FASE 2

FISICA DE SEMICONDUCTORES

Tutor
IVAN CAMILO NIETO SANCHEZ

Alumno
LUIS GERMAN CERON
Cód.: 1102828011
Grupo: 299002_16

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA
CEAD COROZAL
2016
 El estudiante deberá consultar acerca de dispositivos unipolares, bipolares y
electrónica de potencia.

Dispositivos Unipolares
Se denominan dispositivos unipolares a aquellos dispositivos semiconductores
que basan su mecanismo de conducción de forma casi exclusiva en un solo
tipo de portador de carga. Podemos considerar en principio cinco tipos de
dispositivos unipolares:
 Contacto metal-semiconductor. Es la unión de un metal con un
semiconductor (barrera Shottky). Equivalente a una unión p-n abrupta a
un lado. Además, para el caso de semiconductores fuertemente
dopados, este tipo de unión constituye la forma más importante de
realizar un contacto óhmico.
 El transistor de efecto de campo (JFET). Se trata de una resistencia
controlada por tensión. Basa su funcionamiento en una unión p-n
inversamente polarizada que se encarga de controlar la resistencia
existente entre dos contactos óhmicos, o lo que es lo mismo, el flujo de
corriente a su través.
 El transistor MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor).
Idéntico al JFET pero emplea un contacto metal-semiconductor de tipo
rectificador en lugar de un unión p-n.
 El diodo MOS (Metal-Oxide Semiconductor Diode). Componente muy
empleado en el estudio de las superficies semiconductoras, de gran
aplicación en los dispositivos CCD.
 El transistor MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect
Transistor). Constituye un diodo MOS con dos uniones p-n adyacentes al
diodo MOS. De análogas propiedades eléctricas que los transistores
JFET y MESFET es de gran utilidad en la fabricación de
microprocesadores, memorias de semiconductor, etc.
Con respecto a los dispositivos bipolares, los unipolares presentan
características bien concretas y que en muchos casos son ventajas
respecto a los bipolares:
- De fabricación más sencilla. Ocupan menos espacio y, por lo tanto,
presentan una mayor capacidad de integración.
 - Menor consumo que el bipolar (del orden de nanowatios para el MOS
frente a los miliwatios de los BJT).
- Más económico.
- Elevada impedancia de entrada (del orden de 1010Ω).
- Es el elemento óptimo para la fabricación de memorias.
- Presenta menos ruido que el bipolar.
Sin embargo, por cuestiones de tiempo se tratarán únicamente los
dispositivos unipolares transistor JFET y transistor MOSFET. La unión
metal-semiconductor ya fue tratada en el tema correspondiente a la
unión p-n.

Dispositivos Bipolares

Los dispositivos bipolares son dispositivos semiconductores de tres terminales

formados por dos junturas PN separados por una región muy estrecha. De esta
forma quedan formadas tres regiones:-emisor colector y base los cuales
pueden ser de dos tipos: NPN y PNP el emisor que se diferencia de las otras
dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal, la base es
la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector y el colectores el
de mayor extensión.

 NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares
usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado
P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente
ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y
apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
  PNP

El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado
N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa.
Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente
mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está
en funcionamiento activo.

Electrónica de potencia
Lo electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control, el
control se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas
de los sistemas de lazo cerrado. La energía tiene que ver con equipo de
potencia estática y rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y
distribución de la energía eléctrica. La electrónica se encarga de los
dispositivos y circuitos de estado sólido requeridos el procesamiento de la
señales para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrónica de
potencia se puede definir como la aplicación de la electrónica de estado sólido
para el control y la conversión de la energía eléctrica. En la figura 1 se muestra
la interrelación de la electrónica de potencia con la energía, la electrónica y el
control.
 Cada estudiante escogerá un dispositivo y realizará un escrito tipo artículo de
máximo 2 hojas donde describa sus características.

Transistores Mosfet
Llamados asi por sus siglas “Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor”, Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados
en transistores MOSFET.
Los usos de transistores mosfet son en sistemas donde se almacena o procesa
información, se puede definir como un interruptor minúsculo, controla el paso
de corriente eléctrica entre un terminal llamado fuente (S) y el drenador (D),
mediante la aplicación de una tensión eléctrica por un tercer terminal llamado
puerta G, modificando la tensión eléctrica aplicada, aparece o desaparece un
canal conductor que conecta o desconecta la fuente del drenador, permitiendo
el cierre o la apertura del drenador, es fabricado de silicio ( uno de los
elementos más abundantes en el planeta), por el hecho de usar un material
semiconductor posee ventajas adicionales:
-Posibilidad de modificar la capacidad de conducción mediante la adición de
átomos de impurezas.
-Posibilidad de tener partículas con distintos signos de carga eléctrica.
-Posibilidad de conseguir regiones con distintos tipos de impurezas en ese
pequeño semiconductor.
La función del terminar de puerta crear una especie de interruptor el cual si no
se aplica la tensión correcta no es posible la comunicación los terminales S y
D.
Sus usos en el presente son innumerables, los podemos encontrar desde
radios pequeños, hasta completos y complejos circuitos electrónicos análogos
y digitales.
Como ejemplo fue consulto una prueba realizada con un transistor Mosfet
K2564, los cuales según el exponente indica que este modelo es usado
básicamente en los circuitos de Televisores Daewoo, podemos evidenciar
mediantes distintas pruebas las funciones de este, así como también la puesta
en práctica del uso y función de cada terminal, donde podemos evidenciar
como se carga y descarga “funcionando como compuerta lógica” solo
realizando la medición entre el el terminar S y D, y que el terminal G abriendo
el circuito al aplicar una pequeña carga, comparto video donde asi como
también podemos ver la forma de realizar sus mediciones en un multímetro:
https://www.youtube.com/watch?v=wwIRXd8zX04 tomado de canal
Profesororozco.
 Cada estudiante debe analizar y presentar ventajas y desventajas de lo
consultado por sus compañeros (realimentación).
 Referencias

 Dispositivos Unipolares (2012, Octubre 13). Recuperado de

http://www.uv.es/candid/docencia/Tema5(01-02).pdf

 Dispositivos Bipolares (2012, Octubre 13). Recuperado de

http://www.uv.es/candid/docencia/Tema4b.pdf

 Potencia (s.f). Recuperado de

http://www.ie.itcr.ac.cr/juanjimenez/cursos/Potencia/lectura3.pdf