1

CIRCUITOS CON DIODOS.

Basantes Tisalema José Luis, Achote Rios Jhon David.

Departamento de Eléctrica y Electrónica. Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE Extensión Latacunga,
Latacunga, Ecuador

E-mail: jlbasantes1@espe.edu.ec, jdachote@espe.edu.ec.

(Recibido el 07 de Octubre de 2019)

Abstract

A diode is a two-terminal electronic component that allows the circulation of electric current through it
in only one direction, blocking the passage if the current circulates in the opposite direction, not only
serves for the circulation of electric current but this Control and resist. This causes the diode to have two
possible positions: one in favor of the current (direct polarization) and another against the current
(reverse polarization). Generally the semiconductor diode, the most common today; It consists of a
piece of semiconductor glass connected to two electrical terminals. The vacuum diode (which is
currently no longer used, except for high power technologies) is a vacuum tube with two electrodes: a
blade as an anode, and a cathode.

Keywords: semiconductor, polarization, electric current, diode, anode, cathode.

Resumen

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente

eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido
contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste. Esto
hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y otra
en contra de la corriente (polarización inversa). Generalmente el diodo semiconductor, el más común en
la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El
diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de
vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.

Palabras claves: semiconductor, polarización, corriente eléctrica, diodo, ánodo, cátodo.


1. OBJETIVOS.
 Comprobar el funcionamiento de redes de
diodos en serie en paralelo y en serie –
paralelo.
 Determinar los valores de voltajes y
corrientes en los diodos instalados en el
circuito.
 Comprobar el funcionamiento de los diodos
semiconductores como conductor y como
aislantes.
2. FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA
2.1.1 APROXIMACIONES DEL DIODO
Existen dos aproximaciones muy usadas para los
diodos de silicio, y cada una de ellas es útil en
ciertas condiciones.
Aproximación ideal del diodo
La exponencial se aproxima a una vertical y una
horizontal que pasan por el origen de coordenadas.
Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede
fabricar por eso es ideal. (Caicedo, F. 2015).
Fig. 1. Aproximación del Diodo.
Fuente: Guía proporcionada para el laboratorio.
Polarización directa: Es como sustituir un diodo por
un interruptor cerrado. (García, M. 2009).
2
Fig. 2. Polarización del diodo semiconductor.
Fuente: Guía proporcionada para el laboratorio.
Polarización inversa: Es como sustituir el diodo por
un interruptor abierto.
Fig. 3. Polarización del diodo semiconductor.
Fuente: Guía proporcionada para el laboratorio.
Como se ha visto, el diodo actúa como un
interruptor abriéndose o cerrándose dependiendo si
esta en inversa o en directa. (Caicedo, F. 2015).
Aproximación práctica del diodo
La exponencial se aproxima a una vertical y a una
horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor
de la tensión umbral para el silicio, porque
suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de
germanio se tomaría el valor de 0,2 V).
Fig. 4. Aproximación práctica del Diodo.
Fuente: Guía proporcionada para el laboratorio.
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad
polarización directa, pero como a efectos prácticos
no conduce, se toma como inversa. (Caicedo, F.
2015).

Con esta segunda aproximación el error es menor
que en la aproximación anterior.
Polarización directa: La vertical es equivalente a una
pila de 0,7 V.
Fig. 5. Polarización del diodo semiconductor.
Fuente: Guía proporcionada para el laboratorio.
Polarización inversa: Es un interruptor abierto.
Fig. 6. Polarización del diodo semiconductor.
Fuente: Guía proporcionada para el laboratorio.
3. MATERIALES A UTILIZARSE
 2 diodos 1N4007.
 1 diodo de germanio.
 1 led rojo
 Resistencias: 680Ω, 2,2 KΩ, 1KΩ, 5.6 KΩ.
 1 protoboard.
 7 cables de conexión.
3
3.5 EQUIPOS A UTILIZARSE
 Fuente de voltaje variable de c.c
 Multímetro digital
4 ACTIVIDADES POR DESARROLLAR.
1. Calcular los parámetros indicados para cada
circuito y llenar las tablas correspondientes.
CONFIGURACIÓN DE DIODOS EN SERIE
2. Arme el circuito de la figura 1.
Fig. 7. Red de diodos en serie
3. Mida los siguientes parámetros E, VD1, VD2,
VR, ID1, IR y llene la tabla 1
4. En el circuito de la figura 1, polarizar
inversamente un diodo de silicio y repetir el
procedimiento anterior. Anotar todos los valores en
la tabla 2 e indicar cual diodo invirtió.
5. Arme el circuito de la figura 2.
Fig. 7. Red de diodos de si y ge en serie
6. Mida los siguientes parámetros E, VD1, VD2,
VR, ID1, ID2 y llene la tabla 3.
 4

