Fundamentos de Microondas

Convenio UACJ – SA
Técnicas de RF y Microondas
Fundamentos de las Microondas.
Circuitos activos y pasivos de RF y microondas.

Los circuitos de microondas pueden ser divididos en dos grandes grupos; los circuitos
activos y los circuitos pasivos. Los circuitos pasivos no agregan potencia a la señal que
reciben y los circuitos activos pueden agregar potencia a la señal que reciben. La tabla 1
muestra una división entre circuitos pasivos y activos, con una división intermedia de
circuitos que pueden ser uno u otro. Los circuitos pasivos incluyen desde elementos
discretos como resistencias, inductancias y capacitancias hasta circuitos mas complejos,
tales como: Filtros, divisores y combinadotes. Los circuitos que pueden ser tanto activos
como pasivos, están las antenas, multiplexores y mezcladores. Los circuitos activos cubren
dispositivos tales como: Amplificadores, osciladores y moduladores.
Tabla 1. División de circuitos entre pasivos y activos

Pasivos Pasivos/activos Activos
Duplexers Antenas Diodos
Diplexers Switches RFICs
Filtros Multiplexores MMICs
Acopladores Mezcladores T/R módulos
Puentes Muestreadores Transceptores
Splitters, divisores Multiplicadores Receptores
Combinadores Sintonizadores
Aislantes Convertidores
Circuladores VCAs
Atenuadores VCOs
Adaptadores VTFs
Circuitos abiertos, cerrados y cargas Osciladores
Líneas de retrazo Moduladores
Cables VCAtten
Líneas de transmisión Transistores
Guía de onda
Resonadores
Dieléctricos
R, L, C's
109
Dr. Víctor Hinostroza
Simbología y circuitos de RF y microondas

Existe una simbología estándar para identificar los diversos circuitos en RF y microondas.
Esta simbología se describe a continuación. Asimismo, se proporciona la explicación de la
operación y construcción de algunos de estos circuitos.
Amplificador. Tiene la función de amplificar las señales que se aplican a la entrada. El

símbolo de un amplificador es el siguiente.
Amplificador
Amplificador variable
Un amplificador de puede simbolizar como una red de dos puertos. La ganancia total de un
amplificador se define de la siguiente manera:
2 2
1 − Γs 2 1 − ΓL
GT = S 21
1 − Γs S11 1 − ΓL Γsalida
2
Donde Γs es el coeficiente de reflexión de la fuente, Γ salida es el coeficiente de reflexión de

salida de la red de dos puertos y Γ L es el coeficiente de reflexión de la carga. La ganancia
disponible se define como la relación entre la potencia disponible de la salida de la red de
dos puertos y la potencia disponible de la fuente.
S12 S 21Γs
2
1 − Γs 1
Con Γsalida = S 22 +
2
GT = S 21
1 − Γs S11 1 − Γsalida
2
1 − Γs S11
110
Toda la potencia disponible en un puerto puede ser transferida a la carga, si la salida es

terminada con el complejo conjugado de la carga.
Figura 4.1 Esquemático de un amplificador típico
Antena. Dispositivo cuya función es emitir o recibir ondas electromagnéticas del o hacia
el espacio. Este tema requiere un curso completo para cubrir sus fundamentos. Su símbolo
es el siguiente:
Antena
Filtro pasa-bandas. Un filtro pasa-banda ideal presenta una banda de paso entre dos
frecuencias de corte, de forma que en este rango de frecuencias la señal no se ve atenuada.
En cambio si el valor de frecuencia se encuentra por debajo del límite inferior fl de dicha
banda o por encima del límite superior fh la señal se atenúa.
Filtro pasa bandas
111
Filtro pasa-altas. Los filtros pasa-altas son circuitos que atenúan todas las señales cuya
frecuencia está por debajo de una frecuencia de corte específica ω c y pasa todas aquellas
señales cuya frecuencia es superior a la frecuencia de corte. Es decir, el filtro pasa altas
funciona en la forma contraria al filtro pasa bajas.
Filtro pasa altas
Filtro pasa-bajas. Es el filtro cuyo funcionamiento es el siguiente; permite el paso de

