DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA Páginas 1–5

BIOMÉDICA
PRACTICA NÚMERO 1.
Representación gráfica y analítica de la curva característica, del
Diodo de germanio y silicio.
Christofer J. Homen1

Resumen—En la practica denominada "representación

gráfica y analitica del diodo de silicio y germanio" se podrá
observar el comportamiento respectivo de dichos tipos de diodo;
ésto frente a dos polarizaciones singulares; polarización directa e
inversa; ello conllevara a obtener datos para representar tales
comportamientos mediante su curva característica. Todo esto
acarreará los analisis respectivos para cada suceso mencionado.

Palabras Clave: Curva característica, diodo, polarización.

Abstract—In the practice of so-called "analytical and

graphical representation of the diode on silicon and germanium"
will be able to observe the behavior of these respective types of
diode; compared to this unique two polarizations; polarization Fig. 1. Símbolo eléctrico del Diodo.
direct and inverse; this will entail to obtain data to represent such
behavior by its characteristic curve. All this will entail the analysis
B. Polarización Directa.
for each respective event mentioned.

I. INTRODUCCIÓN Cuando existe una fuente de corriente continúa conectada a

un diodo como se muestra en la Fig. 2. Y el terminal negativo
de dicha fuente esta conectado al material del diodo tipo n, y el
E s conocido generalmente en el campo de la electrónica, que
l comportamiento del diodo contiene ciertas características
que determinan su representación gráfica mediante una curva
terminal positivo al material tipo p; se evidenciará la llamada
polarización directa [2].
típica, esto en determinadas polarizaciones y, que además cada
polarización (directa o inversa) dará lugar a una conducta
propia que asociará el voltaje y corriente para cada diodo.
Gracias a estos conceptos se implementará la aplicación de
apartes teóricos vistos con anterioridad, y la veracidad o
verificación de los mismos mediante la práctica.

II. MARCO TEORICO.

A. Diodo.
Un diodo es un dispositivo no lineal puesto que la gráfica de
la corriente en función de la tensión no es una línea recta. Ello
debido a la denominada barrera de potencial, esta da como
resultado que cuando la tensión del diodo es menor que la
barrera de potencial, será por que la corriente del diodo es
pequeña; más sin embargo, si la tensión del diodo supera esta
barrera, la corriente del diodo se incrementa rápidamente [1].
Fig. 2. Polarización directa del Diodo.
Para este caso el diodo permite la circulación de corriente,
donde se comporta como un conductor, permitiendo que dicha
circulación sea en el sentido considerado como general y
representativo al símbolo del diodo.

El símbolo eléctrico del diodo se puede ver representado en la

Fig. 1.

1 © 2014 - Universidad Antonio Nariño

 Representación gráfica y analítica de la curva característica, del Diodo de germanio y silicio.

C. Polarización Inversa. inversa de fugas). Este suceso también se puede observar en la

Fig. 4.
Cuando se invierte la polaridad de la fuente de corriente,
entonces el diodo quedará polarizado de forma inversa, como
se muestra en la Fig. 3. En este caso el terminal negativo de la
batería se encuentra conectado al lado p, mientras que el
positivo al lado n. Esta conexión es denominada polarización
inversa [3].

Fig. 4. Curva característica directa e inversa del Diodo.

C. Corrientes en el diodo polarizado inversamente.

Técnicamente el comportamiento del diodo polarizado de

forma inversa ciertamente posee dos tipos de corrientes. La
Fig. 3. Polarización inversa del Diodo.
primera es la llamda Corritente de portadores minioritarios, la
segunda Corritente superficial de fugas.
En este caso, el diodo no permitirá el paso de la respectiva
corriente (de manera que se comporta como un aislante). Sin La corriente de portadores minioritarios esta dada debido a la
embargo se puede dar el caso en donde el diodo se llegase a energía térmica que crea pares de electronces libres y huecos,
deteriorar, esto, si supera un valor determinado de tensión mientras que la corriente superficial de fugas se da debido a
(habría una conducción muy fuerte). impurezas en la superficie e imperfecciones en la estructura
interna del material [4].
III. CURVA CARACTERÍSTICA.
IV. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA.
A. Polarización Directa.
En la Universidad Antonio Nariño, en el laboratorio de
Para el caso en que el diodo esta polarizado directamente, ingeniería biomédica fue llevada acabo la práctica respectiva
existirá una representación gráfica, esta represetación esta dada para la obtención de la curva característica del diodo de Silicio
por una curva típica del diodo que relaciona valores y Germanio, el día lunes 25 del mes de Agosto del año 2014.
representativos del mismo, estos comprenden como primera Para dicha práctica se requirió las herramientas o materiales que
instancia la corriente en función de la tensión. Este suceso se se ven descritos en la Tabla. 1.
puede evidenciar en la Fig. 4. En ella se observa como cuando
el valor de tensión es 0,7 V aproximadamente (umbral), la Material Descripción
intensidad de la corriente adopta un comportamiento de Diodo de Silicio Necesario para la práctica
crecimiento progresivo, esto debido a que un aumento Diodo de Germanio 1N4148 Necesario para la práctica
determinado de la tensión dará origen a un aumento en la Resistencias (1KΩ) Necesario para la práctica
corriente respectiva. Fuente de voltaje regulable Para aplicar voltajes
determinados.
B. Polarización Inversa. Multimetro Realiza mediciones de
Voltaje y Corriente.
Protoboard Para realizar el montaje del
Cuando el diodo se encuentra polarizado en forma inversa, circuito.
como primera medida se conoce que el voltaje de la fuente Tabla. 1. Tabla de materiales utilizados en la práctica.
respectiva caerá directamente sobre el diodo en cuestión, por lo
cual tendrá un comportamiento de circuito abierto, es decir, no Para la práctica con el diodo de Silicio se implemento el circuito
se dará la circulación de corriente (cave aclarar que de forma que se puede observar en la Fig. 5.
practica esta no es notoria, más sin embargo teóricamente existe Para la práctica con el diodo de Germanio se implemento el
una corriente ciertamente pequeña, que para el caso oportuno circuito que se puede observar en la Fig. 6.
no se ha de considerar, esta corriente es denominada corriente