7. Implemente un circuito en serie con un diodo de 5 TABULACIÓN DE DATOS

silicio y un led, utilice la resistencia de 680Ω para CALCULADOS.
limitar la corriente. Calcule y mida los siguientes
parámetros E, VD, VLED, VR, ID, ILED, y llene la Tabla 1.
tabla 4.
Valor Valor
Magnitud Magnitud
CONFIGURACIÓN DE DIODOS EN calculado calculado
PARALELO VR
R
5.6 𝒌Ω Tensión 7.6 𝑽
Resistencia.
en la R.
8. Arme el circuito de la figura 3. E IR
Tensión en 9𝑽 Intensidad 1.35 𝒎𝑨
la fuente en la R.
ID
VD1
Intensidad
Tensión en 0.7 𝑽 1.35 𝒎𝑨
en el
el diodo 1
diodo
VD2
Tensión en 0.7 𝑽
el diodo 2
Fig. 8. Red de diodos en paralelo
Cálculos:
9. Mida los siguientes parámetros E, VD1, VD2, 𝑉𝑅 = 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2
VR, IR, ID1, ID2 y llene la tabla 5. 𝑉𝑅 = 9 − 0.7 − 0.7
10. Para el circuito de la figura 3 polarizar 𝑽𝑹 = 𝟕. 𝟔 𝑽
inversamente los dos diodos y repetir el
procedimiento anterior. Anotar todos los valores en 𝑉
la tabla 6. 𝐼𝑅 =
𝑅
11. Arme el circuito de la figura 4 7.6 𝑉
𝐼𝑅 =
5.6 𝐾Ω
𝑰𝑹 = 𝟏. 𝟑𝟓 𝒎𝑨

𝑰𝑹 = 𝑰𝑫 = 𝟏. 𝟑𝟓 𝒎𝑨

Tabla 2.

Valor Valor
Magnitud Magnitud
calculado calculado
VR
Fig. 5. Red de diodos de si y ge en paralelo R
5.6 𝒌Ω Tensión 0𝑽
Resistencia.
en la R.
E IR
12. Mida los siguientes parámetros E, VD1, VD2, Tensión en 9𝑽 Intensidad 0 𝒎𝑨
VR, IR, IDSi, IDGe y llene la tabla 7. la fuente en la R.
ID
VD1
Intensidad
Tensión en 0𝑽 0 𝒎𝑨
en el
. el diodo 1
diodo
. VD2
. Tensión en 9𝑽
el diodo 2
 5

Cálculos: Tabla 4.
𝑉𝑅 = 0 𝑉
Valor Valor
𝑉 Magnitud Magnitud
calculado calculado
𝐼𝑅 =
𝑅 VR
R
0𝑉 680 Ω Tensión 9.5 𝑽
𝐼𝑅 = Resistencia.
5.6 𝐾Ω en la R
𝑰𝑹 = 𝟎 𝒎𝑨 E Ir
Tensión en 12 𝑽 Intensidad 13.9 𝒎𝑨
la fuente en la R.
𝑰𝑹 = 𝑰𝑫 = 𝟎 𝒎𝑨
ID
VD
Intensidad
Tensión en 0.7 𝑽 13.9 𝒎𝑨
en el
Tabla 3. el diodo Si
Diodo.
ILED
Valor Valor VLED
Magnitud Magnitud Intensidad
calculado calculado Tensión en
1.8 𝑽 en el 13.9 𝒎𝑨
el diodo
VR Diodo
R Led
5.6 𝒌Ω Tensión en 11 𝑽 Led.
Resistencia.
la R.
E Cálculos:
ID Si
Tensión en 12 𝑽 1.96 𝒎𝑨 𝑉𝑅 = 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2
Intensidad.
la fuente
𝑉𝑅 = 12 − 0.7 − 1.8
VD Si
ID Ge 𝑽𝑹 = 𝟗. 𝟓 𝑽
Tensión en 0.7 𝑽 1.96 𝒎𝑨
Intensidad
el diodo 1
VD Ge 𝑉
𝐼𝑅 =
Tensión en 0.3 𝑽 𝑅
el diodo 2 9.5 𝑉
𝐼𝑅 =
680 Ω
𝑰𝑹 = 𝟏𝟑. 𝟗 𝒎𝑨
Cálculos:
𝑉𝑅 = 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 𝑰𝑹 = 𝑰𝑫𝟏 = 𝑰𝑫𝟐 = 𝟏𝟑. 𝟗 𝒎𝑨
𝑉𝑅 = 12 − 0.7 − 0.3
𝑽𝑹 = 𝟏𝟏 𝑽