señales de frecuencias desde 0 Hertz hasta una frecuencia f 1 y de esa frecuencia en adelante
no permite paso de señal.
Filtro pasa bajas
RF IF
A(t)[1/2 cos( ωs- ωp)t +1/2(cos(ωs+ ωp)t
A(t) = cos ωst
LO
cos ωpt
Figura 4.2 Modelo de un mezclador.
Mezclador. En mezclador (mixer) es un dispositivo que tiene la función de recibir dos

señales de diferente frecuencia y multiplicar estas dos señales. De manera que la salida del
112
mezclador tiene frecuencias suma y frecuencias diferencia de estas señales. Como se

muestra en la figura 4.2. La figura 4.3 muestra un esquemático de un mezclador típico.
Figura 4.3. Mezclador con un transistor MOSFET
Generador de señal. Circuito que tiene la función de generar las señales necesarias para la
operación de los sistemas de microondas. Generalmente la fuente de la señal es un
oscilador. La figura 4.4 muestra un esquemático típico de un oscilador. Recientemente es
más común generar las señales con circuitos de amarre de fase (PLL).
Figura 4.4. Esquemático de un oscilador típico.

Símbolo
113
Generador de señal
Atenuadores. Circuitos cuya función es reducir el nivel de potencia de la señal en un valor

determinado. Típicamente se forman de resistencias en formación π o delta (Δ). Como se
muestra en la figura 4.5.
Símbolo
Atenuador fijo
Atenuador variable
Figura 4.5. Esquemático de atenuadores
Divisor de potencia (splitter). Circuito que tiene la función de recibir una señal y dividir
su potencia en dos o más salidas. Normalmente se forma de transformadores balanceados.
114
Divisor o splitter
Conmutador (switch). Circuito cuya función consiste en seleccionar y conectar, de dos o

más entradas una salida.
Conmutador
Circulador. Es un conmutador rotativo que conecta una o varias entradas a una o varias
salidas. Se usa típicamente en radares.
Circulador
Duplexer. Filtro de dos bandas en un mismo circuito, para seleccionar dos bandas de
frecuencias a la vez. Por ejemplo, las frecuencias “fordward” y las frecuencias de reversa
en los sistemas de cable.
Duplexer
4.1 Componentes pasivos discretos de microondas
Resistencias.
115
En los circuitos de RF y microondas es casi indispensable que los componentes discretos

sean de tecnología de montaje en superficie (SMT). En el caso de las resistencias, se
construyen de la siguiente manera; Se deposita una película resistiva sobre un sustrato de
cerámica, el sustrato tiene terminaciones soldables en cada extremo del componente como
se muestra en al figura 4.6.
Resistores SMT existen en valores de resistencia estándar, con tolerancias que van desde 10
a 1% y con tamaños de componente estándar también. Los tamaños se definen de la
siguiente manera: Por ejemplo el tamaño 2512 o el tamaño 0201, estos números quieren
decir los siguiente, el numero 2512, quiere decir que el tamaño del componente es de 2.5
Mm. por 1.2 Mm. O el tamaño 0201 es de un tamaño 0.2 por 0.1 Mm.
Película
resistiva
Terminales
soldables
Sustrato
Figura 4.6. Resistencia SMT.
El material resistivo es depositado con un espesor uniforme tR y tiene una conductancia

finita σR, el material es casi siempre depositado en una forma rectangular que permite
calcular la resistencia de la siguiente manera:
116
lR
R=
( σ R wR t R )
Donde wR y lR es la anchura y longitud de la película resistiva, respectivamente. La figura

4.7 muestra un esquemático equivalente de la resistencia a altas frecuencias, donde se
muestran las inductancias y capacitancias parásitas de la resistencia.
Ls R
Cp/2 Cp/2
Cs
Figura 4.7 Esquemático equivalente de una resistencia SMT.
Donde Ls y Cs son la inductancia y capacitancia serie de las terminales de la resistencia y