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 C. Homen-Chamizo

Fig. 8. Curva característica diodo germanio.

Gracias a las anteriores graficass se puede notar como mediante

Fig. 5. Circuito diodo silicio.
Donde R2: Resistencia de 1 KΩ
BAT4: Bateria de alimentación para el circuito
D3: Diodo de Silicio
BAT4(+): Dispositivo para realización curva característica (Proteus)
D3(A): Dispositivo para realización curva característica (Proteus)
la implementación del Software mencionado es factible la
obtención de las curvas características del diodo de Silicio y
Germanio respectivamente. Además de esto se puede observar
como en forma virtual el Diodo de Germanio conduce mucho
antes que el Diodo de Silicio, esto debido a sus características
internas y su comportamiento propio.
Posterior a la implementación de los circuitos en el Laboratorio,
mediante la utilización del multímetro para realizar las medidas
de voltaje y corriente en el Diodo de Silicio (En polarización
Directa e Inversa), se obtuvieron los datos expuestos en la
Tabla. 2.

VFuente(v) VS(v) IS(mA) VIS(v) IiS(mA)

0.2 0.27 0 0.27 0
0.4 0.44 0.04 0.44 0
0.5 0.47 0.09 0.47 0
Fig. 6. Circuito diodo germanio. 0.6 0.50 0.19 0.50 0
0.65 0.51 0.19 0.51 0
Donde R1: Resistencia de 1 KΩ 0.7 0.52 0.27 0.52 0
BAT3: Bateria de alimentación para el circuito 0.72 0.52 0.29 0.52 0
D4: Diodo de Germanio
BAT3(+): Dispositivo para realización curva característica (Proteus) 0.74 0.53 0.29 0.53 0
D4(A): Dispositivo para realización curva característica (Proteus) 0.8 0.54 0.32 0.54 0
0.9 0.54 0.44 0.54 0
Como primera instancia se procedió con la utilización del 1.1 0.55 0.53 0.55 0
Software Proteus en su versión 8.1, esto, para obtener la 1.4 0.57 0.83 0.57 0
representación gráfica de la curva típica del diodo de silicio y 2 0.57 1.36 0.57 0
germanio. 3 0.59 2.23 0.59 0
4 0.61 3.17 0.61 0
La curva característica arrojada por el circuito de la Fig. 5. Con 5 0.62 4.09 0.62 0
el diodo de Silicio tuvo el comportamiento expresado en la Fig. 5.5 0.64 4.73 0.64 0
7. 6 0.65 5.27 0.65 0
6.5 0.65 5.62 0.65 0
6.8 0.65 5.95 0.65 0
7 0.66 6.20 0.66 0
8.5 0.67 7.56 0.67 0
9.8 0.68 8.97 0.68 0
Tabla. 2. Datos obtenidos con el multímetro para el circuito de la Fig. 5.

Donde VFuente: Voltaje aplicado por la fuente

Fig. 7. Curva característica diodo silicio.
La curva característica arrojada por el circuito de la Fig. 6. Con
el diodo de Germanio tuvo el comportamiento expresado en la
Fig. 8.
VS: Voltaje en el Diodo de Silicio
IS: Corriente en el Diodo de Silicio
VIS: Voltaje en el Diodo de Silicio con Polarización Inversa
IiS: Corriente en el Diodo de Silicio con Polarización Inversa

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 Representación gráfica y analítica de la curva característica, del Diodo de germanio y silicio.