𝑉 Tabla 5.
𝐼𝑅 =
𝑅
11 𝑉 Valor Valor
Magnitud Magnitud
𝐼𝑅 = calculado calculado
5.6 𝐾Ω
VR
𝑰𝑹 = 𝟏. 𝟗𝟔 𝒎𝑨 R
1 𝒌Ω Tensión 8.3 𝑽
Resistencia.
en la R.
𝑰𝑹 = 𝑰𝑫𝟏 = 𝑰𝑫𝟐 = 𝟏. 𝟗𝟔 𝒎𝑨 E IR
Tensión en 9𝑽 Intensidad 8.3 𝒎𝑨
la fuente en la R.
ID1
VD1
Intensidad
Tensión en 0.7 𝑽 4.15 𝒎𝑨
en el
el diodo 1
diodo
ID2
VD2
Intensidad
Tensión en 0.7 𝑽 4.15 𝒎𝑨
en el
el diodo 2
diodo
 6

Cálculos: Tabla 7.
𝑉𝑅 = 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2
Valor Valor
𝑉𝑅 = 12 − 0.7 − 1.8 Magnitud Magnitud
calculado calculado
𝑽𝑹 = 𝟗. 𝟓 𝑽 VR
R
2.2 𝒌Ω Tensión 11.7 𝑽
𝑉 Resistencia.
en la R.
𝐼𝑅 =
𝑅 E IR
9.5 𝑉 Tensión en 12 𝑽 Intensidad 5.31 𝒎𝑨
𝐼𝑅 =
680 Ω la fuente en la R.
𝑰𝑹 = 𝟏𝟑. 𝟗 𝒎𝑨 VD Si
ID Si
Tensión en 0.3 𝑽 0 𝒎𝑨
Intensidad
𝑰𝑹 = 𝑰𝑫𝟏 = 𝑰𝑫𝟐 = 𝟏𝟑. 𝟗 𝒎𝑨 el diodo Si
VD Ge
ID Ge
Tensión en 0.3 𝑽 5.31 𝒎𝑨
Intensidad
el diodo Ge

Tabla 6. Cálculos:
𝑉𝑅 = 𝑉𝐷1
Valor Valor
Magnitud Magnitud 𝑉𝑅 = 12 − 0.7
calculado calculado
VR 𝑽𝑹 = 𝟏𝟏. 𝟕 𝑽
R
1 𝒌Ω Tensión 0𝑽
Resistencia. 𝑉
en la R.
𝐼𝑅 =
E IR 𝑅
Tensión en 9𝑽 Intensidad 0 𝒎𝑨 11.7 𝑉
𝐼𝑅 =
la fuente en la R. 2.2 𝐾Ω
VD1
ID1 𝑰𝑹 = 𝟓. 𝟑𝟏 𝒎𝑨
Intensidad
Tensión en 9𝑽 0 𝒎𝑨
en el 𝑰𝑹 = 𝑰𝑫𝟐 = 𝟓. 𝟑𝟏 𝒎𝑨
el diodo 1
diodo
ID2
VD2 𝑰𝑫𝟐 = 𝟎 𝒎𝑨
Intensidad
Tensión en 9𝑽 0 𝒎𝑨
en el
el diodo 2
diodo

Cálculos: 6 TABULACIÓN DE DATOS MEDIDOS.

𝑉𝑅 = 0 𝑉
𝑽𝑹 = 𝟎 𝑽 Tabla 1.2

𝑉 Valor Valor
𝐼𝑅 = Magnitud Magnitud
𝑅 calculado calculado
0𝑉 VR
𝐼𝑅 = R
680 Ω 5.6 𝒌Ω Tensión 7.8 𝑽
Resistencia.
𝑰𝑹 = 𝟎 𝒎𝑨 en la R.
E IR
𝑰𝑹 = 𝑰𝑫𝟏 = 𝑰𝑫𝟐 = 𝟎 𝒎𝑨 Tensión en 9𝑽 Intensidad 1.38 𝒎𝑨
la fuente en la R.
ID
VD1
Intensidad
Tensión en 0.6 𝑽 1.37 𝒎𝑨
en el
el diodo 1
diodo
VD2
Tensión en 0.63 𝑽
el diodo 2
 7