Cp/2 es la capacitancia de cada terminal a tierra.
Capacitancias.
La construcción de los capacitores SMT o capacitores chip, es muy similar en tamaño y
apariencia a las resistencias SMT. Los valores típicos van desde 0.5 pF hasta los
microfaradios. Hay dos tipos principales de construcción, los de placas paralelas y los de
multi-capa, según se muestra en la figura 4.8. Los de placas paralelas son de menor valor en
capacitancia para un mismo tamaño, comparados con los multi-capa. Se usan varios tipos
117
de dieléctricos, los mas comunes son: NPO, XR7 y Z5U. Materiales con baja constante
dieléctrica, tales como los NPO, tienen menos pérdida y son menos sensibles a la
temperatura. Materiales con mayor constante dieléctrica, tales como XR7 y Z5U, varían
mas con la temperatura y con el voltaje aplicado a sus terminales.
(a)
(b)
Figura 4.8 Estilos de capacitores SMT (a) de placas paralelas y (b) multi-capa.
Los capacitores de placas paralelas, figura 4.8(a), se construyen montando una capa
delgada de dieléctrico sobre un sustrato de baja resistencia o puede ser una capa gruesa de
dieléctrico con terminales en la parte superior e inferior. Su valor esta dado por la siguiente
ecuación:
εwl
C=
td
Donde td, l y w son el espesor, la longitud y la anchura del dieléctrico, respectivamente. ε

es la permitividad del material del cual esta formado el dieléctrico. Los capacitores de
multi-capa se construyen como un sándwich de varios electrodos delgado entre capas de
dieléctrico. Su capacitancia esta dada por la siguiente ecuación
118
εw p l
C = ( n − 1)
tl
Donde n es la cantidad de capas, tl es el espesor del dieléctrico y wd es el ancho de la capa.
La figura 4.9 muestra el esquemático equivalente de un capacitor SMT. Donde Ls y Rs son

la inductancia y resistencia de las terminales, y Gp es la conductancia entre placas.
Ls Rs C
Gp
Figura 4.9 Esquemático equivalente de un capacitor
Inductancia
Los inductores SMT, se construyen impresos sobre el cuerpo del chip y de un tamaño
similar al de las resistencias y capacitancias. Los estilos de construcción pueden ser dos;
devanados y multi-capa. Los devanados se forman enrollando un conductor sobre un núcleo
de cerámica o ferrita, como se muestra en la figura 4.10(a). La construcción multi-capa se
muestra en la figura 4.10(b), aunque se pueden encontrar inductores chip planares.
La inductancia esta dada por la siguiente ecuación:
9.825n 2 d 2
L= µH
( 4.5d +10l )
119
(a)
(b)
Figura 4.10 Inductores chip, (a) devanados y (b) multi-capa.
Donde n es el número de vueltas, d es el diámetro de la vuelta y l es la longitud de la

bobina. La figura 4.11 muestra el esquemático equivalente de un inductor chip.
L Rs
Cs
Figura 4.11 Esquemático equivalente de un inductor chip.
4.2 Componentes activos discretos de microondas.
Diodos gun, diodos tunel, varactores y diodos Schottky.
120
Varactores. Un Varactor es un dispositivo reactivo no lineal, usado para la generación de

armónicas de alta frecuencia, amplificación paramétrica, mezclado, detección y
sintonización por voltaje variable. Los varactores normalmente tienen una capacitancia
dependiente del voltaje y pueden ser construidos de diferentes materiales semiconductores.
Modelo de un varactor. La figura 4.12 muestra el modelo de un varactor, tiene una
resistencia constante en serie y una elastáncia diferencial no lineal.
dV 1
S (V ) = =
dQ C (V )
Donde V es el voltaje a través de la juntura del diodo.
Figura 4.12 Modelo de un Varactor y símbolo.
Aplicaciones de un Varactor. Es la principal aplicación de los varactores, la