Gracias a la implementación del Software Excel se pudo VFuente(v) VG(v) IG(mA) VIG(v) IiG(mA)
obtener la representación gráfica referente a los datos de la 0.2 0.18 0.11 0.18 0
Tabla. 2. Esta represetación grafica es la curva característica al 0.4 0.20 0.27 0.20 0
Diodo de Silicio con “Polarización Directa” que se ve 0.5 0.21 0.32 0.21 0
evidenciada en la Fig. 9. 0.6 0.22 0.46 0.22 0
0.65 0.23 0.46 0.23 0
0.7 0.22 0.51 0.22 0
I vs V (Diodo de Silicio) 0.72 0.22 0.54 0.22 0
10 0.74 0.23 0.58 0.23 0
0.8 0.23 0.59 0.23 0
8
0.9 0.23 0.67 0.23 0
6
I(mA)

1.1 0.24 0.91 0.24 0

4 1.4 0.24 1.14 0.24 0
2 2 0.24 1.63 0.24 0
0 3 0.26 2.59 0.26 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 4 0.27 3.53 0.27 0
V(v) 5 0.27 4.42 0.27 0
5.5 0.28 4.93 0.28 0
Fig. 9. Curva característica diodo silicio Polarización Directa. 6 0.28 5.42 0.28 0
6.5 0.28 5.78 0.28 0
Efectivamente en la grafica de la Fig.9. se puede notar que es 6.8 0.28 6.05 0.28 0
respectivo el comportamiento de la Curva Característica al 7 0.29 6.31 0.29 0
diodo de Silicio que se obtuvo mediante el Software Proteus 8.5 0.29 7.72 0.29 0
(cave aclarar que hay algunas variaciones incorrectas que se 9.8 0.30 9.07 0.30 0
dieron por factores externos en la Práctica) Tabla. 3. Datos obtenidos con el multímetro para el circuito de la Fig. 6.

Donde VFuente: Voltaje aplicado por la fuente

Acontinuación en la Fig.10. se puede observar el
comportamiento gráfico de los valores obtenidos en la Tabla. 2.
con Polarización Inversa
VG: Voltaje en el Diodo de Germanio
IG: Corriente en el Diodo de Germanio
VIG: Voltaje en el Diodo de Germanio con Polarización Inversa
IiG: Corriente en el Diodo de Germanio con Polarización Inversa

I vs V (Diodo de Silicio) Gracias a la implementación del Software Excel se pudo

obtener la representación gráfica referente a los datos de la
1 Tabla. 3. Esta represetación grafica es la curva característica del
0.8 Diodo de Silicio con “Polarización Directa” que se ve
evidenciada en la Fig. 11.
0.6
I(mA)

0.4
0.2
I vs V (Diodo Germanio)
0 10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 8
I (mA)

V(v) 6
4
Fig. 10. Curva característica diodo silicio Polarización Inversa. 2
0
A pesar de que la corriente fue 0 para cada caso en el voltaje
0 5 10 15 20 25
en el Diodo, se podrá evidenciar que igualmente el Diodo de
Silicio conduce mucho después que el Diodo de Germanio. V(v)

Ahora bien, nuevamente mediante la utilización del
multímetro se realizarón las medidas de voltaje y corriente en
el Diodo de Germanio (En polarización Directa e Inversa), se
obtuvieron los datos expuestos en la Tabla. 3.
Fig. 11. Curva característica diodo germanio Polarización Directa.
Para este caso se puede evidencia como efectivamente es el
Diodo de Germanio quién conduce mucho más rápido que el
diodo de Silicio, cumple con el comportamiento de la Fig. 8.

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 C. Homen-Chamizo

(cave aclarar que hay algunas variaciones incorrectas que se

dieron por factores externos en la Práctica)

Finalmente en la Fig.12. se puede contemplar el

comportamiento gráfico de los valores obtenidos en la Tabla. 3. REFERENCIAS
con Polarización Inversa para el diodo de Germanio.

I vs V (Diodo Germanio)
1
0.8
I (mA)

0.6
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20 25
.
V(v)

Fig. 12. Curva característica diodo germanio Polarización Inversa.

Para este caso se hace notorio la conducción propia que posee

el diodo de Germanio para la práctica desarrollada, y como al
estar polarizado de forma directa adopta en la corriente valores
de 0mA, para cada voltaje correspondiente al Diodo.

CONCLUSIONES
 En la práctica se evidencia como el diodo de Silicio tiene
una Corriente Inversa mucho más baja que el de Germanio.
 Es notorio como el Diodo de Silicio contiene
características que lo hacen mucho más robusto frente al de
Germanio.
 Resulto evidente el comportamiento determinístico que se
obvtuvo mendiante la representación gráfica (curva
característca) de los datos obtenidos en la práctica.
 En esta práctica se pudo determinar como la acción de
conducción es mayor en el Diodo de Germanio frente al de
Silicio, es decir el diodo de Germanio posee una capacidad
de conmutación mejor.

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