Tabla 2.2 Tabla 5.2

Valor Valor Valor Valor

Magnitud Magnitud Magnitud Magnitud
calculado calculado calculado calculado
VR VR
R R
5.6 𝒌Ω Tensión 0𝑽 1 𝒌Ω Tensión 8.37 𝑽
Resistencia. Resistencia.
en la R. en la R.
E IR E IR
Tensión en 9𝑽 Intensidad 0 𝒎𝑨 Tensión en 9𝑽 Intensidad 8.38 𝒎𝑨
la fuente en la R. la fuente en la R.
ID ID1
VD1 VD1
Intensidad Intensidad
Tensión en -13.1 𝑽 0 𝒎𝑨 Tensión en 0.66 𝑽 4.30 𝒎𝑨
en el en el
el diodo 1 el diodo 1
diodo diodo
VD2 ID2
VD2
Tensión en 8.96 𝑽 Intensidad
Tensión en 0.66 𝑽 3.82 𝒎𝑨
el diodo 2 en el
el diodo 2
diodo

Tabla 3.2
Valor Valor Tabla 6.2
Magnitud Magnitud
calculado calculado
VR Valor Valor
R Magnitud Magnitud
5.6 𝒌Ω Tensión en 11.17 𝑽 calculado calculado
Resistencia.
la R. VR
E R
ID Si 1 𝒌Ω Tensión 0𝑽
Tensión en 12 𝑽 1.97 𝒎𝑨 Resistencia.
Intensidad. en la R.
la fuente E IR
VD Si Tensión en 9𝑽 Intensidad 0 𝒎𝑨
ID Ge
Tensión en 0.64 𝑽 1.97 𝒎𝑨 la fuente en la R.
Intensidad
el diodo 1 ID1
VD Ge VD1
Intensidad
Tensión en 0.27 𝑽 Tensión en 9𝑽 0 𝒎𝑨
en el
el diodo 2 el diodo 1
diodo
ID2
VD2
Intensidad
Tensión en 9𝑽 0 𝒎𝑨
Tabla 4.2 en el
el diodo 2
diodo
Valor Valor
Magnitud Magnitud
calculado calculado
VR Tabla 7.2
R
680 Ω Tensión 9.2 𝑽
Resistencia. Valor Valor
en la R Magnitud Magnitud
calculado calculado
E Ir
Tensión en 12 𝑽 Intensidad 13.6 𝒎𝑨 VR
R
la fuente en la R. 2.2 𝒌Ω Tensión 11.76 𝑽
Resistencia.
en la R.
ID
VD E IR
Intensidad
Tensión en 0.71 𝑽 13.6 𝒎𝑨 Tensión en 12 𝑽 Intensidad 5.39 𝒎𝑨
en el
el diodo Si la fuente en la R.
Diodo.
ILED VD Si
VLED ID Si
Intensidad Tensión en 0.28 𝑽 0 𝒎𝑨
Tensión en Intensidad
2.13 𝑽 en el 13.6 𝒎𝑨 el diodo Si
el diodo VD Ge
Diodo ID Ge
Led Tensión en 0.2 𝑽 5.39 𝒎𝑨
Led. Intensidad
el diodo Ge
 8

10 BIBLIOGRAFÍA.
7 ANÁLISIS  [1] Caicedo, F. (2015). Apuntes de
Electrónica elemental Básica. Madrid
España Recuperado de
https://es.slideshare.net/nestoravila2/apunte
s-de-electrinica-y-accesorios.

 [2] García, M. (2009). Área Tecnológica.

México, Recuperado de
https://www.areatecnologia.com/electronica
basica.html.

 [3] López, V. E. (2014). Cursos online.

8 CONCLUSIONES Electrónica, transistores. Lima Perú,
Recuperado de
 Cuando diodos del mismo tipo se conectan en https://www.monografias.com/trabajos94/p
paralelo no comparten la misma corriente en el -s-calidad/p-s-calidad.shtml.
estado de conducción. Cuando se conectan en
serie diodos del mismo tipo; no comparten el
mismo voltaje inverso.

 Se concluyó que los valores de cada diodo va a

varear según como fue el procedimiento de
fabricado, esto hace que varié los resultados en
una mínima cantidad a lo esperado.

 Cuando se le induce una corriente eléctrica a un

diodo este permite que esta pase a través de el
por un sentido, sin embargo no deja que esta
circule por ambos sentidos, esta característica es
lo que vuelve a un diodo un semiconductor.

9 RECOMENDACIONES.

 Verificar el funcionamiento de los instrumentos

de medida y cables de conexión.
 Verificar que los dispositivos electrónicos estén
en buen estado.
 Verificar el valor de los elementos para cada
circuito
 Verificar que el circuito este armado
adecuadamente.
 Leer y analizar la guía de práctica antes de
empezar una práctica.