multiplicación de frecuencias se hace aprovechando las características no lineales de estos
diodos. Su operación es como sigue; Se aplica una señal al diodo varactor y debido a sus
características no lineales, se generan frecuentas armónicas de esa frecuencia de entrada y a
la salida se adapta un filtro pasa bajas, sintonizado a la armónica deseada.
Diodos Schottky. Estos diodos también exhiben comportamiento no lineal. Este tipo de
diodos esta construido con una juntura bipolar de semiconductor, con una de las terminales
metálicas. Este diodo tiene tanto resistencia, como capacitancia no lineal, La terminal
metálica de este diodo provoca que tenga un tiempo de descarga (polarización con voltaje
inverso) muy bajo, lo que lo hace adecuado pata aplicaciones de lata frecuencia.
121
Diodos Gunn. Estos diodos tienen la propiedad de que tienen una región en su curva
característica que se le llama de resistencia negativa. Ver figura 4.13. Esto es en esta región
cuando el voltaje aumenta la corriente disminuye. Lo que los hace apropiados para las
aplicaciones de generación de señales (osciladores).
Punto de
polarización
Figura 4.13 Curva característica de un diodo Gunn y su símbolo.
Diodos Tunnel. Los diodos túnel generan las características activas por medio de un
mecanismo de retroalimentación interna que involucra el entunelamiento de electrones
entre bandas de energía en semicundcutores altamente dopados. Este entunelamineto
provoca que cuando se tienen la polarización adecuada, se tengan características de
resistencia negativa similares a las del diodo Gunn. La figura 4.14 muestra un ejemplo de
circuito de un oscilador con diodo túnel.
122
Figura 4.14 Oscilador con diodo Túnel.
A los diodos túnel y Gunn se les conoce como dispositivos tipo TED (dispositivos de
transferencia de electrones). Estos dispositivos tienen la característica de que a ciertos
niveles de voltaje (determinado campo eléctrico), sus características de velocidad de carga
de electrones es esencialmente dependiente de la resistencia y por lo tanto pueden operar a
altas frecuencias.
Transistores BJT
Este tema es muy amplio y nos llevaría varios volúmenes tratarlo. Así por falta de espacio y
tiempo, nos enfocaremos en describir su operación en altas frecuencias. La ganancia de
corriente es la característica DC más relevante de un transistor bipolar. Las propiedades de
alta frecuencia son medidas generalmente por dos figuras de merito; la frecuencia de corte
fT y la frecuencia máxima de operación fmax. La frecuencia de corte es la frecuencia a la cual
la magnitud de la ganancia de corriente AC (la corriente de colector de pequeña señal
dividida entre la corriente de base de pequeña señal) se decrementa en uno. Analíticamente,
123
se describe en términos de el tiempo de transito de emisor – colector (τ ec), el cual es

inversamente proporcional a fT.
El tiempo de transito de emisor a colector se puede descomponer en varias partes. El

primero es el tiempo de carga del emisor τe, es el tiempo requerido para cambiar el potencial
de la base por medio de la carga de las capacitancias a través de la resistencia diferencial de
la juntura base–emisor.
CjBE y CjBC son las capacitancias de las junturas de base-emisor y colector-emisor. La

dependencia inversa de τe con la corriente de colector, es la razón por la cual los
transistores que se usan a altas frecuencias, normalmente tienen altas corrientes de colector.
El segundo término es el tiempo de tránsito de base, es el tiempo requerido para las cargas
inyectadas en la base se diluyan o se muevan en la base.
Donde X y D son características del tamaño de la base y v tiene un valor típico de 2 y

depende del campo eléctrico de la base.
Un tercer término es el tiempo de carga-espacio τ sc es el tiempo requerido para los

electrones para pasar la juntura de separación de base-colector.
Donde Xdep es el grosor de la juntura de separación de base-colector
124
El último término, el tiempo de carga del colector τe dado por .
Donde Re y Rc son las resistencias del emisor y colector.
El tiempo de tránsito total es la suma de los cuatro componentes
De esta manera, se puede sustituir esta ecuación en la de la frecuencia de corte y relacionar

