro). Los diodos son 1N4000 o similar, considere dos casos

a.1) Diodo ideal (en una gráfica)