ANALISIS TEORICO DEL RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA

Rectificador de media onda no controlado

a) Ángulo de extinción de la corriente

E  0 Vm  50

E
a  0
Vm 3
L  10 10  0.01 R  10
f  60
  2  f  376.991

rad  atan 
 L 180
  0.3605 deg  rad   20.656
 R  
cos (rad )  0.9357 
Luego: β=180 aprox.   180  3.09
183
b) Valor medio, eficaz de la corriente y tensión sobre la carga

2 2
Z  R  (  L)  10.687

Vm
Vo   ( 1  cos (  ) )  15.905
2 

Vm
Io   ( ( 1  cos (  ) ) )  1.5905
2   R


1 
2
  Vm ( sin (  t) ) d t  2.32
Irms   
2  
 Z 
0


1  2
Vef   [ Vm ( sin(  t) ) ] dt  24.799
2   0

c) Potencia media en la carga

Po  Vo Io  25.297

2 2
Irms  Io  1.69
d) distorsión armónica total

Po
FD  cos atan 
(  L) FP   0.423
  0.9357 2 2
  R  Irms  Io
220
( 6.22)
 FD
FP=
2
1  THD

2 2 2
Vef  Vo  FD  1  1.972
FR   0.075 THD   
Vo
2  FP 

Rectificador de media onda no controlado con diodo volante

a) Ángulo de extinción de la corriente

E  0 Vm  50

E
a  0
Vm 3 3
L  5 10  5  10 R  10
f  60
  2 f  376.991

rad  atan 
 L 180
  0.186 deg  rad  
 R  
cos (rad )  0.9827 
Luego: β=180 aprox.   180  3.142
180
b) Valor medio, eficaz de la corriente y tensión sobre la carga

2 2
Z  R  (  L)  10.176

Vm
Vo   ( 1  cos (  ) )  15.915
2 

  (  2  ) 
Vm   tan( rad )
Io   sin( rad )  tan ( rad )  1  e   0.0273
2   Z


1 
2
  Vm ( sin (  t) ) d t  2.457
Irms   
2  
 Z 
0

c) Potencia media en la carga

Po  VoIo  0.435

2 2
Irms  Io  2.457
d) distorsión armónica total

Po 3
FD  cos atan 
(  L) FP   5.001 10
  0.9827 2 2
  R  Irms  Io
FD 220
2 ( 6.22)
THD  
FP= FD
2   1  196.486
1  THD  FP 
 SIMULACION DE CIRCUITOS

PRIMER CIRCUITO

Valores medios

Valores RMS

THD
SEGUNDO CIRCUITO

Valores medios

Valores RMS

THD
FUNCIONAMIENTO DE LOS SNUBBER
Los supresores o circuitos de ayuda a la conmutación en transistores también conocidos
por su nombre inglés, snubber, son una parte esencial en muchos de los circuitos
electrónicos de potencia. Básicamente podemos considerarlos como un conjunto de
componentes (pasivos y/o activos) que se incorporan al circuito de potencia para reducir en
el dispositivo semiconductor el estrés eléctrico durante las conmutaciones y asegurar un
régimen de trabajo seguro.
Los supresores son frecuentemente usados en sistemas eléctricos con cargas inductivas
donde la interrupción repentina de flujos de corriente lleva a un aumento pronunciado de
voltaje a través del dispositivo conmutador de la corriente, de acuerdo con la ley de Faraday.
Este aumento de voltaje, aparte de constituir una fuente de interferencia electromagnética
en otros circuitos, puede ser destructiva para el dispositivo conmutador si el voltaje
generado sobrepasa el voltaje máximo para el cual se diseñó. El circuito supresor provee
una ruta alternativa de descarga que le permite al elemento inductivo descargarse de
manera controlada. Los supresores también se utilizan para prevenir la formación de arcos
a través de los contactos de relés o interruptores y la interferencia o soldado de contactos
que puede ocurrir.
A la vista de los cuales parece poco viable el tratar de solventar los problemas de estrés
eléctrico (sobretensión, elevadas pérdidas en conmutación, etc.) que aparecen en aquellos
circuitos de potencia donde se incorporan dispositivos semiconductores trabajando en
conmutación, con la selección de un dispositivo capaz de soportar elevadas magnitudes de
tensión y corriente. En cualquier caso la decisión última dependerá del coste y la
disponibilidad de semiconductores con los requerimientos eléctricos necesarios,
comparados con el coste y la complejidad del snubber apropiado en cada aplicación.
La función principal de los supresores es absorber la energía procedente de elementos
reactivos en circuitos durante conmutación controlando parámetros tales como la evolución
de la tensión o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores máximos de tensión
que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al
reducirse la degradación que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la
temperatura de la unión. Las redes de ayuda a la conmutación sirven para proteger a los
transistores mediante la mejora de su trayectoria de conmutación.Los tres tipos principales
de estas redes son: redes de bloqueo o apagado, redes de disparo o encendido y redes de
sobre tensión.

Fundamento
Para explicar la necesidad de estas redes se muestra un convertidor sin ningún circuito de
ayuda a la conmutación en la figura donde las inductancias parásitas en las diferentes
partes del circuito se ilustran de forma explícita. El análisis que sigue es para todos los
interruptores controlados, como MOSFET, IGBT, BJTde potencia, GTO o dispositivos más
recientes como el MCT. En principio el transistor conduce e ic = Io. Durante la conmutación
del apagado, en t = to, el voltaje del transistor empieza a subir, pero las corrientes en
diferentes partes de circuito permanecen iguales hasta t1, cuando empieza a conducir el
diodo de libre circulación. Luego, la corriente del transistor empieza a disminuir y la
velocidad con que disminuye se determina por las propiedades del transistor y su
accionamiento base. El voltaje del transistor se expresa como:
Donde Lσ=L1+L2+⋯ la presencia de inductancias parásitas produce una sobre tensión,
pues dic/dt es negativo. En t3, al final del tiempo de caída de corriente, el voltaje baja a Vd
y permanece en ese valor. Durante la transición del encendido, la corriente del transistor
empieza a subir en t4 con una velocidad dictada por las propiedades del transistor y el
circuito de accionamiento base. La ecuación (1) aún es válida pero debido a un dic/dt
positivo, el voltaje del transistor VCE es un poco menor que Vd. Debido a la corriente de
recuperación reversa del diodo de libre circulación, ic excede a Iσ. El diodo de libre
circulación se recupera en t5 y el voltaje a través del interruptor controlado disminuye a cero
en t6 con una velocidad impuesta por las propiedades del dispositivo. Estas formas de onda
de conmutación se representan por los lugares geométricos de conmutación como los que
se muestran en la figura 3. Las líneas punteadas representan los lugares geométricos de
conmutación idealizados tanto para el encendido como para el apagado, a partir de la
suposición de cero inductancias parásitas y de que no hay ninguna corriente de
recuperación reversa a través de diodo. Ellas muestran que el transistor sufre grandes
esfuerzos en el encendido y apagado cuando tanto su voltaje como su corriente están al
mismo tiempo, lo que causa una alta disipación instantánea de potencia. Además, las
inductancias parásitas generan una sobretensión más allá de Vd, y de la corriente de
recuperación reversa causando una sobre corriente más allá de Io. Una suposición
importante que simplifica el análisis es que la corriente del transistor cambia de forma lineal
con el tiempo con un di/dt constante, lo que solo está dictado por el transistor y su circuito
de accionamiento base.