la frecuencia de corte con las características de construcción del transistor.
La máxima frecuencia de operación es la frecuencia a la cual la ganancia de potencia es
igual a un y esta definida por la siguiente ecuación.
La resistencia de base RB tiene tres componentes que tienen más o menos la misma
magnitud. Estos son; La resistencia del electrodo de la base RB,Elec., la resistencia intrínseca
de la base RB,intrin y la resistencia extrínseca de la base R B, extrin. La primera esta determinada
por el proceso de construcción del semiconductor. Las dos últimas se definen de la
siguiente manera.
Donde RSHbase es la resistencia de hoja de la base. WE y LE son la longitud y anchura del

emisor y SBE es la separación entre los contactos de la base y el emisor.
125
Transistores MOSFET.
Así como los BJT, los MOSFET son un tema muy amplio de manera que, de nuevo, nos
concentraremos en su operación en altas frecuencias. Para empezar a hacer un análisis del
MOSFET a altas frecuencias, es necesario primero definir un modelo de pequeña señal del
dispositivo. Este modelo se muestra en la figura 4.15.
126
Cg/5
Rge Cgd rd
G D
Rg/3
gds
Cgs
gmvgs
Cdb
rj
rs Csb
127
Figura 4.15 Modelo de baja señal de un MOSFET.
Las limitantes de operación impuestas por los efectos distribuidos en altas frecuencias, son
determinadas por varios parámetros, entre los cuales están:
Frecuencia de ganancia de corriente unitaria fT. Esta es la frecuencia a la cual la

ganancia de pequeña señal de corriente extrapolada es igual a uno. La ganancia de pequeña
señal se define como la amplitud de la corriente de pequeña señal del drenaje entre la
corriente de pequeña señal de la compuerta y se le conoce como la frecuenta de tránsito y
se define analíticamente como.
Potencia de potencia máxima disponible. La ganancia máxima de puerto a puerto de un

dispositivo ocurre cuando la impedancia de los puertos de entrad y salida del dispositivo
están acoplados a la impedancia de la fuente y la carga. La máxima ganancia de potencia
disponible de un dispositivo Gmax, proporciona un limite en cuanto a cuanta potencia puede
ser manejada por el dispositivo. Relacionándola con la ecuación anterior esta ganancia es
De aquí se concluye que la máxima potencia disponible del MOSFET es proporcional a la

frecuencia fT y es inversamente proporcional a la resistencia de compuerta.
Frecuencia de ganancia de potencia unitaria fmax. Esta es la frecuencia a la cual la

ganancia de potencia máxima disponible es igual a uno. Un estimado de la fmax para un
MOSFET operando en saturación, es calculado usando la ecuación anterior y haciendo Gmax
igual a uno.
128
4.3 Micro-cintas (microstrip).
Las líneas de transmisión en circuito impreso (microstrip), es una tecnología que se ha

usado por algún tiempo. Esta tecnología es ampliamente usada debido a que tiene un ancho
de banda muy amplio. Además, proporciona circuitos muy compactos y ligeros. Son
económicos de producir y fácilmente adaptables a las tecnologías de fabricación de
circuitos integrados híbridos y monolíticos a frecuentas de radio frecuencia y microondas.
Fundamentos de microstrip.
La figura 4.16 muestra diferentes líneas de transmisión con circuito impreso que son usadas
para circuitos de microondas, cada tipo tiene sus ventajas con respecto a los otros. En la
figura 1 se debe notar que los materiales de la tablilla se muestran en color claro y los
materiales conductores se muestran como partes negras. La línea de microstrip en la
geometría de una línea de transmisión es un solo conductor en un lado y un plano de tierra
en el otro separados por un aislante, normalmente una tablilla de circuito impreso.
La estructura de microstrip forma parte de una familia más grande de líneas de transmisión,
llamadas estructuras de guías planas. Las estructuras de guías planas están compuestas de
un dieléctrico con metalización en uno o ambos lados. Controlando la dimensión de de la
metalización, es posible construir una variedad de circuitos pasivos, líneas de transmisión y
circuitos de acoplamiento de impedancias. Adicionalmente, dispositivos activos son
intercalados en estas estructuras. Esto proporciona una forma de construir complicados
circuitos de microondas, en una forma barata y compacta. Circuitos integrados de
microondas (MICs) y circuitos integrados monolíticos de microondas (MMICs) se forman
de esta manera.
Una variedad de líneas de transmisión planas han sido desarrolladas, tales como;
microcinta, guías de onda coplanar, línea de ranura (slotline) y cinta coplanar. De las cuales
microstrip es la más usual. La descripción de cada una de estas técnicas es mostrada en la
figura 4.16.
129
Una vez que se selecciona un dieléctrico, las características de estas líneas de transmisión
son controladas por el ancho del conductor o los espacios en los planos superiores de la
estructura.
La figura 4.17 muestra una estructura de microstrip, que consiste de un conductor y un

plano de tierra. Un amplio rango de dispositivos pasivos de microondas pueden ser
construidos con microstrip, tales como; filtros, resonadores, duplexers, mezcladores y redes
de acoplamiento.
Para diseñar una línea de microstrip básica, es necesario ser capaz de determinar la
impedancia característica y la permitividad efectiva, preferentemente como función de
frecuencia.
Figura 4.15 Estructuras de guías de onda planas.
Hay una gran variedad de aproximaciones para el diseño de microstrip, con la mayoría de
las técnicas usando un aproximación casi- estática de la impedancia característica Z0 a bajas
frecuencias y un modelo de dispersión para la impedancia característica en función d ela
frecuencia Z0(f) en términos de Z0. Un modelo bastante exacto y simple, despreciando el
grosor del metal esta dado por
η  8h W W 
Z0 = ln + 0.25  Para  ≤1
2π ε re W h  h 
130
−1
η W W  W 
Z0 =  + 1.393 + 0.667 + 1.444  Para  ≥1
ε re  h h  h 
Metal
Dieléctrico
Plano de tierra
Figura 4.16 Estructura básica de microstrip.
Donde W es el espesor del metal, h es el grosor del dieléctrico, ε re es la permitividad

relativa y η tiene un valor de 120 Ω. La permitividad relativa esta dada por
εr +1 εr −1 W 
ε re = + F 
2 2 h
−1 / 2
W 
2
W   12h   W
≤1
F   = 1 +  + 0.041 −  Para 
h   W   h  h 
−1 / 2
W   12h  W 
F   = 1 +  Para  ≥1
h   W  h 
131
Con estas ecuaciones podemos determinar la impedancia característica en términos de la

geometría. Para una impedancia característica deseada, el ancho de la línea puede ser
determinado por.
W 8e A
= 2A Para A > 1.52
h e −2
W 2 ε −1  0.61 
= B − 1 − ln ( 2 B − 1) + r ln( B − 1) + 0.39 −  Para A< 1.52
h π εr +1  ε r  
Donde
1/ 2
Z 0 ε r + 1 εr −1  0.11 
A=   + 0.23 + 
60  2  εr +1 εr 
60π 2
B=
Z 0 εr
En una línea de microstrip la longitud de onda Λ esta dada por
λ
Λ=
( ε re ) 0.5
Donde εre es la permitividad efectiva que depende de la constante dieléctrica del material y
las dimensiones físicas de la línea de microstrip,y λ es la longitud de onda en el espacio
libre.
132
En una línea de microstrip el campo electromagnético existe en dos partes; un aparte en el

aire arriba del dieléctrico y otra en el dieléctrico mismo. De manera intuitiva, se puede
deducir que la constante dieléctrica efectiva de la línea se espera que sea mayor que la
constante dieléctrica del aire y menor que la constante dieléctrica del dieléctrico mismo. La
figura 4.17 muestra varias curvas de constante dieléctrica como función de dimensiones
físicas y constante dieléctrica relativa.
Figura 4.17. Constante dieléctrica efectiva en función de las dimensiones físicas.
Comparación de varios tipos de líneas de transmisión. Hay varios parámetros que nos
pueden proporcionar una forma de comparación de diversos tipos de líneas de transmisión,
estos parámetros son; El factor Q del circuito, que nos da un valor de la capacidad de
sintonía del circuito. Otros factores son la radiación y la dispersión de las ondas
electromagnéticas que viajan a través de la línea. La dispersión es una indicación de cuanto
se dispersan las ondas con respecto al área de la guía y la radiación es una indicación de la
133
energía radiada por la estructura. Otro factor es el rango de impedancia de la estructura. Por
último, si es posible o no montar en chip la estructura. Estos parámetros se muestran en la
tabla 1, para varios tipos de estructuras.
Tabla 2. Comparación de varios tipos de líneas de transmisión
Línea de Factor Q Radiación Dispersión Rango de Montaje de

transmisión Impedancias chip
Microstrip Difícil en
Dieléctrico 250 Baja Baja 20 a 120 paralelo,
GaAs, Si 100 a 150 Alta fácil en serie
Stripline 400 Baja Ninguna 25 a 250 Pobre
Stripline 500 Baja Ninguna 40 a 150 Regular
suspendida
Slotline 100 Media Alta 60 a 200 Fácil para
paralelo,
difícil para
serie
Guía de onda 150 Media Baja 20 a 250 Fácil para
coplanar serie y
paralelo
Finline 500 Ninguna Baja 100 a 400 Media
Ejemplos de circuitos con microstrip. La figura 4.18 muestra un filtro pasa banda. La
figura 4.18 (a) muestra el esquemático y a figura 4.18(b) su equivalente en microstrip. En
los circuitos de microstrip las líneas gruesas, indican generalmente capacitancia en paralelo
y las líneas delgadas indican generalmente inductancias en serie, correspondiente al
esquemático.
134
(a)
Figura 4.18 (a) Circuito esquemático y (b) circuito microstrip.
La figura 4.19 (a) y (b) se muestran el circuito en microstrip de dos filtros, en la figura 4.19
(a) las líneas delgadas, indican inductancias en serie y las líneas gruesas hacia abajo indican
capacitancias en paralelo. En la figura 4.19 (b), lo mismo solo que las capacitancias están
en forma de rectángulos atravesados en la línea principal. Los extremos inicial y final del
circuito son circuitos de acoplamiento de la impedancia característica Z0.
135
(a)
(b)
Figura 4.19. Filtro pasa bandas en microstrip.
La figura 4.20 muestra un circuito de un filtro pasa bandas, pero en este caso es con guías
de onda de ½ longitud de onda, cada tramo de circuito es el equivalente en longitud a la
mitad de una longitud de onda de la frecuencia central del filtro.
136
Figura 4.20 Filtro pasa bandas de mitad de longitud de onda.
El circuito de la figura 4.21 muestra un circuito mas elaborado de microstrip este circuito
tiene una guía de onda de 50 Ω, con un divisor de dos a uno y con varios elementos
insertados en la guía de onda, un atenuador y varios capacitares chip.
DESIGN FEATURE
Atenuador π
Divisor de dos
vias
Capacitares
Al sintetizador
Chips y
amplificador
de VCO
Salida de PLL Plano de tierra
Figura 4.21 Circuito de microstrip de un PLL.
Hay que resaltar en este circuito, un elemento más, las esquinas de la guía de onda. Estas
esquinas son una discontinuidad en un circuito de microstrip. Por lo tanto, esta parte del
circuito requiere un re-diseno. Estas discontinuidades son llamadas “Chamfered bends” y se
calculan con las siguientes ecuaciones. La figura 4.22 muestra una amplificación de estas
esquinas y sus elementos.
 −1.35 w 
s  
= 0.52 + 0.65e  h 
d
137
Figura 4.22 Circuito microstrip de “Chamfered Bends”.
Fuente: http://docentes.uacj.mx/vhinostr/cursos/tecnicas_rf/capitulo_IV.doc
138

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Fundamentos de las Microondas.

Circuitos activos y pasivos de RF y microondas.

Tabla 1. División de circuitos entre pasivos y activos

Simbología y circuitos de RF y microondas

Amplificador. Tiene la función de amplificar las señales que se aplican a la entrada. El

Donde Γs es el coeficiente de reflexión de la fuente, Γ salida es el coeficiente de reflexión de

Toda la potencia disponible en un puerto puede ser transferida a la carga, si la salida es

Figura 4.1 Esquemático de un amplificador típico

Filtro pasa bandas

Filtro pasa altas

Filtro pasa-bajas. Es el filtro cuyo funcionamiento es el siguiente; permite el paso de

Filtro pasa bajas

Figura 4.2 Modelo de un mezclador.

Mezclador. En mezclador (mixer) es un dispositivo que tiene la función de recibir dos

mezclador tiene frecuencias suma y frecuencias diferencia de estas señales. Como se

Figura 4.3. Mezclador con un transistor MOSFET

Figura 4.4. Esquemático de un oscilador típico.

Atenuadores. Circuitos cuya función es reducir el nivel de potencia de la señal en un valor

Figura 4.5. Esquemático de atenuadores

Conmutador (switch). Circuito cuya función consiste en seleccionar y conectar, de dos o

4.1 Componentes pasivos discretos de microondas

En los circuitos de RF y microondas es casi indispensable que los componentes discretos

Figura 4.6. Resistencia SMT.

El material resistivo es depositado con un espesor uniforme tR y tiene una conductancia

Donde wR y lR es la anchura y longitud de la película resistiva, respectivamente. La figura

Figura 4.7 Esquemático equivalente de una resistencia SMT.

Donde Ls y Cs son la inductancia y capacitancia serie de las terminales de la resistencia y

Donde td, l y w son el espesor, la longitud y la anchura del dieléctrico, respectivamente. ε

Donde n es la cantidad de capas, tl es el espesor del dieléctrico y wd es el ancho de la capa.

La figura 4.9 muestra el esquemático equivalente de un capacitor SMT. Donde Ls y Rs son

Figura 4.9 Esquemático equivalente de un capacitor

La inductancia esta dada por la siguiente ecuación:

Figura 4.10 Inductores chip, (a) devanados y (b) multi-capa.

Donde n es el número de vueltas, d es el diámetro de la vuelta y l es la longitud de la

Figura 4.11 Esquemático equivalente de un inductor chip.

4.2 Componentes activos discretos de microondas.

Diodos gun, diodos tunel, varactores y diodos Schottky.

Varactores. Un Varactor es un dispositivo reactivo no lineal, usado para la generación de

Donde V es el voltaje a través de la juntura del diodo.

Figura 4.12 Modelo de un Varactor y símbolo.

Aplicaciones de un Varactor. Es la principal aplicación de los varactores, la

Figura 4.13 Curva característica de un diodo Gunn y su símbolo.

Figura 4.14 Oscilador con diodo Túnel.

se describe en términos de el tiempo de transito de emisor – colector (τ ec), el cual es

El tiempo de transito de emisor a colector se puede descomponer en varias partes. El

CjBE y CjBC son las capacitancias de las junturas de base-emisor y colector-emisor. La

Donde X y D son características del tamaño de la base y v tiene un valor típico de 2 y

Un tercer término es el tiempo de carga-espacio τ sc es el tiempo requerido para los

Donde Xdep es el grosor de la juntura de separación de base-colector

El último término, el tiempo de carga del colector τe dado por .

Donde Re y Rc son las resistencias del emisor y colector.

El tiempo de tránsito total es la suma de los cuatro componentes

De esta manera, se puede sustituir esta ecuación en la de la frecuencia de corte y relacionar

Donde RSHbase es la resistencia de hoja de la base. WE y LE son la longitud y anchura del

Figura 4.15 Modelo de baja señal de un MOSFET.

Frecuencia de ganancia de corriente unitaria fT. Esta es la frecuencia a la cual la

Potencia de potencia máxima disponible. La ganancia máxima de puerto a puerto de un

De aquí se concluye que la máxima potencia disponible del MOSFET es proporcional a la

Frecuencia de ganancia de potencia unitaria fmax. Esta es la frecuencia a la cual la

4.3 Micro-cintas (microstrip).

Las líneas de transmisión en circuito impreso (microstrip), es una tecnología que se ha